金屬層后，通過(guò)對(duì)該銅層或金屬層進(jìn)行加工而形成電路。還 可W在該電路上，W埋沒(méi)該電路的方式設(shè)置另一層樹(shù)脂層。另外，此種電路及樹(shù)脂層的形成 可進(jìn)行1次W上（增層法）。然后，關(guān)于由此形成的積層體（W下也稱(chēng)為積層體B)，自載體 或極薄銅層將各附載體銅錐的極薄銅層或載體剝離而可制作空屯、基板。此外，上文所述的 空屯、基板的制作也可使用兩塊附載體銅錐，制作下文所述的具有極薄銅層/中間層/載體 /載體/中間層/極薄銅層的構(gòu)成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/ 中間層/載體的構(gòu)成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層 的構(gòu)成的積層體，并將該積層體用于中屯、。在運(yùn)些積層體（W下也稱(chēng)為積層體A)兩側(cè)的極 薄銅層或載體的表面進(jìn)行1次W上設(shè)置樹(shù)脂層及電路運(yùn)兩層的設(shè)置，在進(jìn)行1次W上設(shè)置 樹(shù)脂層及電路運(yùn)兩層后，自載體或極薄銅層將各附載體銅錐的極薄銅層或載體剝離，而可 制作空屯、基板。上文所述的積層體還可在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、 極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。此外，在本說(shuō)明書(shū)中，當(dāng)極薄 銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層時(shí)，"極薄銅層的表 面"、"極薄銅層側(cè)表面"、"極薄銅層表面"、"載體的表面"、"載體側(cè)表面"、"載體表面"、"積層 體的表面"、"積層體表面"是設(shè)為包括該其他層的表面（最表面）的概念。另外，積層體優(yōu) 選具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構(gòu)成。其原因在于，當(dāng)使用 該積層體制作空屯、基板時(shí)，由于在空屯、基板側(cè)配置極薄銅層，因此使用改良式半加成法容 易在空屯、基板上形成電路。另外，其原因在于，由于極薄銅層的厚度較薄，因此容易去除該 極薄銅層，在去除極薄銅層后，使用半加成法，容易在空屯、基板上形成電路。 陽(yáng)203] 此外，在本說(shuō)明書(shū)中，未特別記載為"積層體A"或"積層體B"的"積層體"表示至 少包括積層體A及積層體B的積層體。 陽(yáng)204] 此外，在所述空屯、基板的制造方法中，通過(guò)W樹(shù)脂覆蓋附載體銅錐或積層體（積 層體A)的端面的一部分或全部，當(dāng)利用增層法制造印刷配線(xiàn)板時(shí)，可防止藥液滲入構(gòu)成中 間層或積層體的一個(gè)附載體銅錐與另一個(gè)附載體銅錐之間，而可防止因藥液滲入引起的極 薄銅層與載體的分離或附載體銅錐的腐蝕，從而可提高良率。作為運(yùn)里所使用的"覆蓋附載 體銅錐的端面的一部分或全部的樹(shù)脂"或"覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹(shù)脂"，可 使用可用于樹(shù)脂層的樹(shù)脂。另外，在所述空屯、基板的制造方法中，附載體銅錐或積層體可為 俯視時(shí)附載體銅錐或積層體的積層部分（載體與極薄銅層的積層部分、或一個(gè)附載體銅錐 與另一個(gè)附載體銅錐的積層部分）的外周的至少一部分由樹(shù)脂或預(yù)浸料覆蓋。另外，利用 所述的空屯、基板的制造方法所形成的積層體（積層體A)可使一對(duì)附載體銅錐W互相可分 離的方式進(jìn)行接觸而構(gòu)成。另外，該附載體銅錐可為俯視時(shí)，附載體銅錐或積層體的積層部 分（載體與極薄銅層的積層部分、或一個(gè)附載體銅錐與另一個(gè)附載體銅錐的積層部分）的 外周整體由樹(shù)脂或預(yù)浸料覆蓋而成的附載體銅錐。