雙面電路板導電膜施鍍工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板孔銅施鍍工藝,特別是雙面電路板導電膜施鍍工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]電路板中使用的聚酰亞胺、聚酯等基材,都是絕緣性能好的高分子材料,要使其表面成為導體,化學鍍是應用廣泛的技術(shù)之一。導體化(金屬化)的孔洞是不同層間線路連接的通道,優(yōu)質(zhì)的孔金屬化質(zhì)量是產(chǎn)品電氣性能的基本保證。經(jīng)過多年的研究與開發(fā),化學鍍技術(shù)已經(jīng)相當成熟(無論是化學鍍銅、化學鍍鎳、還是化學鍍金屬合金),掌握了影響化學鍍質(zhì)量的基本因素,即鍍層與基材的化學特性、與之對應的化學鍍液配方和工藝控制參數(shù)等。由于高階高密度電路板使用了如聚酰亞胺薄膜這類材料,同時又是在微孔中進行化學鍍,因此必須調(diào)整化學鍍的工藝參數(shù),才有可能獲得優(yōu)質(zhì)的鍍層。
[0003]化學沉銅是印制電路板孔金屬化過程中一個非常重要的步驟,其目的是在孔壁及銅面上形成導電銅層,為后面的電鍍做準備,而孔壁鍍層的空洞是印制電路板孔金屬化常見的缺陷之一,也是引起印制電路板批量報廢的項目之一,因此解決印制電路板鍍層空洞問題是印制板廠家重點控制的一項內(nèi)容。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點,提供一種可徹底解決電路板孔壁鍍銅出現(xiàn)空洞現(xiàn)象的雙面電路板導電膜施鍍工藝。
[0005]本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):雙面電路板導電膜施鍍工藝,包括以下步驟:
51、整孔:將鉆孔后的電路板前后間隔30?50mm依次放在傳送輥組上,并將電路板送入整孔槽內(nèi),控制整孔槽內(nèi)溫度在20?25°C之間,整孔槽內(nèi)的整孔劑對電路板進行整孔,4?6min后出板;
52、一次水洗:將整孔后的電路板送入水洗槽內(nèi),用去離子水將電路板板面和孔壁上的雜質(zhì)去除,3?5min后出板;
53、微蝕:將一次水洗后的電路板送入微蝕槽內(nèi),控制微蝕槽內(nèi)微蝕劑濃度為50?70g/L,15?25s后出板;
54、浸酸:將微蝕后的電路板送入浸酸槽內(nèi),控制浸酸槽內(nèi)硫酸濃度在5?10%之間,溫度在20?25°C之間,10?15s后出板;
55、施鍍:將浸酸后的電路板送入鍍槽內(nèi),控制鍍槽內(nèi)的每升鍍液中所含各組分的含量為:硫酸:180g?240g、硫酸銅:70g?80g,余量為去離子水,溫度在20°C?30°C之間,電鍍電流為1.2A/dm2?3A/dm2之間,電鍍時間為20min?30min ;
56、二次水洗:將施鍍后的電路板再次送入水洗槽內(nèi),用去離子水對電路板板面和孔壁進行清洗,3?5min后出板;
57、烘干:通過傳送輥組將電路板送入烘干柜中,將溫度控制在65?75°C之間,2?4min后出板,再用自動收板機進行收板。
[0006]步驟SI中的整孔劑為濃度為8?12g/L的NaOH溶液,其具體配制方法是先向整孔槽內(nèi)加入33L去離子水,再向整孔槽內(nèi)加入0.8?1.2Kg的NaOH,攪拌溶解,最后向整孔槽內(nèi)添加去離子水,補至100L。
[0007]步驟S3中的微蝕劑為Na2 (SO4) 2溶液。
[0008]本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
本發(fā)明依次通過整孔、水洗、微蝕、預浸,可徹底解決電路板孔壁鍍銅出現(xiàn)空洞現(xiàn)象,首先,通過整孔劑對電路板上的孔壁進行整孔,去除孔壁油污和毛刺,然后將電路板表面的雜質(zhì)通過水洗沖刷掉,通過微蝕粗化孔壁確保鍍銅與孔壁之間的結(jié)合力,浸酸可去除孔壁氧化物,對板面進行活化,同時防止水分帶入鍍槽,影響施鍍效果,并對浸酸槽內(nèi)溫度進行控制,為施鍍進行預熱,使得電路板在進入鍍槽后板面溫度已經(jīng)預熱到施鍍最佳溫度,從而達到最佳的施鍍效果,最終得到的導電膜鍍銅不出現(xiàn)空洞現(xiàn)象。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明做進一步的描述,但本發(fā)明的保護范圍不局限于以下所述。
