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一種高純鈾金屬的制備裝置的制造方法

文檔序號(hào):9155947閱讀:626來源:國(guó)知局
一種高純鈾金屬的制備裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及金屬鈾提純的技術(shù)領(lǐng)域,更具體地講,涉及一種可用于區(qū)域熔煉鈾金屬及其他難熔重金屬的制備裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]鈾金屬中的雜質(zhì)元素、夾雜物種類和含量會(huì)直接影響鈾金屬的力學(xué)性能和抗腐蝕性能。
[0003]區(qū)域熔煉是目前應(yīng)用較多的材料提純的方法,其原理是當(dāng)一狹窄的熔區(qū)緩慢地由一長(zhǎng)的金屬料棒的一端移向另一端時(shí),利用固液界面處溶質(zhì)在液、固界面處的濃度差,使得富集在熔區(qū)的雜質(zhì)被逐漸趕到金屬料棒的尾端,經(jīng)多次區(qū)域熔煉之后,金屬料棒的前端可達(dá)到較高的純度。
[0004]區(qū)域熔煉的加熱方式很多,主要包括感應(yīng)加熱、電阻加熱、激光加熱和電子束加熱等。激光加熱和電子束加熱可獲得較為理想的熔區(qū)寬度,但電子槍和激光器的價(jià)格較高;電阻加熱時(shí),固液界面的形態(tài)難以控制,并且熔區(qū)寬度較大。
[0005]難熔重金屬鈾及其合金的單晶因具有許多獨(dú)特的優(yōu)異性能而被廣泛地應(yīng)用于航空航天、高能物理、武器、電子電氣、醫(yī)學(xué)等許多高科技領(lǐng)域,成為國(guó)防部門的重要材料。區(qū)域熔煉還可進(jìn)行金屬單晶的制備,對(duì)于區(qū)域提純來說,單晶體的生長(zhǎng)并不是一個(gè)必要的產(chǎn)物,然而二者是可以同時(shí)完成的。因?yàn)榫w的完整性及可溶雜質(zhì)的控制往往是可以一起實(shí)現(xiàn)的,一些極為完善的半導(dǎo)體晶體也是利用區(qū)域熔煉法生長(zhǎng)出來的。
[0006]因此,研制一種簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)、有效的高純鈾金屬的制備裝置,對(duì)制備獲得高純貧鈾金屬,不僅具有顯著的工程應(yīng)用價(jià)值,還具有重要的科學(xué)研究意義。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題和不足,本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便并且能夠用于金屬鈾提純、單晶制備、熔煉于一體的高純鈾金屬的制備裝置。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了一種高純鈾金屬的制備裝置,所述制備裝置包括爐體、區(qū)域熔煉坩禍、熔煉系統(tǒng)、抽真空系統(tǒng)、測(cè)溫系統(tǒng)和伺服系統(tǒng),所述爐體中設(shè)置有料棒固定單元,所述料棒固定單元包括分別位于爐體頂部和底部并且相對(duì)設(shè)置的上卡頭與下卡頭;所述區(qū)域熔煉坩禍放置于所述下卡頭上,鈾金屬料棒穿過所述區(qū)域熔煉坩禍而固定在上卡頭與下卡頭之間;所述熔煉系統(tǒng)包括中頻電源和感應(yīng)線圈,所述感應(yīng)線圈環(huán)繞在所述區(qū)域熔煉坩禍的外圍并能夠沿著鈾金屬料棒的長(zhǎng)度方向移動(dòng),所述感應(yīng)線圈與中頻電源連接;所述抽真空系統(tǒng)通過管道與所述爐體連通;所述測(cè)溫系統(tǒng)設(shè)置在爐體上;所述伺服系統(tǒng)包括升降單元與旋轉(zhuǎn)單元,所述升降單元與所述感應(yīng)線圈連接以實(shí)現(xiàn)并控制感應(yīng)線圈的移動(dòng),所述旋轉(zhuǎn)單元與所述上卡頭或下卡頭連接以實(shí)現(xiàn)并控制固定在上卡頭與下卡頭之間的鈾金屬料棒的自轉(zhuǎn)。
[0009]根據(jù)本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置的一個(gè)實(shí)施例,所述制備裝置還包括控制柜以及與爐體連通的冷卻水系統(tǒng)。
[0010]根據(jù)本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置的一個(gè)實(shí)施例,所述爐體上還設(shè)置有安裝門和觀察窗。
[0011]根據(jù)本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置的一個(gè)實(shí)施例,所述區(qū)域熔煉坩禍為陶瓷坩禍并且為圓柱管結(jié)構(gòu)坩禍。
[0012]根據(jù)本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置的一個(gè)實(shí)施例,所述抽真空系統(tǒng)包括機(jī)械栗、分子栗、真空閥、真空計(jì)和排氣閥,所述分子栗與爐體直接連接,所述機(jī)械栗與分子栗連接,所述真空計(jì)和排氣閥設(shè)置在爐體上。
[0013]根據(jù)本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置的一個(gè)實(shí)施例,所述真空閥包括預(yù)真空閥、低真空閥和高真空閥,所述預(yù)真空閥和低真空閥并聯(lián)設(shè)置在分子栗與機(jī)械栗之間,所述高真空閥設(shè)置在分子栗上。
