附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機(jī)器及印刷配線板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機(jī)器及印刷配線板的制造方法。具體提供一種極薄銅層的激光打孔性良好，適合制作高密度集成電路基板的附載體銅箔。本發(fā)明的附載體銅箔是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箔，且極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度為140以下。
【專利說明】
附載體銅菊、積層體、印刷配線板、電子機(jī)器及印刷配線板的 制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種附載體銅錐、積層體、印刷配線板、電子機(jī)器及印刷配線板的制造 方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 印刷配線板一般是經(jīng)過在使絕緣基板粘附于銅錐而制成覆銅積層板后，利用蝕刻 在銅錐面形成導(dǎo)體圖案的步驟來制造。隨著近年來電子機(jī)器的小型化、高性能化需求的增 大，搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化不斷發(fā)展，對印刷配線板要求導(dǎo)體圖案微細(xì) 化(微間距化)或應(yīng)對高頻等。
[0003] 應(yīng)對微間距化，最近要求厚度下、進(jìn)而厚度扣mW下的銅錐，但運(yùn)種極薄的銅 錐因?yàn)闄C(jī)械強(qiáng)度較低，容易在制造印刷配線板時(shí)破裂或產(chǎn)生皺權(quán)，所W出現(xiàn)了附載體銅錐， 其是使用具有厚度的金屬錐作為載體，并在該金屬錐上隔著剝離層電沉積極薄銅層而成。 在將極薄銅層的表面貼合在絕緣基板而進(jìn)行熱壓接后，載體經(jīng)由剝離層被剝離去除。在露 出的極薄銅層上利用阻劑形成電路圖案后，形成特定電路。
[0004] 運(yùn)里，為了提高印刷配線板的集成電路密度，一般有形成激光孔，并通過該孔使內(nèi) 層與外層連接的方法。另外，伴隨窄間距化的微細(xì)電路形成方法可W使用在極薄銅層上形 成配線電路后，利用硫酸-過氧化氨類的蝕刻劑將極薄銅層蝕刻去除的方法（MSAP: Modified-Semi-Additive-Process)，所W極薄銅層的激光打孔性在制作高密度集成電路 基板方面為重要項(xiàng)目。極薄銅層的激光打孔性因?yàn)楹涂讖骄萕及激光輸出等各條件相 關(guān)，所W會給集成電路的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)性帶來較大影響。
[0005] 在一般的激光打孔加工中，為了提高激光波長的吸收性而利用藥液對極薄銅層表 面實(shí)施黑化處理或微小凹凸處理，然后進(jìn)行激光打孔。但是，隨著高集成化，多數(shù)情況下不 進(jìn)行如上所述的處理而直接向極薄銅錐表面照射激光，形成激光孔。通常所使用的激光為 二氧化碳激光，因?yàn)殂~具有反射該波長區(qū)域的特性，所W如果不進(jìn)行將表面粗化等處理，那 么激光打孔性不會得到改善。作為運(yùn)種技術(shù)，專利文獻(xiàn)1中記載有通過覆銅積層板的外層銅 錐使用波狀的銅錐，能夠提供一種激光打孔性良好的覆銅積層板。
[0006] [現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0007] [專利文獻(xiàn)]
[000引[專利文獻(xiàn)1]日本專利第3261119號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] [發(fā)明所要解決的課題]
[0010] 但是，如果粗化極薄銅層表面，那么會產(chǎn)生損害微細(xì)電路形成性的問題。因此，本 發(fā)明的課題在于提供一種極薄銅層的激光打孔性良好，適合制作高密度集成電路基板的附 載體銅錐。
[0011] [解決課題的技術(shù)手段]
[0012] 為了達(dá)成所述目的，本
【發(fā)明人】反復(fù)進(jìn)行努力研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過控制極薄銅層的 中間層側(cè)表面的MD方向（長度方向，周向）的光澤度，或通過控制極薄銅層的中間層側(cè)表面 的TD方向（寬度方向，橫向）的光澤度，能夠提供一種極薄銅層的激光波長的吸收提高，極薄 銅層的激光打孔性良好，適合制作高密度集成電路基板的附載體銅錐。
[0013] 本發(fā)明是基于所述見解而完成，在一形態(tài)中是一種附載體銅錐，其是依序具有載 體、中間層、及極薄銅層的附載體銅錐，且所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的MD方向的60 度鏡面光澤度為140W下。
[0014] 本發(fā)明的附載體銅錐在一實(shí)施方式中，所述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光 澤度為130W下。
[0015] 本發(fā)明的附載體銅錐在另一實(shí)施方式中，所述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面 光澤度為120W下。
[0016] 本發(fā)明的附載體銅錐在另一實(shí)施方式中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的MD 方向的60度鏡面光澤度為now下。
[0017] 本發(fā)明在另一形態(tài)中是一種附載體銅錐，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層 的附載體銅錐，且所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度為65W 下。
[0018] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面 的TD方向的60度鏡面光澤度為60 W下。
[0019] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面 的TD方向的60度鏡面光澤度為55 W下。
[0020] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面 的利用接觸式粗糖度計(jì)測得的MD方向的平均粗糖度Rz為1.5ymW下。
[0021] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面 的利用接觸式粗糖度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糖度Rz為0.80ymW上。
[0022] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面 的利用接觸式粗糖度計(jì)測得的TD方向的平均粗糖度Rz為1.7ymW下。
[0023] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面 的MD方向的60度鏡面光澤度/所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤 度為2.05W下。
[0024] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面 的MD方向的60度鏡面光澤度/所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤 度為1.95W下。
[0025] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面 的利用接觸式粗糖度計(jì)測得的MD方向的平均粗糖度Rz/所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面 的利用接觸式粗糖度計(jì)測得的TD方向的平均粗糖度Rz為0.55 W上。
[0026] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，在本發(fā)明的附載體銅錐在載體的一 面具有極薄銅層的情況下，在所述極薄銅層側(cè)及所述載體側(cè)的至少一個表面或兩個表面具 有選自由粗化處理層、耐熱層、防誘層、銘酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1 種w上的層，或
[0027] 在本發(fā)明的附載體銅錐在載體的兩面具有極薄銅層的情況下，在該一個或兩個極 薄銅層側(cè)的表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防誘層、銘酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層 所組成的群中的1種W上的層。
[0028] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述粗化處理層是包含選自由銅、 儀、鉆、憐、鶴、神、鋼、銘及鋒所組成的群中的任一單質(zhì)或含有任一種W上的單質(zhì)的合金的 層。
[0029] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，在選自由所述粗化處理層、所述耐 熱層、防誘層、銘酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種W上的層上具備樹脂 層。
[0030] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，在所述極薄銅層上具備樹脂層。
[0031] 本發(fā)明的附載體銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，所述樹脂層是粘附用樹脂、及/或半 固化狀態(tài)的樹脂。
[0032] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種積層體，其是使用本發(fā)明的附載體銅錐而制造。
[0033] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種積層體，其是包含本發(fā)明的附載體銅錐與樹脂的 積層體，且所述附載體銅錐的端面的一部分或全部由所述樹脂所覆蓋。
[0034] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種積層體，其是將一個本發(fā)明的附載體銅錐從所述 載體側(cè)或所述極薄銅層側(cè)積層在另一個本發(fā)明的附載體銅錐的所述載體側(cè)或所述極薄銅 層側(cè)而成。
[0035] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種印刷配線板，其是使用本發(fā)明的附載體銅錐而制 造。
[0036] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種電子機(jī)器，其是使用本發(fā)明的印刷配線板而制 造。
[0037] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:準(zhǔn)備 本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0038] 積層所述附載體銅錐與絕緣基板;及
[0039] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，經(jīng)過剝離所述附載體銅錐的載體的步驟而 形成覆銅積層板，
[0040] 之后，通過半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法而形成 電路。
[0041] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:在本 發(fā)明的附載體銅錐的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面形成電路；
[0042] W埋沒所述電路的方式在所述附載體銅錐的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè) 表面形成樹脂層；
[0043] 在所述樹脂層上形成電路；
[0044] 在所述樹脂層上形成電路后，將所述載體或所述極薄銅層剝離;及
[0045] 在將所述載體或所述極薄銅層剝離后，去除所述極薄銅層或所述載體，由此使形 成于所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面的埋沒在所述樹脂層的電路露出。
[0046] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:將本 發(fā)明的附載體銅錐從所述載體側(cè)積層在樹脂基板；
[0047] 在所述附載體銅錐的所述極薄銅層側(cè)表面形成電路；
[0048] W埋沒所述電路的方式在所述附載體銅錐的所述極薄銅層側(cè)表面形成樹脂層；
[0049] 在所述樹脂層上形成電路；
[0050] 在所述樹脂層上形成電路后，剝離所述載體;及
[0051] 在剝離所述載體后，去除所述極薄銅層，由此使形成于所述極薄銅層側(cè)表面或所 述載體側(cè)表面的埋沒在所述樹脂層的電路露出。
[0052] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:積層 本發(fā)明的附載體銅錐的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面與樹脂基板；
