專利名稱：帶載體的極薄銅箔及其制造方法以及印刷配線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶載體的極薄銅箔以及帶載體的極薄銅箔的制造方法，特別是涉及適于作為用于高密度極細配線(精密圖形)的印刷配線基板用的帶載體的極薄銅箔。
背景技術(shù)：
印刷配線基板如下制造。首先在由玻璃、環(huán)氧樹脂和玻璃、聚酰亞胺樹脂等構(gòu)成的電絕緣性基板的表面上，放置形成表面電路用的薄銅箔，然后加熱、加壓制造覆銅層合板。
接著，在該覆銅層合板上，依次進行通孔的穿設和通孔的電鍍，之后在該覆銅層合板表面的銅箔上進行腐蝕處理，形成具備希望線寬和希望線間間距的配線圖形，最后，進行抗焊劑的形成和其他的精加工處理。
該覆銅層合板所用的銅箔把向基板熱壓接一邊的表面制成粗糙面，用該粗糙面發(fā)揮對該基材的固定效果，這樣來提高該基板與銅箔的結(jié)合強度、確保作為印刷配線基板的可靠性。最近，把銅箔的粗糙面預先用環(huán)氧樹脂那樣的粘接用樹脂覆蓋、把該粘接用樹脂制成半硬化狀態(tài)(B步驟)的絕緣樹脂層的帶樹脂銅箔作為形成表面電路用的銅箔使用，把其絕緣樹脂層的一側(cè)熱壓接在基材上，進行印刷配線基板特別是組合配線基板的制造。所謂組合配線基板是多層配線板的一種，是指在絕緣基板上按絕緣層、導體圖形各一層的順序形成、在用激光法和光刻法開口的孔(通路)內(nèi)實施電鍍、把層間導通同時把配線層層疊的配線板。
該配線基板應對各種電子部件的高密度化，使敷金屬夾層能微細化，從而配線圖形也能高密度化。于是要求有能以微細的線寬和線間間距進行配線的配線圖形、所謂精密圖形的印刷配線基板，例如在半導體插件上使用的印刷配線基板就要求線寬和線間間距分別在30μm左右這種具有高密度極細配線的印刷配線基板。
作為形成這種微細印刷配線用的銅箔，若使用厚銅箔的話，則腐蝕到基材表面的時間變長。其結(jié)果是形成的配線圖形中其側(cè)壁的垂直性被剝離，形成的配線圖形中配線的寬度狹窄的配線圖形有時會導致斷線。因此作為在精密圖形用中使用的銅箔在使用厚度9μm以下、特別是最近由于信息量的增大電路數(shù)增加故使用5μm以下的銅箔。
但薄銅箔(極薄銅箔)機械強度低，在制造印刷配線基板時容易發(fā)生皺紋和折痕，有時還產(chǎn)生銅箔斷裂，所以作為在精密圖形用途中使用的極薄銅箔已開始使用通過剝離層把極薄銅箔層直接電極淀積在載體銅箔單面上的帶載體的極薄銅箔。
如圖4所示，帶載體的極薄銅箔是在作為載體的箔(以下叫做「載體箔」)1的單面上把剝離層2和銅電鍍層3按該順序形成，該銅電鍍層3的最外層表面被加工成粗糙面。把該粗糙面重疊在玻璃、環(huán)氧基材上之后把整體熱壓接，接著通過剝離層2把載體箔1剝離、除去，使銅電鍍層3的與剝離層2結(jié)合的一側(cè)露出，以把規(guī)定的配線圖形形成在銅電鍍層3上的狀態(tài)使用。
載體箔1在把所述薄的銅電鍍層3與基材結(jié)合之前作為支撐銅電鍍層3的增強材料(載體)在起作用。剝離層2是在把所述銅電鍍層3和該載體箔1分離時用于更好剝離的層，把該載體箔1剝離除去時與該載體箔1一起被除去，所以能把該載體箔1干凈且容易地剝離。而與玻璃、環(huán)氧基材粘合的銅電鍍層3則順次進行通孔的穿設和通孔的電鍍，接著對位于該覆銅層合板表面的銅箔進行腐蝕處理、形成具備希望線寬和希望線間間距的配線圖形，最后進行形成抗焊劑和其他的精加工處理。
這樣帶載體的銅箔能把電鍍層3的厚度制成例如9μm以下的極薄，能形成精密圖形，而且由于處理時操作性優(yōu)良，故特別是在制造組合配線板中被使用。

發(fā)明內(nèi)容
有人提出，在載體箔上設置鉻酸鹽薄剝離層，在該剝離層上用堿性焦磷酸銅浴設置銅層，在其上再設置銅層的合成箔作為帶載體的銅箔(例如參照特公昭61-34385號公報)。
把該合成箔應用于例如FR-4級那樣的耐熱性玻璃環(huán)氧樹脂層合板上時熱壓接溫度是170℃左右，所以雖然能把銅箔和載體箔剝離，但剝離強度依賴于載體銅箔的表面粗糙度，剝離強度沒有穩(wěn)定性。在以高耐熱性樹脂、特別是以聚酰亞胺樹脂為基材時無論是鑄造法或是熱壓接法時加工溫度都是在300℃以上的高溫，所以由溫度引起的銅的擴散劇烈，載體銅箔的表面粗糙度進一步影響剝離強度，載體箔與極薄銅箔的剝離強度沒有穩(wěn)定性，剝離強度的偏差也大。而且把極薄銅箔向剝離層上均勻?qū)嵤╇婂冸y，所以有在極薄銅箔上存在的針孔的數(shù)量也多(參照例如特公平08-18401號公報的比較例5～6)的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種帶載體的極薄銅箔及其制造方法以及使用該帶載體的極薄銅箔的印刷配線基板，具有能承受諸如使用高耐熱性樹脂的基材時那樣的高溫下的加工溫度的剝離層，通過把載體箔粗糙度的影響限制到最小，可以用穩(wěn)定的剝離強度使載體箔和極薄銅箔容易地剝離，通過在載體箔上均勻電鍍銅箔，使得在10μm以下的極薄銅箔上針孔也很少。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有觸擊鍍層，所述極薄銅箔以及所述觸擊鍍層是含有P的Cu層或含有P的Cu合金層。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的觸擊鍍層，在該觸擊鍍層上設有極薄銅鍍層，在該極薄層上設有由Cu或Cu合金構(gòu)成的所述極薄銅箔。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的觸擊鍍層，在該觸擊鍍層上設有極薄銅鍍層，在該極薄層上設有由含有P的Cu或含有P的Cu合金構(gòu)成的所述極薄銅箔。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的觸擊鍍層，在該觸擊鍍層上設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的極薄層，在該極薄層上設有由Cu或Cu合金構(gòu)成的所述極薄銅箔。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的觸擊鍍層，在該觸擊鍍層上設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的極薄層，在該極薄層上設有由含有P的銅或含有P的Cu合金構(gòu)成的所述極薄銅箔。