的合計 附著量的值減去利用所述二苯卡己阱吸光光度法所測定的六價銘的附著量的值而算出。
[0315] ?由銘氧化物所形成的表面處理層：
[0316] 利用ESCA對表面及深度方向的元素進行分析，當在表面或相同深度檢測出銘與 氧時，判斷為具有由銘氧化物所形成的表面處理層。此外，對上文所述的各實施例、比較例 均進行利用ESCA的表面分析，結(jié)果均檢測出銘與氧，因此各實施例、比較例的銅錐具有由 銘氧化物所形成的表面處理層。 陽317] ?表面處理層的厚度：
[0318] 表面處理層的厚度是根據(jù)=價銘的附著量，將密度設(shè)為7. 2g/cm3而進行換算。換 算式如W下所述。
[0319] 表面處理層的厚度（nm) =S價銘的附著量（yg/dm2)/S價銘的密度7. 2g/ cm]X0. 1(nmX(g/cm]) / (U邑/血2)) 陽320] ?于硝酸的溶出量： 陽321] 對試樣施加250°CX10分鐘的熱處理后，在使用遮蔽膠帶僅使表面處理層的表面 露出25cm2的狀態(tài)，于濃度為20mass%且溫度為25°C的硝酸浴中浸潰30秒。其后，對試樣 于硝酸浴的溶出量（g/25cm2)進行測定。 陽32引此外，溶出量是利用下式而算出。 陽323] 溶出量（g/25cm2)=施加250°CX10分鐘的熱處理后浸潰于硝酸浴之前的試樣的 重量（g)-施加250°CX10分鐘的熱處理后在使用遮蔽膠帶僅使表面處理層的表面露出 25cm2的狀態(tài)于濃度為20mass%且溫度為25°C的硝酸浴浸潰30秒后的試樣的重量（g) 陽324] 所述試樣的重量是利用電子天平測定到小數(shù)點后4位（0.Img)。
[0325] ?剝離強度：
[0326] 按照IPC-TM-650,利用拉伸試驗機Autograph100測定常態(tài)剝離強度，W所述常 態(tài)剝離強度為0. 7kN/mmW上作為可用于覆銅積層基板用途的樣品。
[0327] -PCT(高壓蒸煮試驗）： 陽32引作為高壓蒸煮試驗，在12rc、兩個大氣壓下處理48小時，使用耐久試驗后的試 片，通過JIS-K7054的方法測定拉伸強度。
[0329] ?傳輸損耗 陽330] 關(guān)于ISym厚的各樣品，將銅錐經(jīng)表面處理之側(cè)的表面與樹脂基板化CP:液晶聚 合物樹脂（Kuraray股份有限公司制造的VecstarCTZ-SOym(厚度）））貼合后，通過蝕刻，W特性阻抗成為50Q的方式形成微帶線，使用HP公司制造的網(wǎng)絡(luò)分析儀HP8720C測定透 過系數(shù)，求出頻率20GHz下的傳輸損耗。此外，銅錐的厚度未達18ym的樣品是在將銅錐貼 合于樹脂基板后（其后，當銅錐具有載體時為自銅錐剝離載體后），W銅錐與鍛銅的合計厚 度成為18ym的方式對銅錐的表面進行鍛銅后進行所述的測定。 陽331 ] 此外，傳輸損耗是利用下式而算出。 陽3巧傳輸損耗（地/lOcm) = 10XIogiO(輸出功率/輸入功率） 陽333] 將所述各試驗的條件及評價示于表3。另外，將剝離強度的合格基準示于表4。 陽334]【表3】
[0336]【表4】 陽337]
[033引根據(jù)表3,關(guān)于實施例1~18,當施加250°CX10分鐘的熱處理后，W僅露出所述 表面處理層的表面的狀態(tài)于濃度為20mass%且溫度為25°C的硝酸浴浸潰30秒時，銅于硝 酸浴中的溶出量均為0. 0030g/25cm2W下，剝離強度均良好。
[0339] 另一方面，關(guān)于比較例1~5、10,當施加250°CX10分鐘的熱處理后，W僅露出所 述表面處理層的表面的狀態(tài)于濃度為20mass%且溫度為25°C的硝酸浴浸潰30秒時，銅于 硝酸浴中的溶出量均超過0. 0030g/25cm2,剝離強度均不良。 陽340] 另外，比較例6由于金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及化所組成的群中的元素 的合計附著量未達200yg/dm2,因此剝離強度不良。 陽341] 另夕F，比較例7~9由于金屬層中選自由化、Co、Zn、W、Mo及化所組成的群中的 元素的合計附著量超過2000yg/dm2,因此剝離強度不良，傳輸損耗較大。
【主權(quán)項】
1. 一種表面處理銅箱，其依序具有：銅箱、含有一種以上選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr 所組成的群中的元素的金屬層、及以鉻氧化物形成的表面處理層， 所述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為 200 ~2000μg/dm2， 施加250°CX10分鐘的熱處理后，以僅露出所述表面處理層的表面的狀態(tài)于濃度為 20mass%且溫度為25°C的硝酸浴浸漬30秒時，銅于硝酸浴的溶出量為0. 0030g/25cm2以 下。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理銅箱，其中，所述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo 及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~1500μg/dm2。