[0053] 在所述附載體銅錐的與和樹脂基板積層的一側(cè)為相反側(cè)的極薄銅層側(cè)表面或所 述載體側(cè)表面設(shè)置至少1次樹脂層與電路運(yùn)2層;及
[0054] 在形成所述樹脂層及電路運(yùn)2層后，從所述附載體銅錐剝離所述載體或所述極薄 銅層。
[0055] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:積層 本發(fā)明的附載體銅錐的所述載體側(cè)表面與樹脂基板；
[0056] 在所述附載體銅錐的與和樹脂基板積層的一側(cè)為相反側(cè)的極薄銅層側(cè)表面設(shè)置 至少1次樹脂層與電路運(yùn)2層;及
[0057] 在形成所述樹脂層及電路運(yùn)2層后，從所述附載體銅錐剝離所述載體。
[0058] 本發(fā)明在進(jìn)而另一形態(tài)中是一種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:在本 發(fā)明的積層體的任一面或兩面設(shè)置至少1次樹脂層與電路運(yùn)2層;及
[0059] 在形成所述樹脂層及電路運(yùn)2層后，從構(gòu)成所述積層體的附載體銅錐將所述載體 或所述極薄銅層剝離。
[0060] [發(fā)明的效果]
[0061] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種極薄銅層的激光打孔性良好，適合制作高密度集成電 路基板的附載體銅錐。
【附圖說明】
[0062] 圖1A~C是使用本發(fā)明的附載體銅錐的印刷配線板的制造方法的具體例的至鍛敷 電路、去除阻劑為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0063] 圖2D~F是使用本發(fā)明的附載體銅錐的印刷配線板的制造方法的具體例的從積層 樹脂及第二層附載體銅錐至激光打孔為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0064] 圖3G~I是使用本發(fā)明的附載體銅錐的印刷配線板的制造方法的具體例的從形成 通孔填充物(via fill)至剝離第一層載體為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0065] 圖4J~K是使用本發(fā)明的附載體銅錐的印刷配線板的制造方法的具體例的從快速 蝕刻至形成凸塊、銅柱為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0066] 圖5是表示電解滾筒的研磨方法的示意圖。
[0067] 符號說明 [006引UT極薄銅層
【具體實(shí)施方式】
[0069] <附載體銅錐>
[0070] 本發(fā)明的附載體銅錐依序具有載體、中間層、極薄銅層。附載體銅錐本身的使用方 法為業(yè)者所熟知，例如可將極薄銅層的表面貼合在紙基材酪樹脂、紙基材環(huán)氧樹脂、合成纖 維布基材環(huán)氧樹脂、玻璃布-紙復(fù)合基材環(huán)氧樹脂、玻璃布-玻璃無紡布復(fù)合基材環(huán)氧樹脂 及玻璃布基材環(huán)氧樹脂、聚醋膜、聚酷亞胺膜等絕緣基板，在熱壓接后剝離載體，將粘附于 絕緣基板的極薄銅層蝕刻為目標(biāo)導(dǎo)體圖案，最終制造印刷配線板。
[0071] < 載體 >
[0072] 本發(fā)明中能夠使用的載體典型地為金屬錐或樹脂膜，例如是W銅錐、銅合金錐、儀 錐、儀合金錐、鐵錐、鐵合金錐、不誘鋼錐、侶錐、侶合金錐、絕緣樹脂膜、聚酷亞胺膜、LCD膜、 氣樹脂膜的形態(tài)提供。
[0073] 本發(fā)明中能夠使用的載體典型地是W壓延銅錐或電解銅錐的形態(tài)提供。一般來 說，電解銅錐是利用硫酸銅鍛浴在鐵或不誘鋼的滾筒上電解析出銅而制造，壓延銅錐是反 復(fù)進(jìn)行利用壓延漉的塑性加工與熱處理而制造。作為銅錐的材料，除了精銅(JIS H3100合 金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS冊510合金編號C1011)等高純度 的銅W外，也能夠使用例如滲Sn銅、滲Ag銅、添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加有Μ及Si等 的科森系銅合金運(yùn)樣的銅合金。此外，在本說明書中，當(dāng)單獨(dú)使用用語"銅錐"時(shí)，也包括銅 合金錐在內(nèi)。
[0074] 關(guān)于本發(fā)明中能夠使用的載體的厚度，也并沒有特別限制，只要適當(dāng)調(diào)節(jié)為在發(fā) 揮作為載體的功能方面合適的厚度即可，例如可W設(shè)為扣mW上。但是如果過厚，那么生產(chǎn) 成本會增高，所W通常優(yōu)選設(shè)為35皿W下。因此，載體的厚度典型地為8~70μπι，更典型地為 12~70μπι，更典型地為18~35μπι。另外，從降低原料成本的觀點(diǎn)來說，優(yōu)選載體的厚度較小。 因此，載體的厚度典型地為扣mW上且35皿W下，優(yōu)選扣mW上且1祉mW下，優(yōu)選扣mW上且 12皿W下，優(yōu)選扣mW上且llymW下，優(yōu)選扣mW上且10皿W下。此外，在載體的厚度較小的 情況下，容易在載體的通錐時(shí)產(chǎn)生權(quán)皺。為了防止產(chǎn)生權(quán)皺，有效的是例如使附載體銅錐制 造裝置的搬送漉變得平滑、或縮短搬送漉與下一搬送漉的距離。此外，在作為印刷配線板的 制造方法之一的嵌入方法(嵌入法化nbedded Process))中使用附載體銅錐的情況下，載體 的剛性必須較高。因此，在用于嵌入方法的情況下，載體的厚度優(yōu)選1祉mW上且300ymW下， 優(yōu)選上且150ymW下，優(yōu)選35皿W上且lOOymW下，更進(jìn)一步優(yōu)選35ymW上且70ymW 下。
[0075] 此外，可W在載體的與設(shè)置極薄銅層的一側(cè)的表面為相反側(cè)的表面設(shè)置粗化處理 層?？蒞使用眾所周知的方法設(shè)置該粗化處理層，也可W利用下述粗化處理來設(shè)置。在載體 的與設(shè)置極薄銅層的一側(cè)的表面為相反側(cè)的表面設(shè)置粗化處理層具有如下優(yōu)點(diǎn):將載體從 具有該粗化處理層的表面?zhèn)确e層在樹脂基板等支撐體時(shí)，載體與樹脂基板變得不易剝離。
[0076] W下，示出使用電解銅錐作為載體時(shí)的制造條件的一例。
[0077] <電解液組成>
[007引銅：90 ~llOg/L [00 巧]硫酸：90~llOg/L
[0080]氯：50 ~lOOppm
[0081 ] 整平劑1(雙(3-橫丙基)二硫酸）：10~30ppm
[0082] 整平劑2(胺化合物）：10~30ppm
[0083] 所述胺化合物可W使用W下的化學(xué)式的胺化合物。
[0084] 此外，本發(fā)明中所使用的電解、表面處理或鍛敷等所使用的處理液的剩余部分只 要沒有明確記載，那么就為水。
[0085] [化U
[0086]
[0087] (所述化學(xué)式中，Ri及R2是選自由徑烷基、酸基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和控 基、烷基所組成的一群中的基）
[0088] <制造條件>
[0089] 電流密度:70~100A/血2
[0090] 電解液溫度:50~60°C
[0091] 電解液線速度:3~5m/sec
[0092] 電解時(shí)間:0.5~10分鐘
[0093] <中間層>
[0094] 在載體的單面或雙面上設(shè)置中間層。在載體與中間層之間可W設(shè)置其它層。本發(fā) 明中所使用的中間層只要是如下構(gòu)成，那么就并沒有特別限定:在附載體銅錐向絕緣基板 積層的步驟前極薄銅層不易從載體剝離，另一方面，在向絕緣基板積層的步驟后極薄銅層 能夠從載體剝離。例如，本發(fā)明的附載體銅錐的中間層可W含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、 T i、W、P、化、A1、化、運(yùn)些的合金、運(yùn)些的水合物、運(yùn)些的氧化物、有機(jī)物所組成的群中的一種 或兩種W上。另外，中間層也可W是數(shù)層。
[00M]另外，例如，中間層可W通過如下方式構(gòu)成:從載體側(cè)形成W選自由化、Ni、Co、Fe、 1〇、11、胖、？、加、41、化所構(gòu)成的元素群的一種元素所組成的單一金屬層、或^選自由化、化、 仿、。6、1〇、11、胖、？、化、41、化所構(gòu)成的元素群的一種或兩種^上的元素所組成的合金層、或 包含有機(jī)物的層，并在其上形成W選自由化、化、仿^6、1〇、11、胖、？、〇1、41、化所構(gòu)成的元素 群的一種或兩種W上的元素的單一金屬層或合金層或水合物或氧化物或有機(jī)物所組成的 層。
[0096]在只在單面設(shè)置中間層的情況下，優(yōu)選在載體的相反面設(shè)置鍛Μ層等防誘層。此 夕h在利用銘酸鹽處理或鋒銘酸鹽處理或鍛敷處理設(shè)置中間層的情況下，認(rèn)為存在銘或鋒 等附著金屬的一部分成為水合物或氧化物的情況。
[0097] 另外，例如，中間層可W在載體上依序積層儀、儀-憐合金或儀-鉆合金與銘而構(gòu) 成。因?yàn)閮x與銅的粘附力高于銘與銅的粘附力，所W當(dāng)剝離極薄銅層時(shí)，會在極薄銅層與銘 的界面進(jìn)行剝離。另外，對中間層的儀期待防止銅成分從載體向極薄銅層擴(kuò)散的阻障效果。 中間層中的儀的附著量優(yōu)選1 (K)yg/dm2 W上且400(K)yg/dm2 W下，更優(yōu)選1 (K)yg/dm2 W上且 4000yg/dm2W 下，更優(yōu)選 100yg/dm2W 上且 2500yg/dm2W 下，更優(yōu)選 100yg/dm2W 上且未達(dá) lOO^gMm2,中間層中的銘的附著量優(yōu)選扣g/dm2W上且l(K)yg/dm2W下。在只在單面設(shè)置中 間層的情況下，優(yōu)選在載體的相反面設(shè)置鍛儀層等防誘層。
[0098] 此外，中間層可W通過對載體進(jìn)行電鍛、無電鍛敷及浸潰鍛敷運(yùn)樣的濕式鍛敷、或 瓣鍛、CVD、PVD運(yùn)樣的干式鍛敷而設(shè)置。此外，在載體使用樹脂膜，且利用濕式鍛敷設(shè)置中間 層的情況下，在形成中間層前需要進(jìn)行活化處理等用W對載體進(jìn)行濕式鍛敷的預(yù)處理。所 述預(yù)處理只要為能夠?qū)渲みM(jìn)行濕式鍛敷的處理，那么任何處理均可使用，能夠使用眾 所周知的處理。
[0099] <極薄銅層>
[0100] 在中間層上設(shè)置極薄銅層。在中間層與極薄銅層之間可W設(shè)置其它層。極薄銅層 可W通過利用硫酸銅、焦憐酸銅、氨基橫酸銅、氯化銅等電解浴的電鍛而形成，從用于一般 的電解銅錐、且能夠在高電流密度下形成銅錐的方面來說，優(yōu)選硫酸銅浴。極薄銅層的厚度 并沒有特別限制，通常薄于載體，例如為下。典型地為0.01~12μπι，更典型地為0.05 ~12μηι，更典型地為0.1~12μηι，更典型地為1~扣m，進(jìn)而典型地為1.5~如m，進(jìn)而典型地為 2~如m。此外，也可W在載體的雙面設(shè)置極薄銅層。
[0101] <極薄銅層的中間層側(cè)表面的60度鏡面光澤度>
[0102] 本發(fā)明的附載體銅錐在一形態(tài)中，極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD方向下，也稱 為長度方向或周向;MD方向：垂直于電解銅錐制造裝置中的銅錐的通錐方向的方向）的60度 鏡面光澤度被控制為140W下。另外，本發(fā)明的附載體銅錐在另一形態(tài)中，極薄銅層的中間 層側(cè)表面的TD方向下，也稱為寬度方向、橫向；TD方向：電解銅錐制造裝置中的銅錐的通 錐方向）的60度鏡面光澤度被控制為65W下。
[0103] 將附載體銅錐貼合在絕緣基板，并在熱壓接后剝離載體，將粘附于絕緣基板的極 薄銅層蝕刻為目標(biāo)導(dǎo)體圖案而形成電路。W所述方式使基板成為多層構(gòu)造而制作印刷配線 板。運(yùn)里，為了提高運(yùn)種印刷配線板的集成電路密度，形成激光孔，通過該孔使內(nèi)層與外層 連接。運(yùn)時(shí)，如果難W在極薄銅層打出激光孔，那么當(dāng)然會成為問題，激光孔過大過小均會 引起各種問題，所W必須形成為適度的大小。如上所述，極薄銅層的激光打孔性因?yàn)楹涂讖?精度W及激光輸出等各條件相關(guān)，所W是會給集成電路的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)性帶來較大影響的重 要特性。在本發(fā)明中，發(fā)現(xiàn)該極薄銅層的激光打孔性通過將極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD 方向（周向）的60度鏡面光澤度控制為140W下、或?qū)O薄銅層的中間層側(cè)表面的TD方向（橫 向）的60度鏡面光澤度控制為65W下而變得良好。如果極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD方向 的60度鏡面光澤度超過140、或極薄銅層的中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度超過 65,那么會產(chǎn)生如下問題:極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD方向或TD方向的60度鏡面光澤度 過大，打孔加工時(shí)的激光的吸收性過剩，孔變得過大。
[0104] 極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度優(yōu)選130W下，更優(yōu)選120W 下，更優(yōu)選now下。另外，極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度的下限并 沒有特別限定，可W是0.1W上、0.5W上、1.0W上、5.0W上、或10.0W上。