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，極薄銅箔側(cè)的載體箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，設置于該載體箔表面的剝離層上設置的極薄銅箔的載體箔側(cè)的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在從該極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部向極薄銅箔側(cè)在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置，形成至少覆蓋剝離層表面90％以上面積的銅或銅合金層，而且進行300℃以上熱壓接處理后的剝離強度是0.01KN/m～0.05KN/m。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，極薄銅箔側(cè)的載體箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，設置于該載體箔表面的剝離層上設置的極薄銅箔的載體箔側(cè)的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在從該極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部向極薄銅箔側(cè)、在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置，形成至少導電率為90％以上的銅或銅合金層，而且進行300℃以上熱壓接處理后的剝離強度是0.01KN/m～0.05KN/m。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔制造方法中帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，其制造方法是在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層，在該剝離層上用含有P的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴用觸擊電鍍將含有P的Cu層或含有P的Cu合金層制膜，在其上用電鍍形成由含有P的Cu或含有P的Cu合金構(gòu)成的極薄銅箔。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔制造方法中帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，其制造方法是在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層，在該剝離層上用含有P的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴觸擊電鍍含有P的Cu層或含有P的Cu合金層，在該觸擊鍍層上通過電鍍銅或銅合金制膜成極薄層，在該極薄層上通過電鍍Cu或Cu合金來形成極薄銅箔。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔制造方法中帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，其制造方法是在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層后，在該剝離層上用含有磷的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴觸擊電鍍含有P的Cu層或含有P的Cu合金層，在該觸擊鍍層上通過電鍍銅或銅合金制膜成極薄層，在該極薄層上通過電鍍含有P的Cu或含有P的Cu合金來形成極薄銅箔。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔制造方法中帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，其制造方法是在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層，在該剝離層上用含有P的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴觸擊電鍍含有P的Cu層或含有P的Cu合金層，在該觸擊鍍層上把由含有P的Cu或含有P的Cu合金構(gòu)成的極薄層制膜，在該極薄層上通過電鍍Cu或Cu合金來形成極薄銅箔。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔制造方法中帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，其制造方法是在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層，在該剝離層上用含有磷的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴觸擊電鍍含有P的Cu層或含有P的Cu合金層，在該觸擊鍍層上把由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的極薄層制膜，在該極薄層上通過電鍍含有P的Cu或含有P的Cu合金來形成極薄銅箔。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔制造方法中帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，其制造方法是在表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm的載體箔表面上把剝離層制膜，在該剝離層上把載體箔側(cè)形成表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，用含有/或不含有pH3～pH13的P的Cu或者含有/或不含有P的Cu合金電鍍浴把觸擊鍍層制膜、在形成的極薄銅箔側(cè)的表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上，至少用銅層覆蓋剝離層表面90％以上面積，在該觸擊鍍層上把含有P/或不含有P的銅層或銅合金層作為規(guī)定厚度的極薄銅箔來形成。
本發(fā)明帶載體的極薄銅箔制造方法中帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，其制造方法是在表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm的載體箔表面上把剝離層制膜，在該剝離層上載體箔側(cè)的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，用含有/或不含有pH3～pH13的P的Cu或含有/或者不含有P的Cu合金電鍍浴制膜形成觸擊鍍層、在從形成的極薄銅箔側(cè)的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上成為導電率90％以上的銅層，在該觸擊鍍層上把含有P/或不含有P的銅層或銅合金層作為規(guī)定厚度的極薄銅箔來形成。
