表面處理銅箔的制作方法
【專利摘要】一種表面處理銅箔，于銅箔表面的XPS survey測定中，Si濃度為2.0％以上，N濃度為2.0％以上。本發(fā)明的課題在于：獲得一種在提供“在適用于高頻用途的液晶聚合物(LCP)積層有銅箔”的可撓性印刷基板(FPC)用銅箔時(shí)剝離強(qiáng)度提高的銅箔。
【專利說明】表面處理銅箔

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用以制造可良好地傳送高頻電氣信號(hào)的可撓性印刷配線板（FPC) 的覆銅積層板用表面處理銅箔。

【背景技術(shù)】
[0002] 可撓性印刷配線板系通過下述方式制造：蝕刻基板的銅箔而形成各種配線圖案， 并利用焊接連接電子零件而進(jìn)行構(gòu)裝。銅箔根據(jù)其制造方法而分類成電解銅箔與壓延銅 箔，于可撓性基板用銅箔中，由于耐彎曲性優(yōu)異的壓延銅箔較佳，故被廣泛使用。又，于計(jì)算 機(jī)或移動(dòng)體通訊等電子機(jī)器中，伴隨著通訊的高速化及大容量化，電信號(hào)的高頻化進(jìn)展，從 而要求可與其相對應(yīng)的印刷配線板及銅箔。
[0003] 雖然于計(jì)算機(jī)或移動(dòng)體通訊等電子機(jī)器中電信號(hào)高頻化，但若電信號(hào)的頻率為 1GHz以上，則電流僅于導(dǎo)體的表面流通的集膚效應(yīng)的影響變得顯著，從而變得無法無視于 下述影響：因表面的凹凸而使電流傳導(dǎo)途徑變化，從而導(dǎo)體損耗增大。根據(jù)此觀點(diǎn)亦為銅箔 的表面粗糙度小者較為理想。
[0004] 生箔的電解銅箔的表面系通過銅的電沉積粒子而形成，生箔的壓延銅箔的表面系 通過與壓延輥的接觸而形成。因此，一般而言，生箔的壓延銅箔的表面粗糙度比電解銅箔的 表面粗糙度小。又，關(guān)于粗化處理中的電沉積粒子，壓延銅箔的電沉積粒子較細(xì)微。據(jù)此， 可說是壓延銅箔作為高頻電路用銅箔較為優(yōu)異。
[0005] 另一方面，雖然愈是高頻則數(shù)據(jù)的傳輸量愈大，但信號(hào)電力的損耗（衰減）亦變 大，變得無法讀取數(shù)據(jù)，因此，限制FPC的電路長度。為了使上述的信號(hào)電力的損耗（衰減） 減小，而傾向于導(dǎo)體側(cè)為銅箔的表面粗糙度小者，且樹脂側(cè)為從聚酰亞胺轉(zhuǎn)變成液晶聚合 物。再者，自集膚效應(yīng)的觀點(diǎn)而言，最為理想的被認(rèn)為是未形成粗化處理的粗糙度小的銅 箔。
[0006] 電子電路中的信號(hào)電力的損耗（衰減）大致可分為兩種。第一種是導(dǎo)體損耗，即 銅箔所導(dǎo)致的損耗，第二種是介電體損耗，即基板所導(dǎo)致的損耗。于導(dǎo)體損耗，在高頻區(qū)域 中具有下述特性：具有集膚效應(yīng)，電流流經(jīng)導(dǎo)體的表面。因此，若銅箔表面粗糙，則電流沿著 復(fù)雜的路徑流動(dòng)。如上所述，由于壓延銅箔的粗糙度比電解銅箔小，故有導(dǎo)體耗損較少的傾 向。
[0007] 另一方面，液晶聚合物（LCP)系以液相（熔融或熔液）顯示光學(xué)異向性的聚合物， 必須不使用接著劑地與銅箔積層。全芳香族聚酯系液晶聚合物即便于熔融狀態(tài)亦顯示分子 的配向性，于固體狀態(tài)亦保持此狀態(tài)，為顯示熱塑性的無鹵素材料。
[0008] 液晶聚合物（LCP)其特征在于低介電率、低介電損失正切。此外，由于相對于LCP 的比介電率為3. 3,聚酰亞胺的比介電率為3. 5,相對于LCP的介電損失正切為0. 002,聚酰 亞胺的介電損失正切為〇.〇1，因此，液晶聚合物（LCP)于特性上較為優(yōu)異。又，液晶聚合物 (LCP)為低吸水性，且具有低吸濕率的特征，具有電特性的變化少且尺寸變化少此一大優(yōu) 點(diǎn)。
