顯示裝置以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】通過(guò)更細(xì)致地表現(xiàn)觀察者所觀察的圖像中的黑暗部,顯示能夠感覺到更強(qiáng)的縱深感的圖像。在以80ppi以上的分辨率、80%以上的NTSC比及500以上的對(duì)比度設(shè)置有分別包括能夠以100μs以下的響應(yīng)時(shí)間發(fā)射具有60nm以下的光譜線半寬度的光的發(fā)光模塊的像素的顯示裝置中設(shè)置將具有規(guī)定的灰度的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為能夠以高級(jí)灰度表現(xiàn)低亮度一側(cè)上的圖像的圖像信號(hào)的電路。
【專利說(shuō)明】顯示裝置以及電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種顯示裝置。本發(fā)明涉及一種包括顯示裝置的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]使用雙眼視差顯示立體圖像的顯示裝置是已知的。這種顯示裝置在一個(gè)屏幕上顯示從觀察者左眼的位置看到的圖像(左眼用圖像)和從觀察者右眼的位置看到的圖像(右眼用圖像)。觀察者由左眼觀察左眼用圖像并由右眼觀察右眼用圖像,因此可以觀察立體圖像。
[0003]例如,在眼鏡方式中,左眼用圖像和右眼用圖像與設(shè)置于一對(duì)眼鏡的快門同步地交替顯示在顯示裝置的屏幕上,由此觀察者的左眼可以只看到左眼用圖像,并且觀察者的右眼可以只看到右眼用圖像。如此,觀察者可以看到立體圖像。
[0004]此外,在觀察者可以由裸眼看到立體圖像的使用視差阻擋方式的顯示裝置中,屏幕被分割為多個(gè)區(qū)域(例如,帶狀區(qū)域)。該區(qū)域交替地分配于右眼用區(qū)域和左眼用區(qū)域,并且視差阻擋與該區(qū)域的境界重疊地設(shè)置。在各自分割區(qū)域中,右眼用圖像顯示在右眼用區(qū)域上,并且左眼用圖像顯示在左眼用區(qū)域上。通過(guò)使用視差阻擋,用來(lái)顯示右眼用圖像的區(qū)域從觀察者的左眼看不到,用來(lái)顯示左眼用圖像的區(qū)域從觀察者的右眼看不到;其結(jié)果,左眼可以只看到左眼用圖像,并且右眼可以只看到右眼用圖像。如此,觀察者可以由裸眼看到立體圖像。
[0005]注意,已知包括用來(lái)實(shí)現(xiàn)平面圖像顯示模式與立體圖像顯示模式的切換的可變視差阻擋的顯示裝置(專利文獻(xiàn)I)。
[0006]此外,已知包含發(fā)光有機(jī)化合物的層設(shè)置于一對(duì)電極之間的發(fā)光元件。因?yàn)檫@種發(fā)光元件是自發(fā)光型,所以實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度以及對(duì)輸入信號(hào)的高速響應(yīng)。已知這種發(fā)光元件被應(yīng)用的顯示裝置(專利文獻(xiàn)2)。
[0007][參考文獻(xiàn)]
[0008][專利文獻(xiàn)]
[0009][專利文獻(xiàn)I]PCT 國(guó)際公布 N0.W02004/003630
[0010][專利文獻(xiàn)2]日本專利申請(qǐng)公開2011-238908號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]在利用使用雙眼視差顯示立體圖像的顯示裝置的情況下,顯示裝置的屏幕和觀察者的左眼或右眼之間的距離與顯示的圖像無(wú)關(guān)而大致一致。因此,在有些情況下,觀察者與觀察者的左眼或右眼對(duì)準(zhǔn)焦距的屏幕的距離不同于觀察者與顯示在該屏幕的圖像中的觀察對(duì)象之間的產(chǎn)生雙眼視差的距離。因此,有因該不同導(dǎo)致的使觀察者疲勞的問(wèn)題。
[0012]本發(fā)明是鑒于上述技術(shù)背景而提供的。因此,本發(fā)明的課題之一是提供一種能夠顯示減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的顯示裝置。另一個(gè)課題是提供一種用來(lái)欣賞減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的電子設(shè)備。
[0013]為了解決上述課題,本發(fā)明的一個(gè)方式是著眼于單眼觀察所產(chǎn)生的縱深感而創(chuàng)作出的。于是,構(gòu)想出具有本說(shuō)明書所例示的結(jié)構(gòu)的顯示裝置。
[0014]此外,本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了通過(guò)更精確地表現(xiàn)觀察者所觀察的圖像中的黑暗部,可以提供感覺到更強(qiáng)的縱深感的圖像。然后,本發(fā)明人構(gòu)想出附加將包括在輸入到本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的圖像信號(hào)(也稱為圖像來(lái)源)中的圖像轉(zhuǎn)換為給觀察者更強(qiáng)的縱深感的圖像的電路。
[0015]當(dāng)觀察者看到某個(gè)現(xiàn)實(shí)的對(duì)象物時(shí),即便用單眼觀看也可以根據(jù)該對(duì)象物的表面反射的明暗來(lái)識(shí)別該對(duì)象物的表面的質(zhì)感并感受到立體效果。再者,觀察者可以根據(jù)被該對(duì)象物遮光而聚焦在背景的陰影部中的亮度梯度來(lái)得知對(duì)象物和背景之間的位置關(guān)系。因此,在顯示于顯示裝置中的圖像中,尤其通過(guò)更精確地表現(xiàn)黑暗部,可以顯示能夠給觀察者豐富的縱深感的圖像。
[0016]現(xiàn)有的圖像信號(hào)具有規(guī)定的灰度,且根據(jù)顯示裝置可具有的亮度的動(dòng)態(tài)范圍從最低亮度到最高亮度線形地表現(xiàn)灰度。然而,在沒有黑暗部和明亮部之間的區(qū)別地以恒定亮度間隔表現(xiàn)的現(xiàn)有圖像中,不能精確地再現(xiàn)黑暗部的亮度差異,因此這種圖像難以給觀察者縱深感而被識(shí)別為平面圖像。
[0017]由此,具有規(guī)定的灰度的圖像信號(hào)需要轉(zhuǎn)換為能夠以高級(jí)灰度表現(xiàn)低亮度一側(cè)上的圖像的圖像信號(hào)。
[0018]如此,本發(fā)明的一個(gè)方式是一種包括顯示部以及灰度轉(zhuǎn)換部的顯示裝置。顯示部具有80%以上的NTSC比以及500以上的對(duì)比度。在顯示部中,以80ppi以上的分辨率設(shè)置有包括能夠在100 μ s的響應(yīng)時(shí)間內(nèi)發(fā)射光譜線半寬度(spectral line half-width)為60nm以下的光的發(fā)光模塊的像素。灰度轉(zhuǎn)換部將輸入到該灰度轉(zhuǎn)換部的第一圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二圖像信號(hào)并將該第二圖像信號(hào)傳送到顯示部。第一圖像信號(hào)具有P灰度級(jí)(P是自然數(shù))。第二圖像信號(hào)是經(jīng)過(guò)了灰度轉(zhuǎn)換處理的信號(hào),其中在第一圖像信號(hào)中從最低亮度到第q值的q個(gè)灰度級(jí)中的每個(gè)進(jìn)一步分割為Z個(gè)值。在此,Q為I以上且p/2以下,并且r為I以上且20以下。
[0019]在包括在這種顯示裝置中的顯示部中,可以使圖像中的光和陰影的分布變寬,由此能夠顯示細(xì)致的圖像。此外,可以平滑地顯示忠于攝影技巧的圖像。因此,觀察者通過(guò)單眼觀察感覺到更強(qiáng)的縱深感,于是能夠消除在一個(gè)屏幕上顯示包括雙眼視差的圖像的需要。此外,觀察者可以由裸眼看到圖像。其結(jié)果,能夠減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞并能夠顯示讓觀察者感覺到較強(qiáng)的縱深感的圖像。
[0020]此外,因?yàn)橄袼匕òl(fā)射光譜線半寬度窄且顏色純度高的光的發(fā)光模塊,所以NTSC比高且對(duì)比度高。由此,可以顯示具有寬灰度范圍的圖像。由于像素包括具有較短的響應(yīng)時(shí)間的發(fā)光元件,所以可以平滑地顯示有運(yùn)動(dòng)的圖像。由此,可以表現(xiàn)其前面圖像在重疊于后面圖像的狀態(tài)下比后面圖像更快地平滑地移動(dòng)的動(dòng)態(tài)圖像。寬灰度范圍和平滑動(dòng)態(tài)互相作用,讓觀察者看到有強(qiáng)烈的縱深感的圖像。
[0021]再者,通過(guò)使用灰度轉(zhuǎn)換部增加低亮度區(qū)域中的灰度級(jí)數(shù),可以精確地表現(xiàn)黑暗部。通過(guò)與上述顯示部組合,可以相乘地使圖像中的光和陰影的分布變寬,由此,可以忠實(shí)地再現(xiàn)對(duì)象物的表面的質(zhì)感、對(duì)象物所產(chǎn)生的陰影部的陰影等。如此,可以顯示能夠給觀察者豐富的縱深感的圖像。
[0022]本發(fā)明的另一個(gè)方式包括顯示部以及灰度轉(zhuǎn)換部。顯示部具有80%以上的NTSC比以及500以上的對(duì)比度。在顯示部中,以80ppi以上的分辨率設(shè)置有包括能夠在ΙΟΟμ s的響應(yīng)時(shí)間內(nèi)發(fā)射光譜線半寬度為60nm以下的光的發(fā)光模塊的像素。發(fā)光模塊包括:反射膜;半透射.半反射膜;設(shè)置在反射膜和半透射.半反射膜之間且包括一對(duì)電極、一對(duì)電極之間的包含發(fā)光有機(jī)化合物的多個(gè)層以及包含發(fā)光有機(jī)化合物的層之間的中間層的發(fā)光元件;以及隔著半透射.半反射膜與發(fā)光元件重疊的濾色片?;叶绒D(zhuǎn)換部將輸入到該灰度轉(zhuǎn)換部的第一圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二圖像信號(hào)并將該第二圖像信號(hào)傳送到顯示部。第一圖像信號(hào)具有P灰度級(jí)(P是自然數(shù))。第二圖像信號(hào)是經(jīng)過(guò)了將從最低亮度到第q值的q個(gè)灰度級(jí)中的每個(gè)進(jìn)一步分割為Z個(gè)值的灰度轉(zhuǎn)換處理的信號(hào)。在此,q為I以上且p/2以下,并且r為I以上且20以下。
[0023]通過(guò)具有這種結(jié)構(gòu),光在反射膜和半透射?半反射膜之間互相干涉,具有400nm以上且小于SOOnm的波長(zhǎng)的光中的特定的光被加強(qiáng),并且不需要的光被濾色片吸收。因此,可以由光譜線寬度較窄(具體而言,60nm以下)的光顯示高色彩飽和度的圖像,從而可以給觀察者更強(qiáng)的縱深感。其結(jié)果,能夠提供一種可以顯示減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的顯示裝置。
[0024]在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方式的顯示裝置中的任一中,灰度轉(zhuǎn)換部將包括在第一圖像信號(hào)中的圖像分割為多個(gè)區(qū)域,抽出各區(qū)域中的亮度分布,基于亮度分布決定是否在各區(qū)域中進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理,并對(duì)需要灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域進(jìn)行該灰度轉(zhuǎn)換處理。
[0025]通過(guò)具有這種結(jié)構(gòu),灰度轉(zhuǎn)換處理不在第一圖像信號(hào)所包括的圖像的所有區(qū)域中進(jìn)行,而在需要灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域中進(jìn)行。由此,可以使灰度轉(zhuǎn)換部的處理速度得到提高。再者,因?yàn)榛叶绒D(zhuǎn)換部在無(wú)需該處理的區(qū)域中不會(huì)進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理,所以可以減少顯示裝置的驅(qū)動(dòng)耗電量。
[0026]在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方式的顯示裝置中的任一中,設(shè)置于像素中的發(fā)光模塊是包括透射呈現(xiàn)紅色的光的濾色片以及其間的光學(xué)距離為600nm以上且短于SOOnm的長(zhǎng)度的i/2倍(i是自然數(shù))的反射膜及半透射.半反射膜的第一發(fā)光模塊、包括透射呈現(xiàn)綠色的光的濾色片以及其間的光學(xué)距離為500nm以上且短于600nm的長(zhǎng)度的j/2倍(j是自然數(shù))的反射膜及半透射.半反射膜的第二發(fā)光模塊、或者包括透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的濾色片以及其間的光學(xué)距離為400nm以上且短于500nm的長(zhǎng)度的k/2倍(k是自然數(shù))的反射膜及半透射.半反射膜的第三發(fā)光模塊。
[0027]此外,在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方式的顯示裝置中的任一中,設(shè)置于像素中的發(fā)光模塊是包括透射呈現(xiàn)紅色的光的濾色片以及其間的光學(xué)距離為600nm以上且短于SOOnm的長(zhǎng)度的i/2倍(i是自然數(shù))的反射膜及半透射?半反射膜的第一發(fā)光模塊、包括透射呈現(xiàn)綠色的光的濾色片以及其間的光學(xué)距離為500nm以上且短于600nm的長(zhǎng)度的j/2倍(j是自然數(shù))的反射膜及半透射.半反射膜的第二發(fā)光模塊、或者包括透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的濾色片以及其間的光學(xué)距離為400nm以上且短于500nm的長(zhǎng)度的k/2倍(k是自然數(shù))的反射膜及半透射.半反射膜的第三發(fā)光模塊。第一發(fā)光模塊、第二發(fā)光模塊及第三發(fā)光模塊共享一個(gè)包含發(fā)光有機(jī)化合物的層。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方式的上述顯不裝置中的任一中,在發(fā)光模塊中,一對(duì)電極的一個(gè)電極兼作反射膜,另一個(gè)電極兼作半透射.半反射膜。
[0029]通過(guò)具有上述結(jié)構(gòu),可以提高從各發(fā)光模塊發(fā)射的光的顏色純度。再者,可以在一個(gè)步驟中形成包含發(fā)光有機(jī)化合物的層。并且,一對(duì)電極可以兼作反射膜及半透射.半反射膜。因此,可以使制造工序簡(jiǎn)化。由此,能夠提供一種可以容易制造且顯示減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的顯示裝置。
[0030]尤其是,微腔的使光譜線半寬度變窄的效果好,并且分辨率越高越使像素不明顯的效果也好。再者,人腦容易識(shí)別有運(yùn)動(dòng)的圖像以及從靜態(tài)圖像變?yōu)閯?dòng)態(tài)圖像的圖像。因此,通過(guò)提高顏色純度并使像素變得更不明顯,可以顯示更平滑的動(dòng)態(tài)圖像,由此,能夠提供一種可以顯示減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的顯示裝置。