根據(jù)本發(fā)明則提供以使用所述帶載體的極薄銅箔而構(gòu)成高密度極細配線為特征的印刷配線基板。
所述本發(fā)明的目的和特征通過下面參照附圖的敘述就更加明確了。


圖1是表示帶載體的銅箔的一結(jié)構(gòu)例的剖面說明圖；圖2是表示帶載體的銅箔的另一結(jié)構(gòu)的剖面說明圖；圖3(a)是表示使用了圖1所示帶載體的銅箔的印刷配線基板結(jié)構(gòu)的剖面說明圖；圖3(b)是表示使用了圖2所示帶載體的銅箔的印刷配線基板結(jié)構(gòu)的剖面說明圖；圖4是表示現(xiàn)有帶載體的銅箔的一實施例的剖面說明圖。
具體實施例方式
本發(fā)明所使用的載體箔可以使用鋁箔、鋁合金箔、不銹鋼箔、鐵合金箔、鈦箔、鈦合金箔、銅箔、銅合金箔等，但從成本來看最好是使用電解銅箔、電解銅合金箔、壓延銅箔或壓延銅合金箔等，而且最好使用其厚度是7μm～200μm厚度的箔。作為載體箔若采用薄銅箔則機械強度低，制造印刷配線基板時容易發(fā)生皺紋和折痕、有產(chǎn)生銅箔斷開的危險性，所以作為載體箔、7μm以下的難于發(fā)揮作用。若載體箔的厚度為200μm以上時，則對產(chǎn)品而言，每單位線圈的重量(線圈單重)增加、對生產(chǎn)性影響大，同時設備上也要求更大的拉力、設備需要變大，不理想。
所述載體箔上設置的剝離層最好是鉻金屬、鉻合金和鉻金屬層上鉻水合氧化物、鉻水合氧化物層，Ni、Fe或它們的合金層或/和它們的水和物層。作為鉻合金可以舉出鎳-鉻、鈷-鉻、鉻-鎢、鉻-銅、鉻-鐵等。
作為三元系合金可以舉出鎳-鈷-鉻、鎳-鐵-鉻、鎳-鉻-鉬、鎳-鉻-鎢、鎳-鉻-銅、鎳-鉻-磷、鈷-鐵-鉻、鈷-鉻-鉬、鈷-鉻-鎢、鈷-鉻-銅、鈷-鉻-磷等。形成這些剝離層的金屬以及它們的水合氧化物最好是通過電處理來形成。為了謀求更高溫下加熱沖壓后剝離性的穩(wěn)定，剝離層的基底使用鎳、鐵或它們的合金層便可。
把極薄銅箔從載體箔剝離時的剝離強度受形成剝離層的金屬的附著量的影響。即當鍍層附著量多時，構(gòu)成剝離層的金屬(以下單叫做剝離材料金屬)成為完全覆蓋載體箔表面的狀態(tài)，剝離強度被考慮成把剝離材料金屬表面與后來附著的金屬箔的結(jié)合剝離開的力。與此相對，在剝離材料金屬的附著量少時，載體箔表面沒有被剝離材料金屬完全覆蓋，剝離強度被考慮成僅僅是把露出的載體箔金屬和剝離材料金屬與在其上附著的金屬的結(jié)合力剝離開的力。因此根據(jù)形成剝離層的剝離材料金屬的附著量不同載體的剝離強度變化，當把剝離層形成(附著)到某種程度厚時就不再變化，根據(jù)實驗，作為形成剝離層的金屬的附著量即使把附著量增加到0.01～100mg/dm2以上時，與箔的剝離強度也不再變化。但形成剝離層的金屬Cr金屬、考慮到對環(huán)境的影響最好是在4.5mg/dm2以下。
剝離層僅用金屬(或合金)形成也能維持所述那樣的高溫剝離，但若在其金屬表層存在水合氧化物時則剝離性會更加提高。電鍍液中的浸泡時間、電流值、電鍍液切斷、水洗狀態(tài)、剛電鍍完后電鍍液的pH等與表層形成的水合氧化物有密切的關(guān)系，一般認為該水合氧化物層對高溫剝離性的影響大。但即使這時，作為形成剝離層的金屬的Cr金屬、考慮到對環(huán)境的影響也最好是在4.5mg/dm2以下。若超過此則針孔變多，不理想。用Cr的水合氧化物形成剝離層時、考慮到對環(huán)境的影響Cr金屬(包括其合金)的附著量最好是在0.015mg/dm2以下。
一般地，向剝離層上電鍍極薄銅箔、由于剝離層剝離性的原因進行均勻的電鍍非常難，極薄銅箔上針孔的數(shù)量增多。因此本發(fā)明用焦磷酸觸擊銅電鍍或形成復離子的電鍍液在剝離層上進行觸擊電鍍。通過這樣在剝離層上實施觸擊電鍍能把均勻的極薄銅箔電鍍在剝離層上，即使是在10μm以下的極薄銅箔上也能使針孔的數(shù)量顯著減少。
作為焦磷酸銅觸擊電鍍液的組成，例如Cu2P2O7·3H2O 5～50g/LK4P2O750～300g/LpH 8～10對形成良好的電鍍覆膜是理想的。
作為形成復離子的電鍍液可以舉出氰基·氨基磺酸銅電鍍浴。作為氰化銅觸擊電鍍浴的例，例如CuCN10～50g/LKCN 20～60g/L
pH11～13對形成良好的電鍍覆膜是理想的。
作為氨基磺酸銅觸擊電鍍浴例如Cu(NH2SO3)·4H2O20～100g/LNiCl26H2O10～60g/LH3BO310～40g/LpH 3.5～4.5對形成良好的電鍍覆膜是理想的。
即使載體箔的表面粗糙度存在偏差，通過進行觸擊電鍍也能得到有穩(wěn)定性的剝離強度。生成作為剝離層的鉻酸鹽覆膜、特別是由于生成的覆膜薄，所以更容易受到載體箔表面的表面粗糙度的影響而成為剝離強度有偏差的原因之一，但通過在剝離層上進行觸擊電鍍能抑制該剝離強度的偏差。作為替代剝離層上的觸擊電鍍、用脈沖電鍍也能得到同樣的效果。該觸擊鍍層作為剝離層采用有機覆膜，對該有機覆膜上的鍍層也顯示有效果，在觸擊鍍層上形成10μm以下的極薄銅箔時對減少針孔數(shù)量有效果。
用觸擊電鍍附著的銅層的平均鍍層厚度最好是0.01μm～0.5μm，電鍍條件按浴種的不同而有多種，但最好作為電流密度是0.1A/dm2～10A/dm2，作為電鍍時間是0.1秒～2分左右。電流密度是0.1A/dm2以下時則難于把鍍層均勻覆蓋在剝離層上，若是10A/dm2以上時則在電鍍液的金屬濃度稀的觸擊電鍍中發(fā)生鍍層燒傷而得不到均勻的銅鍍層，所以不理想。電鍍時間在0.1秒以下時對得到足夠的鍍層來說短，不理想。
作為觸擊鍍層的形成方法，首先為了不損害剝離層的剝離性而用焦磷酸銅電鍍浴在剝離層上覆上0.01μm以上0.5μm以下的薄銅鍍層，然后也可用電流效率良好的硫酸銅電鍍浴等的電鍍浴形成一定的膜厚。即使在該方法中，作為能容易剝離而且減少針孔數(shù)量的帶載體的銅箔的制造方法，也是在剝離層上實施焦磷酸銅觸擊電鍍，在實施了均勻又薄的銅鍍層后再用焦磷酸銅電鍍浴對所述觸擊銅鍍層沒有侵害地進行電鍍，在形成了有穩(wěn)定性的鍍膜的基礎上使用電流效率良好的硫酸銅電鍍浴、氰化銅電鍍浴、氟硼化銅電鍍浴、焦磷酸銅電鍍浴等電鍍到目標鍍層厚度，質(zhì)量良好且有效率。