[0105] 極薄銅層的中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度優(yōu)選60W下，更優(yōu)選55W 下，進(jìn)而更優(yōu)選45W下。另外，極薄銅層的中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度的下限 并沒有特別限定，可W是0.1W上、0.5W上、1.0W上、5.0W上、或10.0W上。
[0106] <極薄銅層的中間層側(cè)表面的十點(diǎn)平均粗糖度Rz>
[0107] 關(guān)于本發(fā)明的附載體銅錐，極薄銅層的中間層側(cè)表面的利用接觸式粗糖度計(jì)測得 的MD方向（周向）的十點(diǎn)平均粗糖度Rz (JIS B06011982)優(yōu)選1.5μπι W下。利用運(yùn)種構(gòu)成，能 夠控制打孔加工時(shí)的激光的吸收性，極薄銅層的激光打孔性變得更良好。極薄銅層的中間 層側(cè)表面的十點(diǎn)平均粗糖度Rz更優(yōu)選1.4ymW下，進(jìn)而更優(yōu)選1.3ymW下。另外，極薄銅層的 中間層側(cè)表面的MD方向（周向）的十點(diǎn)平均粗糖度RzQlS B06011982)的下限并沒有特別限 定，可W是0.01皿W上、0.05皿W上、或0.1皿W上。此外，在極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD 方向（周向）的十點(diǎn)平均粗糖度Rz(JIS B06011982)為0.80皿W上、優(yōu)選0.85ymW上、優(yōu)選 0.90ymW上的情況下，能夠更良好地控制打孔加工時(shí)的激光的吸收性，極薄銅層的激光打 孔性變得更良好。
[0108] 關(guān)于本發(fā)明的附載體銅錐，極薄銅層的中間層側(cè)表面的利用接觸式粗糖度計(jì)測得 的TD方向（橫向）的十點(diǎn)平均粗糖度Rz (JIS B06011982)優(yōu)選1.7皿W下。利用運(yùn)種構(gòu)成，能 夠控制打孔加工時(shí)的激光的吸收性，極薄銅層的激光打孔性變得更良好。極薄銅層的中間 層側(cè)表面的十點(diǎn)平均粗糖度Rz更優(yōu)選1.6ymW下，進(jìn)而更優(yōu)選1.5ymW下。另外，極薄銅層的 中間層側(cè)表面的TD方向（橫向）的十點(diǎn)平均粗糖度RzQlS B0601 1982)的下限并沒有特別 限定，可W是0.01皿W上、0.05皿W上、或0.1皿W上。
[0109] 能夠W如下方式控制本發(fā)明的所述極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD方向及TD方向 的60度鏡面光澤度、及十點(diǎn)平均粗糖度化。也就是說，在形成了中間層的載體的該中間層側(cè) 表面，W利用特定的研磨方法研磨過極薄銅層形成面的電解滾筒形成載體。在該電解滾筒 的研磨方法中，不只是沿電解滾筒表面的旋轉(zhuǎn)方向(MD方向）進(jìn)行研磨，也沿TD方向進(jìn)行研 磨。具體來說，如圖5所示，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)一邊使研磨帶抵接于電解滾筒的旋轉(zhuǎn)方向 (MD方向）進(jìn)行研磨，并且使研磨帶一邊也沿電解滾筒的TD方向振動一邊移動，由此也進(jìn)行 電解滾筒的TD方向的研磨。運(yùn)時(shí)，可W使用鐵制滾筒作為電解滾筒。另外，作為研磨帶，可W 使用如下研磨帶，其使用碳化娃制研磨粒、氧化侶制研磨粒或碳化鶴制研磨粒作為研磨粒。 另外，研磨粒的粒度優(yōu)選設(shè)為JIS R60011998中所規(guī)定的F240~F1200或#320~#4000的粒 度。另外，研磨帶在TD方向的振動寬度設(shè)為0.01~5mm，研磨帶在橫向的移動(行程:在電解 滾筒表面的TD方向，研磨帶的中屯、在一定時(shí)間內(nèi)返回到相同位置的次數(shù))設(shè)為50~300次/ min,研磨帶在TD方向的移動速度(托架速度)設(shè)為20~lOOcm/min，電解滾筒的旋轉(zhuǎn)速度設(shè) 為5~15巧m。研磨帶的寬度可W設(shè)為50~300mm。
[0110] 通過使用像運(yùn)樣表面的MD方向及TD方向經(jīng)研磨的電解滾筒而形成載體，能夠控制 在該載體上隔著中間層而形成的所述極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD方向及TD方向的60度 鏡面光澤度及十點(diǎn)平均粗糖度Rz。
[0111] 另外，從激光的容易吸收性的方面來說，所述MD方向的60度鏡面光澤度/所述TD方 向的60度鏡面光澤度優(yōu)選2.05 W下，更優(yōu)選2.00 W下，更進(jìn)一步優(yōu)選1.95 W下，更進(jìn)一步優(yōu) 選1.9〇W下。
[0112] 另外，從激光的容易吸收性的方面來說，所述MD方向的十點(diǎn)平均粗糖度Rz/所述TD 方向的十點(diǎn)平均粗糖度Rz優(yōu)選0.55 W上，更優(yōu)選0.60 W上，更進(jìn)一步優(yōu)選0.63 W上。
[0113] 關(guān)于本發(fā)明附載體銅錐，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面 光澤度為65W下，且在所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面可W滿足W下（2-1)~（2-14)的 項(xiàng)目中的1個或2個或3個或4個或5個或6個或7個或8個或9個或10個或11個或12個或13個或 14個：
[0114] (2-l)MD方向的60度鏡面光澤度為140W下、
[0115] (2-2)MD方向的60度鏡面光澤度為130W下、
[0116] (2-3)MD方向的60度鏡面光澤度為120W下、
[0117] (2-4)MD方向的60度鏡面光澤度為now下、
[011引（2-5) TD方向的60度鏡面光澤度為65 W下、
[0119] (2-6) TD方向的60度鏡面光澤度為60 W下、
[0120] (2-7) TD方向的60度鏡面光澤度為55 W下、
[0121] (2-8) TD方向的60度鏡面光澤度為50 W下、
[0122] (2-9)利用接觸式粗糖度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糖度Rz化.5皿W下、
[0123] (2-10)利用接觸式粗糖度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糖度Rz為0.祉mW上、
[0124] (2-11)利用接觸式粗糖度計(jì)測得的TD方向的十點(diǎn)平均粗糖度Rz為1.7ymW下、
[0125] (2-12 )MD方向的60度鏡面光澤度/TD方向的60度鏡面光澤度為2.05 W下、
[0126] (2-13)MD方向的60度鏡面光澤度/TD方向的60度鏡面光澤度為1.95W下、
[0127] (2-14)利用接觸式粗糖度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糖度Rz/利用接觸式粗糖 度計(jì)測得的TD方向的十點(diǎn)平均粗糖度Rz為0.55 W上。
[0128] <粗化處理及其它表面處理>
[0129] 在極薄銅層的表面，例如為了使其與絕緣基板的密接性變得良好等，可W通過實(shí) 施粗化處理而設(shè)置粗化處理層。粗化處理例如可W通過利用銅或銅合金形成粗化粒子而進(jìn) 行。粗化處理也可W是微細(xì)的粗化處理。粗化處理層可W是W選自由銅、儀、憐、鶴、神、鋼、 銘、鐵、饑、鉆及鋒所組成的群中的任一單質(zhì)或含有任一種W上的單質(zhì)的合金所組成的層 等。另外，在利用銅或銅合金形成粗化粒子后，也可W進(jìn)而進(jìn)行利用儀、鉆、銅、鋒的單質(zhì)或 合金等設(shè)置二次粒子或Ξ次粒子的粗化處理。之后，可W利用儀、鉆、銅、鋒的單質(zhì)或合金等 形成耐熱層或防誘層，也可W進(jìn)而對其表面實(shí)施銘酸鹽處理、硅烷偶聯(lián)處理等處理?；蛘咭?可W不進(jìn)行粗化處理，而利用儀、鉆、銅、鋒、錫、鋼、鶴、憐、神、銘、饑、鐵、侶、金、銀、銷族元 素、鐵、粗的單質(zhì)及/或合金及/或氧化物及/或氮化物及/或娃化物等形成耐熱層或防誘層， 進(jìn)而對其表面實(shí)施銘酸鹽處理、硅烷偶聯(lián)處理等處理。也就是說，可W在粗化處理層的表面 形成選自由耐熱層、防誘層、銘酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種W上的 層，也可W在極薄銅層的表面形成選自由耐熱層、防誘層、銘酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層 所組成的群中的1種W上的層。此外，所述粗化處理層、耐熱層、防誘層、銘酸鹽處理層、硅烷 偶聯(lián)處理層可W分別W數(shù)層形成(例如2層W上、3層W上等）。
[0130] 例如，作為粗化處理的銅-鉆-儀合金鍛敷能夠W利用電解鍛敷形成附著量為15~ 40mg/dm2的銅-100~3000yg/dm2的鉆-100~1500yg/dm 2的儀運(yùn)樣的3元系合金層的方式來 實(shí)施。如果Co附著量未達(dá)100yg/dm2,那么存在耐熱性變差，蝕刻性變差的情況。如果Co附著 量超過3000yg/dm2,那么當(dāng)必須考慮磁性的影響時(shí)不優(yōu)選，存在產(chǎn)生蝕刻斑點(diǎn)，另外，耐酸 性及耐化學(xué)品性變差的情況。如果Μ附著量未達(dá)10化g/dm2,那么存在耐熱性變差的情況。 另一方面，如果Ni附著量超過15(K)yg/dm2,那么存在蝕刻殘留增多的情況。優(yōu)選的Co附著量 為1000~2500yg/dmM尤選的儀附著量為500~1200yg/dm2。運(yùn)里，所謂蝕刻斑點(diǎn)，是指當(dāng)利 用氯化銅進(jìn)行蝕刻時(shí)，Co不溶解而殘留，并且所謂蝕刻殘留，是指當(dāng)利用氯化錠進(jìn)行堿蝕刻 時(shí)，Ni不溶解而殘留。
[0131] 用W形成運(yùn)種3元系銅-鉆-儀合金鍛層的一般浴及鍛敷條件的一例如下所述：
[0132] 鍛浴組成:CulO ~20g/L、Col ~10g/L、Nil ~lOg/L
[0133] pH:l ~4
[0134] 溫度:30 ~50°C
[0135] 電流密度 Dk:20 ~30A/dm2
[0136] 鍛敷時(shí)間：1~5秒
[0137] 所述銘酸鹽處理層是指利用包含銘酸酢、銘酸、重銘酸、銘酸鹽或重銘酸鹽的溶液 進(jìn)行過處理的層。銘酸鹽處理層可W含有Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Sn、As及Ti等元 素(可W是金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態(tài)）。作為銘酸鹽處理層的具體例， 可W列舉利用銘酸酢或重銘酸鐘水溶液進(jìn)行過處理的銘酸鹽處理層、或利用包含銘酸酢或 重銘酸鐘及鋒的處理液進(jìn)行過處理的銘酸鹽處理層等。
[0138] 所述硅烷偶聯(lián)處理層可W使用眾所周知的硅烷偶聯(lián)劑而形成，可W使用環(huán)氧系娃 燒、氨基系硅烷、甲基丙締酷氧基系硅烷、琉基系硅烷、乙締系硅烷、咪挫系硅烷、二嗦系娃 燒等硅烷偶聯(lián)劑等而形成。此外，運(yùn)種硅烷偶聯(lián)劑也可W將巧巾W上混合而使用。其中，優(yōu)選 使用氨基系硅烷偶聯(lián)劑或環(huán)氧系硅烷偶聯(lián)劑而形成的硅烷偶聯(lián)處理層。
[0139] 另外，可W對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防誘層、硅烷偶聯(lián)處理層或銘酸鹽處 理層的表面進(jìn)行國際公開編號W02008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第 5024930號、國際公開編號W02006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號W02006/ 134868、日本專利第5046927號、國際公開編號W02007/105635、日本專利第5180815號、日本 特開2013-19056號中所記載的表面處理。
[0140] W如上方式制造具備載體、積層在載體上的中間層、及積層在中間層上的極薄銅 層的附載體銅錐。附載體銅錐本身的使用方法為業(yè)者所熟知，例如可W將極薄銅層的表面 貼合在紙基材酪樹脂、紙基材環(huán)氧樹脂、合成纖維布基材環(huán)氧樹脂、玻璃布-紙復(fù)合基材環(huán) 氧樹脂、玻璃布-玻璃無紡布復(fù)合基材環(huán)氧樹脂及玻璃布基材環(huán)氧樹脂、聚醋膜、聚酷亞胺 膜等絕緣基板，在熱壓接后剝離載體而制成覆銅積層板，并將粘附于絕緣基板的極薄銅層 蝕刻為目標(biāo)導(dǎo)體圖案，最終制造印刷配線板。
[0141] 另外，具備載體、及在載體上積層中間層且積層在中間層上的極薄銅層的附載體 銅錐可W在所述極薄銅層上具備粗化處理層，也可W在所述粗化處理層上具備一層W上選 自由耐熱層、防誘層、銘酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的層。
[0142] 另外，可W在所述極薄銅層上具備粗化處理層，可W在所述粗化處理層上具備耐 熱層、防誘層，可W在所述耐熱層、防誘層上具備銘酸鹽處理層，也可W在所述銘酸鹽處理 層上具備硅烷偶聯(lián)處理層。
[0143] 另外，所述附載體銅錐可W在所述極薄銅層上、或所述粗化處理層上、或所述耐熱 層、防誘層、或銘酸鹽處理層、或硅烷偶聯(lián)處理層上具備樹脂層。所述樹脂層可W是絕緣樹 脂層。
[0144] 所述樹脂層可W是粘附劑，也可W是粘附用的半固化狀態(tài)(B階段)的絕緣樹脂層。 所謂半固化狀態(tài)(B階段狀態(tài)），包括如下狀態(tài)：即使W手指觸碰其表面也沒有粘著感，可將 該絕緣樹脂層重疊進(jìn)行保管，如果進(jìn)而受到加熱處理那么就會產(chǎn)生固化反應(yīng)。