[0031]在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方式的顯示裝置中的任一中,設(shè)置在像素中的發(fā)光模塊發(fā)射呈現(xiàn)其窄于50nm的光譜線半寬度的紅色的光、呈現(xiàn)其光譜線半寬度窄于呈現(xiàn)紅色的光的光譜線半寬度的綠色的光、或呈現(xiàn)其光譜線半寬度窄于呈現(xiàn)綠色的光的光譜線半寬度的藍(lán)色的光。
[0032]在這種結(jié)構(gòu)中,其光度高于呈現(xiàn)紅色的光的呈現(xiàn)綠色的光的半寬度窄于呈現(xiàn)紅色的光的半寬度,并且呈現(xiàn)藍(lán)色的光的半寬度窄于呈現(xiàn)綠色的光的半寬度。由此,可以使用具有較窄的光譜線半寬度(具體而言,50nm以下)的光顯示色彩飽和度高的圖像,并且縱深感得到增強(qiáng)。
[0033]本發(fā)明的一個(gè)方式是包括上述顯示裝置中的任一個(gè)的電子設(shè)備。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式,光和陰影的分布較寬的圖像顯示在電子設(shè)備上。此外,忠于攝影技巧的圖像平滑地顯示在電子設(shè)備上。因此,觀察者通過(guò)單眼觀察感覺到更強(qiáng)的縱深感,于是能夠消除在一個(gè)屏幕上顯示包括雙眼視差的圖像的需要。此外,觀察者可以由裸眼看到圖像。由此,能夠提供一種欣賞到減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的電子設(shè)備。
[0035]注意,本說(shuō)明書中“光學(xué)距離”是指距離和折射率的乘積。因此,折射率大于I的介質(zhì)的光學(xué)距離長(zhǎng)于實(shí)質(zhì)上的距離。注意,可以通過(guò)測(cè)量光學(xué)干涉得到微諧振器(也稱為微腔)的諧振器內(nèi)部的光學(xué)距離。具體而言,通過(guò)使用如下方法得到諧振器內(nèi)部的光學(xué)距離:使用分光光度計(jì)測(cè)量入射光與反射光的強(qiáng)度比并繪制相對(duì)于波長(zhǎng)的所測(cè)量的該強(qiáng)度比。
[0036]注意,在本說(shuō)明書中,顯示裝置在其范疇中包括如下模塊中的任一個(gè):連接器諸如柔性印刷電路(FPC)或帶式載體封裝(TCP)被安裝于顯示面板的模塊;具有在其端部設(shè)置有印刷線路板的TCP的模塊;以及具有通過(guò)玻璃上芯片(COG)方式直接安裝在形成有顯示部的襯底上的集成電路(IC)的模塊。
[0037]根據(jù)本發(fā)明,能夠提供一種可以顯示減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的顯示裝置。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0038]圖1是說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的顯示裝置的圖;
[0039]圖2A至2C是說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的顯示裝置的顯示部的圖;
[0040]圖3是說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的圖像處理裝置的圖;
[0041]圖4A至4C是說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的灰度轉(zhuǎn)換處理的圖;
[0042]圖5A至是說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的灰度轉(zhuǎn)換處理的圖;
[0043]圖6A至6D是說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的灰度轉(zhuǎn)換處理的圖;
[0044]圖7A至7C是說(shuō)明能夠應(yīng)用于根據(jù)實(shí)施方式的顯示裝置的發(fā)光元件的圖;
[0045]圖8A至SE分別示出包括根據(jù)實(shí)施方式的顯示裝置的電子設(shè)備;
[0046]圖9示出包括在根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊中的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu);
[0047]圖1OA至1C是分別示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊的發(fā)射光譜的圖表;
[0048]圖11是繪制從根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊發(fā)射的光的顏色的色品圖;
[0049]圖12A和12B是示出從根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊發(fā)射的光的亮度的時(shí)間依賴性的圖表。
【具體實(shí)施方式】
[0050]將參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。注意,本發(fā)明不局限于下面的描述,并且所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員將會(huì)容易地理解一個(gè)事實(shí),就是本發(fā)明的方式和詳細(xì)內(nèi)容可以在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下被變換為各種各樣的形式。因此,本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定于下面實(shí)施方式中的描述。注意,在以下說(shuō)明的發(fā)明結(jié)構(gòu)中,在不同的附圖之間共同使用同一附圖標(biāo)記來(lái)表示同一部分或具有同一功能的部分,而省略其重復(fù)說(shuō)明。
[0051]注意,在本說(shuō)明書所說(shuō)明的各個(gè)附圖中,在有些情況下為了明確起見,夸大表示各構(gòu)成要素的大小、層的厚度、區(qū)域。因此,本發(fā)明的實(shí)施方式并不一定限定于這種尺寸。
[0052]實(shí)施方式I
[0053]在本實(shí)施方式中,參照【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例。
[0054]圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例的框圖。
[0055]顯示裝置100包括顯示部101、驅(qū)動(dòng)電路部103、驅(qū)動(dòng)電路部104、控制電路部105、圖像處理裝置107以及解碼電路部109。
[0056]對(duì)解碼電路部109輸入被壓縮或符號(hào)化的圖像信號(hào)S0,解碼電路部109解碼該圖像信號(hào)S0,并將其轉(zhuǎn)換為第一圖像信號(hào)SI。在此被轉(zhuǎn)換的第一圖像信號(hào)SI被傳送到圖像處理裝置107。
[0057]圖像處理裝置107將被輸入的第一圖像信號(hào)SI轉(zhuǎn)換為包括適合在顯示部101顯示的圖像數(shù)據(jù)的第二圖像信號(hào)S2。
[0058]圖像處理裝置107至少包括灰度轉(zhuǎn)換部111?;叶绒D(zhuǎn)換部111對(duì)具有P灰度級(jí)的第一圖像信號(hào)SI進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理,從而生成第二圖像信號(hào)S2。在灰度轉(zhuǎn)換處理中,在第一圖像信號(hào)SI中從最低亮度到第q值的q個(gè)灰度級(jí)中的每個(gè)進(jìn)一步分割為Z個(gè)值。在此,q是I以上且p/2以下,并且r是I以上且20以下。
[0059]注意,在后面的實(shí)施方式中對(duì)圖像處理裝置107進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0060]在圖像處理裝置107中轉(zhuǎn)換的第二圖像信號(hào)S2被傳送到控制電路部105。
[0061]控制電路部105根據(jù)第二圖像信號(hào)S2將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳送到驅(qū)動(dòng)顯示部101的驅(qū)動(dòng)電路部103及驅(qū)動(dòng)電路部104的每一個(gè)。
[0062]控制電路部105例如可以包括DA轉(zhuǎn)換器、放大器電路、寄存器電路等。
[0063]驅(qū)動(dòng)電路部103及104根據(jù)從控制電路部105輸入的驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)顯示部101中的像素并將圖像顯示在顯示部101。
[0064]顯示部101可以顯示抗眼疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像。
[0065]〈顯示部的結(jié)構(gòu)實(shí)例〉
[0066]下面,詳細(xì)地說(shuō)明顯示部101的結(jié)構(gòu)實(shí)例。
[0067]本實(shí)施方式所例示的顯示面板400在第一襯底410上包括顯示部101。顯示部101包括多個(gè)像素402。像素402包括多個(gè)子像素(例如,三個(gè)子像素)(圖2A)。在第一襯底410上,除了顯示部101之外還設(shè)置有驅(qū)動(dòng)該顯示部101的源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路部104以及柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路部103。注意,驅(qū)動(dòng)電路部可以設(shè)置于外部,而不設(shè)置于第一襯底410上。
[0068]顯示面板400包括外部輸入端子,并從FPC (柔性印刷電路)409接收視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、起始信號(hào)、復(fù)位信號(hào)等。注意,雖然在此僅說(shuō)明FPC,但可以將印刷線路板(PWB)安裝在FPC上。本說(shuō)明書中的顯示面板不僅包括顯示面板主體,并且還包括組裝有FPC或PWB的顯示面板。
[0069]密封劑405貼合第一襯底410和第二襯底440。在該兩者襯底之間形成的空間431中密封有顯示部101 (參照?qǐng)D2B)。
[0070]<顯示面板的結(jié)構(gòu)>
[0071]參照?qǐng)D2B說(shuō)明包括顯示面板400的截面圖的結(jié)構(gòu)。顯示面板400包括源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路部104、包括在像素402中的子像素402G以及引繞布線408。注意,在本實(shí)施方式中例示的顯示面板400的顯示部101在以附圖中的箭頭表示的方向上發(fā)射光,從而顯示圖像。
[0072]作為源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路部104形成組合η溝道型晶體管413和ρ溝道型晶體管414的CMOS電路。注意,驅(qū)動(dòng)電路不局限于該結(jié)構(gòu),可以為各種電路如CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路。
[0073]弓丨繞布線408將從外部輸入端子輸入的信號(hào)傳送到源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路部104及柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路部103。
[0074]子像素402G包括開關(guān)晶體管411、電流控制晶體管412以及發(fā)光模塊450G。注意,絕緣層416及分隔壁418被形成于晶體管411等上。發(fā)光模塊450G包括反射膜、半透射.半反射膜、反射膜和半透射.半反射膜之間的發(fā)光元件420G、以及設(shè)置于從發(fā)光元件420G發(fā)射的光被取出的半反射膜一側(cè)上的濾色片441G。在本實(shí)施方式所例不的發(fā)光模塊450G中,將發(fā)光元件420G的第一電極421G以及第二電極422分別兼作反射膜以及半透射?半反射膜。注意,顯示在顯示部101的圖像的方向取決于從發(fā)光元件420G發(fā)射的光被取出的方向。
[0075]此外,以圍繞濾色片441G的方式形成遮光膜442。遮光膜442防止顯示面板400反射外光的現(xiàn)象,且具有提高顯示在顯示部101的圖像的對(duì)比度的效果。注意,濾色片441G和遮光膜442形成在第二襯底440上。
[0076]絕緣層416是具有用來(lái)使起因于晶體管411等的結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的臺(tái)階平坦化或抑制雜質(zhì)擴(kuò)散到晶體管411等的絕緣性的層。絕緣層416可以為單層或疊層。分隔壁418是具有開口的絕緣層,并且發(fā)光元件420G形成在分隔壁418的開口中。
[0077]發(fā)光兀件420G包括第一電極421G、第二電極422以及包含發(fā)光有機(jī)化合物的層423。
[0078][晶體管的結(jié)構(gòu)]
[0079]在圖2A所例示的顯示面板400中使用頂柵型晶體管。各種結(jié)構(gòu)的晶體管可被用于源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路部104、柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路部103以及子像素。注意,各種半導(dǎo)體可被用于形成有這些晶體管的溝道的區(qū)域。具體而言,可以使用非晶硅、多晶硅、單晶硅、氧化物半導(dǎo)體等。
[0080]當(dāng)將氧化物半導(dǎo)體用于形成有晶體管的溝道的區(qū)域時(shí),該晶體管可以比其中使用非晶硅的晶體管小,其結(jié)果可以在顯示部中實(shí)現(xiàn)高分辨率的像素。
[0081]例如,可用于晶體管的半導(dǎo)體層的氧化物半導(dǎo)體膜可以處于非單晶狀態(tài)。非單晶狀態(tài)例如由c軸取向結(jié)晶(CAAC:C Axis Aligned Crystal)、多晶、微晶和非晶部之中的至少一個(gè)構(gòu)成。非晶部的缺陷態(tài)密度高于微晶和CAAC。微晶的缺陷態(tài)密度高于CAAC。注意,包括CAAC的氧化物半導(dǎo)體被稱為CAAC-0S(C Axis Aligned Crystalline OxideSemiconductor:c軸取向結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體)。
[0082]例如,氧化物半導(dǎo)體膜可以包括CAAC-0S。在CAAC-OS中,例如,c軸取向,并且a軸及/或b軸在宏觀上不一致。
[0083]例如,氧化物半導(dǎo)體膜可以包括微晶。注意,包括微晶的氧化物半導(dǎo)體被稱為微晶氧化物半導(dǎo)體。微晶氧化物半導(dǎo)體膜例如包括大于或等于Inm且小于1nm的尺寸的微晶(也稱為納米晶)。