[0009] 于壓延銅箔中，為了確保操作性，具有下述特征：于最后退火后進(jìn)行壓延的經(jīng)壓延 材料為最合適（例如，參閱專利文獻(xiàn)1)。
[0010] 然而，具有液晶聚合物（LCP)與聚酰亞胺相比，其強(qiáng)度較弱，積層有銅箔的材料難 以表現(xiàn)出剝離強(qiáng)度此一大問題。銅箔的粗糙度愈大，則愈可得到物理上的錨固效果，故而有 剝離強(qiáng)度變高的傾向，但受到上述集膚效應(yīng)的影響，于高頻時(shí)的電特性惡化。
[0011] 又，雖然有許多高頻電路用銅箔的提案（例如，參閱專利文獻(xiàn)2、3、4、5)，但現(xiàn)狀為 從壓延銅箔的制造步驟的簡化及使高頻傳導(dǎo)損耗減少的觀點(diǎn)而言，仍未有有效的技術(shù)。
[0012] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2〇〇3 _ 193211號(hào)公報(bào)
[0013] 專利文獻(xiàn)2 :日本特公昭Η _ 54592號(hào)公報(bào)
[0014] 專利文獻(xiàn)3 :日本特公平3 _ 34679號(hào)公報(bào)
[0015] 專利文獻(xiàn)4 :日本特公平7 - 10564號(hào)公報(bào)
[0016] 專利文獻(xiàn)5 :日本特開平5 _ 55746號(hào)公報(bào)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0017] 本發(fā)明系有鑒于如上所述的問題點(diǎn)而完成者，以其為目的時(shí)，本案發(fā)明課題在于： 獲得一種在提供"在適用于高頻用途的液晶聚合物（LCP)積層有銅箔"的可撓性印刷基板 (FPC)用銅箔時(shí)剝離強(qiáng)度提高的銅箔。
[0018] 本發(fā)明人等，發(fā)現(xiàn)根據(jù)下述的理由可減少傳輸損耗。
[0019] 第一：于高頻區(qū)域中，銅箔表面造成大幅影響。若表面粗糙度變大，則傳輸損耗變 大。因此，銅箔的表面粗糙度盡可能地調(diào)整為較小是有效的。
[0020] 第二：利用液晶聚合物（LCP)積層基板。但是為此必須提高與銅箔的接著強(qiáng)度（剝 離強(qiáng)度）。
[0021] 得到了通過解決以上的問題,可提供抑制了信號(hào)電力損耗（衰減）的可撓性印刷 基板（FPC)此知識(shí)見解。
[0022] 根據(jù)上述的知識(shí)見解，本案發(fā)明提供以下發(fā)明。
[0023] 1) 一種表面處理銅箔，于銅箔表面的XPS survey測定中，Si濃度為2. 0%以上，N 濃度為2.0%以上。
[0024] 2)如上述1)的表面處理銅箱，其系可撓性印刷電路基板用銅箔。
[0025] 3)如上述1)至2)中任一項(xiàng)記載的表面處理銅箔，其中，銅箔為壓延銅箔或電解銅 箔。
[0026] 4)如上述1)至3)中任一項(xiàng)記載的表面處理銅箱，其系與由液晶聚合物構(gòu)成的可 撓性印刷電路基板接合的銅箔。
[0027] 5)如上述1)至4)中任一項(xiàng)記載的表面處理銅箱，其中，與由液晶聚合物構(gòu)成的可 撓性印刷電路基板接合的情形時(shí)的 9〇度常態(tài)剝離強(qiáng)度為0. 3kg/cm以上。
[0028] 6)如上述1)至5)中任一項(xiàng)記載的表面處理銅箔，其與可在超過1GHz的高頻率下 使用的可撓性印刷電路板接合。