設置在剝離層上的極薄銅箔的電鍍浴記載有通過使用形成復離子的浴能得到減少針孔數(shù)量的效果(參照上述的特公昭61-34385號公報)。但形成復離子的電鍍液一般地其粘合性不太好，所以在比載體箔表面的剝離層表面凹凸的凹部Rz值+0.2μm以下的位置處不能把剝離層表面均勻覆蓋，但通過在剝離層上實施觸擊電鍍能在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1～0.2μm的位置把剝離層的表層覆蓋90％以上，能使針孔數(shù)量更減少，使剝離性穩(wěn)定。
為了得到與極薄銅箔表面所設樹脂的粘合性而對極薄銅箔表面進行粗糙化處理，把粗糙化處理面的表面粗糙度Rz制成Rz0.2～4.0(μm)便可。即粗化處理考慮到在粗糙度是0.2μm以下時對與樹脂的粘合性不太產(chǎn)生影響，所以沒有進行粗化的意義，而粗糙度是4μm時，則能得到足夠的粘合性，再進一步粗化沒有必要。表面粗糙度Rz是指JISB 0601-1994「表面粗糙度的定義與表示」中的5.1「十點平均粗糙度的定義」中規(guī)定的表面粗糙度。
下面參照附圖以實施例詳細說明本發(fā)明。
實施例1(圖1)1、準備載體銅箔作為載體銅箔1準備厚度31μm、光澤面粗糙度Rz＝1.5μm的未處理電解銅箔。
2、形成剝離層對所述載體銅箔1的光澤面連續(xù)進行電處理，形成金屬Cr附著量是0.50mg/dm2的金屬鉻剝離層2。
3、在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的觸擊鍍層接著在該剝離層2上、在Cu2P2O7·3H2O30g/LK4P2O7300g/LpH8的溶液中以電流密度1.5A/dm2的條件進行30秒鐘的觸擊電鍍，在剝離層的表面及其近旁形成含有P的層2A。
4、形成極薄銅箔接著在含有P的觸擊鍍層2A上、在Cu2P2O7·3H2O 85g/LK4P2O7350g/LNH3OH(28％)5ml/LpH 8.5的溶液中以電流密度4A/dm2的條件通過電鍍形成極薄銅層2B，加上了所述觸擊鍍層2A膜厚的總鍍層厚度tp1成為tp1＝3μm，形成極薄銅箔3。
再用公知的方法實施把銅的粒子附著在極薄銅箔3表面上的粗化處理。作為防銹處理和表面處理，在實施了粗化處理的極薄銅箔上用公知的方法進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體箔的極薄銅箔。
實施例2(圖2)1、準備載體銅箔作為載體銅箔1準備厚度31μm、光澤面粗糙度Rz＝0.2μm的未處理電解銅箔。
2、形成剝離層對所述載體銅箔1的光澤面連續(xù)進行電處理，形成由Cr附著量是0.30mg/dm2的水合氧化物膜構(gòu)成的剝離層2。
3、在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的觸擊鍍層接著在剝離層2上，在Cu2P2O7·3H2O30g/LK4P2O7300g/LpH8的溶液中以電流密度1.5A/dm2的條件進行60秒鐘的觸擊電鍍，在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的層2A。
4、形成極薄銅箔-1接著在含有P的觸擊鍍層2A上用Cu濃度 50g/LH2SO4100g/L電流密度15A/dm2形成銅的極薄銅層2C。
5、形成極薄銅箔-2接著在Cu2P2O7·3H2O 85g/LK4P2O7350g/LNH3OH(28％) 5ml/LpH 8.5的溶液中以電流密度4A/dm2的條件通過電鍍形成極薄銅層2B，加上了觸擊鍍層2A和極薄銅層2C、2B膜厚的總鍍層厚度tp2成為tp2＝3μm，形成了極薄銅箔3。
再用公知的方法實施把銅的粒子附著在極薄銅箔3表面上的粗化處理。作為防銹處理和表面處理，在實施了粗化處理的極薄銅箔上用公知的方法進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體箔的極薄銅箔。
實施例3(圖2)1、準備載體銅箔作為載體銅箔1準備厚度35μm、光澤面粗糙度Rz＝0.8μm的未處理電解銅箔。
2、形成剝離層對所述載體銅箔1的光澤面連續(xù)進行電處理，形成由金屬附著量是0.50mg/dm2的金屬鉻和水合氧化物膜構(gòu)成的剝離層2。
3、在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的層接著在該剝離層上、在Cu2P2O7·3H2O 16g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以電流密度1.5A/dm2的條件進行60秒鐘的觸擊電鍍，在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的層2A。
4、形成極薄銅層-1接著在含有P的觸擊鍍層2A上用Cu2P2O7·3H2O 70g/LK4P2O7250g/LNH3OH(28％) 4ml/LpH 8.5形成銅的極薄銅層2C。
5、形成極薄箔-2接著在含有P的極薄銅層2C上、在Cu濃度 55g/LH2SO480g/L的溶液中以電流密度15A/dm2的條件通過電鍍形成極薄銅層2B，觸擊鍍層2A和所述極薄銅層2C、2B的總鍍層厚度tp2成為tp2＝3μm，形成了極薄銅箔3。
再用公知的方法實施使銅的粒子附著的粗化處理。作為防銹處理和表面處理，在實施了粗化處理的極薄銅層上用公知的方法進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體箔的極薄銅箔。
實施例4(圖2)準備載體銅箔作為載體銅箔1準備厚度35μm、光澤面粗糙度Rz＝4.1μm的未處理電解銅箔。剝離層2以及極薄銅箔3的形成以與實施例3相同條件進行。
實施例5(圖2)1、準備載體銅箔作為載體銅箔1準備厚度31μm、光澤面粗糙度Rz＝1.1μm的未處理電解銅箔。
2、形成剝離層在所述載體銅箔1的光澤面上用dip法形成附著量是0.014mg/dm2的水合氧化物膜的剝離層2。
3、在剝離層的表面及其近旁形成含有P的層接著在該剝離層上、在Cu2P2O7·3H2O20g/LK4P2O7300g/LpH8的溶液中以電流密度1.2A/dm2的條件進行60秒鐘的觸擊電鍍，在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的層2A。
4、形成極薄銅箔-1接著在含有P的觸擊鍍層2A上、用Cu2P2O7·3H2O 100g/LK4P2O7280g/LNH3OH(28％) 5ml/LpH 8.5形成極薄銅層2C。
5、形成極薄銅箔-2接著在CuCN70g/LKCN 90g/L的溶液中以電流密度5A/dm2的條件通過電鍍形成極薄銅層2B，觸擊鍍層2A和所述極薄銅層2C、2B的總鍍層厚度tp2成為tp2＝3μm，形成了極薄銅箔3。
然后用公知的方法實施使銅的粒子附著的粗化處理。作為防銹處理和表面處理，在實施了粗化處理的極薄銅層上用公知的方法進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體箔的極薄銅箔。