通過(guò)采用此種構(gòu)成，當(dāng)俯視附載體銅錐 或積層體時(shí)，附載體銅錐或積層體的積層部分被樹(shù)脂或預(yù)浸料所覆蓋，可防止其他構(gòu)件自 該部分的側(cè)方向、即相對(duì)于積層方向?yàn)闄M向的方向進(jìn)行撞擊，結(jié)果可減少操作中載體與極 薄銅層或附載體銅錐彼此的剝離。另外，通過(guò)W不露出附載體銅錐或積層體的積層部分的 外周的方式覆蓋樹(shù)脂或預(yù)浸料，可防止如上文所述的藥液處理步驟中藥液對(duì)該積層部分的 界面的滲入，從而可防止附載體銅錐的腐蝕或侵蝕。此外，當(dāng)自積層體的一對(duì)附載體銅錐分 離其中一附載體銅錐時(shí)，或?qū)⒏捷d體銅錐的載體與銅錐（極薄銅層）分離時(shí)，需要通過(guò)切割 等去除由樹(shù)脂或預(yù)浸料所覆蓋的附載體銅錐或積層體的積層部分（載體與極薄銅層的積 層部分、或一個(gè)附載體銅錐與另一個(gè)附載體銅錐的積層部分）。 陽(yáng)205]可將本發(fā)明的附載體銅錐自載體側(cè)或極薄銅層側(cè)積層于另一個(gè)本發(fā)明的附載體 銅錐的載體側(cè)或極薄銅層側(cè)而構(gòu)成積層體。另外，也可為視需要而經(jīng)由接著劑，將所述一個(gè) 附載體銅錐的所述載體側(cè)表面或所述極薄銅層側(cè)表面與所述另一個(gè)附載體銅錐的所述載 體側(cè)表面或所述極薄銅層側(cè)表面直接積層而得的積層體。另外，可將所述一個(gè)附載體銅錐 的載體或極薄銅層與所述另一個(gè)附載體銅錐的載體或極薄銅層接合。運(yùn)里，當(dāng)載體或極薄 銅層具有表面處理層時(shí)，該"接合"也包括介隔該表面處理層而互相接合的態(tài)樣。另外，該 積層體的端面的一部分或全部可被樹(shù)脂覆蓋。
[0206]載體彼此的積層除了簡(jiǎn)單地重疊W外，例如可通過(guò)W下方法進(jìn)行。 陽(yáng)207] (a)冶金接合方法：烙焊（弧焊、TIG(鶴極惰性氣體，tungsteninertgas)焊接、 MIG(金屬惰性氣體）焊接、電阻焊接、縫焊接、點(diǎn)焊）、加壓焊接（超音波焊接、摩擦攬拌焊 接）、軟焊；
[020引 化）機(jī)械接合方法：斂縫、利用馴釘?shù)慕雍希ɡ米詻_馴釘?shù)慕雍?、利用馴釘?shù)慕?合）、釘箱機(jī)（stitcher);
[0209] (C)物理接合方法：接著劑、（雙面）膠帶
[0210] 通過(guò)使用所述接合方法將一個(gè)載體的一部分或全部與另一個(gè)載體的一部分或全 部進(jìn)行接合，可制造將一個(gè)載體與另一個(gè)載體進(jìn)行積層、使載體W彼此可分離的方式接觸 而構(gòu)成的積層體。當(dāng)將一個(gè)載體與另一個(gè)載體較弱地接合而將一個(gè)載體與另一個(gè)載體進(jìn)行 積層時(shí)，即便不去除一個(gè)載體與另一個(gè)載體的接合部，一個(gè)載體與另一個(gè)載體也可分離。另 夕F，當(dāng)將一個(gè)載體與另一個(gè)載體較強(qiáng)地接合時(shí)，通過(guò)利用切割或化學(xué)研磨（蝕刻等）、機(jī)械 研磨等去除將一個(gè)載體與另一個(gè)載體接合的部位，可將一個(gè)載體與另一個(gè)載體分離。 陽(yáng)211] 另外，通過(guò)實(shí)施如下步驟，可制作印刷配線(xiàn)板：在W上述方式構(gòu)成的積層體上進(jìn)行 至少1次設(shè)置樹(shù)脂層與電路運(yùn)兩層的步驟；及在至少1次形成所述樹(shù)脂層及電路運(yùn)兩層后， 自所述積層體的附載體銅錐剝離所述極薄銅層或載體的步驟。此外，可在該積層體的其中 一個(gè)表面或兩個(gè)表面設(shè)置樹(shù)脂層與電路運(yùn)兩層。 陽(yáng)21引【實(shí)施例】 陽(yáng)213]作為實(shí)施例1~11及比較例1~10,準(zhǔn)備表1所記載的厚度的銅錐，對(duì)其中一 個(gè)表面分別進(jìn)行如表1所示的鍛敷處理或瓣鍛處理，而制作金屬層（粗化處理層、加熱變 色防止層、防誘層、或硅烷偶聯(lián)層）。運(yùn)里，使用JX日鉱日石金屬公司制造的精銅QIS 冊(cè)100C1100R)的壓延銅錐作為實(shí)施例1~4及7~11、17、18、比較例1~4及7~10的 銅錐。另外，使用JX日鉱日石金屬公司制造的電解銅錐HLP錐作為實(shí)施例5~6、比較例 5~6的銅錐。