[0145] 另外，所述樹脂層可W包含熱固化性樹脂，也可W是熱塑性樹脂。另外，所述樹脂 層可W含有熱塑性樹脂。其種類并沒有特別限定，例如，作為合適的樹脂，可W列舉包含選 自環(huán)氧樹脂、聚酷亞胺樹脂、多官能性氯酸醋化合物、馬來酷亞胺化合物、聚馬來酷亞胺化 合物、馬來酷亞胺系樹脂、芳香族馬來酷亞胺樹脂、聚乙締醇縮醒樹脂、氨基甲酸醋樹脂 (Urethane resin)、聚酸諷（也稱為Polyethersulfone)、聚酸諷（也稱為 Polyethersulfone)樹脂、芳香族聚酷胺樹脂、芳香族聚酷胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚 胺、芳香族聚胺、聚酷胺酷亞胺樹脂、橡膠改質(zhì)環(huán)氧樹脂、苯氧基樹脂、簇基改質(zhì)丙締臘-下 二締樹脂、聚苯酸、雙馬來酷亞胺Ξ嗦樹脂、熱固化性聚苯酸樹脂、氯酸醋系樹脂、簇酸的 酢、多元簇酸的酢、具有能夠交聯(lián)的官能基的線性聚合物、聚苯酸樹脂、2,2-雙(4-氯酸醋基 苯基)丙烷、含憐的酪化合物、環(huán)燒酸儘、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯酸-氯酸醋 系樹脂、硅氧烷改質(zhì)聚酷胺酷亞胺樹脂、氯基醋樹脂、麟臘系樹脂、橡膠改質(zhì)聚酷胺酷亞胺 樹脂、異戊二締、氨化型聚下二締、聚乙締醇縮下醒、苯氧基樹脂、高分子環(huán)氧樹脂、芳香族 聚酷胺、氣樹脂、雙酪、嵌段共聚聚酷亞胺樹脂及氯基醋樹脂的群中的一種W上的樹脂。
[0146] 另外，所述環(huán)氧樹脂只要分子內(nèi)具有2個W上環(huán)氧基，能夠用于電氣、電子材料用 途，那么就可W沒有特別問題地使用。另外，所述環(huán)氧樹脂優(yōu)選使用分子內(nèi)具有2個W上縮 水甘油基的化合物進(jìn)行環(huán)氧化而成的環(huán)氧樹脂。另外，可W使用選自雙酪A型環(huán)氧樹脂、雙 酪F型環(huán)氧樹脂、雙酪S型環(huán)氧樹脂、雙酪AD型環(huán)氧樹脂、酪醒清漆型環(huán)氧樹脂、甲酪酪醒清 漆型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)式環(huán)氧樹脂、漠化(brominated)環(huán)氧樹脂、苯酪酪醒清漆型環(huán)氧樹脂、 糞型環(huán)氧樹脂、漠化雙酪A型環(huán)氧樹脂、鄰甲酪酪醒清漆型環(huán)氧樹脂、橡膠改質(zhì)雙酪A型環(huán)氧 樹脂、縮水甘油胺型環(huán)氧樹脂、異氯尿酸Ξ縮水甘油醋、N，N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油 胺化合物、四氨鄰苯二甲酸二縮水甘油醋等縮水甘油醋化合物、含憐的環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán) 氧樹脂、聯(lián)苯酪醒清漆型環(huán)氧樹脂、Ξ徑基苯基甲燒型環(huán)氧樹脂、四苯基乙燒型環(huán)氧樹脂的 群中的1種或?qū)⑶山鞼上混合而使用，或可W使用所述環(huán)氧樹脂的氨化物或面化物。
[0147] 作為所述含憐的環(huán)氧樹脂，可W使用眾所周知的含有憐的環(huán)氧樹脂。另外，所述含 憐的環(huán)氧樹脂例如優(yōu)選如下環(huán)氧樹脂：其是W源自分子內(nèi)具備2個W上環(huán)氧基的9,10-二 氨-9-氧雜-10-憐雜菲-10-氧化物的衍生物的形式獲得。
[0148] 所述樹脂層可W含有眾所周知的樹脂、樹脂固化劑、化合物、固化促進(jìn)劑、介電體 (可W使用包含無機(jī)化合物及/或有機(jī)化合物的介電體、包含金屬氧化物的介電體等任何介 電體）、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸體、骨架材等。另外，所述樹脂層例如可W使用國 際公開編號W02008/004399號、國際公開編號W02008/053878、國際公開編號W02009/ 084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開 編號W097/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、 日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第 3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專 利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506 號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第 4178415號、國際公開編號W02004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923 號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號W02006/028207、日本專 利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號W02006/134868、日本專利第 5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號W02007/105635、日本專利第5180815 號、國際公開編號W02008/114858、國際公開編號W02009/008471、日本特開2011-14727號、 國際公開編號W02009/001850、國際公開編號W02009/145179、國際公開編號W02011/ 068157、日本特開2013-19056號中所記載的物質(zhì)(樹脂、樹脂固化劑、化合物、固化促進(jìn)劑、 介電體、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸體、骨架材等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝 置而形成。
[0149] 將所述運(yùn)些樹脂溶解于例如甲基乙基酬(MEK)、甲苯等溶劑中而制成樹脂溶液，例 如利用漉涂法等將該樹脂溶液涂布于所述極薄銅層上、或所述耐熱層、防誘層、或所述銘酸 鹽皮膜層、或所述硅烷偶聯(lián)劑層上，接著根據(jù)需要進(jìn)行加熱干燥，去除溶劑而設(shè)為郎介段狀 態(tài)。干燥例如使用熱風(fēng)干燥爐即可，干燥溫度為100~250°c、優(yōu)選130~200°C即可。
[0150] 具備所述樹脂層的附載體銅錐（附有樹脂的附載體銅錐)是W如下形態(tài)使用:在使 其樹脂層重疊于基材后對整體進(jìn)行熱壓接而使該樹脂層熱固化，接著剝離載體而露出極薄 銅層(當(dāng)然露出的是該極薄銅層的中間層側(cè)的表面），并在此形成特定的配線圖案。
[0151] 如果使用該附有樹脂的附載體銅錐，那么能夠減少制造多層印刷配線基板時(shí)的預(yù) 浸體材的使用片數(shù)。并且，可W將樹脂層的厚度設(shè)為能夠確保層間絕緣的厚度，或即使完全 沒有使用預(yù)浸體材也能夠制造覆銅積層板。另外，運(yùn)時(shí)，也可W在基材的表面底涂絕緣樹脂 而進(jìn)一步改善表面的平滑性。
[0152] 此外，在不使用預(yù)浸體材的情況下，有如下優(yōu)點(diǎn):節(jié)約預(yù)浸體材的材料成本，另外， 積層步驟也變得簡略，所W在經(jīng)濟(jì)方面變得有利，并且所制造的多層印刷配線基板的厚度 減薄了預(yù)浸體材的厚度量，能夠制造1層的厚度為lOOymW下的極薄的多層印刷配線基板。
[0153] 該樹脂層的厚度優(yōu)選0.1~80μπι。如果樹脂層的厚度薄于Ο.?μπι，那么粘附力降低， 當(dāng)不隔著預(yù)浸體材而將該附有樹脂的附載體銅錐積層在具備內(nèi)層材的基材時(shí)，存在難W確 保與內(nèi)層材的電路之間的層間絕緣的情況。
[0154] 另一方面，如果使樹脂層的厚度厚于80μπι，那么難W利用1次涂布步驟形成目標(biāo)厚 度的樹脂層，耗費(fèi)額外的材料費(fèi)與工時(shí)，在經(jīng)濟(jì)方面變得不利。進(jìn)而，所形成的樹脂層因其 可曉性較差，所W存在處理時(shí)容易產(chǎn)生龜裂等，另外，在與內(nèi)層材的熱壓接時(shí)產(chǎn)生過度的樹 脂流動而難W順利地積層的情況。
[0155] 進(jìn)而，作為該附有樹脂的附載體銅錐的另一產(chǎn)品形態(tài)，也能夠在所述極薄銅層上、 或所述耐熱層、防誘層、或所述銘酸鹽處理層、或所述硅烷偶聯(lián)處理層上利用樹脂層進(jìn)行被 覆，設(shè)為半固化狀態(tài)后，接著剝離載體，W不存在載體的附有樹脂的銅錐的形式制造。
[0156] 進(jìn)而，通過在印刷配線板上搭載電子零件類而完成印刷電路板。在本發(fā)明中，"印 刷配線板"也包括運(yùn)樣搭載了電子零件類的印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
[0157] 另外，可W使用該印刷配線板來制作電子機(jī)器，可W使用該搭載了電子零件類的 印刷電路板來制作電子機(jī)器，也可w使用該搭載了電子零件類的印刷基板來制作電子機(jī) 器。W下，示出一些使用本發(fā)明的附載體銅錐的印刷配線板的制造步驟的例子。
[0158] 在本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括如下步驟:準(zhǔn)備本發(fā)明 的附載體銅錐與絕緣基板;積層所述附載體銅錐與絕緣基板;及將所述附載體銅錐與絕緣 基板W極薄銅層側(cè)與絕緣基板相對向的方式積層后，經(jīng)過剝離所述附載體銅錐的載體的步 驟而形成覆銅積層板，之后利用半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法中的任一 方法而形成電路。絕緣基板也能夠設(shè)為帶有內(nèi)層電路的絕緣基板。
[0159] 在本發(fā)明中，所謂半加成法，是指在絕緣基板或銅錐巧晶層上進(jìn)行較薄的無電鍛 敷，形成圖案后，使用電鍛及蝕刻而形成導(dǎo)體圖案的方法。
[0160] 因此，在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括 如下步驟:準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0161] 積層所述附載體銅錐與絕緣基板；
[0162] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，剝離所述附載體銅錐的載體；
[0163] 利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法，將剝離所述載體而露出的極薄 銅層全部去除；
[0164] 在通過利用蝕刻去除所述極薄銅層而露出的所述樹脂上設(shè)置通孔或/及盲孔 (blind via)；
[0165] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；
[0166] 對包含所述樹脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電鍛敷層；
[0167] 在所述無電鍛敷層上設(shè)置鍛敷阻劑；
[0168] 對所述鍛敷阻劑進(jìn)行曝光，之后去除將要形成電路的區(qū)域的鍛敷阻劑；
[0169] 在去除了所述鍛敷阻劑的所述將要形成電路的區(qū)域設(shè)置電解鍛敷層；
[0170] 去除所述鍛敷阻劑;及
[0171] 利用快速蝕刻等去除位于所述將要形成電路的區(qū)域W外的區(qū)域的無電鍛敷層。
[0172] 在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括如下 步驟:準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0173] 積層所述附載體銅錐與絕緣基板；
[0174] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，剝離所述附載體銅錐的載體；
[0175] 在剝離所述載體而露出的極薄銅層與所述絕緣樹脂基板上設(shè)置通孔或/及盲孔；
[0176] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；
[0177] 利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法，將剝離所述載體而露出的極薄 銅層全部去除；
[0178] 對通過利用蝕刻等去除所述極薄銅層而露出的包含所述樹脂及所述通孔或/及盲 孔的區(qū)域設(shè)置無電鍛敷層；
[0179] 在所述無電鍛敷層上設(shè)置鍛敷阻劑；
[0180] 對所述鍛敷阻劑進(jìn)行曝光，之后去除將要形成電路的區(qū)域的鍛敷阻劑；
[0181] 在去除了所述鍛敷阻劑的所述將要形成電路的區(qū)域設(shè)置電解鍛敷層；
[0182] 去除所述鍛敷阻劑;及
[0183] 利用快速蝕刻等去除位于所述將要形成電路的區(qū)域W外的區(qū)域的無電鍛敷層。
[0184] 在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括如下 步驟:準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0185] 積層所述附載體銅錐與絕緣基板；
[0186] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，剝離所述附載體銅錐的載體；
[0187] 在剝離所述載體而露出的極薄銅層與所述絕緣樹脂基板上設(shè)置通孔或/及盲孔；
