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印刷電路板及其制造方法

文檔序號:9548809閱讀:253來源:國知局
印刷電路板及其制造方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求于2014年8月1日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0099049號 韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,該申請的公開內(nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本公開設(shè)及一種印刷電路板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 隨著諸如多忍片封裝件(MCP)(多個半導(dǎo)體忍片堆疊并安裝在單個基板上)或者 層疊封裝件(POP)(堆疊多個基板,所述基板安裝有多個半導(dǎo)體忍片)的電子器件封裝件已 經(jīng)小型化且復(fù)雜性增加,要求用于電子器件封裝件的印刷電路板具有改善的散熱特性。
[0004] 【現(xiàn)有技術(shù)文獻】
[0005] (專利文獻1)第2014-0021910號韓國專利特許公開

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本公開的一方面可W提供一種具有改善的散熱特性的印刷電路板及其制造方法。
[0007] 根據(jù)本公開的一方面,一種印刷電路板可W包括:忍層,其中形成有腔體;熱福射 體,被包括在腔體中;絕緣層,形成在忍層的上表面和下表面上;散熱通路,穿透絕緣層W 與熱福射體接觸,并向外散熱,其中,熱福射體形成為包括絕緣板、形成在絕緣板的上表面 上的第一金屬塊和形成在絕緣板的下表面上的第二金屬塊的多層結(jié)構(gòu)。
[0008] 根據(jù)本公開的另一方面,一種制造印刷電路板的方法可W包括:在忍層中形成腔 體;將熱福射體插入到腔體中;在忍層的上表面和下表面上形成絕緣層;形成穿透絕緣層 W與熱福射體接觸的散熱通路,其中,熱福射體包括絕緣板、形成在絕緣板的上表面上的第 一金屬塊和形成在絕緣板的下表面上的第二金屬塊。
【附圖說明】
[0009] 通過下面結(jié)合附圖進行的詳細(xì)描述,本公開的W上和其它方面、特征和其它優(yōu)點 將會被更清楚地理解,在附圖中:
[0010] 圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的印刷電路板的結(jié)構(gòu)的截面圖; W11] 圖2是圖1的'A'部分的透視圖; 陽01引圖3是圖1的'A'部分的放大圖;
[0013] 圖4至圖6是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的具有多層結(jié)構(gòu)的熱福射體的 透視圖;W及
[0014] 圖7至圖14是順序地示出根據(jù)本公開的示例性實施例的印刷電路板的制造方法 的視圖。
【具體實施方式】
[0015] 現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)地描述本公開的示例性實施例。
[0016] 然而,本公開可WW多種不同的形式來體現(xiàn),并不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述 的實施例。確切地說,提供運些實施例,使得本公開將是徹底的和完整的,并將把本公開的 范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
[0017] 在附圖中,為了清晰起見,可夸大元件的形狀和尺寸,并將始終使用相同的附圖標(biāo) 記來表示相同或相似的元件。 W化]印刷由路板
[0019] 圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的印刷電路板的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0020] 參照圖1,根據(jù)本公開的示例性實施例的印刷電路板100可W包括:忍層110,其中 形成有腔體115 ;熱福射體150,被包括在腔體115中;絕緣層121和122,形成在忍層110 的上表面和下表面上;散熱通路181和182,形成為與熱福射體150接觸并向外散熱。
[0021] 根據(jù)本公開的示例性實施例的熱福射體150可WW多層結(jié)構(gòu)來形成,該多層結(jié)構(gòu) 包括絕緣板、形成在絕緣板的上表面上的第一金屬塊和形成在絕緣板的下表面上的第二金 屬塊。
[0022] 與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的通過一般的通路進行散熱的結(jié)構(gòu)相比,由于本公開的示例性實 施例具有通過插入熱福射體150而顯著地增大散熱通道的體積和截面積的結(jié)構(gòu),因此可W 改善散熱特性,并且可W有效地散發(fā)來自安裝的電子器件的熱。
[0023] 忍層110可W具有運樣的結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在絕緣層的上表面和下表面上形成有內(nèi)層 電路141,形成在絕緣層的上表面和下表面上的內(nèi)層電路141可W通過忍部通路185彼此電 連接。