[0014]根據(jù)本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置的一個(gè)實(shí)施例,所述測(cè)溫系統(tǒng)包括測(cè)溫組件和溫度顯示組件,所述測(cè)溫組件伸入至爐體內(nèi)并且與設(shè)置在爐體上的溫度顯示組件電連接。
[0015]根據(jù)本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置的一個(gè)實(shí)施例,所述測(cè)溫組件為熱電偶。
[0016]根據(jù)本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置的一個(gè)實(shí)施例,所述測(cè)溫系統(tǒng)還包括雙比色紅外測(cè)溫儀。
[0017]根據(jù)本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置的一個(gè)實(shí)施例,所述升降單元包括升降驅(qū)動(dòng)電機(jī)、升降機(jī)構(gòu)和第一減速機(jī),所述旋轉(zhuǎn)單元包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、傳動(dòng)連桿和第二減速機(jī)。
[0018]本實(shí)用新型高純鈾金屬的制備裝置結(jié)構(gòu)緊湊合理,整個(gè)系統(tǒng)使用安全、操作方便且具有較好推廣應(yīng)用價(jià)值。具體來說,本實(shí)用新型具有以下幾方面的特點(diǎn):
[0019]I)采用陶瓷材料作為區(qū)域熔煉坩禍的材料,顯著減小了其與難熔重金屬鈾在區(qū)熔過程中發(fā)生反應(yīng)的可能性;并且,本實(shí)用新型的區(qū)熔坩禍材料的抗熱震性能好,可實(shí)現(xiàn)多次區(qū)域熔煉提純,大大提高了提純效率和產(chǎn)品產(chǎn)量;
[0020]2)本實(shí)用新型充分利用了感應(yīng)加熱線圈的中頻感應(yīng)加熱優(yōu)點(diǎn)和在感應(yīng)加熱線圈匝數(shù)可調(diào)整的獨(dú)特設(shè)計(jì)。當(dāng)鈾金屬置于中頻電流線圈中時(shí),其表面產(chǎn)生渦流,該渦流與外磁場(chǎng)相互作用產(chǎn)生電磁力,金屬棒表面張力與未熔化部分向上的支持力與電磁力相互作用,保證熔化區(qū)域形成并將其托起;并且,操作者可以從麥克斯韋電磁場(chǎng)理論出發(fā)計(jì)算電磁力隨熔化區(qū)域及線圈半徑的變化規(guī)律,從而設(shè)計(jì)合適的線圈匝數(shù)及具體尺寸,優(yōu)化實(shí)驗(yàn)工藝參數(shù);
[0021]3)本實(shí)用新型的真空系統(tǒng)由機(jī)械栗和分子栗組成,可實(shí)現(xiàn)爐體的高真空要求。
【附圖說明】
[0022]圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的高純鈾金屬的制備裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2A和圖2B分別示出了鈾金屬料棒在利用本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置進(jìn)行區(qū)域熔煉提純前、后的微觀組織圖。
[0024]圖3A、圖3B、圖3C、圖3D分別示出了含1000 μ g/g雜質(zhì)元素Fe的鈾金屬料棒的微觀組織圖、含1000 μ g/g雜質(zhì)元素Fe的鈾金屬料棒在利用本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置進(jìn)行區(qū)域熔煉提純后的鈾金屬料棒中部的微觀組織圖、含1000 μ g/g雜質(zhì)元素Fe的鈾金屬料棒在利用本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置進(jìn)行區(qū)域熔煉提純后的鈾金屬料棒中尾部的微觀組織圖、含1000 μ g/g雜質(zhì)元素Fe的鈾金屬料棒在利用本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置進(jìn)行區(qū)域熔煉提純后的鈾金屬料棒尾部的微觀組織圖。
[0025]附圖標(biāo)記說明:
[0026]1-爐體、2-區(qū)域恪煉i甘禍、3-上卡頭、4-下卡頭、5-恪煉系統(tǒng)、6_抽真空系統(tǒng)、7-測(cè)溫系統(tǒng)、8-伺服系統(tǒng)、9-升降單元、10-旋轉(zhuǎn)單元、11-中頻電源、12-感應(yīng)線圈、13-機(jī)械栗、14-分子栗、15-排氣閥、16-安裝門、17-觀察窗、18-鈾金屬料棒、19-預(yù)真空閥、20-低真空閥、21-尚真空閥、22-控制柜。
【具體實(shí)施方式】
[0027]在下文中,將結(jié)合附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的高純鈾金屬的制備裝置。
[0028]在采用區(qū)域熔煉工藝進(jìn)行提純的過程中,使用感應(yīng)加熱并通過設(shè)置合適的參數(shù)可以獲得較小的熔區(qū)寬度,同時(shí)由于感生電流與外加電磁場(chǎng)之間的相互作用可以在熔體內(nèi)產(chǎn)生攪拌作用,有利于控制界面溫度場(chǎng)分布及固液界面的形態(tài),從而
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