[0188] 利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法，將剝離所述載體而露出的極薄 銅層全部去除；
[0189] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；
[0190] 對通過利用蝕刻等去除所述極薄銅層而露出的包含所述樹脂及所述通孔或/及盲 孔的區(qū)域設(shè)置無電鍛敷層；
[0191] 在所述無電鍛敷層上設(shè)置鍛敷阻劑；
[0192] 對所述鍛敷阻劑進(jìn)行曝光，之后去除將要形成電路的區(qū)域的鍛敷阻劑；
[0193] 在去除了所述鍛敷阻劑的所述將要形成電路的區(qū)域設(shè)置電解鍛敷層；
[0194] 去除所述鍛敷阻劑;及
[0195] 利用快速蝕刻等去除位于所述將要形成電路的區(qū)域W外的區(qū)域的無電鍛敷層。
[0196] 在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括如下 步驟:準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0197] 積層所述附載體銅錐與絕緣基板；
[0198] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，剝離所述附載體銅錐的載體；
[0199] 利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法，將剝離所述載體而露出的極薄 銅層全部去除；
[0200] 對通過利用蝕刻去除所述極薄銅層而露出的所述樹脂的表面設(shè)置無電鍛敷層； [0201 ]在所述無電鍛敷層上設(shè)置鍛敷阻劑；
[0202] 對所述鍛敷阻劑進(jìn)行曝光，之后去除將要形成電路的區(qū)域的鍛敷阻劑；
[0203] 在去除了所述鍛敷阻劑的所述將要形成電路的區(qū)域設(shè)置電解鍛敷層；
[0204] 去除所述鍛敷阻劑;及
[0205] 利用快速蝕刻等去除位于所述將要形成電路的區(qū)域W外的區(qū)域的無電鍛敷層及 極薄銅層。
[0206] 在本發(fā)明中，所謂改良型半加成法，是指如下方法:在絕緣層上積層金屬錐，利用 鍛敷阻劑保護(hù)非電路形成部，利用電解鍛敷形成電路形成部的銅，然后去除阻劑，并利用 (快速)蝕刻去除所述電路形成部W外的金屬錐，由此在絕緣層上形成電路。
[0207] 因此，在使用改良型半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式 中，包括如下步驟:準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0208] 積層所述附載體銅錐與絕緣基板；
[0209] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，剝離所述附載體銅錐的載體；
[0210] 在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔；
[0211] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；
[0212] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電鍛敷層；
[0213] 在剝離所述載體而露出的極薄銅層表面設(shè)置鍛敷阻劑；
[0214] 在設(shè)置所述鍛敷阻劑后，利用電解鍛敷而形成電路；
[0215] 去除所述鍛敷阻劑;及
[0216] 利用快速蝕刻去除通過去除所述鍛敷阻劑而露出的極薄銅層。
[0217] 在使用改良型半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包 括如下步驟:準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0218] 積層所述附載體銅錐與絕緣基板；
[0219] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，剝離所述附載體銅錐的載體；
[0220] 在剝離所述載體而露出的極薄銅層上設(shè)置鍛敷阻劑；
[0221] 對所述鍛敷阻劑進(jìn)行曝光，之后去除將要形成電路的區(qū)域的鍛敷阻劑；
[0222] 在去除了所述鍛敷阻劑的所述將要形成電路的區(qū)域設(shè)置電解鍛敷層；
[0223] 去除所述鍛敷阻劑;及
[0224] 利用快速蝕刻等去除位于所述將要形成電路的區(qū)域W外的區(qū)域的無電鍛敷層及 極薄銅層。
[0225] 在本發(fā)明中，所謂部分加成法，是指如下方法:在設(shè)置導(dǎo)體層而成的基板、根據(jù)需 要打出通孔或?qū)子玫目锥傻幕迳显O(shè)置催化劑核，進(jìn)行蝕刻而形成導(dǎo)體電路，根據(jù) 需要設(shè)置阻焊劑或鍛敷阻劑，然后在所述導(dǎo)體電路上對通孔或?qū)椎壤脽o電鍛敷處理 進(jìn)行鍛敷，由此制造印刷配線板。
[0226] 因此，在使用部分加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式中，包 括如下步驟:準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0227] 積層所述附載體銅錐與絕緣基板；
[0228] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，剝離所述附載體銅錐的載體；
[0229] 在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔；
[0230] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；
[0231 ]對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域賦予催化劑核；
[0232] 在剝離所述載體而露出的極薄銅層表面設(shè)置蝕刻阻劑；
[0233] 對所述蝕刻阻劑進(jìn)行曝光而形成電路圖案；
[0234] 利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除所述極薄銅層及所述催化 劑核而形成電路；
[0235] 去除所述蝕刻阻劑；
[0236] 在利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除所述極薄銅層及所述催 化劑核而露出的所述絕緣基板表面設(shè)置阻焊劑或鍛敷阻劑;及
[0237] 在未設(shè)置所述阻焊劑或鍛敷阻劑的區(qū)域設(shè)置無電鍛敷層。
[0238] 在本發(fā)明中，所謂減成法，是指如下方法:利用蝕刻等選擇性地去除覆銅積層板上 的銅錐的不需要的部分而形成導(dǎo)體圖案。
[0239] 因此，在使用減成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括如 下步驟:準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0240] 積層所述附載體銅錐與絕緣基板；
[0241] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，剝離所述附載體銅錐的載體；
[0242] 在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔；
[0243] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；
[0244] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電鍛敷層；
[0245] 在所述無電鍛敷層的表面設(shè)置電解鍛敷層；
[0246] 在所述電解鍛敷層或/及所述極薄銅層的表面設(shè)置蝕刻阻劑；
[0247] 對所述蝕刻阻劑進(jìn)行曝光而形成電路圖案；
[0248] 利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除所述極薄銅層及所述無電 鍛敷層及所述電解鍛敷層而形成電路;及
[0249] 去除所述蝕刻阻劑。
[0250] 在使用減成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括如下步 驟:準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅錐與絕緣基板；
[0251 ]積層所述附載體銅錐與絕緣基板；
[0252] 在積層所述附載體銅錐與絕緣基板后，剝離所述附載體銅錐的載體；
[0253] 在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔；
[0254] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；
[0255] 對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電鍛敷層；
[0256] 在所述無電鍛敷層的表面形成遮罩；
[0257] 在未形成遮罩的所述無電鍛敷層的表面設(shè)置電解鍛敷層；
[0258] 在所述電解鍛敷層或/及所述極薄銅層的表面設(shè)置蝕刻阻劑；
[0259] 對所述蝕刻阻劑進(jìn)行曝光而形成電路圖案；
[0260] 利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除所述極薄銅層及所述無電 鍛敷層而形成電路;及
[0%1]去除所述蝕刻阻劑。
[0262] 也可W不進(jìn)行設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟、及之后的去污步驟。
[0263] 運(yùn)里，使用附圖詳細(xì)地說明使用本發(fā)明的附載體銅錐的印刷配線板的制造方法的 具體例。此外，運(yùn)里，W具有形成了粗化處理層的極薄銅層的附載體銅錐為例進(jìn)行說明，但 并不限定于此，即使使用具有未形成粗化處理層的極薄銅層的附載體銅錐，也可W同樣地 實(shí)施下述印刷配線板的制造方法。
[0264] 首先，如圖1-A所示，準(zhǔn)備具有表面形成了粗化處理層的極薄銅層的附載體銅錐 (第一層）。
[0265] 其次，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗化處理層上涂布阻劑，進(jìn)行曝光、顯影，將阻 劑蝕刻為特定的形狀。
[0266] 其次，如圖1-C所示，在形成電路用的鍛層后，去除阻劑，由此形成特定形狀的電路 鍛層。
[0267] 其次，如圖2-D所示，W覆蓋電路鍛層的方式埋沒電路鍛層的方式)在極薄銅層 上設(shè)置嵌入樹脂而積層樹脂層，其次從極薄銅層側(cè)粘附另一個附載體銅錐(第二層）。
[0268] 其次，如圖2-E所示，從第二層的附載體銅錐剝離載體。
[0269] 其次，如圖2-F所示，在樹脂層的特定位置進(jìn)行激光打孔，使電路鍛層露出而形成 盲孔。
[0270] 其次，如圖3-G所示，向盲孔中嵌入銅而形成通孔填充物。
[0271] 其次，如圖3-H所示，在通孔填充物上，像所述圖1-B及圖1-C那樣形成電路鍛層。
[0272] 其次，如圖3-1所示，從第一層的附載體銅錐剝離載體。
[0273] 其次，如圖4-J所示，利用快速蝕刻去除兩表面的極薄銅層，露出樹脂層內(nèi)的電路 鍛層的表面。
[0274] 其次，如圖4-K所示，在樹脂層內(nèi)的電路鍛層上形成凸塊，并在該焊料上形成銅柱。 W所述方式制作使用本發(fā)明的附載體銅錐的印刷配線板。
[0275] 此外，在所述印刷配線板的制造方法中，也能夠?qū)?極薄銅層"替換成載體，將"載 體"替換成極薄銅層，在附載體銅錐的載體側(cè)的表面形成電路，并利用樹脂嵌入電路而制造 印刷配線板。
[0276] 所述另一個附載體銅錐(第二層)可W使用本發(fā)明的附載體銅錐，可W使用現(xiàn)有的 附載體銅錐，進(jìn)而也可W使用通常的銅錐。另外，在圖3-H所示的第二層的電路上，可W進(jìn)而 形成1層或數(shù)層電路，可利用半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方 法形成運(yùn)些電路。
[0277] 根據(jù)如上所述的印刷配線板的制造方法，因?yàn)槌蔀殡娐峰憣颖宦袢胫翗渲瑢拥臉?gòu) 成，所W例如當(dāng)如圖4-J所示利用快速蝕刻去除極薄銅層時(shí)，電路鍛層受到樹脂層保護(hù)而保 持其形狀，由此容易形成微細(xì)電路。另外，因?yàn)殡娐峰憣邮艿綐渲瑢颖Ｗo(hù)，所W耐遷移性提 高，良好地抑制電路配線的導(dǎo)通。因此，容易形成微細(xì)電路。另外，如圖4-J及圖4-K所示，當(dāng) 利用快速蝕刻去除極薄銅層時(shí)，因?yàn)殡娐峰憣拥穆冻雒娉尸F(xiàn)從樹脂層凹陷的形狀，所W容 易在該電路鍛層上形成凸塊，進(jìn)而容易在凸塊上形成銅柱，制造效率提高。
[0278] 此外，嵌入樹脂(resin)可W使用眾所周知的樹脂、預(yù)浸體。例如可W使用BT(雙馬 來酷亞胺Ξ嗦)樹脂或作為含浸有BT樹脂的玻璃布的預(yù)浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份 有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述嵌入樹脂(resin)可W使用本說明書中所記載的樹 脂層及/或樹脂及/或預(yù)浸體。
[0279] 另外，所述第一層所使用的附載體銅錐也可W在該附載體銅錐的表面具有基板或 樹脂層。通過具有該基板或樹脂層，第一層所使用的附載體銅錐受到支撐，不易形成皺權(quán)， 所W有生產(chǎn)性提高的優(yōu)點(diǎn)。此外，所述基板或樹脂層只要為發(fā)揮支撐所述第一層所使用的 附載體銅錐的效果的基板或樹脂層，那么所有基板或樹脂層均可使用。例如，作為所述基板 或樹脂層，可W使用本申請說明書中所記載的載體、預(yù)浸體、樹脂層或眾所周知的載體、預(yù) 浸體、樹脂層、金屬板、金屬錐、無機(jī)化合物的板、無機(jī)化合物的錐、有機(jī)化合物的板、有機(jī)化 合物的錐。