[0084]例如,氧化物半導(dǎo)體膜可以包括非晶部。注意,包括非晶部的氧化物半導(dǎo)體被稱為非晶氧化物半導(dǎo)體。非晶氧化物半導(dǎo)體膜例如具有無(wú)秩序的原子排列且不具有結(jié)晶成分。另外,非晶氧化物半導(dǎo)體膜例如是完全的非晶并不具有結(jié)晶部。
[0085]注意,氧化物半導(dǎo)體膜可以是包括CAAC-0S、微晶氧化物半導(dǎo)體和非晶氧化物半導(dǎo)體之中的任一個(gè)的混合膜?;旌夏だ绨ǚ蔷а趸锇雽?dǎo)體的區(qū)域、微晶氧化物半導(dǎo)體的區(qū)域和CAAC-OS的區(qū)域。并且,混合膜例如可以具有包括非晶氧化物半導(dǎo)體的區(qū)域、微晶氧化物半導(dǎo)體的區(qū)域和CAAC-OS的區(qū)域的疊層結(jié)構(gòu)。
[0086]注意,氧化物半導(dǎo)體膜例如可以處于單晶狀態(tài)。
[0087]氧化物半導(dǎo)體膜優(yōu)選包括多個(gè)結(jié)晶部。在每個(gè)結(jié)晶部中,c軸優(yōu)選在平行于形成有氧化物半導(dǎo)體膜的表面的法線向量或氧化物半導(dǎo)體膜的表面的法線向量的方向上一致。注意,在結(jié)晶部當(dāng)中,一個(gè)結(jié)晶部的a軸和b軸的方向可以不同于另一個(gè)結(jié)晶部的a軸和b軸的方向。這種氧化物半導(dǎo)體膜的一個(gè)例子是CAAC-OS膜。
[0088]注意,在大多情況下,CAAC-OS膜中的結(jié)晶部的尺寸相當(dāng)于一個(gè)邊長(zhǎng)小于10nm的立方體。在利用透射電子顯微鏡(TEM:Transmiss1nElectron Microscope)所得到的圖像中,沒有清楚地觀察到CAAC-OS膜中的結(jié)晶部與結(jié)晶部之間的邊界。并且,利用TEM,沒有清楚地觀察到CAAC-OS膜中的晶界(grain boundary)。因此,在CAAC-OS膜中,起因于晶界的電子遷移率的降低得到抑制。
[0089]在包括在CAAC-OS膜中的每個(gè)結(jié)晶部中,例如c軸在平行于形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。并且,在每個(gè)結(jié)晶部中,當(dāng)從垂直于ab面的方向觀看時(shí)金屬原子排列為三角形或六角形的結(jié)構(gòu),并且當(dāng)從垂直于c軸的方向觀看時(shí),金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。注意,在結(jié)晶部當(dāng)中,一個(gè)結(jié)晶部的a軸和b軸的方向可以不同于另一個(gè)結(jié)晶部的a軸和b軸的方向。在本說(shuō)明書中,“垂直”的用語(yǔ)包括從80°到100°的范圍,優(yōu)選包括從85°到95°的范圍。此外,“平行”的用語(yǔ)包括從-10°到10°的范圍,優(yōu)選包括從-5°到5°的范圍。
[0090]在CAAC-OS膜中,結(jié)晶部的分布不一定是均勻的。例如,在CAAC-OS膜的形成工序中,在從氧化物半導(dǎo)體膜的表面一側(cè)產(chǎn)生結(jié)晶生長(zhǎng)的情況下,有時(shí)氧化物半導(dǎo)體膜的表面附近的結(jié)晶部的比例高于形成有氧化物半導(dǎo)體膜的表面附近的結(jié)晶部的比例。并且,當(dāng)將雜質(zhì)添加到CAAC-OS膜時(shí),在有些情況下添加有雜質(zhì)的區(qū)域中的結(jié)晶部的結(jié)晶性降低。
[0091]因?yàn)榘ㄔ贑AAC-OS膜中的結(jié)晶部的c軸在平行于形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致,所以根據(jù)CAAC-OS膜的形狀(形成有CAAC-OS膜的表面的截面形狀或CAAC-OS膜的表面的截面形狀)而c軸的方向可以互不相同。注意,伴隨成膜會(huì)形成結(jié)晶部,或者在成膜之后通過(guò)晶化處理諸如加熱處理形成結(jié)晶部。因此,結(jié)晶部的c軸在平行于形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。
[0092]在使用CAAC-OS膜的晶體管中,起因于可見光或紫外光的照射的電特性變動(dòng)小。因此,該晶體管具有高可靠性。
[0093]在通過(guò)濺射法形成CAAC-OS膜的情況下,成膜中的襯底溫度優(yōu)選為高。例如,通過(guò)在100°C以上且600°C以下,優(yōu)選為200°C以上且500°C以下,更優(yōu)選為150°C以上且450°C以下的襯底加熱溫度下形成氧化物膜,可以形成CAAC-OS膜。
[0094]用于濺射法的電源優(yōu)選由直流(DC)電源供給。注意,可以使用高頻(RF)電源或交流(AC)電源。注意,難以將RF電源用于能夠在大尺寸襯底上進(jìn)行成膜的濺射裝置。此夕卜,從以下的觀點(diǎn)來(lái)看,DC電源比AC電源優(yōu)選。
[0095]在作為派射用祀材使用In-Ga-Zn-O化合物祀材的情況下,例如優(yōu)選使用以2:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3、3:1:2或3:1:4 的摩爾數(shù)比混合 InOx 粉末、GaOy 粉末及ZnOz粉末形成的In-Ga-Zn-O化合物祀材。x、y、z是任意正數(shù)。注意,派射用祀材可以是多晶。
[0096]此外,通過(guò)使用磁控,可以由于磁場(chǎng)而使濺射用靶材附近的等離子區(qū)域的密度增高。例如,在磁控濺射裝置中,磁石組裝體位于濺射用靶材的后面,并且磁場(chǎng)產(chǎn)生在濺射靶材的前面。當(dāng)濺射用靶材的濺射時(shí),該磁場(chǎng)俘獲電離的電子以及通過(guò)濺射產(chǎn)生的二次電子。這樣被俘獲的電子提高與成膜室內(nèi)的惰性氣體如稀有氣體等的碰撞概率,從而等離子體密度增高。由此,可以提高成膜速度,而無(wú)需顯著增高元件形成層的溫度。
[0097]在通過(guò)濺射法形成CAAC-OS膜的情況下,例如優(yōu)選減少在濺射裝置的成膜室中存在的雜質(zhì)(例如,氫、水、二氧化碳及氮)。此外,優(yōu)選減少成膜氣體中的雜質(zhì)濃度。例如,通過(guò)作為成膜氣體諸如氧氣體或氬氣體等使用露點(diǎn)為_40°C以下,優(yōu)選為_80°C以下,更優(yōu)選為-100°C以下的高純度氣體,可以抑制雜質(zhì)混入到CAAC-OS膜。
[0098]在通過(guò)濺射法形成CAAC-OS膜的情況下,在通過(guò)增高成膜氣體中的氧的比例并使電力最優(yōu)化來(lái)進(jìn)行成膜時(shí),優(yōu)選抑制等離子體損傷。例如,成膜氣體中的氧百分比優(yōu)選為30vol%以上,更優(yōu)選為10vol%。
[0099]在通過(guò)濺射法形成CAAC-OS膜的情況下,在進(jìn)行成膜時(shí)除了襯底加熱之外,還可以進(jìn)行加熱處理。通過(guò)加熱處理,例如可以減少氧化物半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)濃度。
[0100]該加熱處理在350°C以上且低于襯底的應(yīng)變點(diǎn)的溫度進(jìn)行,或者可以在350°C以上且450°C以下的溫度進(jìn)行。注意,該加熱處理也可以進(jìn)行多次。
[0101]對(duì)用于該加熱處理的加熱處理裝置沒有特別的限制,并可以使用快速熱退火(RTA:Rapid Thermal Annealing)裝置諸如氣體快速熱退火(GRTA:Gas Rapid ThermalAnnealing)裝置或燈快速熱退火(LRTA:Lamp Rapid Thermal Annealing)裝置等。另夕卜,可以使用其他加熱處理裝置諸如電爐等。
[0102]如上述工序所示,通過(guò)在成膜時(shí)防止氫、水等侵入膜中,減少氧化物半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)濃度。通過(guò)在形成氧化物半導(dǎo)體膜之后進(jìn)行加熱處理去除氧化物半導(dǎo)體膜所包含的氫、水等,可以減少雜質(zhì)濃度。此后,通過(guò)向氧化物半導(dǎo)體膜供應(yīng)氧以填充氧缺陷,從而使氧化物半導(dǎo)體膜高純度化。再者,也可以對(duì)氧化物半導(dǎo)體膜添加氧。高純度化的氧化物半導(dǎo)體是i型(本征)半導(dǎo)體或無(wú)限趨近于i型的半導(dǎo)體。此外,無(wú)限趨近于i型的氧化物半導(dǎo)體膜的載流子密度低于I X 11Vcm3,低于I X 11Vcm3或低于I X 1013/cm3。
[0103]當(dāng)將單晶半導(dǎo)體用于形成有晶體管的溝道的區(qū)域時(shí),可以減少晶體管的尺寸,從而可以在顯示部中實(shí)現(xiàn)高分辨率的像素。
[0104]作為用來(lái)形成半導(dǎo)體層的單晶半導(dǎo)體,典型地,可以使用由屬于第14族的元素構(gòu)成的單晶半導(dǎo)體襯底諸如單晶硅襯底、單晶鍺襯底或單晶硅鍺襯底等、以及化合物半導(dǎo)體襯底(例如,SiC襯底、藍(lán)寶石襯底及GaN襯底)的半導(dǎo)體襯底。優(yōu)選的是在絕緣表面上設(shè)置有單晶半導(dǎo)體層的絕緣體上娃(SOI:Silicon On Insulator)襯底。
[0105]可以使用以下方法制造SOI襯底:在將氧離子注入鏡面拋光晶片之后,以高溫對(duì)該晶片進(jìn)行加熱,來(lái)在離該晶片表面有指定深度處形成氧化層并消除產(chǎn)生在表面層中的缺陷;通過(guò)利用由氫離子照射形成的微孔的生長(zhǎng)(該生長(zhǎng)通過(guò)熱處理來(lái)實(shí)現(xiàn))來(lái)分離半導(dǎo)體襯底;或者通過(guò)利用結(jié)晶生長(zhǎng)在絕緣表面上形成單晶半導(dǎo)體層的方法。
[0106]在本實(shí)施方式中,穿過(guò)單晶半導(dǎo)體襯底的一個(gè)面添加離子,在離單晶半導(dǎo)體襯底的一個(gè)面有一定深度處形成脆化層,并在單晶半導(dǎo)體襯底的一個(gè)面上或第一襯底410上形成絕緣層。接著,在隔著絕緣層將設(shè)置有脆化層的單晶半導(dǎo)體襯底和第一襯底410貼合在一起的狀態(tài)下進(jìn)行熱處理,以使裂縫產(chǎn)生在脆化層中來(lái)沿著脆化層分離單晶半導(dǎo)體襯底。如此,將從單晶半導(dǎo)體襯底分離的單晶半導(dǎo)體層作為半導(dǎo)體層形成在第一襯底410上。注意,作為第一襯底410可以使用玻璃襯底。
[0107]另外,可以在半導(dǎo)體襯底中形成相互電分離的區(qū)域,以便利用該相互電分離的區(qū)域形成晶體管411、412。
[0108]當(dāng)使用單晶半導(dǎo)體形成溝道形成區(qū)域時(shí),可以減少因晶界處的鍵缺陷的晶體管的電特性如閾值電壓等的不均勻。由此,在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示面板中,可以使發(fā)光元件正常地工作,而無(wú)需在各像素中配置用來(lái)補(bǔ)償閾值電壓的電路。因此,可以減少一個(gè)像素中的電路要素的數(shù)量,從而提高了布局的自由度。因此,可以實(shí)現(xiàn)高清顯示面板。例如,可以采用每英寸包括300以上像素(即,水平分辨率為300ppi (pixels per inch)以上),更優(yōu)選包括400以上像素(即,水平分辨率為400ppi以上)的配置為矩陣狀的多個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。
[0109]再者,其溝道形成區(qū)域由單晶半導(dǎo)體構(gòu)成的晶體管可以在保持高電流驅(qū)動(dòng)能力的同時(shí)實(shí)現(xiàn)微型化。通過(guò)利用該微型的晶體管可以縮小無(wú)助于顯示的電路部的面積,其結(jié)果在顯示部中顯示面積得到擴(kuò)大并實(shí)現(xiàn)顯示面板的窄邊框化。
[0110][像素的結(jié)構(gòu)]
[0111]參照?qǐng)D2C說(shuō)明包括在顯示部101中的像素402的結(jié)構(gòu)。
[0112]本實(shí)施方式所例示的像素402包括子像素402G。子像素402G包括發(fā)光元件420G,該發(fā)光元件420G包括兼作反射膜的第一電極421G、兼作半透射.半反射膜的第二電極422、包含發(fā)光有機(jī)化合物的層423a、包含發(fā)光有機(jī)化合物的層423b以及中間層424。此外,像素402包括與發(fā)光元件420G重疊地設(shè)置在第二電極422 —側(cè)的濾色片441G以及能夠在ΙΟΟμ s的響應(yīng)時(shí)間內(nèi)發(fā)射光譜的半寬度為60nm以下且波長(zhǎng)為400nm以上且低于800nm的光的發(fā)光模塊450G。
[0113]以SOppi以上,優(yōu)選以300ppi以上的分辨率將這種像素設(shè)置在顯示部101,由此設(shè)置NTSC比為80%以上,優(yōu)選為95%以上且對(duì)比度為500以上,優(yōu)選為2000以上的顯示裝置。因此,能夠提供一種可以顯示減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的顯示裝置。再者,光在反射膜和半透射?半反射膜之間互相干涉,具有400nm以上且小于SOOnm的波長(zhǎng)的光中的特定的光被加強(qiáng),并且不需要的光由濾色片吸收。于是,可以使用光譜線半寬度窄(具體而言,60nm以下)的光顯示高色彩飽和度圖像,從而可以給觀察者更強(qiáng)的縱深感。
[0114]此外,像素402包括發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光B的子像素402B、發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光G的子像素402G以及發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光R的子像素402R。各子像素都包括驅(qū)動(dòng)用晶體管和發(fā)光模塊。各發(fā)光模塊都包括反射膜、半透射.半反射膜、以及反射膜和半透射.半反射膜之間的發(fā)光兀件。
[0115]當(dāng)微諧振器形成于反射膜與半透射.半反射膜之間并發(fā)光元件形成于其間時(shí),具有特定的波長(zhǎng)的光可以高效地通過(guò)半透射.半反射膜被取出。具體而言,微諧振器的光學(xué)距離為被取出的光的波長(zhǎng)的n/2倍(η是自然數(shù)),由此可以提高光提取效率。被取出的光的波長(zhǎng)取決于反射膜和半透射.半反射膜之間的距離,并且該距離可以通過(guò)在該膜之間形成光學(xué)調(diào)整層來(lái)調(diào)整。
[0116]作為可用于光學(xué)調(diào)整層的材料可以應(yīng)用對(duì)可見光具有透光性的導(dǎo)電膜或包含發(fā)光有機(jī)化合物的層。例如,可以使用電荷產(chǎn)生區(qū)域調(diào)整該光學(xué)調(diào)整層的厚度。另外,因?yàn)榧幢愎鈱W(xué)調(diào)整層厚也能夠抑制驅(qū)動(dòng)電壓的增加,所以優(yōu)選將包含空穴傳輸性高的物質(zhì)和受主物質(zhì)的區(qū)域用于光學(xué)調(diào)整層。
[0117]作為發(fā)光元件的結(jié)構(gòu),在兼作反射膜的第一電極421G和兼作半透射?半反射膜的第二電極422之間設(shè)置發(fā)光兀件420G。發(fā)光兀件420G包括包含發(fā)光有機(jī)化合物的層423a、包含發(fā)光有機(jī)化合物的層423b以及中間層424。