[0214]另外，準(zhǔn)備W下所記載的附載體銅錐作為實(shí)施例12~16的銅錐基材，對(duì)其中一個(gè) 表面分別進(jìn)行如表1所示的鍛敷處理或瓣鍛處理來(lái)作為金屬層（粗化處理層、加熱變色防 止層、防誘層、或硅烷偶聯(lián)層）。
[0215] 關(guān)于實(shí)施例12~14、16,準(zhǔn)備厚度為18Jim的電解銅錐作為載體，關(guān)于實(shí)施例15， 準(zhǔn)備厚度為ISym的壓延銅錐（JX日鉱日石金屬制造的C1100R)作為載體。然后，在下述 條件下，在載體的表面形成中間層，并且在中間層的表面形成極薄銅層。
[0216] ?實(shí)施例12 陽(yáng)217] <中間層> 陽(yáng)2化](I)Ni層（鍛Ni)
[0219] 在W下條件下，利用漉對(duì)漉型連續(xù)鍛敷線(xiàn)對(duì)載體進(jìn)行電鍛，由此形成1000yg/dm2 的附著量的Ni層。將具體的鍛敷條件記于W下。
[0220] 硫酸儀：270 ~280g/L 陽(yáng)221] 氯化儀：35~45g/L 陽(yáng)扣引乙酸儀：10~20g/L 陽(yáng)扣引棚酸：30~40g/L
[0224]光澤劑：糖精、下烘二醇等 [02巧]十二烷基硫酸鋼：55~75ppm 陽(yáng)226]抑值：4~6 陽(yáng)227]浴溫：55~65°C 陽(yáng)22引 電流密度：10A/dm2 陽(yáng)229] (2)化層（電解銘酸鹽處理）
[0230] 其次，對(duì)（1)中所形成的Ni層表面進(jìn)行水洗及酸洗后，繼續(xù)于漉對(duì)漉型連續(xù)鍛敷 線(xiàn)上，在W下條件下，通過(guò)電解銘酸鹽處理而使Ilyg/血2的附著量的化層附著于Ni層上。陽(yáng)231]重銘酸鐘1~10邑/1、鋒Og/L 陽(yáng)23引抑值：7~10 陽(yáng)233]液溫：40~60°C
[0234] 電流密度：2A/血2
[0235] <極薄銅層> 陽(yáng)236] 再次，對(duì)（2)中所形成的化層表面進(jìn)行水洗及酸洗后，繼續(xù)于漉對(duì)漉型連續(xù)鍛敷 線(xiàn)上，在W下條件下，通過(guò)電鍛而在化層上形成厚度為1. 5ym的極薄銅層，從而制作附載 體極薄銅錐。 陽(yáng)扣7]銅濃度：90~llOg/L
[0238] 硫酸濃度：90~llOg/L 陽(yáng)239] 氯化物離子濃度：50~90ppm 陽(yáng)24〇]整平劑1 (雙（3-橫丙基）二硫化物）：10~30ppm
[0241] 整平劑2 (胺化合物）：10~30ppm
[0242] 此外，使用下述胺化合物作為整平劑2。
[0243]
[0244](所述化學(xué)式中，Ri及R2是選自由徑基烷基、酸基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和 控基、烷基所組成的群中的基團(tuán)） 陽(yáng)2例 電解液溫度：50~80°C 陽(yáng)246] 電流密度：100A/dm2 陽(yáng)247] 電解液線(xiàn)速度：1. 5~5m/sec 陽(yáng)24引 ?實(shí)施例13
[0249] <中間層>