[0029] 通過本發(fā)明，可制造可使用于高頻電路用途的表面處理銅箔，通過將該銅箔應(yīng)用 于液晶聚合物（LCP)積層基板，可得到下述優(yōu)異效果：可提高接著強(qiáng)度（剝離強(qiáng)度），且可 實(shí)現(xiàn)可于超過1GHz的高頻率下使用的可撓性印刷電路板。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 可使用于高頻電路用途的表面處理銅箔其特征在于：于銅箔表面的XPS survey 測定中，Si濃度為2. 0%以上，N濃度為2. 0%以上。由此，于使銅箔接著于液晶聚合物（LCP) 積層基板時(shí)，可提高接著強(qiáng)度（剝離強(qiáng)度）。再者，作為達(dá)成上述銅箔表面的Si濃度與N濃 度的一個(gè)手段，可列舉對銅箔表面進(jìn)行硅烷處理。又，將本案的表面處理銅箔用于高頻電路 用銅箔是有效的。
[0031] 于銅箔表面的XPS survey測定中，若Si濃度未達(dá)2.0%、N濃度未達(dá)2· 0%，則接 著強(qiáng)度不足，于銅箔表面的XPS survey測定中，Si濃度超過20. 0%、N濃度超過40. 0%以 上的情形，由于與LCP積層時(shí)會(huì)起泡，因此過多的話，并不佳。
[0032] 再者，硅烷涂布方法可為硅烷偶合劑溶液的噴霧吹附、涂布機(jī)涂布、浸漬、流附等 的任一種。關(guān)于這些，由于已為眾所周知的技術(shù)（例如，參閱日本特公昭60 - 15654號(hào)公 報(bào)），故省略其細(xì)節(jié)。
[0033] 關(guān)于銅箔表面的Si及N的濃度，對經(jīng)表面處理的銅箔的與樹脂貼合的面利用XPS 測定survey光譜，求出最表面的Si濃度與N濃度。以下表示分析條件。
[0034] 裝置：ULVAC - PHI股份有限公司制造的5600MC
[0035] 極限真空度：2. 0X 10-9Torr
[0036] 激發(fā)源：單色化ΑΙΚα
[0037] 功率：210W
[0038] 檢測面積：800 μ m Φ
[0039] 入射角：45°
[0040] 取出角：45°
[0041] 無中和槍
[0042] 經(jīng)提高接著強(qiáng)度的銅箔，成為最適合用于由液晶聚合物構(gòu)成的可撓性印刷電路基 板的高頻電路用銅箔。也就是說，可使與由液晶聚合物構(gòu)成的可撓性印刷電路基板接合的 情形時(shí)的90度常態(tài)剝離強(qiáng)度為0. 3kg/cm以上。
[0043] 又，由于可提高銅箔的接著強(qiáng)度，故可應(yīng)用于銅箔的表面粗糙度?。▽?dǎo)體耗損少） 的壓延銅箔及電解銅箔，可得到最合適的高頻電路用銅箔。高頻電路用銅箔可制造可在超 過1GHz的高頻率下使用的可撓性印刷電路板。
[0044] 再者，本案發(fā)明的表面處理銅箔亦可具有粗化處理層及/或耐熱處理層及/或防 銹處理層及/或鉻酸鹽處理層及/或鍍敷處理層及/或硅烷偶合處理層。上述粗化處理層 并無特別限定，可應(yīng)用所有的粗化處理層或公知的粗化處理層。上述耐熱處理層并無特別 限定，可應(yīng)用所有的耐熱處理層或公知的耐熱處理層。上述防銹處理層并無特別限定，可應(yīng) 用所有的防銹處理層或公知的防銹處理層。上述鍍敷處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的 鍍敷處理層或公知的鍍敷處理層。上述鉻酸鹽處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的鉻酸鹽 處理層或公知的鉻酸鹽處理層。
[0045] 例如，本案發(fā)明的表面處理銅箔亦可于其表面通過施予例如用于使與絕緣基板的 密合性變得良好等的粗化處理而設(shè)置粗化處理層。粗化處理例如可通過利用銅或銅合金來 形成粗化粒子而進(jìn)行。粗化處理亦可為細(xì)微者。粗化處理層亦可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、 砷、鉬、鉻、鈷及鋅構(gòu)成的群中的任一單質(zhì)或含有任一種以上的合金所構(gòu)成的層等。