[0010]【實施例1】:
雙面電路板導電膜施鍍工藝,包括以下步驟:
51、整孔:將鉆孔后的電路板前后間隔50mm依次放在傳送輥組上,并將電路板送入整孔槽內(nèi),控制整孔槽內(nèi)溫度在20°C,整孔槽內(nèi)的整孔劑對電路板進行整孔,整孔劑為濃度為12g/L的NaOH溶液,其具體配制方法是先向整孔槽內(nèi)加入33L去離子水,再向整孔槽內(nèi)加入1.2Kg的NaOH,攪拌溶解,最后向整孔槽內(nèi)添加去離子水,補至100L,6min后出板;
52、一次水洗:將整孔后的電路板送入水洗槽內(nèi),用去離子水將電路板板面和孔壁上的雜質(zhì)去除,5min后出板;
53、微蝕:將一次水洗后的電路板送入微蝕槽內(nèi),微蝕劑為Na2(SO4)2溶液,控制微蝕槽內(nèi)微蝕劑濃度為70g/L,15s后出板;
54、浸酸:將微蝕后的電路板送入浸酸槽內(nèi),控制浸酸槽內(nèi)硫酸濃度為5%,溫度為25°C之間,15s后出板;
55、施鍍:將浸酸后的電路板送入鍍槽內(nèi),控制鍍槽內(nèi)的每升鍍液中所含各組分的含量為:硫酸:240g、硫酸銅:70g,余量為去離子水,溫度為30°C,電鍍電流為3A/dm2,電鍍時間為 20min ;
56、二次水洗:將施鍍后的電路板再次送入水洗槽內(nèi),用去離子水對電路板板面和孔壁進行清洗,3min后出板;
57、烘干:通過傳送輥組將電路板送入烘干柜中,將溫度控制為75°C,2min后出板,再用自動收板機進行收板。
[0011]【實施例2】:
雙面電路板導電膜施鍍工藝,包括以下步驟:
S1、整孔:將鉆孔后的電路板前后間隔40mm依次放在傳送輥組上,并將電路板送入整孔槽內(nèi),控制整孔槽內(nèi)溫度為22°C之間,整孔槽內(nèi)的整孔劑對電路板進行整孔,整孔劑為濃度為10g/L的NaOH溶液,其具體配制方法是先向整孔槽內(nèi)加入33L去離子水,再向整孔槽內(nèi)加入l.0Kg的NaOH,攪拌溶解,最后向整孔槽內(nèi)添加去離子水,補至100L,5min后出板;
52、一次水洗:將整孔后的電路板送入水洗槽內(nèi),用去離子水將電路板板面和孔壁上的雜質(zhì)去除,4min后出板;
53、微蝕:將一次水洗后的電路板送入微蝕槽內(nèi),微蝕劑為Na2(SO4)2溶液,控制微蝕槽內(nèi)微蝕劑濃度為60g/L,20s后出板;
54、浸酸:將微蝕后的電路板送入浸酸槽內(nèi),控制浸酸槽內(nèi)硫酸濃度為8%之間,溫度為22°C,12s后出板;
55、施鍍:將浸酸后的電路板送入鍍槽內(nèi),控制鍍槽內(nèi)的每升鍍液中所含各組分的含量為:硫酸:210g、硫酸銅:75g,余量為去離子水,溫度為25°C,電鍍電流為2.lA/dm2之間,電鍍時間為25min ;
56、二次水洗:將施鍍后的電路板再次送入水洗槽內(nèi),用去離子水對電路板板面和孔壁進行清洗,4min后出板;
57、烘干:通過傳送輥組將電路板送入烘干柜中,將溫度控制為70°C之間,3min后出板,再用自動收板機進行收板。
[0012]【實施例3】:
雙面電路板導電膜施鍍工藝,包括以下步驟:
51、整孔:將鉆孔后的電路板前后間隔30mm依次放在傳送輥組上,并將電路板送入整孔槽內(nèi),控制整孔槽內(nèi)溫度為25°C,整孔槽內(nèi)的整孔劑對電路板進行整孔,整孔劑為濃度為8g/L的NaOH溶液,其具體配制方法是先向整孔槽內(nèi)加入33L去離子水,再向整孔槽內(nèi)加入
0.8Kg的NaOH,攪拌溶解,最后向整孔槽內(nèi)添加去離子水,補至100L,4min后出板;
52、一次水洗:將整孔后的電路板送入水洗槽內(nèi),用去離子水將電路板板面和孔壁上的雜質(zhì)去除,3min后出板;