實施例6(圖2)1、準備載體銅箔作為載體銅箔1準備厚度31μm、光澤面粗糙度Rz＝4μm的未處理電解銅箔。
2、形成剝離層對所述載體銅箔1的光澤面連續(xù)進行鎳-鉻合金的電鍍，形成附著量是0.50mg/dm2的鎳-鉻合金鍍層的剝離層2。
3、在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的層接著在該鎳-鉻合金剝離層上、在Cu2P2O7·3H2O 30g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以電流密度1.5A/dm2的條件進行60秒鐘的觸擊電鍍，在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的層2A。
4、形成極薄銅箔-1接著在含有P的觸擊鍍層2A上、在Cu2P2O7·3H2O 90g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以電流密度4A/dm2的條件用電鍍形成厚度1μm、含有P的銅的極薄銅層2C。
5、形成極薄銅箔-2接著在含有P的銅層2C上、在Cu濃度 50g/LH2SO4100g/L的溶液中以電流密度20A/dm2的條件通過電鍍形成極薄銅層2B，觸擊鍍層2A和所述極薄銅層2C、2B的總鍍層厚度tp2成為tp2＝3μm，形成了極薄銅箔3。
最后用公知的方法實施使銅的粒子附著的粗化處理。作為防銹處理和表面處理，在實施了粗化處理的極薄銅層上用公知的方法進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體箔的極薄銅箔。
實施例7(圖2)1、準備載體銅箔作為載體銅箔1準備厚度31μm、光澤面粗糙度Rz＝1.8μm的未處理電解銅箔。
2、形成剝離層對所述載體銅箔1的光澤面連續(xù)進行電處理，形成Cr附著量是1.50mg/dm2的金屬鉻的剝離層2。
3、在剝離層的表面及其近旁形成含有P的層接著在該剝離層2上，在
Cu2P2O7·3H2O 30g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以電流密度1.5A/dm2的條件進行2分鐘的觸擊電鍍，在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的層2A。
4、形成極薄銅箔-1接著在含有P的觸擊鍍層2A上、用CuCN55g/LKCN 70g/L的條件形成極薄銅層2C。
5、形成極薄銅箔-2接著在極薄銅層2C上、在Cu2P2O7·3H2O 85g/LK4P2O7350g/LNH3OH(28％) 5ml/LpH 8.5的溶液中以電流密度3A/dm2的條件通過電鍍形成極薄銅層2B，觸擊鍍層2A和所述極薄層2C、2B的總鍍層厚度tp2成為tp2＝3μm，形成了極薄銅箔3。
再用公知的方法實施使銅的粒子附著的粗化處理。作為防銹處理和表面處理，在實施了粗化處理的極薄銅層上用公知的方法進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體箔的極薄銅箔。
實施例8(圖2)1、準備載體銅箔作為載體銅箔1準備厚度31μm、光澤面粗糙度Rz＝3.5μm的電解銅箔。
2、形成剝離層對所述載體銅箔1的光澤面連續(xù)進行鐵-鉻合金的電鍍處理，形成附著量是1.0mg/dm2的鐵-鉻鍍層的剝離層2。
3、在剝離層的表面及其近旁形成含有P的層接著在該鐵-鉻鍍層2上，在Cu2P2O7·3H2O 30g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以電流密度1.5A/dm2的條件進行1分鐘的觸擊電鍍，在剝離層2的表面及其近旁形成含有P的層2A。
4、形成極薄銅箔-1接著在含有P的觸擊鍍層2A上、在Cu2P2O7·3H2O 50g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以電流密度4A/dm2的條件通過電鍍形成含有P的極薄銅層2C。
5、形成極薄銅箔-2接著在含有P的極薄銅層2C上、在Cu濃度 50g/LH2SO4100g/L的溶液中以電流密度15A/dm2的條件通過電鍍形成極薄銅層2B，觸擊鍍層2A和所述極薄銅層2C、2B的總鍍層厚度tp2成為tp2＝3μm，形成了極薄銅箔3。
再用公知的方法實施使銅的粒子附著的粗化處理。作為防銹處理和表面處理，在實施了粗化處理的極薄銅層上用公知的方法進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體箔的極薄銅箔。
實施例9(圖1)1、準備載體銅箔作為載體銅箔1準備厚度31μm、光澤面粗糙度Rz＝1.0μm的電解銅箔。
2、形成剝離層對所述載體銅箔1的光澤面連續(xù)進行電處理，形成由金屬附著量是0.50mg/dm2的金屬鉻和水合氧化物膜構(gòu)成的剝離層2。
3、在剝離層的表面形成觸擊鍍層在氰化銅觸擊電鍍浴的組成是CuCN30g/LKCN 40g/LpH 11.5的浴中以電流密度4A/dm2進行1.5分鐘的電鍍，制膜形成觸擊鍍層2A。
4、形成極薄銅箔在觸擊鍍層2A上、在CuCN70g/LKCN 90g/L的溶液中以電流密度5A/dm2的條件通過電鍍形成極薄銅層2B，把觸擊鍍層2A和所述極薄銅層2B的膜厚相加的總鍍層厚度tp1成為tp1＝3μm，形成了極薄銅箔3。
再用公知的方法實施使銅的粒子附著的粗化處理。作為防銹處理和表面處理，在實施了粗化處理的極薄銅層上用公知的方法進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體箔的極薄銅箔。
實施例10(圖3(a))在實施例1制作的帶載體箔的極薄銅箔的表面上用壓輥涂料器把樹脂漆涂敷6.0mg/dm2的厚度，然后用溫度160℃進行5分鐘熱處置，制成B級的絕緣樹脂層4，剝離載體箔1，形成帶樹脂的銅箔，使用該帶樹脂層的銅箔制作成印刷配線基板。使用的漆是把艾皮庫隆(エビクロン)1121-75M(商品名、日本インク化學(株)制的雙酚A型環(huán)氧樹脂漆)130重量份和雙氰二酰胺2.1重量份和2-乙基-4-甲基咪唑0.1重量份和甲基溶纖劑20重量份加以混合制造的。
比較例1在實施例3的狀態(tài)下，不進行焦磷酸觸擊電鍍來調(diào)整帶載體的極薄銅箔。
比較例2把載體箔換成表面粗糙度Rz＝4.1μm的，在實施例3的狀態(tài)下，不進行焦磷酸觸擊電鍍來調(diào)整帶載體的極薄銅箔。