[0250] (1)Ni-Mo層（鍛儀鋼合金） 陽(yáng)巧1] 在W下條件下，利用漉對(duì)漉型連續(xù)鍛敷線(xiàn)對(duì)載體進(jìn)行電鍛，由此形成3000yg/血2 的附著量的Ni-Mo層。將具體的鍛敷條件記于W下。 陽(yáng)巧2](液組成）硫酸Ni六水合物：50g/血3、鋼酸鋼二水合物：60g/dm3、巧樣酸鋼：90g/ 血3 陽(yáng)巧3](液溫）30°C 陽(yáng)巧4](電流密度）1~4A/dm2 陽(yáng)巧5](通電時(shí)間）3~25秒 陽(yáng)巧6] <極薄銅層> 陽(yáng)巧7] 在（1)中所形成的Ni-Mo層上形成極薄銅層。將極薄銅層的厚度設(shè)為2ym，除此W外，在與實(shí)施例12相同的條件下形成極薄銅層。 悅58] ?實(shí)施例14 陽(yáng)巧9] <中間層> 陽(yáng)260] (I)Ni層（鍛Ni) 陽(yáng)％1] 在與實(shí)施例12相同的條件下形成Ni層。 陽(yáng)％2] (2)有機(jī)物層（有機(jī)物層形成處理） 陽(yáng)％3] 其次，對(duì)（1)中所形成的Ni層表面進(jìn)行水洗及酸洗后，繼續(xù)在下述條件下，對(duì)Ni 層表面淋洗并噴霧20~120秒的液溫為40°C、抑值為5的水溶液，由此形成有機(jī)物層，該 水溶液含有濃度為1~30g/L的簇基苯并S挫（CBTA)。
[0264] <極薄銅層>
[02化]在（2)中所形成的有機(jī)物層上形成極薄銅層。將極薄銅層的厚度設(shè)為3ym，除此W外，在與實(shí)施例12相同的條件下形成極薄銅層。 陽(yáng)266] ?實(shí)施例15、16 陽(yáng)％7] <中間層>
[0268] (1)Co-Mo層（鍛鉆鋼合金）
[0269] 在W下條件下，利用漉對(duì)漉型連續(xù)鍛敷線(xiàn)對(duì)載體進(jìn)行電鍛，由此形成4000yg/dm2 的附著量的Co-Mo層。將具體的鍛敷條件記于W下。
[0270] (液組成）硫酸Co:50g/血3、鋼酸鋼二水合物：60g/血3、巧樣酸鋼：90g/血3 陽(yáng)271](液溫）30°C 陽(yáng)27引（電流密度）1~4A/血2 陽(yáng)273](通電時(shí)間）3~25秒 陽(yáng)274] <極薄銅層>
[0275] 在（1)中所形成的Co-Mo層上形成極薄銅層。關(guān)于極薄銅層的厚度，實(shí)施例15是 設(shè)為5ym，實(shí)施例16是設(shè)為3ym，除此W外，在與實(shí)施例12相同的條件下形成極薄銅層。 悅76]【表1】
陽(yáng)27引其次，在表2的條件下，在所述壓延銅錐、電解銅錐或附載體銅錐、或者該各銅錐 上的基底層（金屬層）上，將表面處理液涂布于銅錐的整個(gè)處理對(duì)象表面，進(jìn)一步進(jìn)行任意 的水洗及脫液后加W干燥，由此形成表面處理層。
[0279] 此外，"銘酸鹽液的涂布方法"一欄的含義如W下所述。 陽(yáng)280]"噴淋器"是使用噴霧嘴（池內(nèi)股份有限公司制造的標(biāo)準(zhǔn)扇形噴嘴，噴角區(qū)分 90°，噴量區(qū)分10)進(jìn)行。 悅川"漉"是使用聚乙締醇制的海綿漉進(jìn)行。 陽(yáng)2間"刀片"是使用樹(shù)脂制的刮刀（聚醋制，厚度0. 35mm)進(jìn)行。 陽(yáng)283]"浸潰銘酸鹽"是通過(guò)將銅錐于表2所記載的條件的銘酸鹽液中浸潰2秒而進(jìn)行。 陽(yáng)284]"電解銘酸鹽"是通過(guò)將銅錐浸潰于表2所記載的條件的銘酸鹽液中，并且W電流 密度2A/血2在銅錐中流通1秒的電流而進(jìn)行處理。
[0285] 另外，"脫液方法""脫液條件"一欄的含義如W下所述。 悅M]"漉"是指利用聚乙締醇制的海綿漉進(jìn)行脫液。另外，"脫液方法"為"漉"時(shí)的"脫 液條件"是指銅錐每單位寬度的漉的擠壓力。