53、微蝕:將一次水洗后的電路板送入微蝕槽內(nèi),微蝕劑為Na2(SO4)2溶液,控制微蝕槽內(nèi)微蝕劑濃度為50g/L,25s后出板;
54、浸酸:將微蝕后的電路板送入浸酸槽內(nèi),控制浸酸槽內(nèi)硫酸濃度為10%,溫度為20°C,10s后出板;
55、施鍍:將浸酸后的電路板送入鍍槽內(nèi),控制鍍槽內(nèi)的每升鍍液中所含各組分的含量為:硫酸:180g、硫酸銅:80g,余量為去離子水,溫度為20°C,電鍍電流為1.2A/dm2,電鍍時間為30min ;
56、二次水洗:將施鍍后的電路板再次送入水洗槽內(nèi),用去離子水對電路板板面和孔壁進行清洗,5min后出板;
57、烘干:通過傳送輥組將電路板送入烘干柜中,將溫度控制為65°C,4min后出板,再用自動收板機進行收板。
【主權(quán)項】
1.雙面電路板導電膜施鍍工藝,其特征在于:包括以下步驟: 51、整孔:將鉆孔后的電路板前后間隔30?50mm依次放在傳送輥組上,并將電路板送入整孔槽內(nèi),控制整孔槽內(nèi)溫度在20?25°C之間,整孔槽內(nèi)的整孔劑對電路板進行整孔,4?6min后出板; 52、一次水洗:將整孔后的電路板送入水洗槽內(nèi),用去離子水將電路板板面和孔壁上的雜質(zhì)去除,3?5min后出板; 53、微蝕:將一次水洗后的電路板送入微蝕槽內(nèi),控制微蝕槽內(nèi)微蝕劑濃度為50?70g/L,15?25s后出板; 54、浸酸:將微蝕后的電路板送入浸酸槽內(nèi),控制浸酸槽內(nèi)硫酸濃度在5?10%之間,溫度在20?25°C之間,10?15s后出板; 55、施鍍:將浸酸后的電路板送入鍍槽內(nèi),控制鍍槽內(nèi)的每升鍍液中所含各組分的含量為:硫酸:180g?240g、硫酸銅:70g?80g,余量為去離子水,溫度在20°C?30°C之間,電鍍電流為1.2A/dm2?3A/dm2之間,電鍍時間為20min?30min ; 56、二次水洗:將施鍍后的電路板再次送入水洗槽內(nèi),用去離子水對電路板板面和孔壁進行清洗,3?5min后出板; 57、烘干:通過傳送輥組將電路板送入烘干柜中,將溫度控制在65?75°C之間,2?4min后出板,再用自動收板機進行收板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面電路板導電膜施鍍工藝,其特征在于:步驟SI中的整孔劑為濃度為8?12g/L的NaOH溶液,其具體配制方法是先向整孔槽內(nèi)加入33L去離子水,再向整孔槽內(nèi)加入0.8?1.2Kg的NaOH,攪拌溶解,最后向整孔槽內(nèi)添加去離子水,補至10L03.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面電路板導電膜施鍍工藝,其特征在于:步驟S3中的微蝕劑為Na2 (SO4)2溶液。
【專利摘要】本發(fā)明涉及雙面電路板導電膜施鍍工藝,包括以下步驟:S1、整孔;S2、一次水洗;S3、微蝕:控制微蝕槽內(nèi)微蝕劑濃度為50~70g/L,15~25s后出板;S4、浸酸:控制浸酸槽內(nèi)硫酸濃度在5~10%之間,溫度在20~25℃之間,10~15s后出板;S5、施鍍:控制鍍槽內(nèi)的每升鍍液中所含各組分的含量為:硫酸:180g~240g、硫酸銅:70g~80g,余量為去離子水,溫度在20℃~30℃之間,電鍍電流為1.2A/dm2~3A/dm2之間,電鍍時間為20min~30min;S6、二次水洗;S7、烘干。本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明依次通過整孔、水洗、微蝕、預浸,可徹底解決電路板孔壁鍍銅出現(xiàn)空洞現(xiàn)象。
【IPC分類】H05K3/42
【公開號】CN105208798
【申請?zhí)枴緾N201510506670
【發(fā)明人】周順建
【申請人】四川海英電子科技有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月18日