[0118]注意,在實(shí)施方式3中詳細(xì)地說(shuō)明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)實(shí)例。
[0119]在此,在將液晶元件用于像素的顯示裝置的情況下,因?yàn)槲锢淼厥挂壕∠蜃兓瘉?lái)驅(qū)動(dòng)像素,所以不能充分地增加響應(yīng)時(shí)間。與此相反,上述發(fā)光元件的響應(yīng)時(shí)間比液晶元件更短。由此,使用這種發(fā)光元件的顯示裝置可以顯示平滑的動(dòng)態(tài)圖像,其中在顯示動(dòng)態(tài)圖像時(shí)不容易出現(xiàn)余像。其結(jié)果,可以得到能夠顯示更生動(dòng)、更立體的圖像且能夠給觀察者豐富的縱深感的顯示裝置。
[0120]本實(shí)施方式所例示的發(fā)光模塊都具有設(shè)置在發(fā)光模塊中的第二電極422兼作半透射?半反射膜的結(jié)構(gòu)。具體而言,發(fā)光元件420B、420G和420R共用的第二電極422兼作發(fā)光模塊450B、450G和450R的半透射.半反射膜。
[0121]此外,分別設(shè)置在發(fā)光模塊中且相互電分離的發(fā)光元件的第一電極兼作反射膜。具體而言,設(shè)置在發(fā)光兀件420B中的第一電極421B兼作發(fā)光模塊450B的反射膜,設(shè)置在發(fā)光兀件420G中的第一電極421G兼作發(fā)光模塊450G的反射膜,設(shè)置在發(fā)光兀件420R中的第一電極42IR兼作發(fā)光模塊450R的反射膜。
[0122]兼作發(fā)光模塊的反射膜的第一電極具有在反射膜上層疊有光學(xué)調(diào)整層的疊層結(jié)構(gòu)。光學(xué)調(diào)整層優(yōu)選由對(duì)可見光具有透光性的導(dǎo)電膜形成,并且反射膜優(yōu)選由對(duì)可見光具有高反射率的導(dǎo)電金屬膜形成。
[0123]根據(jù)從發(fā)光模塊取出的光的波長(zhǎng)調(diào)整光學(xué)調(diào)整層的厚度。
[0124]例如,第一發(fā)光模塊450B包括透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的濾色片441B、兼作反射膜的第一電極421B、以及兼作半透射.半反射膜的第二電極422,其中將第一電極421B與第二電極422之間的光學(xué)距離調(diào)整為400nm以上且低于500nm的長(zhǎng)度的k/2倍(k是自然數(shù))。
[0125]此外,第二發(fā)光模塊450G包括透射呈現(xiàn)綠色的光的濾色片441G、反射膜以及半透射.半反射膜,其中將反射膜與半透射.半反射膜之間的光學(xué)距離調(diào)整為500nm以上且低于600nm的長(zhǎng)度的j/2倍(j是自然數(shù))。
[0126]此外,第三發(fā)光模塊450R包括透射呈現(xiàn)紅色的光的濾色片441R、反射膜以及半透射.半反射膜,其中將反射膜與半透射.半反射膜之間的光學(xué)距離調(diào)整為600nm以上且低于800nm的長(zhǎng)度的i/2倍(i是自然數(shù))。
[0127]在這種發(fā)光模塊中,從發(fā)光元件發(fā)射的光在反射膜和半透射.半反射膜之間互相干涉,具有400nm以上且小于SOOnm的波長(zhǎng)的光中的具有特定波長(zhǎng)的光被加強(qiáng),并且濾色片吸收不需要的光。由此,可以使用光譜線半寬度窄(具體而言,60nm以下)的光顯示高色彩飽和度圖像,從而可以給觀察者更強(qiáng)的縱深感。因此,能夠提供一種可以顯示減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的顯示裝置。
[0128]尤其是,第三發(fā)光模塊450R發(fā)射呈現(xiàn)光譜線半寬度小于50nm的紅色的光,第二發(fā)光模塊450G發(fā)射呈現(xiàn)其光譜線半寬度小于從第三發(fā)光模塊450R發(fā)射的光的綠色的光,并且第一發(fā)光模塊450B發(fā)射呈現(xiàn)光譜線半寬度小于從第二發(fā)光模塊450G發(fā)射的光的藍(lán)色的光。
[0129]在具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光模塊中,亮度高的綠色光的半寬度窄于紅色光的半寬度,并且藍(lán)色光的半寬度窄于綠色光的半寬度。由此,可以使用光譜線半寬度窄(具體而言,50nm以下)的光顯示高色彩飽和度圖像,從而可以給觀察者更強(qiáng)的縱深感。
[0130]注意,第一發(fā)光模塊450B、第二發(fā)光模塊450G以及第三發(fā)光模塊450R都包括包含發(fā)光有機(jī)化合物的層423a、包含發(fā)光有機(jī)化合物的層423b以及中間層424。此外,發(fā)光元件的一對(duì)電極的一個(gè)電極兼作反射膜,另一個(gè)電極兼作半透射.半反射膜。
[0131]在具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光模塊中,可以在一個(gè)工序中形成多個(gè)發(fā)光模塊中的每個(gè)包含發(fā)光有機(jī)化合物的層。此外,一對(duì)電極兼作反射膜及半透射?半反射膜。由此,可以簡(jiǎn)化制造工序。因此,可以提供一種可以容易制造、顯示減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的顯示裝置。
[0132]此外,像素包括其各自發(fā)射光譜線半寬度窄且顏色純度高的光的發(fā)光模塊,所以增高NTSC比和對(duì)比度。由此,可以顯示具有寬灰度范圍的圖像。再者,像素中的發(fā)光元件的響應(yīng)時(shí)間較短,所以可以顯示平滑的動(dòng)態(tài)圖像。由此,可以表現(xiàn)如下動(dòng)態(tài)圖像:前面的圖像在重疊于后面的圖像的同時(shí)比后面的圖像更快地且平滑地移動(dòng)的動(dòng)態(tài)圖像。寬灰度范圍和平滑動(dòng)態(tài)互相作用,讓觀察者看到有強(qiáng)烈的縱深感的圖像。
[0133]尤其是,微腔的使光譜線半寬度變窄的效果好,并且分辨率越高越使像素不明顯的效果也好。再者,人腦容易識(shí)別有運(yùn)動(dòng)的圖像以及從靜態(tài)圖像變?yōu)閯?dòng)態(tài)圖像的圖像。因此,通過(guò)提高顏色純度并使像素變得更不明顯,可以顯示更平滑的動(dòng)態(tài)圖像,由此,能夠提供一種可以顯示減少觀察帶來(lái)的觀察者的疲勞且給觀察者較強(qiáng)的縱深感的圖像的顯示裝置。
[0134][分隔壁的結(jié)構(gòu)]
[0135]分隔壁418覆蓋第一電極421B、421G以及421R的端部地形成。
[0136]分隔壁418在其下端部具有曲率曲面。作為分隔壁418的材料,可以使用正型或負(fù)型的光敏樹脂。
[0137]注意,通過(guò)將吸收可見光的材料用于分隔壁,產(chǎn)生抑制光泄漏到相鄰的發(fā)光元件(也稱為串?dāng)_)的效果。
[0138]此外,在通過(guò)將發(fā)光模塊所發(fā)射的光從設(shè)置有半透射.半反射膜的第一襯底410一側(cè)取出來(lái)顯示圖像的結(jié)構(gòu)中,使用吸收可見光的材料形成的分隔壁吸收第一襯底410上的反射膜所反射的外光,從而抑制反射。
[0139][密封結(jié)構(gòu)]
[0140]本實(shí)施方式所例示的顯示面板400具有在由第一襯底410、第二襯底440和密封劑405圍繞的空間密封有發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。
[0141]空間填充有惰性氣體(例如,氮或氬)或者樹脂??梢栽O(shè)置雜質(zhì)(典型的是,水及/或氧)的吸附劑諸如干燥劑。
[0142]密封劑405及第二襯底440最好使用盡量不使大氣中的雜質(zhì)(如,水及/或氧)透過(guò)的材料形成。作為密封劑405可以使用環(huán)氧類樹脂、玻璃粉等。
[0143]第二襯底440的例子包括玻璃襯底;石英襯底;由聚氟乙烯(PVF)、聚酯、丙烯酸樹脂等構(gòu)成的塑料襯底;纖維增強(qiáng)塑料(FRP:Fiberglass-Reinforced Plastics)的襯底;
坐寸ο
[0144]上述是包括顯示部101的顯示面板400的說(shuō)明。
[0145]〈圖像處理裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例〉
[0146]下面,參照附圖對(duì)圖1所例示的圖像處理裝置107進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0147]圖3是圖像處理裝置107的框圖。包括在顯示裝置100中的圖像處理裝置107至少具有灰度轉(zhuǎn)換部111。
[0148]如圖3所示,圖像處理裝置107可以包括存儲(chǔ)部113、噪聲去除部114、像素間補(bǔ)充部115、色調(diào)校正部116、補(bǔ)充幀生成部117等。
[0149]灰度轉(zhuǎn)換部111對(duì)第一圖像信號(hào)SI進(jìn)行上述灰度轉(zhuǎn)換處理。在下面說(shuō)明灰度轉(zhuǎn)換處理的具體例子。
[0150]存儲(chǔ)部113暫時(shí)保持被輸入的第一圖像信號(hào)SI所包括的初期圖像數(shù)據(jù)以及在各部分經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換處理的圖像數(shù)據(jù)。作為存儲(chǔ)部113,可以使用存儲(chǔ)裝置諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)或寄存器電路。
[0151]噪聲去除部114去除各種噪聲諸如在文字等的輪廓附近出現(xiàn)的蚊狀噪聲、在高速動(dòng)態(tài)圖像中出現(xiàn)的塊狀噪聲、產(chǎn)生閃爍的隨機(jī)噪聲以及分辨率的上轉(zhuǎn)換(up-convers1n)所引起的點(diǎn)狀噪聲等。
[0152]像素間補(bǔ)充部115當(dāng)使分辨率上轉(zhuǎn)換時(shí)補(bǔ)充實(shí)際上不存在的數(shù)據(jù)。例如,參照目標(biāo)像素附近的像素,以顯示該像素間的中間顏色的方式補(bǔ)充數(shù)據(jù)。
[0153]色調(diào)校正部116可以校正圖像的色調(diào)。例如,色調(diào)校正部116檢測(cè)設(shè)置有顯示裝置的空間的照明的種類、亮度、顏色純度等,并根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果將顯示在顯示部101的圖像的色調(diào)校正為最適合的色調(diào)。色調(diào)校正部116可以具有對(duì)照所顯示的圖像和預(yù)先儲(chǔ)存的圖像一覽表中的各種場(chǎng)面的各種圖像,然后將所顯示的圖像的色調(diào)校正為適合于最接近該圖像場(chǎng)面的圖像的色調(diào)的功能。
[0154]由于所顯示的圖像的幀頻率增大,所以補(bǔ)充幀生成部117生成不足的幀的圖像。例如,補(bǔ)充幀生成部117從某兩個(gè)圖像的差異生成兩個(gè)圖像之間的幀的圖像,或者可以在兩個(gè)圖像之間生成多個(gè)圖像。例如,當(dāng)?shù)谝粓D像信號(hào)SI的幀頻率為60Hz時(shí),通過(guò)生成多個(gè)補(bǔ)充幀,可以將第二圖像信號(hào)S2的幀頻率增大為兩倍(120Hz)、四倍(240Hz)、八倍(480Hz)
坐寸ο
[0155]如此,通過(guò)將利用灰度轉(zhuǎn)換部111的灰度轉(zhuǎn)換處理之外的各種處理的功能附加到圖像處理裝置107,圖像處理裝置107可以生成包括更生動(dòng)的圖像的第二圖像信號(hào)S2。
[0156]〈灰度轉(zhuǎn)換處理〉
[0157]下面,說(shuō)明利用灰度轉(zhuǎn)換部111的灰度轉(zhuǎn)換處理。在此,假設(shè)為將第一圖像信號(hào)SI輸入到灰度轉(zhuǎn)換部111并作為經(jīng)過(guò)由灰度轉(zhuǎn)換部111進(jìn)行的灰度轉(zhuǎn)換處理的信號(hào)輸出第二圖像信號(hào)S2。
[0158]圖4A示意性地示出輸入到灰度轉(zhuǎn)換部111的第一圖像信號(hào)SI所包括的灰度數(shù)據(jù)。圖4B示意性地示出經(jīng)過(guò)灰度轉(zhuǎn)換處理的第二圖像信號(hào)S2所包括的灰度數(shù)據(jù)。圖4C示出擴(kuò)大圖4B所示的灰度級(jí)的灰度數(shù)據(jù)。
[0159]第一圖像信號(hào)SI具有ρ個(gè)灰度級(jí)。例如,在第一圖像信號(hào)SI是8位信號(hào)的情況下,第一圖像信號(hào)SI具有256個(gè)灰度級(jí)。在此,當(dāng)灰度級(jí)為I時(shí),以顯示裝置100能夠顯示的亮度的動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的最低亮度進(jìn)行顯示。另一方面,當(dāng)灰度級(jí)為P時(shí),以最大亮度進(jìn)行顯
/Jn ο
[0160]第一圖像信號(hào)SI的灰度級(jí)在I至P被等分。因此,當(dāng)?shù)谝粓D像信號(hào)SI直接輸入到顯示裝置100時(shí),從最低亮度到最高亮度進(jìn)行線形灰度表現(xiàn)來(lái)顯示圖像。
[0161]如圖4B所示,灰度轉(zhuǎn)換處理進(jìn)一步分割低亮度一側(cè)的一個(gè)灰度級(jí)。具體而言,I至q的q個(gè)灰度級(jí)的每一個(gè)分割為幾個(gè)級(jí)。在此,q是從I到l/4p,優(yōu)選是從I到l/2p。通過(guò)在更廣的范圍內(nèi)進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理,圖像能夠給觀察者更強(qiáng)的縱深感。
[0162]此外,當(dāng)將一個(gè)灰度級(jí)分割為幾個(gè)級(jí)時(shí),如圖4C所示,分割數(shù)優(yōu)選為2的階乘。即,將一個(gè)灰度級(jí)分割為Z值。在此,r是從I到8的自然數(shù),優(yōu)選是從I到20的自然數(shù)。一個(gè)灰度級(jí)的分割數(shù)越多,越可以生成感覺到更強(qiáng)的縱深感的圖像。
[0163]例如,當(dāng)?shù)谝粓D像信號(hào)SI表示8位灰度級(jí),q是1/4,并且r是8時(shí),將第一圖像信號(hào)SI的低亮度一側(cè)的64值的每一個(gè)分割為256值。在此情況下,第二圖像信號(hào)S2的灰度級(jí)數(shù)成為16512灰度級(jí)。
[0164]在此,作為顯示部101所包括的發(fā)光元件優(yōu)選使用有機(jī)EL元件,此時(shí)可以在低亮度區(qū)域中得到更細(xì)致的灰度表現(xiàn)。再者,當(dāng)作為發(fā)光模塊使用組合微諧振器(也稱為微腔)結(jié)構(gòu)和濾色片的發(fā)光模塊以從各像素得到顏色純度提高了的發(fā)光時(shí),可以得到更細(xì)致的灰度表現(xiàn)。例如,灰度可以在低于最大亮度的一半的亮度區(qū)域中以1000000灰度級(jí)以上表現(xiàn)。