[0280] 另外，本發(fā)明的印刷配線板的制造方法也可W是包括如下步驟的印刷配線板的制 造方法(無忍方法）：將本發(fā)明的附載體銅錐的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面與樹 脂基板積層;在與和所述樹脂基板積層的極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面為相反側(cè)的附 載體銅錐的表面設(shè)置至少1次樹脂層與電路運(yùn)2層;及在形成所述樹脂層及電路運(yùn)2層后，從 所述附載體銅錐將所述載體或所述極薄銅層剝離。關(guān)于該無忍方法，作為具體的例子，首 先，將本發(fā)明的附載體銅錐的極薄銅層側(cè)表面或載體側(cè)表面與樹脂基板積層而制造積層 體。之后，在與和樹脂基板積層的極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面為相反側(cè)的附載體銅 錐的表面形成樹脂層。也可W在形成于載體側(cè)表面或極薄銅層側(cè)表面的樹脂層進(jìn)而將其它 附載體銅錐從載體側(cè)或極薄銅層側(cè)積層。另外，可W將如下積層體用于所述印刷配線板的 制造方法(無忍方法）：該積層體具有w樹脂基板或樹脂或預(yù)浸體為中屯、，在該樹脂基板或 樹脂或預(yù)浸體的兩個表面?zhèn)龋琖載體/中間層/極薄銅層的順序或極薄銅層/中間層/載體的 順序積層附載體銅錐的構(gòu)成;或具有依序積層"載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板或樹脂或 者預(yù)浸體/載體/中間層/極薄銅層"的構(gòu)成。并且，在該積層體的兩端的極薄銅層或載體露 出的表面設(shè)置另一樹脂層，進(jìn)而設(shè)置銅層或金屬層，然后對該銅層或金屬層進(jìn)行加工，由此 也可W形成電路。進(jìn)而，也可W在該電路上，W埋入該電路的方式設(shè)置其它樹脂層。另外，也 可W進(jìn)行1次W上運(yùn)種電路及樹脂層的形成(增層方法）。并且，對W所述方式形成的積層體 (W下，也稱為積層體B)，可W將各附載體銅錐的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而 制作無忍基板。此外，所述無忍基板的制作也可W使用2個附載體銅錐，制作下述具有極薄 銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構(gòu)成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅 層/極薄銅層/中間層/載體的構(gòu)成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/ 極薄銅層的構(gòu)成的積層體，并W該積層體為中屯、使用。可W在運(yùn)些積層體下，也稱為積 層體A)的兩側(cè)的極薄銅層或載體的表面設(shè)置樹脂層及電路運(yùn)2層1次W上，將樹脂層及電路 運(yùn)2層設(shè)置1次W上后，將各附載體銅錐的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而制作無 忍基板。所述積層體在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅 層之間、極薄銅層與載體之間也可W具有其它層。其它層也可W是樹脂基板或樹脂層。此 夕h在本說明書中，關(guān)于"極薄銅層的表面"、"極薄銅層側(cè)表面"、"極薄銅層表面"、"載體的 表面"、"載體側(cè)表面"、"載體表面"、"積層體的表面"、"積層體表面"，在極薄銅層、載體、積 層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其它層的情況下，是包括該其它層的表面 (最表面)在內(nèi)的概念。另外，積層體優(yōu)選具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅 層的構(gòu)成。其原因在于，當(dāng)使用該積層體制作無忍基板時(shí)，因?yàn)樵跓o忍基板側(cè)配置極薄銅 層，所W容易使用改良型半加成法在無忍基板上形成電路。另外，其原因在于，因?yàn)闃O薄銅 層的厚度較薄，所W容易去除該極薄銅層，并在去除極薄銅層后容易使用半加成法在無忍 基板上形成電路。
[0281 ]此外，在本說明書中，沒有特別記載為"積層體A"或"積層體B"的"積層體"表示至 少包含積層體A及積層體B的積層體。
[0282]此外，在所述無忍基板的制造方法中，通過利用樹脂覆蓋附載體銅錐或所述積層 體(包括積層體A在內(nèi)）的端面的一部分或全部，而在利用增層方法制造印刷配線板時(shí)，能夠 防止藥液滲入至中間層或構(gòu)成積層體的一個附載體銅錐與另一個附載體銅錐之間，能夠防 止由藥液的滲入所引起的極薄銅層與載體的分離或附載體銅錐的腐蝕，能夠提高良率。作 為運(yùn)里所使用的"覆蓋附載體銅錐的端面的一部分或全部的樹脂"或"覆蓋積層體的端面的 一部分或全部的樹脂"，可W使用樹脂層所能夠使用的樹脂或眾所周知的樹脂。另外，在所 述無忍基板的制造方法中，在附載體銅錐或積層體中俯視時(shí)附載體銅錐或積層體的積層部 分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅錐與另一個附載體銅錐的積層部分)的外 周的至少一部分可由樹脂或預(yù)浸體所覆蓋。另外，利用所述無忍基板的制造方法形成的積 層體(積層體A)也可W使一對附載體銅錐W能夠相互分離的方式接觸而構(gòu)成。另外，也可W 是在該附載體銅錐中俯視時(shí)附載體銅錐或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部 分、或一個附載體銅錐與另一個附載體銅錐的積層部分）的外周的整體或積層部分的整個 面由樹脂或預(yù)浸體覆蓋而成。另外，俯視時(shí)樹脂或預(yù)浸體優(yōu)選大于附載體銅錐或積層體或 積層體的積層部分，優(yōu)選設(shè)為如下積層體:其具有將該樹脂或預(yù)浸體積層在附載體銅錐或 積層體的雙面，并利用樹脂或預(yù)浸體封閉（包圍）附載體銅錐或積層體的構(gòu)成。通過設(shè)為運(yùn) 種構(gòu)成，當(dāng)俯視附載體銅錐或積層體時(shí)，附載體銅錐或積層體的積層部分由樹脂或預(yù)浸體 所覆蓋，能夠防止其它構(gòu)件從該部分的側(cè)方向、也就是相對于積層方向?yàn)闄M向的方向接觸， 結(jié)果能夠減少處理中載體與極薄銅層或附載體銅錐彼此的剝離。另外，通過W不露出附載 體銅錐或積層體的積層部分的外周的方式利用樹脂或預(yù)浸體覆蓋，能夠防止如上所述藥液 處理步驟中藥液滲入至該積層部分的界面，能夠防止附載體銅錐的腐蝕或侵蝕。此外，從積 層體的一對附載體銅錐分離一個附載體銅錐時(shí)，或分離附載體銅錐的載體與銅錐（極薄銅 層)時(shí)，必須通過切斷等來去除由樹脂或預(yù)浸體所覆蓋的附載體銅錐或積層體的積層部分 (載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅錐與另一個附載體銅錐的積層部分）。
[0283] 也可W將本發(fā)明的附載體銅錐從載體側(cè)或極薄銅層側(cè)積層在另一個本發(fā)明的附 載體銅錐的載體側(cè)或極薄銅層側(cè)而構(gòu)成積層體。另外，也可W是使所述一個附載體銅錐的 所述載體側(cè)表面或所述極薄銅層側(cè)表面與所述另一個附載體銅錐的所述載體側(cè)表面或所 述極薄銅層側(cè)表面根據(jù)需要通過粘附劑直接積層而獲得的積層體。另外，也可W將所述一 個附載體銅錐的載體或極薄銅層與所述另一個附載體銅錐的載體或極薄銅層進(jìn)行接合。運(yùn) 里，該"接合"在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下，也包括隔著該表面處理層而相 互接合的形態(tài)。另外，該積層體的端面的一部分或全部可W由樹脂所覆蓋。
[0284] 載體彼此的積層除了單純的重疊 W外，例如可W利用W下方法進(jìn)行。
[0285] (a)冶金接合方法:烙焊(弧焊、TIG(鶴惰性氣體)焊接、MIG(金屬惰性氣體)焊接、 電阻焊接、縫焊、點(diǎn)焊）、壓力烙接(超聲波焊接、摩擦攬拌焊接）、針焊；
[0286] (b)機(jī)械接合方法:馴接、利用馴釘?shù)慕雍?利用自沖馴釘(Self-Piercing化vet) 的接合、利用馴釘?shù)慕雍希?、縫合(St i tcher);
[0287] (c)物理接合方法:粘附劑、（雙面)膠帶
[0288] 通過使用所述接合方法將一個載體的一部分或全部與另一個載體的一部分或全 部接合，能夠制造積層一個載體與另一個載體，使載體彼此W能夠分離的方式接觸而構(gòu)成 的積層體。在一個載體與另一個載體微弱地接合而將一個載體與另一個載體積層的情況 下，即使不去除一個載體與另一個載體的接合部，一個載體與另一個載體也能夠分離。另 夕h在一個載體與另一個載體牢固地接合的情況下，通過利用切斷或化學(xué)研磨(蝕刻等）、機(jī) 械研磨等去除一個載體與另一個載體接合的部位，能夠分離一個載體與另一個載體。
[0289] 另外，通過實(shí)施在運(yùn)樣構(gòu)成的積層體設(shè)置至少1次樹脂層與電路運(yùn)2層的步驟、及 在形成至少1次所述樹脂層及電路運(yùn)2層后從所述積層體的附載體銅錐剝離所述極薄銅層 或載體的步驟，能夠制作不具有忍的印刷配線板。此外，可W在該積層體的一個或兩個表面 設(shè)置樹脂層與電路運(yùn)2層。
[0290] 所述積層體中所使用的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預(yù)浸體可W是本說明書中所記載 的樹脂層，可W包括本說明書中所記載的樹脂層所使用的樹脂、樹脂固化劑、化合物、固化 促進(jìn)劑、介電體、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸體、骨架材等。
[0291] 此外，所述附載體銅錐或積層體在俯視時(shí)可W小于樹脂或預(yù)浸體或樹脂基板或樹 脂層。
[0292] [實(shí)施例]
[0293] W下，通過本發(fā)明的實(shí)施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受運(yùn)些實(shí)施例的 任何限定。
[0巧4](實(shí)施例1~9、14~18、比較例1~5)
[0295] 在電解槽中配置鐵制電解滾筒，且在滾筒的周圍間隔極間距離而配置電極。其次， 在電解槽中，在下述條件下進(jìn)行電解，使銅析出到電解滾筒的表面，將析出到電解滾筒的表 面的銅剝下，連續(xù)地制造厚度為1祉m的電解銅錐，并將其設(shè)為載體。
[0296] 運(yùn)里，用W制造載體的電解條件如下所述。
[0巧7] 銅濃度：30~120g/L
[0巧引出S04濃度：20~120g/L
[0299] 電解液溫度:20~80°C
[0300] 電流密度：10~100A/血2
[0301] 運(yùn)里，所述載體的形成所使用的電解滾筒使用事先利用W下方法進(jìn)行了研磨的電 解滾筒。作為該研磨方法，如圖5所示，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)一邊使研磨帶抵接于電解滾筒 的旋轉(zhuǎn)方向（MD方向）進(jìn)行研磨，并且使研磨帶一邊也沿電解滾筒的TD方向振動一邊移動， 由此也進(jìn)行電解滾筒的TD方向的研磨。運(yùn)時(shí)，電解滾筒使用鐵制滾筒，研磨帶使用日立工機(jī) 制造的研磨帶(粒度#320環(huán)形研磨帶，研磨粒的種類與粒度:AA320(AA:氧化侶））。電解滾筒 在TD方向的長度為2400mm，研磨帶的寬度為100mm。另外，將研磨帶在TD方向的振動寬度、研 磨帶在TD方向的移動(行程:在電解滾筒表面的TD方向，研磨帶的中屯、在一定時(shí)間內(nèi)返回到 相同位置的次數(shù)）、研磨帶在TD方向的移動速度(托架速度）、電解滾筒的旋轉(zhuǎn)速度示于表1。
[0302] 其次，在所述載體的滾筒面(光澤面)側(cè)，通過在W下的條件下在卷對卷(roll to roll)型的連續(xù)鍛敷線上進(jìn)行電鍛而形成4000ygAlm2的附著量的Ni層作為中間層。
[0303] .化層
[0304] 硫酸儀:250 ~300g/L [0305]氯化儀：35 ~45g/L
[0306] 乙酸儀:10 ~20g/L
[0307] 巧樣酸Ξ鋼:15~30g/L
[0308] 光澤劑:糖精、下烘二醇等
[0309] 十二烷基硫酸鋼：30~l(K)ppm [0；310] pH:4 ~6
[0311] 浴溫:50 ~70 °C
[0312] 電流密度:3~154/血2
[0313] 在水洗及酸洗后，接著在卷對卷型的連續(xù)鍛敷線上，在W下的條件下進(jìn)行電解銘 酸鹽處理，由此使1化旨/血2的附著量的Cr層附著于Ni層上。
[0314] .電解銘酸鹽處理
[0315] 溶液組成：重銘酸鐘1~lOg/L、鋒0~5g/L
[0316] pH:3 ~4
[0317] 液溫：50 ~60°C
[031引 電流密度:0.1~2.64/血2 [0319]庫侖量:0.5 ~30AsAlm2
[0320] (實(shí)施例10至13)
[0321] 關(guān)于實(shí)施例10~13,在所述載體的滾筒面(光澤面)側(cè)W如下方式形成中間層。
[0322] ?實(shí)施例10
[0323] <中間層>
[0324] (l)Ni-Mo層(儀鋼合金鍛層）
[0325] 在W下的條件下在卷對卷型的連續(xù)鍛敷線上對載體進(jìn)行電鍛，形成3000yg/dm2的 附著量的Ni-Mo層。將具體的鍛敷條件記于W下。