[0046] 又，于利用銅或銅合金來形成粗化粒子后，亦可進(jìn)一步進(jìn)行利用鎳、鈷、銅、鋅的單 質(zhì)或合金等來設(shè)置二次粒子或三次粒子的粗化處理。之后，亦可利用鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或 合金等來形成耐熱處理層或防銹處理層，亦可進(jìn)一步于其表面施予鉻酸鹽處理、硅烷偶合 劑處理等的處理?；蛘?，亦可不進(jìn)行粗化處理，而以鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等來形成耐 熱處理層或防銹處理層，并進(jìn)一步于其表面施予鉻酸鹽處理、硅烷偶合劑處理等的處理。 [0047]亦即，可于粗化處理層的表面形成選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層 及硅烷偶合處理層構(gòu)成的群中的1種以上的層，亦可于表面處理銅箔的表面形成選自由耐 熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層構(gòu)成的群中的1種以上的層。再 者，上述耐熱層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層、硅烷偶合處理層亦可各自形成多層（例如2層 以上、3層以上等）。又，于本發(fā)明中，"防銹處理層"包含"鉻酸鹽處理層"。
[0048]再者，若考慮與樹脂的密合性，則較佳為于表面處理銅箔的最外層設(shè)置硅烷偶合 處理層。
[0049] 再者，作為粗化處理層，較佳為形成有銅的一次粒子層與在該一次粒子層上的由3 元系合金構(gòu)成的二次粒子層，該3元系合金是由銅、鈷及鎳構(gòu)成。
[0050] 又，較佳為該一次粒子層的平均粒徑為0. 25?0. 45 μ m，該二次粒子層的平均粒 徑為 0. 05 ?0. 25 μ m。
[0051] 又，可使用以下處理作為防銹處理或鉻酸鹽處理。
[0052] < Ni - Co 鍍敷 > :Ni - Co 合金鍍敷
[0053] (液體組成）Co : 1 ?20g/L, Ni : 1 ?20g/L
[0054] (pH) L 5 ?3· 5
[0055] (液溫）30 ?8(TC
[0056] (電流密度）1 ?20A/dm2
[0057] (通電時(shí)間）0.5?4秒
[0058] < Zn - Ni 鍍敷 > :Zn - Ni 合金鍍敷
[0059] (液體組成）Zn : 10 ?30g/L，Ni : 1 ?10g/L
[0060] (pH) 3 ?4
[0061] (液溫）40 ?50 Γ
[0062] (電流密度）〇. 5 ?5A/dm2
[0063] (通電時(shí)間）1?3秒
[0064] < Ni - Mo 鍍敷 > :Ni _ Mo 合金鍍敷
[0065] (液體組成）硫酸鎳：270?280g/L,氯化鎳：35?45g/L，乙酸鎳：10?20g/L，鉬 (以鉬酸鈉形式添加）：〇. 1?l〇g/L，檸檬酸三鈉：15?25g/L，光澤劑：糖精、丁炔二醇等， 十一基硫酸鈉：55?75ppm。
[0066] (pH) 4 ?6
[0067] (液溫）55 ?65°C
[0068] (電流密度）1 ?llA/dm2
[0069] (通電時(shí)間）1?20秒
[0070] < Cu - Zn 鍍敷 > :Cu - Zn 合金鍍敷
[0071] (液體組成）NaCN : 10 ?30g/L，NaOH :40 ?lOOg/L, Cu :60 ?120g/L，Zn : 1 ?l〇g/ L
[0072] (液溫）60 ?80°C
[0073] (電流密度）1 ?l〇A/dm2
[0074] (通電時(shí)間）1?1〇秒
[0075] <電解鉻酸鹽>
[0076] (液體組成）鉻酸酐、鉻酸、或重鉻酸鈣：1?l〇g/L，鋅（添加的情形以硫酸鋅的 形式添加）：〇?5g/L
[0077] (pH) 0· 5 ?10
[0078] (液溫）40 ?60?