[0165]接著,通過(guò)分割一個(gè)灰度級(jí)得到的新的灰度級(jí)被分配給各像素。例如,通過(guò)參照由第一圖像信號(hào)分配到目標(biāo)像素附近的像素的灰度級(jí),確定該灰度級(jí)之間的中間灰度級(jí)。此夕卜,通過(guò)參照目標(biāo)幀附近的多個(gè)圖像中的目標(biāo)像素的灰度級(jí)或目標(biāo)像素附近的像素的灰度級(jí),可以確定該灰度級(jí)之間的中間灰度級(jí)。
[0166]通過(guò)上述灰度轉(zhuǎn)換處理,灰度轉(zhuǎn)換部111可以從被輸入的第一圖像信號(hào)SI生成包括感覺到更強(qiáng)的縱深感的圖像的第二圖像信號(hào)S2。
[0167]在此,圖5A至例示出進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理之前后的圖像。
[0168]圖5A是進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理之前的圖像的一個(gè)例子,其表示摩天大樓和在該摩天大樓的后面放上去的焰火的夜景。圖5B是相對(duì)于圖5A的圖像的灰度級(jí)的像素?cái)?shù)的直方圖(也稱為亮度分布)。注意,在圖5B的直方圖中,部分表示低亮度一側(cè)和高亮度一側(cè)。
[0169]在圖5A中,位于焰火的前面的摩天大樓的灰度級(jí)接近于背景的灰度級(jí),所以如圖5B所示,以同樣的灰度級(jí)顯示的區(qū)域多。其結(jié)果,背景和摩天大樓之間的位置關(guān)系(前后位置)變模糊而成為極平面的圖像。
[0170]圖5C是進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理之后的圖5A的圖像的一個(gè)例子。此外,圖是相對(duì)于圖5C的圖像的灰度級(jí)的像素?cái)?shù)的直方圖。
[0171]如圖所示,因灰度轉(zhuǎn)換處理而低亮度區(qū)域中的灰度級(jí)數(shù)增大,因此可以更致密地表現(xiàn)圖5B中的以同樣的灰度級(jí)表現(xiàn)的區(qū)域。其結(jié)果,在圖5C的圖像中,背景和摩天大樓之間以及摩天大樓之間的位置關(guān)系(前后位置)被清楚地表現(xiàn),并且該圖像在整體上給觀察者較強(qiáng)的縱深感。
[0172]上述是灰度轉(zhuǎn)換處理的說(shuō)明。
[0173]本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置100可以在顯示部101中顯示能夠給觀察者更強(qiáng)的縱深感的圖像。再者,通過(guò)將包括進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理的灰度轉(zhuǎn)換部111的圖像處理裝置107設(shè)置在顯示裝置100中,顯示裝置100可以顯示感覺到更強(qiáng)的縱深感的圖像。
[0174]本實(shí)施方式可以與本說(shuō)明書所記載的其他實(shí)施方式中的任一個(gè)適當(dāng)?shù)亟M合。
[0175]實(shí)施方式2
[0176]在本實(shí)施方式中,說(shuō)明將被輸入的圖像信號(hào)所包括的圖像分割為多個(gè)區(qū)域并只對(duì)需要其處理的區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理的方法。
[0177]將輸入到灰度轉(zhuǎn)換部111的第一圖像信號(hào)SI所包括的圖像分割為多個(gè)區(qū)域,并抽出各區(qū)域中的各亮度分布。再者,灰度轉(zhuǎn)換部111根據(jù)所抽出的亮度分布決定是否對(duì)該區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理。
[0178]灰度轉(zhuǎn)換部111對(duì)決定為進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域進(jìn)行上述灰度轉(zhuǎn)換處理,反之不進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域中的灰度不變。
[0179]然后,灰度轉(zhuǎn)換部111將進(jìn)行了灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域和沒有進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域合并為一個(gè)圖像,由此生成并輸出第二圖像信號(hào)S2。
[0180]如此,不對(duì)第一圖像信號(hào)SI所包括的圖像的所有區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理,而對(duì)需要該處理的區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理,從而可以提高處理速度。
[0181]下面,參照【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】更具體的例子。
[0182]圖6A示出輸入到灰度轉(zhuǎn)換部111的第一圖像信號(hào)SI所包括的圖像的例子。在圖6A所示的圖像中,灰度級(jí)高(高亮度)的區(qū)域和灰度級(jí)低(低亮度)的區(qū)域并存。
[0183]在此,如圖6A所示,說(shuō)明一個(gè)圖像分割為12個(gè)區(qū)域(縱向3X橫向4)的例子。將垂直方向上的地址從附圖的上往下表示為A、B、C。將水平方向上的地址從附圖的左往右表示為1、2、3、4。例如,使用這些地址將一個(gè)區(qū)域表示為區(qū)域[A-1]等。
[0184]圖6C是圖6A中的區(qū)域[C-3]的直方圖。區(qū)域[C_3]包括多個(gè)灰度級(jí)為低的顯示區(qū)域。
[0185]圖6D是圖6A中的區(qū)域[A_2]的直方圖。區(qū)域[A_2]幾乎不包括灰度級(jí)為低的顯示區(qū)域。
[0186]通過(guò)使用如此按每個(gè)區(qū)域抽出的直方圖,決定是否對(duì)對(duì)象區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理。
[0187]對(duì)決定方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。在一個(gè)對(duì)象區(qū)域中在灰度級(jí)為I以上且q以下的范圍內(nèi)存在超過(guò)規(guī)定的像素?cái)?shù)s的灰度級(jí)的情況下,對(duì)該區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理。另一方面,在一個(gè)對(duì)象區(qū)域中不存在這種灰度級(jí)時(shí),不對(duì)該區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理。
[0188]用作決定是否進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理的指標(biāo)的像素?cái)?shù)s根據(jù)第一圖像信號(hào)SI的灰度級(jí)數(shù)或包括在一個(gè)區(qū)域中的像素?cái)?shù)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
[0189]在圖6C所示的直方圖中,在灰度級(jí)為I至q的范圍內(nèi)存在超過(guò)規(guī)定的像素?cái)?shù)s的灰度級(jí)。因此,對(duì)區(qū)域[C-3]進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理。
[0190]另一方面,在圖6D所示的直方圖中,在灰度級(jí)為I至q的范圍內(nèi)不存在超過(guò)規(guī)定的像素?cái)?shù)s的灰度級(jí)。因此,不對(duì)區(qū)域[A-2]進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理。
[0191]圖6B示出通過(guò)上述方法決定是否對(duì)各區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理的結(jié)果。在圖6B中的各區(qū)域中,只對(duì)陰影區(qū)域(區(qū)域[B-2]、區(qū)域[B-3]、區(qū)域[B-4]、區(qū)域[C-1]、區(qū)域[C-2]及區(qū)域[C-3])進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理。
[0192]在此,不限制決定是否進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理的方法。例如,基于包括在灰度級(jí)為I至q的范圍內(nèi)的像素總數(shù)是否超過(guò)規(guī)定的像素?cái)?shù)來(lái)決定是否對(duì)各區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理。
[0193]在這種方法中,用作決定的指標(biāo)的規(guī)定像素?cái)?shù)可以根據(jù)一個(gè)區(qū)域所包括的像素的數(shù)量設(shè)定,而無(wú)需依賴于第一圖像信號(hào)Si所包括的灰度級(jí)數(shù),所以容易使用包括不同的灰度級(jí)數(shù)的第一圖像信號(hào)Si。
[0194]雖然在上述例子中將一個(gè)圖像分割為12個(gè)區(qū)域,但不限制分割數(shù)。在增加分割數(shù)并將一個(gè)圖像分割為多個(gè)區(qū)域時(shí),可以更詳細(xì)地決定需要灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域,因此進(jìn)一步提高處理速度。
[0195]根據(jù)本實(shí)施方式所例示的方法,可以只對(duì)需要其處理的區(qū)域進(jìn)行灰度轉(zhuǎn)換處理,因此可以提高灰度轉(zhuǎn)換部111的處理速度。
[0196]本實(shí)施方式可以與本說(shuō)明書所記載的其他實(shí)施方式中的任一個(gè)適當(dāng)?shù)亟M合。
[0197]實(shí)施方式3
[0198]在本實(shí)施方式中,參照?qǐng)D7A至7C說(shuō)明可用于根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光模塊的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。
[0199]本實(shí)施方式所例不的發(fā)光兀件包括第一電極、第二電極以及設(shè)置于第一電極和第二電極之間且包含發(fā)光有機(jī)化合物的層(以下稱為EL層)。第一電極和第二電極中的一個(gè)用作陽(yáng)極,而另一個(gè)用作陰極。EL層設(shè)置在第一電極和第二電極之間,該EL層的結(jié)構(gòu)可以根據(jù)第一電極和第二電極的材料適當(dāng)?shù)剡x擇。
[0200]〈發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)實(shí)例〉
[0201]圖7A示出發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。圖7A所例示的發(fā)光元件在陽(yáng)極1101和陰極1102之間包括由第一發(fā)光單元1103a和第二發(fā)光單元1103b形成的EL層。再者,中間層1104設(shè)置在第一發(fā)光單元1103a和第二發(fā)光單元1103b之間。
[0202]當(dāng)對(duì)陽(yáng)極1101和陰極1102之間施加高于發(fā)光元件的閾值電壓的電壓時(shí),空穴從陽(yáng)極1101 —側(cè)注入到EL層,并且電子從陰極1102—側(cè)注入到EL層。被注入的電子和空穴在EL層中重新結(jié)合,以包含在EL層中的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。
[0203]注意,在本說(shuō)明書中,將包括一個(gè)使從兩端注入的電子和空穴重新結(jié)合的區(qū)域的層或疊層體稱為發(fā)光單元。
[0204]注意,設(shè)置在陽(yáng)極1101和陰極1102之間的發(fā)光單元的數(shù)量不局限于兩個(gè)。圖7C所例示的發(fā)光元件具有層疊有多個(gè)發(fā)光單元1103的結(jié)構(gòu),S卩,所謂的串聯(lián)結(jié)構(gòu)。注意,在陽(yáng)極和陰極之間設(shè)置n(n是2以上的自然數(shù))個(gè)發(fā)光單元1103的情況下,在第m(m是自然數(shù),I以上且η-l以下)發(fā)光單元和第(m+1)發(fā)光單元之間設(shè)置中間層1104。
[0205]發(fā)光單元1103至少包括包含發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層,并可以具有層疊有發(fā)光層與發(fā)光層以外的層的結(jié)構(gòu)。發(fā)光層以外的層的例子為包含高空穴注入性物質(zhì)、高空穴傳輸性物質(zhì)、低空穴傳輸性物質(zhì)(阻擋空穴的物質(zhì))、高電子傳輸性物質(zhì)、高電子注入性物質(zhì)以及雙極性物質(zhì)(電子及空穴的傳輸性高的物質(zhì))的層。
[0206]圖7B示出發(fā)光單元1103的具體結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。在圖7B所示的發(fā)光單元1103中,從陽(yáng)極1101 —側(cè)依次層疊有空穴注入層1113、空穴傳輸層1114、發(fā)光層1115、電子傳輸層1116以及電子注入層1117。
[0207]圖7A示出中間層1104的具體結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。中間層1104可以至少包括電荷產(chǎn)生區(qū)域而形成,并可以具有層疊有電荷產(chǎn)生區(qū)域與電荷產(chǎn)生區(qū)域以外的層的結(jié)構(gòu)。例如,可以應(yīng)用從陰極1102 —側(cè)依次層疊有第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c、電子中繼層1104b及電子注入緩沖層1104a的結(jié)構(gòu)。
[0208]對(duì)中間層1104中的電子和空穴的舉動(dòng)進(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)對(duì)陽(yáng)極1101和陰極1102之間施加高于發(fā)光兀件的閾值電壓的電壓時(shí),在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中,產(chǎn)生空穴和電子,并且空穴移動(dòng)到陰極1102 —側(cè)上的發(fā)光單元1103b而電子移動(dòng)到電子中繼層1104b。
[0209]電子中繼層1104b具有高電子傳輸性并將在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中產(chǎn)生的電子及時(shí)傳送到電子注入緩沖層1104a。電子注入緩沖層1104a可以緩和將電子注入到發(fā)光單元1103的勢(shì)壘,以便提高對(duì)發(fā)光單元1103的電子注入效率。因此,在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中產(chǎn)生的電子經(jīng)過(guò)電子中繼層1104b和電子注入緩沖層1104a注入到發(fā)光單元1103的LUMO能級(jí)。