[03%](溶液組成)硫酸儀六水合物:50g/dm3、鋼酸鋼二水合物:60g/dm 3、巧樣酸鋼:90g/ 血3
[0327](液溫)30°C
[032引（電流密度）1~44/血2
[03巧](通電時(shí)間）3~25秒
[0330] ?實(shí)施例11
[0331] <中間層>
[0332] (1)化層(鍛儀）
[0333] 在與實(shí)施例1~9相同的條件下形成Ni層。
[0334] (2)有機(jī)物層(有機(jī)物層形成處理）
[0335] 其次，對(1)中所形成的Μ層表面進(jìn)行水洗及酸洗后，接著在下述條件下對Μ層表 面淋灑包含濃度1~30g/L的簇基苯并Ξ挫(CBTA)的液溫40°C、Ρ冊的水溶液20~120秒鐘而 進(jìn)行噴霧，由此形成了有機(jī)物層。
[0336] ?實(shí)施例12
[0337] <中間層>
[0；33引（l)Co-Mo層(鉆鋼合金鍛層）
[0339] 在W下的條件下在卷對卷型的連續(xù)鍛敷線上對載體進(jìn)行電鍛，由此形成4000yg/ 血2的附著量的Co-Mo層。將具體的鍛敷條件記于W下。
[0340] (溶液組成)硫酸鉆:50g/血3、鋼酸鋼二水合物:60g/血3、巧樣酸鋼:90g/dm 3
[0341] (液溫)30°C
[0；342](電流密度）1~44/血2 [0%3](通電時(shí)間）3~25秒
[0344] ?實(shí)施例13
[0345] <中間層>
[0346] (1他層(鍛銘）
[0；347](溶液組成）Cr〇3:200 ~400g/L、出 S04:1.5 ~4g/L
[0；34 引（pH)l ~4
[0349](液溫）45 ~60°C
[0；350](電流密度）10 ~40AAlm2
[0；351](通電時(shí)間）1~20秒
[0352] Cr附著量：35〇4旨/血2
[0353] 在形成中間層后，在中間層上在W下的條件下利用電鍛形成厚度為0.8~扣m的極 薄銅層，制成附載體銅錐。也就是說，在電解槽中配置鐵制電解滾筒，且在電解滾筒的周圍 間隔極間距離而配置電極，在W下的條件下進(jìn)行電解，由此在形成了中間層的載體的該中 間層側(cè)表面形成極薄銅層。
[0354] ?極薄銅層 [03巧]銅濃度：30~120g/L [0；356]出 S〇4 濃度：20 ~120g/L [0357] 電解液溫度:20~8(TC
[0巧引 電流密度：10~100A/血2
[0359] 此外，在實(shí)施例1、4、7中，在極薄銅層上進(jìn)而設(shè)置粗化處理層、耐熱處理層、銘酸鹽 層、硅烷偶聯(lián)處理層。在實(shí)施例2、5、8中，在極薄銅層上進(jìn)而設(shè)置耐熱處理層、銘酸鹽層、娃 燒偶聯(lián)處理層。在實(shí)施例3、6、9中，在極薄銅層上進(jìn)而設(shè)置銘酸鹽層、硅烷偶聯(lián)處理層。
[0360] .粗化處理
[0361] Cu:l〇~20g/L
[0362] Co:l~lOg/L
[0363] Ni:l~lOg/L
[0364] pH:l ~4
[03化]溫度：40~50 °C
[0366] 電流密度 Dk:20 ~30A/dm2
[0367] 時(shí)間：1~5秒
[0368] 化附著量：15~40mg/血2
[0369] Co 附著量：100 ~3000ygAlm2
[0370] Ni 附著量：100 ~lOOOygMmS [0371 ].耐熱處理
[0372] 化:〇~20g/L
[0373] Ni:0~5g/L
[0374] pH:3.5
[0375] 溫度:40°C
[0376] 電流密度 Dk:0~1.7A/dm2
[0377] 時(shí)間：1秒
[0378] 化附著量：5~25化邑/血2
[0379] Ni附著量:5~30化邑/血2
[0380] ?銘酸鹽處理
[0381] Κ2〇2〇7
[0382] (船2吐2〇7 或 Cr〇3):2~lOg/L
[0383] NaOH 或 K0H:10~50g/L
[0384] ZnO或 aiS〇47出 0:0.05~10g/L [03化]抑：7~13
[0386] 浴溫：20 ~8(TC
[0387] 電流密度0.05~54/血2
[038引時(shí)間：5~30秒
[0389] 化附著量：1〇~15化旨/血2
[0390] .硅烷偶聯(lián)處理
[0391] 乙締 Ξ乙氧基硅烷水溶液
[0392] (乙締 Ξ乙氧基硅烷濃度:0.1~1.4wt % )
[0393] 抑:4 ~5
[0394] 時(shí)間：5~30秒
[0395] 對W所述方式獲得的實(shí)施例及比較例的附載體銅錐，通過W下的方法實(shí)施各評 價(jià)。
[0396] <極薄銅層的厚度>
[0397] 所制作的附載體銅錐的極薄銅層的厚度是利用重量法進(jìn)行測定。
[0398] 首先，在測定附載體銅錐的重量后，剝離極薄銅層，并測定所獲得的載體的重量， 將前者與后者的差定義為極薄銅層的重量。成為測定對象的極薄銅層片是設(shè)為利用壓機(jī)沖 裁而成的10cm見方的片材。然后，利用下式算出極薄銅層的厚度。
[0399] 極薄銅層的厚度(皿）=極薄銅層的重量(g)/{:銅的密度(8.94g/cm3)X極薄銅層 的面積（100cm2)} X l〇4(ym/cm)
[0400] 另外，重量計(jì)使用A&D股份有限公司制造的HF-400,壓機(jī)使用NogucM-press股份 有限公司制造的HAP-12。
[0401] <60度鏡面光澤度>
[0402] 對于附載體銅錐與基材(Ξ菱瓦斯化學(xué)股份有限公司制造:GHPk832NX-A)，進(jìn)行 在220°C加熱2小時(shí)的積層加壓后，依據(jù)JIS C 6471 (1995，此外，剝離銅錐的方法設(shè)為8.1銅 錐的剝離強(qiáng)度8.1.1試驗(yàn)方法的種類（1)方法A(沿相對于銅錐去除面為90°方向剝離銅錐的 方法））剝離載體，使極薄銅層的中間層側(cè)表面露出。其次，使用依據(jù)JIS Z8741的日本電色 工業(yè)股份有限公司制造的光澤度計(jì)化ndy Gloss Meter PG-1，W入射角60度分別測定極薄 銅層的中間層側(cè)表面的MD方向（周向（長度方向、附載體銅錐制造裝置的行進(jìn)方向））的60度 鏡面光澤度、TD方向（橫向（寬度方向））的60度鏡面光澤度。
[0403] <表面粗糖度(十點(diǎn)平均粗糖度Rz)的測定>
[0404] 對于附載體銅錐與基材(Ξ菱瓦斯化學(xué)股份有限公司制造:GHPk832NX-A)，進(jìn)行 在220°C加熱2小時(shí)的積層加壓后，依據(jù)JIS C 6471 (1995，此外，剝離銅錐的方法設(shè)為8.1銅 錐的剝離強(qiáng)度8.1.1試驗(yàn)方法的種類（1)方法A(沿相對于銅錐去除面為90°方向剝離銅錐的 方法））剝離銅錐載體，使極薄銅層的中間層側(cè)表面露出。其次，使用小阪研究所股份有限公 司制造的接觸式粗糖度計(jì)Surfcorder SE-3C并依據(jù)JIS B0601-1982,分別對極薄銅層的中 間層側(cè)表面的MD方向（周向（長度方向，附載體銅錐制造裝置的行進(jìn)方向））、TD方向（橫向 (寬度方向））測定十點(diǎn)平均粗糖度Rz。在測定基準(zhǔn)長度0.8mm、評價(jià)長度4mm、臨界值0.25mm、 進(jìn)給速度O.lmm/sec的條件下，沿與電解銅錐(附載體銅錐）的制造裝置中的電解銅錐(附載 體銅錐）的行進(jìn)方向垂直的方向（TD，也就是寬度方向）改變測定位置，分別進(jìn)行10次，將10 次的測定值的平均值設(shè)為表面粗糖度(十點(diǎn)平均粗糖度Rz)的值。
[0405] <步驟能力指數(shù):Cp>
[0406] 在處于管理狀態(tài)的步驟中，將該步驟所具有的品質(zhì)實(shí)現(xiàn)能力稱為步驟能力。作為 步驟能力指數(shù)的Cp值越大，表示孔相對于標(biāo)準(zhǔn)的不均越小，激光孔的大小的精度越高。對于 各樣品，利用下式算出該步驟能力指數(shù)Cp。
[0407] Cp =化化 _LSL)/6〇
[040引 · USL標(biāo)準(zhǔn)的上限值(激光孔徑Φ60皿(50+10皿)）
[0409] · LSL標(biāo)準(zhǔn)的下限值(激光孔徑Φ 40μπι(50 -1 Ομπι))
[0410] · ο:激光孔徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差
[0411] <激光打孔性>
[0412]對于附載體銅錐與基材(Ξ菱瓦斯化學(xué)股份有限公司制造:GHPk832NX-A)，進(jìn)行 在220°C加熱2小時(shí)的積層加壓后，依據(jù)JIS C 6471 (1995，此外，剝離銅錐的方法設(shè)為8.1銅 錐的剝離強(qiáng)度8.1.1試驗(yàn)方法的種類（1)方法A(沿相對于銅錐去除面為90°方向剝離銅錐的 方法））剝離銅錐載體，使極薄銅層的中間層側(cè)表面露出。然后，對所露出的附載體銅錐的極 薄銅層的中間層側(cè)表面，在下述條件下照射1發(fā)或2發(fā)激光，利用顯微鏡觀察照射后的孔形 狀，并實(shí)施測量。表中，作為打孔的"實(shí)際數(shù)量"，在150個地點(diǎn)嘗試打孔，觀察實(shí)際上有幾個 孔未能打出（未開口孔數(shù)）。此外，孔徑設(shè)為包圍孔的最小圓的直徑。
[041引 ?氣體種類:C02
[0414] ?銅錐開口徑（目標(biāo)）：50皿徑
[041引 ?光束形狀:頂帽
[0416] ?輸出：2.40mJ/10ys(=240W)
[0417] ?脈沖寬度:3化8
[041引 ?發(fā)數(shù)：
[0419] 1發(fā)化極薄銅層的厚度為0.8~2μπι的情況下）
[0420] 2發(fā)(在極薄銅層的厚度為3~如m的情況下）
[0421 ]將試驗(yàn)條件及試驗(yàn)結(jié)果示于表1。
[0422]
[0423] (評價(jià)結(jié)果）
[0424] 實(shí)施例1~18中，極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度均為140W 下，或極薄銅層的中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度為65W下，極薄銅層的激光打 孔性良好。
[0425]比較例1~5中，極薄銅層的中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度均超過140， 另外，極薄銅層的中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度超過65，極薄銅層的激光打孔 性不良。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度為140以下。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方 向的60度鏡面光澤度為65以下。3. -種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度為130以下。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方 向的60度鏡面光澤度為65以下。5. -種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度為120以下。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方 向的60度鏡面光澤度為65以下。7. -種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度為110以下。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方 向的60度鏡面光澤度為65以下。9. 根據(jù)權(quán)利要求1、3、5、7中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及 極薄銅層的附載體銅箱，且所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度 滿足以下（1-1)~（1-4)的項(xiàng)目中的1個或2個或3個或4個， (1-1)65 以下、 (1-2)60 以下、 (1-3)55 以下、 (1-4)50 以下。10. -種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度為65以下。11. 一種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度為60以下。12. -種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度為55以下。13. -種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度為50以下。14. 根據(jù)權(quán)利要求1至8、10至13中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所 述中間層側(cè)表面的利用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為1.5μπι以下。15. 根據(jù)權(quán)利要求1至8、10至13中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所 述中間層側(cè)表面的利用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0.80μηι以上。16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的利 用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0.80μηι以上。17. 