[0079] (電流密度）0· 1 ?2· 6A/dm2
[0080] (庫倫量）0· 5 ?90As/dm2
[0081] (通電時(shí)間）1?30秒
[0082] <浸漬鉻酸鹽>
[0083] (液體組成）鉻酸酐、鉻酸、或重鉻酸鈣：1?l〇g/L，鋅（添加的情形以硫酸鋅的 形式添加）：〇?5g/L
[0084] (pH) 2 ?10
[0085] (液溫）2〇 ?6〇?
[0086] (處理時(shí)間）1?30秒
[0087] 又，于硅烷偶合劑處理中，在使Si與Ν附著于銅箔表面的情形時(shí)，于硅烷偶合劑處 理中使用胺基硅烷。而且，使硅烷偶合劑處理液中的硅烷偶合劑的濃度比以往高（例如， 1. 5vol %以上），必須進(jìn)行硅烷偶合劑處理。又，必須不使硅烷偶合劑處理后的干燥溫度過 高，且不使干燥時(shí)間過長。其是由于在使干燥溫度過高或使千燥時(shí)間過長的情形時(shí)，有存在 于銅箔表面的硅烷偶合劑會(huì)脫離的情形。
[0088] 硅烷偶合劑處理后的干燥，較佳例如為以干燥溫度90?110°C、較佳為95°C? 105°C，干燥時(shí)間1?10秒鐘、較佳為1?5秒鐘來進(jìn)行。
[00891又，于較佳的實(shí)施方案中，作為胺基硅烷，可使用含有1個(gè)以上的胺基及/或亞胺 基的硅烷。胺基硅烷中所含的胺基及亞胺基的數(shù)目例如可分別為1?4個(gè)，較佳為分別為 1?3個(gè)，更較佳為1?2個(gè)。于較佳的實(shí)施方案中，胺基硅烷中所含的胺基及亞胺基的數(shù) 目可分別為1個(gè)。
[0090] 胺基硅烷中所含的胺基及亞胺基的數(shù)目的合計(jì)為1個(gè)的胺基硅烷可特殊地稱為 單胺基硅烷，為2個(gè)的胺基硅烷可特殊地稱為二胺基硅烷，為3個(gè)的胺基硅烷可特殊地稱為 三胺基硅烷。于本發(fā)明中可較佳地使用單胺基硅烷、二胺基硅烷。于較佳的實(shí)施方案中，作 為胺基硅烷，可使用含有1個(gè)胺基的單胺基硅烷。于較佳的實(shí)施方案中，胺基硅烷可設(shè)為于 分子的末端、較佳為直鏈狀或支鏈狀的鏈狀分子的末端含有至少1個(gè)，例如1個(gè)胺基者。 [00 91]作為胺基娃燒，例如可列舉：N - 2 -（胺基乙基）~ 3 -胺基丙基甲基二甲氧基 硅烷、N - 2 -（胺基乙基）_ 3-胺基丙基三甲氧基硅烷、3-胺基丙基三甲氧基硅烷、 1 一胺基丙基二甲氧基娃焼、2 _胺基丙基三甲氧基娃焼、1, 2 -二胺基丙基三甲氧基硅燒、 3 -胺基一 1 一丙烯基三甲氧基硅烷、3 -胺基一 1 _丙炔基三甲氧基硅烷、3 _胺基丙基三 乙氧基硅焼、3-二乙氧基賭基-Ν- (1,3-二甲基-亞丁基）丙纖、Ν_苯基_ 3__ 胺基丙基三甲氧基硅烷、Ν -(乙烯基芐基）-2 一胺基乙基-3 _胺基丙基三甲氧基硅 院、3 _胺基丙基二乙氧基桂燒、3 -胺基丙基三甲氧基娃焼、Ν- (2 一胺基乙基）-3 一胺 基丙基二甲氧基硅烷、Ν - (2 -胺基乙基）一 3 -胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、3 一（Ν - 苯基）胺基丙基三甲氧基硅烷。 一
[0092]又，于較佳的實(shí)施方案中，硅院偶合劑處理中可使用具有下式〗的結(jié)構(gòu)式的硅烷。
[0093] 式 I :Η2Ν - R1 - Si (〇R2)2 (R3)
[0094] (其中，上述式I中，
[0095] R1為直鏈狀或具有支鏈的飽和或不飽和、經(jīng)取代或未經(jīng)取代、環(huán)式或非環(huán)式、具有 雜環(huán)或不具有雜環(huán)的C1?C12的徑的二價(jià)基，
[0096] R2為C1?C5的烷基，
[0097] R3為C1?C5的烷基或C1?C5的烷氧基。）