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面處理銅箱，其中，所述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo 及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~1000μg/dm2。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面處理銅箱，其中，所述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo 及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~700μg/dm2。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理銅箱，其中，在所述表面處理層中，六價鉻的附著量 為三價鉻的附著量的0.1%以下。6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面處理銅箱，其中，在所述表面處理層中，六價鉻的附著量 為三價鉻的附著量的0.1%以下。7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面處理銅箱，其中，在所述表面處理層中，六價鉻的附著量 為三價鉻的附著量的0.1%以下。8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面處理銅箱，其中，在所述表面處理層中，六價鉻的附著量 為三價鉻的附著量的0.1%以下。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理銅箱，其中，所述表面處理層的厚度為0. 1~ 2. 5nm〇10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面處理銅箱，其中，所述表面處理層的厚度為0. 1~ 2. 5nm〇11. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面處理銅箱，其中，所述表面處理層的厚度為0. 1~ 2. 5nm〇12. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面處理銅箱，其中，所述表面處理層的厚度為0. 1~ 2. 5nm〇13. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面處理銅箱，其中，所述表面處理層的厚度為0. 1~ 2. 5nm〇14. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的表面處理銅箱，其中，所述表面處理層的厚度為0. 1~ 2. 5nm〇15. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的表面處理銅箱，其中，所述表面處理層的厚度為0. 1~ 2. 5nm〇16. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的表面處理銅箱，其中，所述表面處理層的厚度為0. 1~ 2. 5nm〇17. 根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的表面處理銅箱，其中，所述金屬層含有加熱變 色防止層及/或防銹層。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的表面處理銅箱，其中，所述加熱變色防止層與防銹層分別 為Zn、Cu或這些金屬的合金。19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的表面處理銅箱，其中，所述防銹層含有鉻酸鹽層或鉻酸鋅 層。20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的表面處理銅箱，其中，所述防銹層含有鉻酸鹽層或鉻酸鋅 層。21. 根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的表面處理銅箱，其中，所述金屬層含有硅烷偶 聯(lián)層。22. 根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的表面處理銅箱，其在所述表面處理層上形成 有硅烷偶聯(lián)層。23. 根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的表面處理銅箱，其在所述表面處理層的表面 具備樹脂層。24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的表面處理銅箱，其在所述硅烷偶聯(lián)層的表面具備樹脂層。25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的表面處理銅箱，其中，所述樹脂層含有電介質(zhì)。26. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的表面處理銅箱，其中，所述樹脂層含有電介質(zhì)。