把對上述實施例中所示的箔的載體剝離和針孔進行評價用的樣品如下述制作并進行了評價(1)制作測量載體剝離用的單面覆銅層合板把所述帶載體箔的極薄銅箔(實施例1～10、比較例1、2)切斷成縱250mm、橫250mm后、在極薄銅箔3的表面(粗糙面?zhèn)鹊拿?上放置熱壓接后厚度是1mm的玻璃纖維強化環(huán)氧預浸漬片(FR-4)，把整體用2張平滑的不銹鋼板夾住，用溫度170℃、壓力50kg/cm2熱壓接60分鐘，制造帶載體箔的FR-4載體剝離用單面覆銅層合板。
把所述帶載體箔的極薄銅箔(實施例1～10、比較例1、2)切斷成縱250mm、橫250mm后、在極薄銅箔3的表面(粗糙面?zhèn)鹊拿?上放置厚度50μm的聚酰亞胺片(宇部興產(chǎn)制UPILEX-VT)，把整體用2張平滑的不銹鋼板夾住，通過20torr(2666.44Pa)的真空泵、用溫度330℃、壓力2kg/cm2熱壓接10分鐘，然后用溫度330℃、壓力50kg/cm2熱壓接5分鐘，制造帶載體箔的聚酰亞胺載體剝離用單面覆銅層合板。
(2)制作測量針孔用的單面覆銅層合板用與所述FR-4用載體剝離用單面覆銅層合板相同的工序制作測量針孔用的單面覆銅層合板。
特性評價(1)載體剝離的測量從用所述(1)的方法制作的帶載體銅箔的單面覆銅層合板上切試料，以JISC6511規(guī)定的方法為基準、如圖3(a)、圖3(b)所示那樣把載體銅箔以測量試料寬度10mm從樹脂層4剝離，剝離強度用3次進行測量。評價結(jié)果示于表1。
(2)測定針孔在暗室內(nèi)把用所述(2)的方法制作的縱250mm、橫250mm的單面覆銅層合板的樹脂基材側(cè)對著光，通過透過來的光計數(shù)針孔的個數(shù)。評價結(jié)果也示于表1。
(3)在從極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到薄銅箔側(cè)，在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1～0.2μm的位置、測量剝離層上銅鍍層面積比的方法以實施例1～10和比較例1、2的鍍敷條件，在設置于載體箔表面的剝離層上，如圖1和圖2所示，加以平均時，在從該極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，直至極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1～0.2μm的位置鍍銅，在其表面上粘貼透明膠帶，把銅側(cè)粘貼在透明膠帶上并剝離，測量剝離層表面積和剝離的銅層的表面積，算出其比率。結(jié)果也示于表1。
作為確認的方法另外也可以把銅箔埋在樹脂中、在從極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，直至在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1～0.2μm的位置進行研磨并測量。而且還可以用FIB(Focused ionbeam)等把樹脂埋住的銅箔切片、加以確認。
(4)從在載體箔表面的剝離層表面上形成的極薄銅箔表面凹凸的凸部到極薄銅箔表面的粗糙度Rz值+0.2μm位置的銅層的導電率測量方法以實施例和比較例的電鍍條件，在設置于載體箔表面的剝離層上，自該剝離層表面凹凸的凹部至Rz值+0.2μm的位置鍍銅，在其表面上粘貼透明膠帶，把銅側(cè)粘貼在透明膠帶上并剝離，測量附著在膠帶上的銅層的導電率。其結(jié)果示于表1。
作為確認的方法也可以從極薄銅箔的載體箔側(cè)把從在載體箔表面的剝離層表面上形成的極薄銅箔表面凹凸的凸部到極薄銅箔表面的粗糙度Rz值+0.1μm～0.2μm處進行研磨或化學溶解，進行研磨或溶解前后導電率的測量，用其差求得導電率，該方法對帶樹脂的銅箔的情況有效。


評價結(jié)果(1)載體剝離FR-4載體剝離時，即使熱壓接溫度是170℃，比較例樣品的載體剝離的數(shù)值也稍大，與此相對，實施例的樣品穩(wěn)定且載體剝離也低。聚酰亞胺載體剝離時，由于熱壓接溫度是330℃的高溫，所以比較例1不能剝離，比較例2可以剝離，但在0.05KN/m以上，難于剝離，與此相對，實施例的樣品得到了全部都可剝離的結(jié)果、實施例5的樣品顯示出最低值。
(2)針孔比較例1見到的針孔多，與此相對，實施例的樣品與之比較能確認數(shù)量少。且比較例2的針孔數(shù)量最多。
所述實施例中作為載體箔使用了電解銅箔，但作為載體箔使用電解銅合金箔、壓延銅(合金)箔、鋁箔、鋁合金箔、不銹鋼箔、鈦箔、鈦合金箔也能得到同樣的效果。
作為觸擊電鍍后極薄銅層的形成方法是以硫酸銅浴、焦磷酸銅電鍍浴進行的，但也可以是氨基磺酸銅電鍍浴、氟硼化銅電鍍浴等。
(3)面積比測定從極薄銅箔表面凹凸的凸部到載體箔側(cè)的極薄銅箔表面粗糙度Rz值+0.2μm位置的銅層與剝離層的面積比，實施例中90％以上是銅層，銅層進入剝離層的凹凸內(nèi)，剝離層與銅層毫無遺漏地貼緊，銅層保護剝離層、防止剝離層的惡化，可理解為通過防止剝離層的惡化來謀求剝離強度的穩(wěn)定化。而比較例中面積比低至75％以下。這表示在比較例中銅層沒進入剝離層的凹凸內(nèi)、剝離層與銅層處于剝離的狀態(tài)，在電鍍銅層之際剝離層由電鍍浴被惡化，可以推定其形成剝離強度不穩(wěn)定的結(jié)果。
(4)測量導電率從極薄銅箔表面凹凸的凸部到載體箔側(cè)的極薄銅箔表面粗糙度Rz值+0.2μm位置的導電率，實施例中全部是超過90％的結(jié)果，而比較例的銅箔顯示90％以下的值。從該結(jié)果也理解為在實施例中盡管難于電鍍的剝離層表面和形狀凹凸，但由于銅層對凹凸毫無遺漏地貼緊、且不剝離剝離層地進行電鍍，所以實現(xiàn)了剝離強度的穩(wěn)定化。而比較例中也是難以電鍍的剝離層表面和形狀凹凸，由于是進行一般的表面處理，所以銅層對凹凸不均勻地貼緊，顯示出剝離層與銅層表面的空間率大。在電鍍銅層之際剝離層由電鍍浴被部分剝離，其結(jié)果可以推定是形成剝離強度不穩(wěn)定的結(jié)果的原因。
(5)印刷配線基板精密圖形的應對在實施例10制作的印刷配線板上實施線寬、線間間距分別是30μm的高密度極細配線時能實現(xiàn)沒有斷線、短路處所的精密圖形配線。
使用上述實施例制作的帶載體的極薄銅箔用熱壓接法在350℃的高溫下層合在把聚酰亞胺樹脂作為基材的基板4上時，能容易地把粘合在基板4上的極薄銅箔3從與剝離層2結(jié)合的載體銅箔1上剝離，然后在極薄銅箔3的表面上順次進行通孔的穿設和通孔電鍍，對極薄銅箔3進行腐蝕處理、形成具備希望線寬和希望線間間距的配線圖形，最后進行形成抗焊劑和其他的精加工處理，在完成印刷配線基板時，完全沒有因腐蝕處理而形成的斷線等，以精密間距來制作。