[0098] R1較佳為選自由下述者組成的群中的基：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1?C12的直鏈 狀飽和經(jīng)的一價(jià)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1?C12的支鏈狀飽和烴的二價(jià)基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的C1?C12的直鏈狀不飽和烴的二價(jià)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 C1?C12的支鏈狀 不飽和烴的二價(jià)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1?C12的環(huán)式烴的二價(jià)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的C1?C12的雜環(huán)式徑的二價(jià)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1?C12的芳香族烴的二價(jià)基。 [00"]又，R1較佳為選自由下述者組成的群中的基：- （CH2)n-、_ (CH2)n 一（CH)m - (012)卜！-、- (CH2)n- (CC)-(。隊(duì)一！-、-（CH2)n-NH-仰丄―、-（CH2) n-NH-(CH2) m NH (CH2) j _、_ (CH2) n _ ! _ (CH) NH2 - (CH2) m ^ 1 -、一 (CH2) n _ 1 - (CH) NH2 - (CH2)m_ ! - NH - (CH2)」一（其中，n、m、j 為 1 以上的整數(shù)）。
[0100] R1 較佳為一(CH2)n -或一(CH2)n - NH - (CH丄一。
[0101] n、m、j較佳為各自獨(dú)立地為l、2或3。
[0102] R2較佳為甲基或乙基。
[0103] R3較佳為甲基、乙基、甲氧基、或乙氧基。
[0104] 又，于另一實(shí)施型態(tài)中，亦可通過濺鍍、CVD及PDV等的千式鍍敷而于銅箔表面設(shè) 置含有Si與N的層。然后，于之后以加熱溫度150?25(TC加熱1秒?300秒即可。其是 由于通過加熱可使存在于表層的Si與N朝銅箔側(cè)擴(kuò)散，因此可容易地將銅箔表面的Si與 N的濃度控制在特定范圍。
[0105] 以下表示濺鍍條件的一例。
[0106] (革巴）：Si :15 ?65mass%、N :25 ?55mass%，Si 濃度與 N 濃度合計(jì)在 50mass% 以上。剩余部分為任意的元素即可。
[0107](裝置）ULVAC股份有限公司制造的濺鍍裝置 [0108](功率）DC50W
[0109] (氬壓力）〇.2Pa
[0110] 實(shí)施例
[0111]以下根據(jù)實(shí)施例說明本發(fā)明。另，本實(shí)施例系表示較佳的一例，故本發(fā)明并不受到 這些實(shí)施例限制。因此，本發(fā)明的技術(shù)思想中所含的變形、其它實(shí)施例或態(tài)樣全部皆被包含 于本發(fā)明中。再者，為了與本發(fā)明對比，亦并記比較例。
[0112](實(shí)施例1)
[0113]將于無氧銅中添加有l(wèi)2〇〇ppm的Sn的鑄錠進(jìn)行熔制，于90(TC熱壓延此鑄錠，從而 獲得厚度l〇mm的板。之后，重復(fù)進(jìn)行冷壓延及退火，而冷壓延成最后厚度為9 μ m的銅箔。 此壓延銅箔的表面粗糙度為Rz 〇. 63 μ m。
[0114]接著，對上述壓延銅箔以以下的條件實(shí)施鍍Ni (未實(shí)施粗化處理）。
[0115]再者，鍍Ni液的其余部分為水。又，本案中所記載的粗化處理、鍍敷、硅烷處理、耐 熱處理、防銹處理等中所使用的液體的其余部分亦若未特別記載，則為水。
[0116] Ni 離子：10 ?40g/L
[0117] 溫度：30 ?70 °C
[0118] 電流密度：1?9A/dm2
[0119] 鍍敷時(shí)間：0· 1?3. 0秒
[0120] ρΗ:1·0 ?5. 0