[0210]另外,電子中繼層1104b可以防止第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c所包含的物質(zhì)和電子注入緩沖層1104a所包含的物質(zhì)在界面相互起反應(yīng)而損壞第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c和電子注入緩沖層1104a的功能的相互作用。
[0211]注入到設(shè)置在陰極一側(cè)的發(fā)光單元1103b的空穴與從陰極1102注入的電子重新結(jié)合,以便包含在該發(fā)光單元中的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。注入到設(shè)置在陽(yáng)極一側(cè)的發(fā)光單元的電子與從陽(yáng)極一側(cè)注入的空穴重新結(jié)合,以便包含在該發(fā)光單元中的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。因此,在中間層1104中產(chǎn)生的空穴和電子在各自的發(fā)光單元中引起發(fā)光。
[0212]注意,當(dāng)在其發(fā)光單元之間形成與中間層同樣的結(jié)構(gòu)時(shí),可以將發(fā)光單元設(shè)置為相互接觸。具體而言,當(dāng)在發(fā)光單元的一個(gè)面設(shè)置有電荷產(chǎn)生區(qū)域時(shí),該電荷產(chǎn)生區(qū)域用作中間層的第一電荷產(chǎn)生區(qū)域,所以可以將發(fā)光單元設(shè)置為相互接觸。
[0213]注意,中間層可以設(shè)置在陰極和第η發(fā)光單元之間。
[0214]〈用于發(fā)光元件的材料〉
[0215]接下來(lái),說(shuō)明可用于具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的具體材料。依次說(shuō)明用于陽(yáng)極、陰極、EL層、電荷產(chǎn)生區(qū)域、電子中繼層以及電子注入緩沖層的材料。
[0216]〈用于陽(yáng)極的材料〉
[0217]陽(yáng)極1101優(yōu)選使用功函數(shù)高(具體而言,更優(yōu)選為4.0eV以上的功函數(shù))的金屬、合金、導(dǎo)電化合物以及這些材料的混合物等。具體而言,例如可以舉出銦錫氧化物(ΙΤ0:Indium Tin Oxide)、含有娃或氧化娃的銦錫氧化物、銦鋅氧化物(IZO:1ndium ZincOxide)、含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等。
[0218]此外,作為用于陽(yáng)極1101的材料,可以舉出下述物質(zhì):金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、金屬材料的氮化物(例如為氮化鈦)、鑰氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物、鈦氧化物等。
[0219]注意,在與陽(yáng)極1101接觸地設(shè)置第二電荷產(chǎn)生區(qū)域的情況下,可以不考慮其功函數(shù)地將各種導(dǎo)電材料用于陽(yáng)極1101。具體而言,除了功函數(shù)大的材料之外,還可以將功函數(shù)小的材料用于陽(yáng)極1101。關(guān)于用來(lái)形成第二電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料,將在后面與用來(lái)形成第一電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料一起描述。
[0220]〈用于陰極的材料〉
[0221]作為陰極1102的材料,優(yōu)選使用功函數(shù)低(具體而言,低于4.0eV的功函數(shù))的材料,但在將第一電荷產(chǎn)生區(qū)域與陰極1102接觸地設(shè)置在陰極1102和發(fā)光單元1103之間的情況下,與功函數(shù)的高低無(wú)關(guān)地可以將各種導(dǎo)電材料用于陰極1102。
[0222]注意,使用使可見光透過(guò)的導(dǎo)電膜形成陰極1102和陽(yáng)極1101中的至少一個(gè)。作為使可見光透過(guò)的導(dǎo)電膜,例如可以舉出含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物以及添加有氧化硅的銦錫氧化物。此外,也可以使用其厚度足以使光透過(guò)(優(yōu)選大約為從5nm到30nm)的金屬薄膜。
[0223]〈用于EL層的材料〉
[0224]下面,將示出用于包括在發(fā)光單元1103中的各層的材料的具體例子。
[0225][空穴注入層]
[0226]空穴注入層是具有高空穴注入性的層。作為高空穴注入性物質(zhì),例如可以使用鑰氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。此外,可以使用酞菁類化合物如酞菁(H2Pc)或酞菁銅(CuPc)、高分子如聚(3,4_亞乙基二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸鹽)(PED0T/PSS)等以形成空穴注入層。
[0227]注意,可以使用第二電荷產(chǎn)生區(qū)域而代替空穴注入層。當(dāng)使用第二電荷產(chǎn)生區(qū)域時(shí),如上所述,可以不考慮功函數(shù)地使用各種導(dǎo)電材料作為陽(yáng)極1101。關(guān)于用來(lái)形成第二電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料,將在后面與形成第一電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料一起描述。
[0228][空穴傳輸層]
[0229]空穴傳輸層是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層。空穴傳輸層不限于單層,而可以為各自包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的兩層以上的疊層??昭▊鬏攲影昭▊鬏斝愿哂陔娮觽鬏斝缘娜魏挝镔|(zhì),并因?yàn)榭梢越档桶l(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓,所以優(yōu)選包含具有10-6cm2/Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。
[0230][發(fā)光層]
[0231]發(fā)光層包含發(fā)光物質(zhì)。發(fā)光層不限于單層,而可以為包含發(fā)光物質(zhì)的兩層以上的疊層。作為發(fā)光物質(zhì),可以使用熒光化合物或磷光化合物。因?yàn)榭梢蕴岣甙l(fā)光元件的發(fā)光效率,所以作為發(fā)光物質(zhì)優(yōu)選使用磷光化合物。
[0232]優(yōu)選將這些發(fā)光物質(zhì)分散在施主材料中。施主材料優(yōu)選具有高于發(fā)光物質(zhì)的激發(fā)能量。
[0233][電子傳輸層]
[0234]電子傳輸層是包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層。電子傳輸層不局限于單層,而可以是各自包含電子傳輸性高的物質(zhì)的兩層以上的疊層。電子傳輸層包含電子傳輸性高于空穴傳輸性的任何物質(zhì),并因?yàn)榭梢越档桶l(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓,所以優(yōu)選包含具有10-6cm2/Vs以上的電子遷移率的物質(zhì)。
[0235][電子注入層]
[0236]電子注入層是包含電子注入性高的物質(zhì)的層。電子注入層不限于單層,也可以是包含電子注入性高的物質(zhì)的兩層以上的疊層。因?yàn)榭梢蕴岣邚年帢O1102的電子注入的效率并可以降低發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓,所以優(yōu)選設(shè)置電子注入層。
[0237]作為電子注入性高的物質(zhì),例如可以舉出堿金屬及堿土金屬如鋰(Li)、銫(Cs)、鈣(Ca)等和其化合物如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)。或者,可以使用含有具有電子傳輸性的物質(zhì)和堿金屬、堿土金屬、鎂(Mg)或其化合物的層(例如,含有鎂(Mg)的Alq層)。
[0238]〈用于電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料〉
[0239]第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c及第二電荷產(chǎn)生區(qū)域是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)和受主物質(zhì)的區(qū)域。注意,電荷產(chǎn)生區(qū)域不局限于一個(gè)膜含有空穴傳輸性高的物質(zhì)和受主物質(zhì)的結(jié)構(gòu),而可以為包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層和包含受主物質(zhì)的層的疊層。注意,在與陰極接觸的第一電荷產(chǎn)生區(qū)域具有疊層結(jié)構(gòu)的情況下,含有空穴傳輸性高的物質(zhì)的層與陰極1102接觸。在與陽(yáng)極接觸的第二電荷產(chǎn)生區(qū)域具有疊層結(jié)構(gòu)的情況下,含有受主物質(zhì)的層與陽(yáng)極1101接觸。
[0240]注意,優(yōu)選以受主物質(zhì)與空穴傳輸性高的物質(zhì)的質(zhì)量比為0.1:1到4.0:1的方式將受主物質(zhì)添加到電荷產(chǎn)生區(qū)域中。
[0241]作為用于電荷產(chǎn)生區(qū)域的受主物質(zhì),優(yōu)選使用過(guò)渡金屬氧化物,尤其是屬于元素周期表中的第四族至第八族的金屬的氧化物。具體而言,氧化鑰是特別優(yōu)選的。注意,氧化鑰具有低吸濕性。
[0242]作為用于電荷產(chǎn)生區(qū)域的高空穴傳輸性物質(zhì),可以使用各種有機(jī)化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴以及高分子化合物(包括低聚物、樹狀聚合物或聚合體)。具體而言,優(yōu)選使用具有10_6cm2/Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。但是,只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì),就也可以使用上述物質(zhì)以外的物質(zhì)。
[0243]〈用于電子中繼層的材料〉
[0244]電子中繼層1104b是能夠及時(shí)接收由受主物質(zhì)在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中抽出的電子的層。因此,電子中繼層1104b是包含高電子傳輸性物質(zhì)的層,并且其LUMO能級(jí)位于第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中的受主物質(zhì)的受主能級(jí)與發(fā)光單元1103的LUMO能級(jí)之間。具體而言,LUMO能級(jí)優(yōu)選為-5.0eV以上且-3.0eV以下左右。
[0245]作為用于電子中繼層1104b的物質(zhì),例如,可以舉出二萘嵌苯衍生物和含氮稠合芳香化合物。注意,因?yàn)槠浞€(wěn)定,所以優(yōu)選將含氮稠環(huán)芳香化合物用于電子中繼層1104b。在含氮稠環(huán)芳香化合物中,優(yōu)選使用具有吸電子基團(tuán)諸如氰基或氟基的化合物,因?yàn)檫@種化合物進(jìn)一步使電子中繼層1104b中的電子接受變得容易。
[0246]〈用于電子注入緩沖層的材料〉
[0247]電子注入緩沖層1104a是使電子容易從第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c注入發(fā)光單元1103的層。通過(guò)在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c和發(fā)光單元1103之間設(shè)置電子注入緩沖層1104a,可以緩和兩者之間的注入勢(shì)壘。
[0248]可以將高電子注入性物質(zhì)用于電子注入緩沖層1104a。例如,可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬或它們的化合物(例如,堿金屬化合物(包括氧化物如氧化鋰、齒化物、以及碳酸鹽如碳酸鋰或碳酸銫)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、以及碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、齒化物、以及碳酸鹽))。
[0249]另外,在電子注入緩沖層1104a包含高電子傳輸性物質(zhì)和相對(duì)于該高電子傳輸性物質(zhì)的施主物質(zhì)的情況下,優(yōu)選以施主物質(zhì)與高電子傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.001:I到0.1:1的方式添加施主物質(zhì)。注意,作為施主物質(zhì),除了堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、上述金屬的化合物(例如,堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、以及碳酸鹽如碳酸鋰或碳酸銫)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、以及碳酸鹽)以及稀土金屬的化合物(包括氧化物、齒化物、以及碳酸鹽))以外,還可以使用有機(jī)化合物諸如四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(縮寫:TTN)、二茂鎳或十甲基二茂鎳(decamethylnickelocene)。注意,作為高電子傳輸性物質(zhì),可以使用與用于可形成在發(fā)光單元1103中的一部分的電子傳輸層的上述材料同樣的材料。
[0250]〈發(fā)光元件的制造方法〉
[0251]對(duì)發(fā)光元件的制造方法的一個(gè)方式進(jìn)行說(shuō)明。通過(guò)在第一電極上適當(dāng)?shù)亟M合上述層而形成EL層。根據(jù)用于EL層的材料可以使用各種方法(例如,干式法或濕式法)來(lái)形成EL層。例如,可以選擇真空蒸鍍法、噴墨法、旋涂法等。注意,不同的方法可以應(yīng)用于每個(gè)層。在EL層上形成第二電極,以便制造發(fā)光元件。
[0252]通過(guò)組合上述材料,能夠制造本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件。通過(guò)使用該發(fā)光元件能夠獲得來(lái)自上述發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光,并且通過(guò)改變發(fā)光物質(zhì)的種類可以選擇發(fā)光顏色。