根據(jù)權(quán)利要求1至8、10至13中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所 述中間層側(cè)表面的利用接觸式粗糙度計(jì)測得的TD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為1.7μπι以下。18. 根據(jù)權(quán)利要求1至8、10至13中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所 述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度/所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向 的60度鏡面光澤度為2.05以下。19. 根據(jù)權(quán)利要求1至8、10至13中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所 述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度/所述極薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向 的60度鏡面光澤度為1.95以下。20. 根據(jù)權(quán)利要求1至8、10至13中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱，其中，所述極薄銅層的所 述中間層側(cè)表面的利用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz/所述極薄銅層 的所述中間層側(cè)表面的利用接觸式粗糙度計(jì)測得的TD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0.55以 上。21. -種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的MD方向的60度鏡面光澤度為140以下，在所述極薄銅層的所 述中間層側(cè)表面滿足以下（2-2)~(2-14)的項(xiàng)目中的1個或2個或3個或4個或5個或6個或7 個或8個或9個或10個或11個或12個或13個： (2-2)MD方向的60度鏡面光澤度為130以下、 (2-3)MD方向的60度鏡面光澤度為120以下、 (2-4)MD方向的60度鏡面光澤度為110以下、 (2-5)TD方向的60度鏡面光澤度為65以下、 (2-6)TD方向的60度鏡面光澤度為60以下、 (2-7)TD方向的60度鏡面光澤度為55以下、 (2-8)TD方向的60度鏡面光澤度為50以下、 (2-9)利用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為1.5μηι以下、 (2-10)利用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0.8μηι以上、 (2-11)利用接觸式粗糙度計(jì)測得的TD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為1.7μηι以下、 (2-12)MD方向的60度鏡面光澤度/TD方向的60度鏡面光澤度為2.05以下、 (2-13)MD方向的60度鏡面光澤度/TD方向的60度鏡面光澤度為1.95以下、 (2-14)利用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz/利用接觸式粗糙度計(jì) 測得的TD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0.55以上。22. -種附載體銅箱，其是依序具有載體、中間層、及極薄銅層的附載體銅箱，且所述極 薄銅層的所述中間層側(cè)表面的TD方向的60度鏡面光澤度為65以下，在所述極薄銅層的所述 中間層側(cè)表面滿足以下(2-1)~(2-4)及(2-6)~(2-14)的項(xiàng)目中的1個或2個或3個或4個或 5個或6個或7個或8個或9個或10個或11個或12個或13個： (2-l)MD方向的60度鏡面光澤度為140以下、 (2-2)MD方向的60度鏡面光澤度為130以下、 (2-3)MD方向的60度鏡面光澤度為120以下、 (2-4)MD方向的60度鏡面光澤度為110以下、 (2-6)TD方向的60度鏡面光澤度為60以下、 (2-7)TD方向的60度鏡面光澤度為55以下、 (2-8)TD方向的60度鏡面光澤度為50以下、 (2-9)利用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為1.5μηι以下、 (2-10)利用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0.8μηι以上、 (2-11)利用接觸式粗糙度計(jì)測得的TD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為1.7μηι以下、 (2-12)MD方向的60度鏡面光澤度/TD方向的60度鏡面光澤度為2.05以下、 (2-13)MD方向的60度鏡面光澤度/TD方向的60度鏡面光澤度為1.95以下、 (2-14)利用接觸式粗糙度計(jì)測得的MD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz/利用接觸式粗糙度計(jì) 測得的TD方向的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0.55以上。23. 根據(jù)權(quán)利要求1至8、10至13、21、22中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱，其中，在根據(jù)權(quán)利 要求1至8、10至13、21、22中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱在載體的一面具有極薄銅層的情況 下，在所述極薄銅層側(cè)及所述載體側(cè)的至少一個表面或兩個表面具有選自由粗化處理層、 耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種以上的層，或 在根據(jù)權(quán)利要求1至8、10至13、21、22中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱在載體的兩面具有極 薄銅層的情況下，在該一個或兩個極薄銅層側(cè)的表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹 層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種以上的層。24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的附載體銅箱，其中，所述粗化處理層是以選自由銅、鎳、鈷、 磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成的群中的任一單質(zhì)或含有任一種以上的單質(zhì)的合金所構(gòu)成的 層。25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的附載體銅箱，其中，在選自由所述粗化處理層、所述耐熱層、 防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種以上的層上具備樹脂層。26. 根據(jù)權(quán)利要求1至8、10至13、21、22中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱，其中，在所述極薄 銅層上具備樹脂層。27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的附載體銅箱，其中，所述樹脂層是粘附用樹脂、及/或半固化 狀態(tài)的樹脂。28. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的附載體銅箱，其中，所述樹脂層是粘附用樹脂、及/或半固化 狀態(tài)的樹脂。29. -種積層體，其是使用根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱而制造。30. -種積層體，其是包含根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱與樹脂的積 層體，且所述附載體銅箱的端面的一部分或全部由所述樹脂所覆蓋。31. -種積層體，其將一個根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱從所述載體 側(cè)或所述極薄銅層側(cè)積層在另一個根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱的所述 載體側(cè)或所述極薄銅層側(cè)。32. -種印刷配線板，其是使用根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng)所述的附載體銅箱而制 造。33. -種電子機(jī)器，其是使用根據(jù)權(quán)利要求32所述的印刷配線板而制造。34. -種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:準(zhǔn)備根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng) 所述的附載體銅箱與絕緣基板； 積層所述附載體銅箱與絕緣基板;及 在積層所述附載體銅箱與絕緣基板后，經(jīng)過剝離所述附載體銅箱的載體的步驟而形成 覆銅積層板， 之后，通過半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法而形成電 路。35. -種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:在根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng)所 述的附載體銅箱的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面形成電路； 以埋沒所述電路的方式在所述附載體銅箱的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面 形成樹脂層； 在所述樹脂層上形成電路； 在所述樹脂層上形成電路后，將所述載體或所述極薄銅層剝離;及 在將所述載體或所述極薄銅層剝離后，去除所述極薄銅層或所述載體，由此使形成于 所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面的埋沒在所述樹脂層的電路露出。36. -種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:將根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng)所 述的附載體銅箱從所述載體側(cè)積層在樹脂基板； 在所述附載體銅箱的所述極薄銅層側(cè)表面形成電路； 以埋沒所述電路的方式在所述附載體銅箱的所述極薄銅層側(cè)表面形成樹脂層； 在所述樹脂層上形成電路； 在所述樹脂層上形成電路后，剝離所述載體;及 在剝離所述載體后，去除所述極薄銅層，由此使形成于所述極薄銅層側(cè)表面或所述載 體側(cè)表面的埋沒在所述樹脂層的電路露出。37. -種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:積層根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng) 所述的附載體銅箱的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面與樹脂基板； 在所述附載體銅箱的與和樹脂基板積層的一側(cè)為相反側(cè)的極薄銅層側(cè)表面或所述載 體側(cè)表面設(shè)置至少1次樹脂層與電路這2層;及 在形成所述樹脂層及電路這2層后，從所述附載體銅箱剝離所述載體或所述極薄銅層。38. -種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟：積層根據(jù)權(quán)利要求1至28中任一項(xiàng) 所述的附載體銅箱的所述載體側(cè)表面與樹脂基板； 在所述附載體銅箱的與和樹脂基板積層的一側(cè)為相反側(cè)的極薄銅層側(cè)表面設(shè)置至少1 次樹脂層與電路這2層;及 在形成所述樹脂層及電路這2層后，從所述附載體銅箱剝離所述載體。39. -種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:在根據(jù)權(quán)利要求29所述的積層體的 任一面或兩面設(shè)置至少1次樹脂層與電路這2層;及 在形成所述樹脂層及電路這2層后，從構(gòu)成所述積層體的附載體銅箱剝離所述載體或 所述極薄銅層。40. -種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:在根據(jù)權(quán)利要求30所述的積層體的 任一面或兩面設(shè)置至少1次樹脂層與電路這2層;及 在形成所述樹脂層及電路這2層后，從構(gòu)成所述積層體的附載體銅箱剝離所述載體或 所述極薄銅層。41. 一種印刷配線板的制造方法，其包括如下步驟:在根據(jù)權(quán)利要求31所述的積層體的 任一面或兩面設(shè)置至少1次樹脂層與電路這2層;及 在形成所述樹脂層及電路這2層后，從構(gòu)成所述積層體的附載體銅箱將所述載體或所 述極薄銅層剝離。
【文檔編號】H05K1/09GK105873361SQ201610077098
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月3日
【發(fā)明人】古曳倫也
【申請人】Ｊｘ金屬株式會社