[0121] 接著，對上述進(jìn)行了鍍Ni的壓延銅箔，以以下條件實(shí)施浸漬鉻酸鹽處理。
[0122] K2Cr207 :1 ?10g/L
[0123] 溫度：20 ?60°C
[0124] 處理時(shí)間：1?5秒
[0125] 接著，實(shí)施表1所示的娃院偶合劑處理。
[0126] 硅烷種類：N _ 2 _(胺基乙基）一 3 _胺基丙基三甲氧基硅烷
[0127] 硅烷濃度：1.5vol%
[0128] 溫度：10 ?60°C
[0129] 處理時(shí)間?5秒
[0130] 硅烷處理后的干燥：100°C X3秒
[0131] 其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度Rz(十點(diǎn)平均粗糙度）成為 0.63μηι。再者，Rz系根據(jù)JIS B0601 - 1982,使用小阪研究所股份有限公司制造的接觸 粗糙度計(jì)Surfcorder SE - 3C觸針式粗糖度計(jì)來進(jìn)行測定。關(guān)于銅箱表面的Si濃度與N 濃度，利用XPS survey測定，Si濃度為2.2%，N濃度為5.0%，且高頻特性亦良好。又，利 用XPS survey測定所測定的Si濃度、N濃度系原子濃度（atom% )。再者，于通過本測定 而檢測出Si及N的情形時(shí)，可判定為于表面處理銅箔存在有緣自于胺基硅烷的硅烷偶合處 理層。
[0132] 關(guān)于以下實(shí)施例及比較例的銅箔表面的Si濃度與N濃度的測定法（評價(jià)方法）， 由于以同樣的方式實(shí)施，故為了避免繁雜，將此操作方法的說明省略。
[0133] 以上的結(jié)果為，達(dá)成于銅箔表面的XPS survey測定中，Si濃度為2.0%以上，N濃 度為2. 0%以上此本案發(fā)明的條件。
[0134] 將以上述方式制得的經(jīng)娃烷處理的壓延銅箔，通過壓合而貼合于厚度50 μ m的液 晶聚合物（Kuraray制造的Vecstar CT - Z)的樹脂。使用以上述方式而得的試料，測定90 度剝離強(qiáng)度。
[0135] 剝離強(qiáng)度系將電路寬度設(shè)為3mm,于90度的角度下以50mm/min的速度剝離樹脂與 銅箔的情形。測定 2次，求其平均值。
[0136] 此剝離強(qiáng)度的測定，系根據(jù)JIS C6471 _ 1995(以下相同）。此結(jié)果，得到90度剝 離強(qiáng)度為0. 32kg/cm。將其結(jié)果示于表1。如本實(shí)施例1所示，可知實(shí)施例1的經(jīng)表面處理 的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。 、
[0137] 又，于將此銅箔貼合于50 μ m的液晶聚合物后，為了調(diào)查高頻特性，形成了微帶狀 線結(jié)構(gòu)。此時(shí)，以特性阻抗成為50 Ω的方式進(jìn)行電路形成。使用此電路進(jìn)行傳輸損耗的測 定，于30GHz的頻率中的傳輸損耗小于一 〇. 6的情形，將高頻特性記為?。
[0138] 又，將一0. 6?一〇· 8的情形記為〇，將一〇. 8?一1. 2的情形記為Λ，將傳輸損 耗比一 1.2大的情形記為X。再者，此測定值僅作為參考，并非為限定范圍者。
[0139] [表 1]
[0140]

【權(quán)利要求】
1. 一種表面處理銅箔，于銅箔表面的XPS survey測定中，Si濃度為2. Ο %以上，N濃度 為2. 0%以上。
2. 如權(quán)利要求第1所述的表面處理銅箔，其系可撓性印刷電路基板用銅箔。
3. 如權(quán)利要求第1或2所述的表面處理銅箔，其中，銅箔為壓延銅箔或電解銅箔。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其系與由液晶聚合物構(gòu)成的可撓 性印刷電路基板接合的銅箔。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，與由液晶聚合物構(gòu)成的可撓 性印刷電路基板接合的情形時(shí)的90度常態(tài)剝離強(qiáng)度為0. 3kg/cm以上。