[0253]另外,可以使用發(fā)射不同顏色的光的多個(gè)發(fā)光物質(zhì),因此,例如,通過(guò)擴(kuò)大發(fā)射光譜的寬度也能夠得到白色發(fā)光。為了得到白色發(fā)光,例如,可以使用以發(fā)射互補(bǔ)色的光的方式設(shè)置至少兩個(gè)包含發(fā)光物質(zhì)的層的結(jié)構(gòu)?;パa(bǔ)色的具體例子包括“藍(lán)色與黃色”、“藍(lán)綠色與紅色”等。
[0254]再者,為了得到演色性良好的白色發(fā)光,發(fā)射光譜優(yōu)選擴(kuò)大到整個(gè)可見光區(qū)域。例如,發(fā)光元件可以包括發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色、綠色以及紅色的光的層。
[0255]本實(shí)施方式可以與本說(shuō)明書所記載的其他實(shí)施方式中的任一個(gè)適當(dāng)?shù)亟M合。
[0256]實(shí)施方式4
[0257]在本實(shí)施方式中,說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的電子裝置。具體而言,參照?qǐng)D8A至8E說(shuō)明包括上述實(shí)施方式所例示的顯示裝置的電子設(shè)備。
[0258]使用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的電子設(shè)備的例子包括:電視機(jī)(也稱為TV或電視接收機(jī));用于計(jì)算機(jī)等的顯示器;相機(jī)諸如數(shù)碼相機(jī)或數(shù)碼攝像機(jī);數(shù)碼相框;移動(dòng)電話機(jī)(也稱為移動(dòng)電話或移動(dòng)電話裝置);便攜式游戲機(jī);便攜式信息終端;聲音再現(xiàn)裝置;以及大型游戲機(jī)諸如彈珠機(jī)。圖8A至SE示出這些電子設(shè)備的具體例子。
[0259]圖8A示出電視機(jī)的一個(gè)例子。在電視機(jī)7100中,顯示部7103組裝在框體7101中。圖像可以顯示在顯示部7103上。此外,在此,框體7101由支架7105支撐。
[0260]電視裝置7100可以通過(guò)框體7101的操作開關(guān)或另外提供的遙控操作機(jī)7110操作。通過(guò)利用遙控操作機(jī)7110的操作鍵7109,可以控制頻道及音量,并且可以控制顯示在顯示部7103上的圖像。此外,遙控操作機(jī)7110可以設(shè)置有用來(lái)顯示從該遙控操作機(jī)7110輸出的數(shù)據(jù)的顯示部7107。
[0261]注意,電視裝置7100具備接收機(jī)、調(diào)制解調(diào)器等。再者,當(dāng)顯示裝置通過(guò)調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無(wú)線方式的通信網(wǎng)絡(luò)時(shí),能夠進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(發(fā)送者和接收者之間或接收者之間)的信息通信。
[0262]圖8B示出計(jì)算機(jī),該計(jì)算機(jī)包括主體7201、框體7202、顯示部7203、鍵盤7204、夕卜部連接端口 7205、指向裝置7206等。注意,將本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置應(yīng)用于該計(jì)算機(jī)中的顯示部7203。
[0263]圖SC示出便攜式游戲機(jī),該便攜式游戲機(jī)包括兩個(gè)框體,即為框體7301和框體7302,其中該兩個(gè)框體與連接部7303連接以便可以將該便攜式游戲機(jī)打開或折疊。顯示部7304組裝在框體7301中,并且顯示部7305組裝在框體7302中。圖8C所示的便攜式游戲機(jī)還包括揚(yáng)聲器部7306、記錄介質(zhì)插入部7307、LED燈7308、輸入單元(操作鍵7309、連接端子7310、傳感器7311 (具有測(cè)量如下因素的功能的傳感器:力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)頻率、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)以及麥克風(fēng)7312)等。當(dāng)然,便攜式游戲機(jī)的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu),只要將本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置用于顯示部7304和顯示部7305中的至少任一者或兩者,并可以任意包括其他附屬設(shè)備。圖SC所示的便攜式游戲機(jī)具有讀出存儲(chǔ)在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)而將其顯示在顯示部上的功能以及通過(guò)無(wú)線通信與其他便攜式游戲機(jī)共享信息的功能。圖8C所示的便攜式游戲機(jī)可以具有各種功能,而沒有局限于上述功能。
[0264]圖8D示出移動(dòng)電話機(jī)的一個(gè)例子。移動(dòng)電話機(jī)7400具備組裝在框體7401的顯示部7402、操作按鈕7403、外部連接端口 7404、揚(yáng)聲器7405、麥克風(fēng)7406等。注意,將本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置用于顯示部7402來(lái)制造移動(dòng)電話機(jī)7400。
[0265]在用手指等觸摸圖8D所示的移動(dòng)電話機(jī)7400的顯示部7402時(shí),數(shù)據(jù)可以輸入到移動(dòng)電話機(jī)7400中。另外,可以用手指等觸摸顯示部7402來(lái)進(jìn)行打電話或制作電子郵件等的操作。
[0266]主要有三種顯示部7402的屏幕模式。第一模式是主要用于顯示圖像的顯示模式。第二模式是主要用于輸入文本等數(shù)據(jù)的輸入模式。第三模式是混合顯示模式和輸入模式這兩種模式的顯示和輸入模式。
[0267]例如,在打電話或制作電子郵件的情況下,將顯示部7402設(shè)定為主要用于輸入文本的文字輸入模式以便可以輸入顯示在屏幕上的文字。在此情況下,優(yōu)選在顯示部7402的屏幕的幾乎所有的區(qū)域上顯示鍵盤或號(hào)碼按鈕。
[0268]當(dāng)在移動(dòng)電話機(jī)7400內(nèi)部設(shè)置包括檢測(cè)傾斜度的傳感器諸如陀螺儀或加速度傳感器的檢測(cè)裝置時(shí),通過(guò)判斷移動(dòng)電話機(jī)7400的方向(該移動(dòng)電話機(jī)是為橫向模式而水平放置還是為縱向模式而垂直放置)可以自動(dòng)改變顯示部7402的屏幕上的顯示。
[0269]通過(guò)觸摸顯示部7402或操作框體7401的操作按鈕7403,切換屏幕模式。此外,可以根據(jù)顯示在顯示部7402上的圖像種類切換屏幕模式。例如,當(dāng)顯示在顯示部上的圖像的信號(hào)為動(dòng)態(tài)圖像數(shù)據(jù)的信號(hào)時(shí),將屏幕模式切換成顯示模式。當(dāng)該信號(hào)為文字?jǐn)?shù)據(jù)的信號(hào)時(shí),將屏幕模式切換成輸入模式。
[0270]另外,在輸入模式下,當(dāng)在檢測(cè)出顯示部7402中的光傳感器所檢測(cè)的信號(hào)的時(shí)候在指定期間內(nèi)沒有進(jìn)行顯示部7402的觸摸輸入時(shí),屏幕模式可以被控制為從輸入模式切換成顯示模式。
[0271]可以將顯示部7402用作圖像傳感器。例如,通過(guò)用手掌或手指觸摸顯示部7402來(lái)拍攝掌紋、指紋等的圖像,從而可以進(jìn)行身份識(shí)別。另外,通過(guò)在顯示部設(shè)置發(fā)射近紅外光的背光燈或感應(yīng)光源,可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等的圖像。
[0272]圖8E示出折疊式計(jì)算機(jī)的一個(gè)例子。折疊式計(jì)算機(jī)7450包括由鉸鏈7454連接的框體745IL和框體745IR。折疊式計(jì)算機(jī)7450還包括操作按鈕7453、左側(cè)揚(yáng)聲器7455L及右側(cè)揚(yáng)聲器7455R。此外,在計(jì)算機(jī)7450的側(cè)面設(shè)置有未圖示的外部連接端口 7456。在以設(shè)置在框體7451L中的顯示部7452L和設(shè)置在框體7451R中的顯示部7452R相互面對(duì)的方式折疊鉸鏈7454時(shí),顯示部可以由框體保護(hù)。折疊式計(jì)算機(jī)7450包括應(yīng)用于顯示部7452L和顯示部7452R中的至少一者或兩者的本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置。
[0273]顯示部7452L和顯示部7452R的各自為可以顯示圖像且可以通過(guò)用手指等觸摸信息被輸入的構(gòu)成要素。例如,可以通過(guò)用手指觸摸選擇表示安裝結(jié)束的程序的圖標(biāo)來(lái)啟動(dòng)程序。此外,可以通過(guò)改變接觸于所顯示的圖像的兩個(gè)位置的手指之間的間隔來(lái)放大或縮小圖像。可以通過(guò)移動(dòng)接觸于所顯示的圖像的一個(gè)位置的手指來(lái)移動(dòng)圖像。可以通過(guò)用手指觸摸選擇所顯示的文字或者所顯示的鍵盤的圖像上的記號(hào),來(lái)輸入信息。
[0274]另外,計(jì)算機(jī)7450還可以包括陀螺儀、加速度傳感器、全球定位系統(tǒng)(GPS =GlobalPosit1ning System)接收器、指紋傳感器或攝像機(jī)。例如,通過(guò)設(shè)置包括檢測(cè)出傾斜度的傳感器諸如陀螺儀或加速度傳感器的檢測(cè)裝置,判斷計(jì)算機(jī)7450的方向(該計(jì)算機(jī)是為橫向模式而水平放置還是為縱向模式而垂直放置),以便可以自動(dòng)改變顯示屏幕的方向。
[0275]另外,計(jì)算機(jī)7450可以與網(wǎng)絡(luò)連接。計(jì)算機(jī)7450不但可以顯示因特網(wǎng)上的信息,并且還可以用作從遙遠(yuǎn)的地方控制連接于網(wǎng)絡(luò)的其他電子設(shè)備的終端。
[0276]本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置包括薄膜狀顯示面板。因此,在將該顯示裝置貼在具有曲面的基體上時(shí),可以得到具有曲面的顯示裝置。此外,在該顯示裝置位于具有曲面的框體中時(shí),可以得到具有曲面的電子設(shè)備。
[0277]本實(shí)施方式可以與本說(shuō)明書所記載的其他實(shí)施方式中的任一適當(dāng)?shù)亟M合。
[0278]實(shí)施例
[0279]制造應(yīng)用于本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的發(fā)光模塊、發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的發(fā)光模塊、發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的發(fā)光模塊,并測(cè)量其特性。在下面示出該測(cè)量的結(jié)果。
[0280]〈所制造的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)〉
[0281]圖9示出用于所制造的發(fā)光模塊的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。在每一個(gè)所制造的發(fā)光模塊中,第一電極251兼作反射膜,第二電極252兼作半透射.半反射膜,并且包含發(fā)光有機(jī)化合物的層253設(shè)置在第一電極和第二電極之間。
[0282][第一電極的結(jié)構(gòu)]
[0283]在每個(gè)發(fā)光模塊中,兼作反射膜的第一電極251通過(guò)使用在200nm厚的鋁-鈦合金膜上形成有6nm厚的鈦膜的疊層形成。作為反射膜上的光學(xué)調(diào)整層,使用包含氧化硅的銦錫氧化物膜(縮寫:ITS0)。根據(jù)發(fā)光顏色使光學(xué)調(diào)整層的厚度最優(yōu)化。
[0284]具體而言,發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的發(fā)光模塊設(shè)置有40nm厚的ITSO膜作為光學(xué)調(diào)整層,并且發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的發(fā)光模塊設(shè)置有80nm厚的ITSO膜作為光學(xué)調(diào)整層。注意,發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的發(fā)光模塊設(shè)置有與上述6nm厚的鈦膜接觸的包含發(fā)光有機(jī)化合物的層。
[0285][第二電極的結(jié)構(gòu)]
[0286]作為第二電極252,使用在15nm厚的銀.鎂合金膜上層疊有70nm厚的銦錫氧化物(縮寫:ΙΤ0)的導(dǎo)電膜。銀?鎂合金膜通過(guò)以10:1( = Ag:Mg)的重量比進(jìn)行共蒸鍍來(lái)形成。
[0287][包含發(fā)光有機(jī)化合物的層的結(jié)構(gòu)]
[0288]如圖9所示,包含發(fā)光有機(jī)化合物的層253具有夾著中間層1504設(shè)置有兩個(gè)EL層(第一 EL層1503a及第二 EL層1503b)的結(jié)構(gòu)(該結(jié)構(gòu)也稱為串聯(lián)結(jié)構(gòu))。
[0289]第一 EL層1503a在第一電極251上依次包括空穴注入層1511、第一空穴傳輸層1512、第一發(fā)光層1513、第一電子傳輸層1514a以及第二電子傳輸層1514b。
[0290]中間層1504在電子傳輸層1514b上依次包括電子注入緩沖層1504a、電子中繼層1504b以及電荷產(chǎn)生區(qū)域1504c。
[0291]第二 EL層1503b在中間層1504上依次包括第二空穴傳輸層1522、第二發(fā)光層1523a、第三發(fā)光層1523b、第三電子傳輸層1524a、第四電子傳輸層1524b以及電子注入層1525。
[0292]表I示出包括在包含發(fā)光有機(jī)化合物的層中的材料的詳細(xì)內(nèi)容。
[0293][表 I]
[0294]..................................................,..................................1.........rH1-J,!.....1503a.....................................................j....................................................1I1WB.......15(M.........t..........................................1
個(gè):穴個(gè):穴^^ I—^屯]:涵w—^I—^屯j:注入^ iiij-ff.ι
t1:從:i_w nitiA ^l1.?14|, mm 中瞧層 !