27. -種表面處理銅箱，其依序具有：銅箱、含有一種以上選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr 所組成的群中的元素的金屬層、及以鉻氧化物形成的表面處理層， 所述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為 200 ~2000μg/dm2， 施加250°CX10分鐘的熱處理后，以僅露出所述表面處理層的表面的狀態(tài)于濃度為 20mass%且溫度為25°C的硝酸浴浸漬30秒時，銅于硝酸浴的溶出量為0. 0030g/25cm2以 下， 該表面處理銅箱滿足下述（1)~（12)中至少一個條件： (1) 所述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為 200 ~1500μg/dm2， (2) 所述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為 200 ~1000μg/dm2， (3) 所述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為 200 ~700μg/dm2， (4) 在所述表面處理層中，六價鉻的附著量為三價鉻的附著量的0. 1%以下， (5) 所述表面處理層的厚度為0· 1~2. 5nm， (6) 所述金屬層含有加熱變色防止層及/或防銹層， (7) 所述加熱變色防止層與防銹層分別為Zn、Cu或這些金屬的合金， (8) 所述防銹層含有鉻酸鹽層或鉻酸鋅層， (9) 所述金屬層含有硅烷偶聯(lián)層， (10) 在所述表面處理層上形成有硅烷偶聯(lián)層， (11) 在所述表面處理層的表面具備樹脂層， (12) 在所述表面處理層上形成有硅烷偶聯(lián)層，在所述硅烷偶聯(lián)層的表面具備樹脂層。28. -種附載體銅箱，其于載體的其中一面或兩面依序具有中間層、極薄銅層，且所述 極薄銅層為權(quán)利要求1至27中任一項所述的表面處理銅箱。29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的附載體銅箱，其中，在所述載體的其中一面依序具有所述 中間層、所述極薄銅層，且在所述載體的另一面具有粗化處理層。30. -種積層體，其是權(quán)利要求1至27中任一項所述的表面處理銅箱與樹脂基板的積 層體。31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的積層體，其中，所述表面處理銅箱與所述樹脂基板是未經(jīng) 由接著劑而積層。32. -種積層體，其是權(quán)利要求28或29所述的附載體銅箱與樹脂基板的積層體。33. -種積層體，其含有權(quán)利要求28或29所述的附載體銅箱與樹脂，且所述附載體銅 箱的端面的一部分或全部被所述樹脂覆蓋。34. -種積層體，其是將一個權(quán)利要求28或29所述的附載體銅箱自所述載體側(cè)或所述 極薄銅層側(cè)積層于另一個權(quán)利要求28或29所述的附載體銅箱的所述載體側(cè)或所述極薄銅 層側(cè)而成。35. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的積層體，其是將所述一個附載體銅箱的所述載體側(cè)表面或 所述極薄銅層側(cè)表面與所述另一個附載體銅箱的所述載體側(cè)表面或所述極薄銅層側(cè)表面， 視需要經(jīng)由接著劑直接進行積層而構(gòu)成。36. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的積層體，其是將所述一個附載體銅箱的所述載體或所述極 薄銅層與所述另一個附載體銅箱的所述載體或所述極薄銅層接合。37. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的積層體，其是將所述一個附載體銅箱的所述載體或所述極 薄銅層與所述另一個附載體銅箱的所述載體或所述極薄銅層接合。38. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的積層體，其端面的一部分或全部被樹脂覆蓋。39. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的積層體，其端面的一部分或全部被樹脂覆蓋。40. -種印刷配線板的制造方法，其使用權(quán)利要求30至39中任一項所述的積層體。41. 一種印刷配線板的制造方法，其包括下述步驟：在權(quán)利要求30至39中任一項所述 的積層體進行至少1次設(shè)置樹脂層與電路這兩層的步驟；及 在至少1次形成所述樹脂層及電路這兩層后，將所述極薄銅層或所述載體自所述積層 體的附載體銅箱剝離的步驟。42. -種印刷配線板，其以權(quán)利要求30至39中任一項所述的積層體作為材料。43. -種電子機器，其具備有權(quán)利要求42所述的印刷配線板。44. 一種表面處理銅箱的制造方法，其是權(quán)利要求1至27中任一項所述的表面處理銅 箱的制造方法，其具備下述步驟：將鉻酸鹽液設(shè)置于銅箱的整個處理對象表面的步驟；及 將鉻酸鹽液設(shè)置于銅箱表面后，在不進行水洗的情況下加以干燥，由此形成鉻氧化物的表 面處理層的步驟。45. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的表面處理銅箱的制造方法，其中，在形成所述鉻氧化物的 表面處理層的步驟中，將鉻酸鹽液設(shè)置于銅箱表面后進行脫液，然后在不進行水洗的情況 下加以干燥，由此形成鉻氧化物的表面處理層。46. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的表面處理銅箱的制造方法，其中，將所述鉻酸鹽液設(shè)置于 銅箱表面的量在所述脫液后為5~20mg/dm2。47. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的表面處理銅箱的制造方法，其中，所述脫液是通過輥、刀片 及/或氣體的吹送而進行。48. 根據(jù)權(quán)利要求46所述的表面處理銅箱的制造方法，其中，所述脫液是通過輥、刀片 及/或氣體的吹送而進行。49. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的表面處理銅箱的制造方法，其中，將所述鉻酸鹽液設(shè)置于 銅箱的整個處理對象表面的步驟是通過利用噴淋器將鉻酸鹽液涂布于所述銅箱表面而進 行。50. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的表面處理銅箱的制造方法，其中，將所述鉻酸鹽液設(shè)置于 銅箱的整個處理對象表面的步驟是通過利用輥將鉻酸鹽液涂布于所述銅箱表面而進行。51. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的表面處理銅箱的制造方法，其中，所述鉻酸鹽液的pH值為 1 ~10〇52. 根據(jù)權(quán)利要求51所述的表面處理銅箱的制造方法，其中，所述鉻酸鹽液的pH值為 4 ~10〇53. -種印刷配線板的制造方法，其包括下述步驟：準備權(quán)利要求28或29所述的附載 體銅箱與絕緣基板的步驟； 將所述附載體銅箱與絕緣基板進行積層的步驟；以及 于將所述附載體銅箱與絕緣基板進行積層后，經(jīng)過剝離所述附載體銅箱的載體的步驟 而形成覆銅積層體， 其后，通過半加成法、減成法、部分加成法或改良式半加成法中的任一種方法形成電路 的步驟。54. -種印刷配線板的制造方法，其包括下述步驟：在權(quán)利要求28或29所述的附載體 銅箱的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面形成電路的步驟； 以埋沒所述電路的方式在所述附載體銅箱的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面 形成樹脂層的步驟； 在所述樹脂層上形成電路的步驟； 在所述樹脂層上形成電路后，將所述載體或所述極薄銅層剝離的步驟；以及 在將所述載體或所述極薄銅層剝離后，去除所述極薄銅層或所述載體，由此使形成于 所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面且埋沒于所述樹脂層的電路露出的步驟。55. -種印刷配線板的制造方法，其包括下述步驟：將權(quán)利要求28或29所述的附載體 銅箱的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面與樹脂基板進行積層的步驟； 在所述附載體銅箱的與樹脂基板積層之側(cè)的相反側(cè)的極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè) 表面進行至少1次設(shè)置樹脂層與電路這兩層的步驟；以及 在形成所述樹脂層及電路這兩層后，將所述載體或所述極薄銅層自所述附載體銅箱剝 離的步驟。56. -種印刷配線板的制造方法，其包括下述步驟：將權(quán)利要求28或29所述的附載體 銅箱的所述載體側(cè)表面與樹脂基板進行積層的步驟； 在所述附載體銅箱的與樹脂基板積層之側(cè)的相反側(cè)的極薄銅層側(cè)表面進行至少1次 設(shè)置樹脂層與電路這兩層的步驟；以及 在形成所述樹脂層及電路這兩層后，將所述極薄銅層自所述附載體銅箱剝離的步驟。
【專利摘要】本發(fā)明涉及表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的制造方法及印刷配線板的制造方法。其提供一種剝離強度良好、且即便用于高頻電路基板也可良好地抑制傳輸損耗的表面處理銅箔。該表面處理銅箔依序具有：銅箔、含有一種以上選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的金屬層、及以鉻氧化物形成的表面處理層，金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200～2000μg/dm2，施加250℃×10分鐘的熱處理后，以僅露出表面處理層的表面的狀態(tài)于濃度為20mass％且溫度為25℃的硝酸浴浸漬30秒時，銅于硝酸浴的溶出量為0.0030g/25cm2以下。
【IPC分類】H05K3/38, H05K1/09, C25D3/38
【公開號】CN105323958
【申請?zhí)枴緾N201510284347
【發(fā)明人】神永賢吾, 福地亮
【申請人】Jx日礦日石金屬株式會社
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年5月28日