[0287]"刀片"是指使用娃橡膠制的刮刀（厚度0.7mm)進(jìn)行脫液。另外，"脫液方法"為 "刀片"時(shí)的"脫液條件"是指刀片與銅錐的間隙的長(zhǎng)度（距離）。 陽(yáng)28引"氣體吹送"是指通過(guò)自氣體吹送噴嘴向銅錐吹送空氣而進(jìn)行脫液。將氣體吹送 噴嘴的氣體噴出口與銅錐的距離設(shè)為50mm。另外，"脫液方法"為"氣體吹送"時(shí)的"脫液條 件"是指向銅錐吹送的氣體的流量。 陽(yáng)289] 實(shí)施例17、18在形成所述的表面處理層后，通過(guò)進(jìn)行W下的硅烷偶聯(lián)處理而在該 表面處理層的表面設(shè)置硅烷偶聯(lián)層。 陽(yáng)290] ?實(shí)施例17 陽(yáng)291] ?所使用的硅烷：3-甲基丙締酷氧基丙基=甲氧基硅烷（甲基丙締酷氧基系硅烷 偶聯(lián)劑） 陽(yáng)29引 ?硅烷濃度：0. 6vol% (剩余部分冰） 陽(yáng)293] ?處理溫度：30~40°C 陽(yáng)294].處理時(shí)間：5秒
[0295] ?硅烷處理后的干燥：100°CX3秒
[0296] ?實(shí)施例18 陽(yáng)297] ?所使用的硅烷：N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基S甲氧基硅烷（氨基系硅烷偶聯(lián) 劑） 陽(yáng)29引.硅烷濃度：5.Ovol% (剩余部分冰） 陽(yáng)299] ?處理溫度：45~55°C 陽(yáng)300] ?處理時(shí)間：5秒 陽(yáng)301] ?硅烷處理后的干燥：100°CX3秒 陽(yáng)30引【表2】 陽(yáng)303]
陽(yáng)304] 如下述般對(duì)W上述方式制作的實(shí)施例及比較例的各樣品進(jìn)行各種評(píng)價(jià)。
[0305] ?金屬層的金屬附著量： 陽(yáng)306] (l)Ni、Co、W、Mo附著量 陽(yáng)307] 關(guān)于金屬層的各種金屬的附著量的測(cè)定，是將50mmX50mm的銅錐表面的皮膜溶 解于將HN03 (2重量％ )與HCU5重量％ )加W混合而成的溶液中，利用ICP發(fā)光分光分析 裝置（SIINanoTechnology股份有限公司制造，SFC-3100)對(duì)該溶液中的金屬濃度進(jìn)行定 量，計(jì)算并導(dǎo)出每單位面積的金屬量（yg/dm2)。此時(shí)，為了避免與要測(cè)定的面為相反面的 金屬附著量混入，視需要進(jìn)行遮蔽而進(jìn)行分析。再者，當(dāng)銅錐表面的皮膜難W溶解于所述的 溶液時(shí)，可使用將硝酸的濃度為60質(zhì)量％的硝酸水溶液與水W體積比率為1:2的方式混合 而成的硝酸水溶液，將銅錐表面的皮膜溶解，之后，W與上述相同的方法進(jìn)行測(cè)定。 陽(yáng)3〇引 似化及化附著量： 陽(yáng)309] 在濃度10%的鹽酸煮沸3分鐘而使處理層溶解，通過(guò)原子吸光分析對(duì)該溶液進(jìn)行 分析，對(duì)Zn附著量W及=價(jià)及六價(jià)銘附著量?jī)r(jià)及六價(jià)銘的合計(jì)附著量）進(jìn)行評(píng)價(jià)。 [0310] 另外，六價(jià)銘的附著量是通過(guò)二苯卡己阱（diphenylcarbazid)吸光光度法，W如 下方式進(jìn)行測(cè)定。 陽(yáng)311] 將作為樣品的銅錐5g裁小放入50mL的純水中，煮沸5分鐘而浸出。其后，向煮 沸浸出而得的液體中加入純水，使體積成為IOOmL后，使用該獲得的液體，其后按照J(rèn)IS K0102的65.2中所記載的"銘（VI)[化(VI)]"所記載的六價(jià)銘（銘（VI))的定量法中的 "65. 2. 1二苯卡己阱吸光度法"，對(duì)六價(jià)銘進(jìn)行測(cè)定。 陽(yáng)31引此外，不進(jìn)行"65. 2.Ic)操作1)"的中和，使用所述獲得的液體作為"2)"的"燒杯 (A)的溶液"及"3)"的"燒杯做的溶液"，進(jìn)行"65. 2.Ic)。"之后的操作。 陽(yáng)313] 此外，吸光光度計(jì)是使用日立制作所制造的220A型。吸光度的測(cè)定波長(zhǎng)是設(shè)為 540nm，試樣槽是使用玻璃制的光程長(zhǎng)度為IOmm的槽。
[0314] =價(jià)銘的附著量是通過(guò)利用所述原子吸光分析所測(cè)定的=價(jià)銘與六價(jià)銘