Ι.--! 1512 1513 UM:' '■''''仆1504a 1504b ,LnT I
', I ου1c ι
?^Α..Γ?:..6; '1.....BPAFLP.....\ 接
[I,:MoOx I1CzI1A ManFLPAPm CzPA * Bplien1 Li CuPc ;MoOx !卜
層 (=2:1) (=1:0.05)- (=2:1) i 段
___ 1nm 20nai 3Onm [ 5nm j I Suitj 0.Inm 2run 15nm j
; ■:.....EL.......U—1503b........1
Γ^ζ^ mM?Iifftfl W I [1/-
丨傳輸.W 第二 ; 第三笫3 ;第4 汴入
I 1522 丨 1523a 1523h| 152-la ; _h | 1525
段丨 2in〖mTPMfiT〗:PCBA1RP 2m 隨 TP 腿 η 112ra!)BT ;
j --ΡΛΡ1-P =Ir(IBppm)Qacat':1r (tppr)2dpmFjDBq ; Bphen LIF
j 0.8:0.2:0, OS 1:0,02II:
j 20nm 20nm j_2 Ormi15nm j 15nm Inm |
[0295]下面示出在本實(shí)施例中使用的有些有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)式。
[0296][化學(xué)式I]
[0297]
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置,包括: 灰度轉(zhuǎn)換部;以及 顯示部, 其中,所述灰度轉(zhuǎn)換部被配置為將輸入到該灰度轉(zhuǎn)換部的第一圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二圖像信號(hào)并將該第二圖像信號(hào)發(fā)送到所述顯示部, 其中所述第一圖像信號(hào)具有P個(gè)灰度級(jí)(P是自然數(shù)并是偶數(shù)), 其中所述第二圖像信號(hào)經(jīng)過(guò)了灰度轉(zhuǎn)換處理,其中將從最低灰度級(jí)到第q灰度級(jí)的q個(gè)灰度級(jí)中的每一個(gè)灰度級(jí)進(jìn)一步分割為^個(gè)灰度級(jí), 并且,其中q是I以上且P/2以下,且!■是I以上且20以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置, 其中所述灰度轉(zhuǎn)換部被配置為將包括在所述第一圖像信號(hào)中的圖像分割為多個(gè)區(qū)域,在所述多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)中抽出亮度分布,根據(jù)所述亮度分布決定是否在所述多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)中進(jìn)行所述灰度轉(zhuǎn)換處理,并對(duì)需要所述灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域進(jìn)行所述灰度轉(zhuǎn)換處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置, 其中所述顯示部包括像素, 其中所述像素包括第一發(fā)光模塊、第二發(fā)光模塊和第三發(fā)光模塊中的一個(gè), 其中所述第一發(fā)光模塊包括: 第一反射膜; 所述第一反射膜上的第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)紅色的光的第一濾色片, 其中將所述第一反射膜和所述半透射?半反射膜之間的第一光學(xué)距離調(diào)整為600nm以上且短于SOOnm的長(zhǎng)度的i/2倍(i是自然數(shù)), 其中所述第二發(fā)光模塊包括: 第二反射膜; 所述第二反射膜上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)綠色的光的第二濾色片, 其中將所述第二反射膜和所述半透射?半反射膜之間的第二光學(xué)距離調(diào)整為500nm以上且短于600nm的長(zhǎng)度的j/2倍(j是自然數(shù)), 并且其中所述第三發(fā)光模塊包括: 第三反射膜; 所述第三反射膜上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的第三濾色片, 其中將所述第三反射膜和所述半透射?半反射膜之間的第三光學(xué)距離調(diào)整為400nm以上且短于500nm的長(zhǎng)度的k/2倍(k是自然數(shù))。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置, 其中所述顯示部包括像素, 其中所述像素包括第一發(fā)光模塊、第二發(fā)光模塊和第三發(fā)光模塊中的一個(gè), 其中所述第一發(fā)光模塊包括: 第一反射膜; 所述第一反射膜上的第一電極; 所述第一電極上的第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)紅色的光的第一濾色片, 其中所述第二發(fā)光模塊包括: 第二反射膜; 所述第二反射膜上的第二電極; 所述第二電極上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)綠色的光的第二濾色片, 并且其中所述第三發(fā)光模塊包括: 第三反射膜; 所述第三反射膜上的第三電極; 所述第三電極上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的第三濾色片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置, 其中所述顯示部包括包含發(fā)光模塊的像素, 并且其中所述發(fā)光模塊包括: 反射膜; 所述反射膜上的第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)紅色的光的濾色片, 其中所述發(fā)光模塊被配置為發(fā)射呈現(xiàn)紅色并具有帶如下峰值的光譜線的光,其中所述峰值的半寬度低于50nm。
6.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的電子設(shè)備。
7.一種顯示裝置,包括: 包括多個(gè)像素的顯示部,該多個(gè)像素中的一個(gè)包括:能夠在ΙΟΟμ s的響應(yīng)時(shí)間內(nèi)發(fā)射具有帶如下峰值的光譜線的光的發(fā)光模塊,其中所述峰值的半寬度為60nm以下;以及灰度轉(zhuǎn)換部, 其中,所述顯示部具有80%以上的NTSC比和500以上的對(duì)比度, 以SOppi以上的分辨率設(shè)置所述多個(gè)像素, 其中所述灰度轉(zhuǎn)換部被配置為將輸入到該灰度轉(zhuǎn)換部的第一圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二圖像信號(hào)并將該第二圖像信號(hào)發(fā)送到所述顯示部, 其中所述第一圖像信號(hào)具有P個(gè)灰度級(jí)(P是自然數(shù)并是偶數(shù)), 其中所述第二圖像信號(hào)經(jīng)過(guò)了灰度轉(zhuǎn)換處理,其中將從最低灰度級(jí)到第q灰度級(jí)的q個(gè)灰度級(jí)中的每一個(gè)灰度級(jí)進(jìn)一步分割為?個(gè)灰度級(jí), 并且,其中q是I以上且P/2以下,且!■是I以上且20以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置, 其中所述灰度轉(zhuǎn)換部被配置為將包括在所述第一圖像信號(hào)中的圖像分割為多個(gè)區(qū)域,在所述多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)中抽出亮度分布,根據(jù)所述亮度分布決定是否在所述多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)中進(jìn)行所述灰度轉(zhuǎn)換處理,并對(duì)需要所述灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域進(jìn)行所述灰度轉(zhuǎn)換處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置, 其中所述發(fā)光模塊是第一發(fā)光模塊、第二發(fā)光模塊和第三發(fā)光模塊中的一個(gè), 其中所述第一發(fā)光模塊包括: 第一反射膜; 所述第一反射膜上的第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)紅色的光的第一濾色片, 其中將所述第一反射膜和所述半透射?半反射膜之間的第一光學(xué)距離調(diào)整為600nm以上且短于SOOnm的長(zhǎng)度的i/2倍(i是自然數(shù)), 其中所述第二發(fā)光模塊包括: 第二反射膜; 所述第二反射膜上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)綠色的光的第二濾色片, 其中將所述第二反射膜和所述半透射?半反射膜之間的第二光學(xué)距離調(diào)整為500nm以上且短于600nm的長(zhǎng)度的j/2倍(j是自然數(shù)), 并且其中所述第三發(fā)光模塊包括: 第三反射膜; 所述第三反射膜上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的第三濾色片, 其中將所述第三反射膜和所述半透射?半反射膜之間的第三光學(xué)距離調(diào)整為400nm以上且短于500nm的長(zhǎng)度的k/2倍(k是自然數(shù))。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置, 其中所述發(fā)光模塊是第一發(fā)光模塊、第二發(fā)光模塊和第三發(fā)光模塊中的一個(gè), 其中所述第一發(fā)光模塊包括: 第一反射膜; 所述第一反射膜上的第一電極; 所述第一電極上的第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)紅色的光的第一濾色片, 其中所述第二發(fā)光模塊包括: 第二反射膜; 所述第二反射膜上的第二電極; 所述第二電極上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)綠色的光的第二濾色片, 并且其中所述第三發(fā)光模塊包括: 第三反射膜; 所述第三反射膜上的第三電極; 所述第三電極上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的第三濾色片。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置, 其中所述發(fā)光模塊包括: 反射膜; 所述反射膜上的第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)紅色的光的濾色片, 其中所述發(fā)光模塊被配置為發(fā)射呈現(xiàn)紅色并具有帶如下峰值的光譜線的光,其中所述峰值的半寬度低于50nm。
12.一種包括根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置的電子設(shè)備。
13.一種顯示裝置,包括: 灰度轉(zhuǎn)換部;以及 包括多個(gè)像素的顯示部, 其中,所述多個(gè)像素中的一個(gè)包括能夠在ΙΟΟμ s的響應(yīng)時(shí)間內(nèi)發(fā)射具有帶如下峰值的光譜線的光的第一發(fā)光模塊、第二發(fā)光模塊和第三發(fā)光模塊,其中所述峰值的半寬度為60nm以下, 其中所述顯示部具有80%以上的NTSC比和500以上的對(duì)比度, 其中以SOppi以上的分辨率設(shè)置所述多個(gè)像素, 其中所述灰度轉(zhuǎn)換部被配置為將輸入到該灰度轉(zhuǎn)換部的第一圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二圖像信號(hào)并將該第二圖像信號(hào)發(fā)送到所述顯示部, 其中所述第一圖像信號(hào)具有P個(gè)灰度級(jí)(P是自然數(shù)并是偶數(shù)), 其中所述第二圖像信號(hào)經(jīng)過(guò)了灰度轉(zhuǎn)換處理,其中將從最低灰度級(jí)到第q灰度級(jí)的q個(gè)灰度級(jí)中的每一個(gè)灰度級(jí)進(jìn)一步分割為?個(gè)灰度級(jí), 并且,其中q是I以上且P/2以下,且!■是I以上且20以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置, 其中所述灰度轉(zhuǎn)換部被配置為將包括在所述第一圖像信號(hào)中的圖像分割為多個(gè)區(qū)域,在所述多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)中抽出亮度分布,根據(jù)所述亮度分布決定是否在所述多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)中進(jìn)行所述灰度轉(zhuǎn)換處理,并對(duì)需要所述灰度轉(zhuǎn)換處理的區(qū)域進(jìn)行所述灰度轉(zhuǎn)換處理。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置, 其中所述第一發(fā)光模塊包括: 第一反射膜; 所述第一反射膜上的第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)紅色的光的第一濾色片, 其中將所述第一反射膜和所述半透射?半反射膜之間的第一光學(xué)距離調(diào)整為600nm以上且短于SOOnm的長(zhǎng)度的i/2倍(i是自然數(shù)), 其中所述第二發(fā)光模塊包括: 第二反射膜; 所述第二反射膜上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)綠色的光的第二濾色片, 其中將所述第二反射膜和所述半透射?半反射膜之間的第二光學(xué)距離調(diào)整為500nm以上且短于600nm的長(zhǎng)度的j/2倍(j是自然數(shù)), 并且其中所述第三發(fā)光模塊包括: 第三反射膜; 所述第三反射膜上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的第三濾色片, 其中將所述第三反射膜和所述半透射?半反射膜之間的第三光學(xué)距離調(diào)整為400nm以上且短于500nm的長(zhǎng)度的k/2倍(k是自然數(shù))。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置, 其中所述第一發(fā)光模塊包括: 第一反射膜; 所述第一反射膜上的第一電極; 所述第一電極上的第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)紅色的光的第一濾色片, 其中所述第二發(fā)光模塊包括: 第二反射膜; 所述第二反射膜上的第二電極; 所述第二電極上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)綠色的光的第二濾色片, 并且其中所述第三發(fā)光模塊包括: 第三反射膜; 所述第三反射膜上的第三電極; 所述第三電極上的所述第一發(fā)光層; 所述第一發(fā)光層上的所述中間層; 所述中間層上的所述第二發(fā)光層; 所述第二發(fā)光層上的所述半透射.半反射膜;以及 所述半透射.半反射膜上的用于透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的第三濾色片。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置, 其中所述第一發(fā)光模塊被配置為發(fā)射呈現(xiàn)紅色并具有帶第一峰值的第一光譜線的光,其中所述第一峰值的第一半寬度低于50nm, 其中所述第二發(fā)光模塊被配置為發(fā)射呈現(xiàn)綠色并具有帶第二峰值的第二光譜線的光,其中所述第二峰值的第二半寬度比所述第一半寬度窄, 并且其中所述第三發(fā)光模塊被配置為發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色并具有帶第三峰值的第三光譜線的光,其中所述第三峰值的第三半寬度比所述第二半寬度窄。
18.—種包括根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置的電子設(shè)備。
【文檔編號(hào)】H05B33/24GK104205199SQ201380017742
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月6日
【發(fā)明者】山崎舜平, 平形吉晴 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所