本發(fā)明的帶載體的極薄銅箔及其制造方法中能不損害剝離層2剝離性地進行箔的制造，在高溫下與樹脂基板4接合加工者也能容易地從載體箔1和剝離層2剝離。剝離層2上的鍍層由其剝離性的原因而難于被均勻電鍍，但通過利用觸擊電鍍能進行均勻的銅電鍍、能制造針孔少的帶載體的極薄銅箔。目前對在高溫下加工為了能剝離也加入防止擴散層來應對用戶的需求，但防止擴散層Ni、Ni-Co等的腐蝕性非常不好，有顯著損害用戶生產(chǎn)性的難點，但本發(fā)明品的帶載體的極薄銅箔不形成防止擴散層就能剝離、所以也滿足了用戶的需求。
以上本發(fā)明是在目前必須加上防止擴散層的高溫下的粘接加工中也能容易地剝離箔、也能減少針孔數(shù)量的帶載體的極薄銅箔及其制造方法。這些是滿足用戶需求的箔，產(chǎn)品質(zhì)量也非常穩(wěn)定，還能降低制造成本。
權(quán)利要求
1.一種帶載體的極薄銅箔，其包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有觸擊鍍層，所述極薄銅箔以及所述觸擊鍍層是含有P的Cu層或含有P的Cu合金層。
2.一種帶載體的極薄銅箔，其包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的觸擊鍍層，在該觸擊鍍層上設有極薄銅鍍層，在該極薄層上設有由Cu或Cu合金構(gòu)成的所述極薄銅箔。
3.一種帶載體的極薄銅箔，其包括載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，其特征在于，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的觸擊鍍層，在該觸擊鍍層上設有極薄銅鍍層，在該極薄層上設有由含有P的Cu或含有P的Cu合金構(gòu)成的所述極薄銅箔。
4.一種帶載體的極薄銅箔，其包括載體箔、剝離層、極薄銅箔所構(gòu)成，其特征在于，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的觸擊鍍層，在該觸擊鍍層上設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的極薄層，在該極薄層上設有由Cu或Cu合金構(gòu)成的所述極薄銅箔。
5.一種帶載體的極薄銅箔，其包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在所述極薄銅箔與所述剝離層間設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的觸擊鍍層，在該觸擊鍍層上設有由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的極薄層，在該極薄層上設有由含有P的銅或含有P的Cu合金構(gòu)成的所述極薄銅箔。
6.一種帶載體的極薄銅箔，其包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，極薄銅箔側(cè)的載體箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，于該載體箔表面的剝離層上設置的極薄銅箔的載體箔側(cè)的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在從該極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上形成至少覆蓋剝離層表面90％以上面積的銅或銅合金層，而且進行300℃以上熱壓接處理后的剝離強度是0.01KN/m～0.05KN/m。
7.一種帶載體的極薄銅箔，其包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，極薄銅箔側(cè)載體箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，于該載體箔表面的剝離層上設置的極薄銅箔的載體箔側(cè)的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在從該極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上至少形成導電率90％以上的銅或銅合金層，而且進行300℃以上熱壓接處理后的剝離強度是0.01KN/m～0.05KN/m。
8.如權(quán)利要求1到5任一項所述的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，極薄銅箔側(cè)的載體箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm箔，進行300℃以上熱壓接處理后的剝離強度是0.01KN/m～0.05KN/m。
9.如權(quán)利要求1到5任一項所述的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，極薄銅箔側(cè)的載體箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，于該載體箔表面的剝離層上設置的極薄銅箔的載體箔側(cè)的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在從該極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上形成至少覆蓋剝離層表面90％以上面積的銅或銅合金層，而且進行300℃以上熱壓接處理后的剝離強度是0.01KN/m～0.05KN/m。
10.如權(quán)利要求1到5任一項所述的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，極薄銅箔側(cè)的載體箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，于該載體箔表面的剝離層上設置的極薄銅箔的載體箔側(cè)的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在從該極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上形成至少導電率為90％以上的銅或銅合金層，而且進行300℃以上熱壓接處理后的剝離強度是0.01KN/m～0.05KN/m。
11.如權(quán)利要求1到7任一項所述的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，所述剝離層是Cr金屬或Cr合金。
12.如權(quán)利要求1到7任一項所述的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，所述剝離層是Cr金屬或Cr合金的水合氧化物。