6. 如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其與可在超過1GHz的高頻率下使 用的可撓性印刷電路板接合。
7. 如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面的XPS survey 測定中，Si濃度為20.0%以下。
8. 如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面的XPS survey 測定中，N濃度為40.0%以下。
9. 如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有選自由粗化 處理層、耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層構(gòu)成的群中的1種以上 的層。
10. 如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有鉻酸鹽處 理層，于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
11. 如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有粗化處理 層，于該粗化處理層上具有鉻酸鹽處理層，于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
12. 如權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有粗化處理 層，于該粗化處理層上具有防銹處理層，于該防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，于該鉻酸鹽 處理層上具有硅烷偶合處理層。
13. 如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有粗化處理 層，該粗化處理層具有一次粒子層與在該一次粒子層上的二次粒子層。
14. 如權(quán)利要求第13所述的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層具有銅之一次粒子層 與在該一次粒子層上的由3元系合金構(gòu)成的二次粒子層，該3元系合金是由銅、鈷及鎳構(gòu) 成。
15. 如權(quán)利要求第13或14所述的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層具有銅之一次粒 子層與在該一次粒子層上的由3元系合金構(gòu)成的二次粒子層，該3元系合金是由銅、鈷及 鎳構(gòu)成，該一次粒子層的平均粒徑為〇. 25?0. 45 μ m，該二次粒子層的平均粒徑為0. 05? 0. 25 μ m〇
16. 如權(quán)利要求13至15中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，于該粗化處理層上具有 鉻酸鹽處理層，于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
17. 如權(quán)利要求13至16中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，于該粗化處理層上具有 防銹處理層，于該防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處 理層。
【文檔編號(hào)】H05K1/09GK104246013SQ201380018060
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月29日
【發(fā)明者】福地亮 申請人:Jx日礦日石金屬株式會(huì)社