[0024] 忍層110可W設(shè)置有穿透忍層110的腔體115,使得熱福射體150可W插入到腔體 115中。腔體115可W通過沖頭或刀化lade)來形成。 陽0巧]熱福射體150可W被包括在腔體115中,并可W被形成在忍層110的上表面和下 表面上的絕緣層121和122掩埋在腔體115中。
[00%] 與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的通過一般的通路使電子器件散熱的情況相比,由于熱福射體 150的尺寸等于或大于將要被安裝在印刷電路板100上的電子器件的尺寸,因此可W更有 效地向外散熱。
[0027] 圖2是圖1的'A'部分的透視圖,圖3是圖1的'A'部分的放大圖。
[0028] 參照圖2,熱福射體150可W包括絕緣板155、形成在絕緣板155的上表面上的第 一金屬塊151和形成在絕緣板155的下表面上的第二金屬塊152。
[0029] 絕緣板155可W包括樹脂絕緣材料??蒞使用諸如環(huán)氧樹脂的熱固性樹脂、諸如 聚酷亞胺的熱塑性樹脂等作為樹脂絕緣材料,但樹脂絕緣材料不必限制于此。
[0030] 第一金屬塊151或第二金屬塊152可W具有長方體形狀,但不必限制于此。例如, 只要可W確保足W改善散熱特性的體積和截面積,就可W使用任何塊的形狀。
[0031] 參照圖3,熱福射體150可W包括穿透絕緣板155的內(nèi)部通路158。
[0032] 第一金屬塊151和第二金屬塊152可W通過內(nèi)部通路158彼此連接。
[0033] 第一金屬塊151、第二金屬塊152和內(nèi)部通路158可W由從銅(化)、侶(Al)和不 脹鋼組成的組中選擇的至少一種形成。
[0034] 由于根據(jù)本公開的示例性實施例的具有多層結(jié)構(gòu)的熱福射體150的散熱通道的 體積和截面積增大,因此可W改善散熱特性,并且可W有效地使安裝的電子器件散熱。
[0035] 圖4至圖6是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的具有多層結(jié)構(gòu)的熱福射體的 透視圖。
[0036] 參照圖4,根據(jù)本公開的另一示例性實施例的熱福射體150包括第一金屬塊151和 第二金屬塊152,第一金屬塊151和第二金屬塊152具有彼此不同的形狀。
[0037] 圖4示出了第一金屬塊151具有4-1 '的形狀,第二金屬塊152具有長方體形狀的 情況,但本公開不限于此,根據(jù)本公開的示例性實施例的熱福射體150可W示出第一金屬 塊151和第二金屬塊152具有各種不同形狀的結(jié)構(gòu)。
[0038] 具有彼此不同的形狀的第一金屬塊151和第二金屬塊152可W通過形成為穿透絕 緣板155的內(nèi)部通路(未示出)來彼此連接。
[0039] 參照圖5和圖6,根據(jù)本公開的示例性實施例的熱福射體150具有包括多個金屬塊 的第一金屬塊151或包括多個金屬塊的第二金屬塊152。
[0040] 第一金屬塊151和第二金屬塊152的金屬塊可W設(shè)置在彼此對應(yīng)的位置上,如圖 5中所示,第一金屬塊151和第二金屬塊152的金屬塊可W設(shè)置為彼此不對應(yīng),如圖6中所 示,但是它們不受具體限制。
[0041] 雖然圖5和圖6不出了第一金屬塊151和第二金屬塊152的金屬塊均由具有相同 形狀的=塊金屬塊形成的結(jié)構(gòu),但本公開不限于此。例如,第一金屬塊151和第二金屬塊 152的金屬塊可W均由兩塊、四塊或更多塊的金屬塊形成,包括在第一金屬塊151和第二金 屬塊152的金屬塊中的金屬塊的數(shù)量和形狀可W彼此不同。
[0042] 包括在第一金屬塊151和第二金屬塊152中的多個金屬塊均可W通過形成為穿透 絕緣板155的內(nèi)部通路(未示出)來連接。
[0043] 同時,雖然具有多層結(jié)構(gòu)的熱福射體150被示出為兩層的結(jié)構(gòu),但熱福射體150的 結(jié)構(gòu)不限于此。只要在可W被本領(lǐng)域技術(shù)人員利用的范圍內(nèi)形成熱福射體150,就可W按照 包括兩個或更多個絕緣板155的=層或更多層的結(jié)構(gòu)來形成熱福射體150。
[0044] 絕緣層121和122可W形成在插入有熱福射體150的忍層110的上表面和下表面 上。
[0045] 通過在插入有熱福射體150的忍層110的上表面上形成絕緣層121,填充了腔體 115與熱福射體150之間的空間,從而可W將熱福射體150固定到腔體115。
[0046] 可W使用樹脂絕緣層作為絕緣層121和122??蒞使用諸如環(huán)氧樹脂的熱固性樹 月旨、諸如聚酷亞胺的熱塑性樹脂、其中浸潰有諸如玻璃纖維或無機填充劑的增強材料的樹 脂(例如,預(yù)浸潰制品)作為樹脂絕緣層的材料。然而,樹脂絕緣層的材料不具體地局限于 此。
[0047] 絕緣層m和122可W具有形成在其表面上的外層電路142,忍層110的內(nèi)層電路 141和外層電路142可W通過穿透絕緣層121和122的信號通路183彼此電連接。
[0048] 同時,散熱通路181和182可W形成為穿透絕緣層121和122并與熱福射體150 接觸,并可W向外散熱。散熱通路181和182可W具有形成在其上的散熱盤145。
[0049] 散熱通路181和182可W形成在熱福射體150的上側(cè)和下側(cè)二者上。
[0050] 例如,從安裝在熱福射體150的上側(cè)上的電子器件產(chǎn)生的熱可W通過熱福射體 150的上側(cè)的散熱通路181被傳遞到熱福射體150,并可W被傳遞到熱福射體150的下側(cè)的 散熱通路182,從而被散發(fā)到外部。
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