13.如權(quán)利要求1到7任一項所述的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，所述剝離層是用Cr金屬或Cr合金與Cr金屬或Cr合金的水合氧化物形成的。
14.如權(quán)利要求11所述的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，所述剝離層的Cr金屬或Cr合金的附著量是4.5mg/dm2以下。
15.如權(quán)利要求12所述的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，由水合氧化物構(gòu)成的剝離層中的Cr金屬或Cr合金的附著量是0.015mg/dm2以下。
16.如權(quán)利要求1、5到7任一項所述的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，所述剝離層是Ni、Fe或它們的合金或/和含它們的水合氧化物。
17.一種帶載體的極薄銅箔的制造方法，所述帶載體的極薄銅箔包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層，在該剝離層上用含有P的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴觸擊電鍍含有P的Cu層或含有P的Cu合金層并制膜，在其上用電鍍形成由含有P的Cu或含有P的Cu合金構(gòu)成的極薄銅箔。
18.一種帶載體的極薄銅箔的制造方法，所述帶載體的極薄銅箔包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層，在該剝離層上用含有P的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴觸擊電鍍含有P的Cu層或含有P的Cu合金層，在該觸擊鍍層上通過電鍍銅或銅合金制膜成極薄層，在該極薄層上通過電鍍Cu或Cu合金來形成極薄銅箔。
19.一種帶載體的極薄銅箔的制造方法，所述帶載體的極薄銅箔包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層，在該剝離層上用含有P的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴觸擊電鍍含有P的Cu層或含有P的Cu合金層，在該觸擊鍍層上通過電鍍銅或銅合金制膜形成極薄層，在該極薄層上通過電鍍含有P的Cu或含有P的Cu合金來形成極薄銅箔。
20.一種帶載體的極薄銅箔的制造方法，所述帶載體的極薄銅箔包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層，在該剝離層上用含有P的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴觸擊電鍍含有P的Cu層或含有P的Cu合金層，在該觸擊鍍層上制膜，形成由含有P的Cu或含有P的Cu合金構(gòu)成極薄層，在該極薄層上通過電鍍Cu或Cu合金來形成極薄銅箔。
21.一種帶載體的極薄銅箔的制造方法，所述帶載體的極薄銅箔包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在載體箔的表面上電鍍Cr、Ni、Fe或它們的合金、形成剝離層，在該剝離層上用含有P的Cu或含有P的Cu合金電鍍浴觸擊電鍍含有P的Cu層或含有P的Cu合金層，在該觸擊鍍層上制膜，形成由含有P的Cu層或含有P的Cu合金層構(gòu)成的極薄層，在該極薄層上通過電鍍含有P的Cu或含有P的Cu合金來形成極薄銅箔。
22.一種帶載體的極薄銅箔的制造方法，所述帶載體的極薄銅箔包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm的載體箔表面上，形成剝離層膜，在該剝離層上載體箔側(cè)表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，用含有/或不含有pH3～pH13的P的Cu或者含有/或不含有P的Cu合金電鍍浴制膜，形成觸擊鍍層，在從形成的極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上至少用銅層覆蓋剝離層表面90％以上面積，在該觸擊鍍層上把含有P/或不含有P的銅層或銅合金層作為規(guī)定厚度的極薄銅箔來形成。
23.一種帶載體的極薄銅箔的制造方法，所述帶載體的極薄銅箔包括載體箔、剝離層、極薄銅箔，其特征在于，在表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm的載體箔表面上制膜，形成剝離層，在該剝離層上載體箔側(cè)表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，用含有/或不含有pH3～pH13的P的Cu或者含有/或不含有P的Cu合金電鍍浴制膜，形成觸擊鍍層、在從形成的極薄銅箔的載體箔側(cè)表面凹凸的凸部到極薄銅箔側(cè)，在極薄銅箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置形成導電率為90％以上的銅層，在該觸擊鍍層上把含有P/或不含有P的銅層或銅合金層作為規(guī)定厚度的極薄銅箔來形成。
24.一種印刷配線基板，其特征在于，使用權(quán)利要求1到7任一項所述的帶載體的極薄銅箔而構(gòu)成高密度極細配線。
25.一種印刷配線基板，其特征在于，使用由權(quán)利要求17到23任一項所述的帶載體的極薄銅箔的制造方法制造的帶載體的極薄銅箔而構(gòu)成高密度極細配線。
全文摘要
一種帶載體的極薄銅箔及其制造方法以及使用該帶載體的極薄銅箔的印刷配線基板，具有對使用高耐熱性樹脂基材時的高溫下加工溫度也能承受的剝離層，能使載體箔和極薄銅箔容易剝離，通過實施不損害剝離層剝離性的均勻電鍍減少針孔。本發(fā)明在具有載體箔、剝離層、極薄銅箔的帶載體的極薄銅箔中，在剝離層與極薄銅箔間的剝離層側(cè)表面設有由含P的銅構(gòu)成的觸擊鍍層，根據(jù)需要在其上設有銅的極薄層，還設有由Cu或銅合金、或由含有P的Cu或含有P的Cu合金構(gòu)成的極薄銅箔，形成帶載體的極薄銅箔。所述載體箔與極薄銅箔間的剝離層最好是Cr、Cr合金或/和含Cr的水合氧化物、Ni、Fe或它們的合金層或/和它們的水合氧化物層。
文檔編號C25D5/10GK1498749SQ20031010297
公開日2004年5月26日 申請日期2003年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月31日
發(fā)明者鈴木裕二, 松田晃 申請人:古河電路銅箔株式會社