本實用新型涉及電子器件技術領域,尤其涉及一種新型單層鋁基板。
背景技術:
鋁基板是低合金化的Al-Mg-Si系高塑性合金板,能夠將熱阻降至最低,使其具有極好的熱傳導性能;一般單面板由三層結構所組成,分別是電路層、絕緣層和金屬基層。
線路層一般采用電解銅箔經過蝕刻形成印制電路,用于實現(xiàn)器件的裝配和連接。絕緣層是鋁基板最核心的技術,主要起到粘接,絕緣和導熱的功能。鋁基板絕緣層是功率模塊結構中最大的導熱屏障。絕緣層熱傳導性能越好,越有利于器件運行時所產生熱量的擴散,也就越有利于降低器件的運行溫度,從而達到提高模塊的功率負荷,減小體積,延長壽命,提高功率輸出等目的。金屬基層采用何種金屬,需要取決于金屬基板的熱膨脹系數(shù),熱傳導能力,強度,硬度,重量,表面狀態(tài)和成本等條件的綜合考慮。一般情況下,從成本和技術性能等條件來考慮,鋁板是比較理想的選擇。
電路元件一般直接安裝在導電層上,電路元件工作產生的熱量需要經過導電層、絕緣層傳遞給底基板,再由底基板向外界散熱,散熱效果差,散熱時間長,影響電路元件的使用壽命。此外,絕緣層與底基板的接觸面積較小,粘合牢度較差。
有鑒于此,有必要對現(xiàn)有技術中的鋁基板予以改進,以解決上述問題。
技術實現(xiàn)要素:
本實用新型的目的在于公開一種新型單層鋁基板,用以使電路元件與底基板直接接觸,加快電路元件的散熱速度,延長電路元件的使用壽命,增加絕緣層與底基板的接觸面積,提高絕緣層與底基板的結合牢度。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供了一種新型單層鋁基板,包括沿豎直方向依次疊加的底基板、絕緣層和導電層;所述導電層上設有若干個相互連通且沿豎直方向向下延伸貫穿絕緣層的容置部,所述底基板表面設有若干個沿豎直方向向上延伸的圍合部,所述圍合部包覆容置部底層。
在一些實施方式中,所述底基板為鋁基板。
在一些實施方式中,所述底基板內設有若干個空腔。
在一些實施方式中,所述空腔呈球狀、圓柱體或者立方體。
在一些實施方式中,所述空腔內填充有導熱材料。
在一些實施方式中,所述導電層上設有沿豎直方向向下延伸且未貫穿導電層的容置通道,所述容置通道與容置部連通。
在一些實施方式中,所述容置部橫截面呈圓形、橢圓形或者矩形。
與現(xiàn)有技術相比,本實用新型的有益效果是:通過在導電層上設有若干個相互連通且沿豎直方向向下延伸貫穿絕緣層的容置部,在底基板表面設有若干個沿豎直方向向上延伸的圍合部,圍合部包覆容置部底層,從而使電路元件與底基板直接接觸,加快了電路元件的散熱速度,延長了電路元件的使用壽命,增加了絕緣層與底基板的接觸面積,提高了絕緣層與底基板的結合牢度。
附圖說明
圖1為本實用新型所示的新型單層鋁基板的結構示意圖;
圖2為沿圖1中A-A線的剖視圖;
圖3為圖1中所示的底基板的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖及實施例描述本實用新型具體實施方式:
需要說明的是,本說明書所附圖中示意的結構、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內容,以供熟悉此技術的人士了解與閱讀,并非用以限定本實用新型可實施的限定條件,任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整,在不影響本實用新型所能產生的功效及所能達成的目的下,均應仍落在本實用新型所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。
同時,本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語,亦僅為便于敘述的明了,而非用以限定本實用新型可實施的范圍,其相對關系的改變或調整,在無實質變更技術內容下,當亦視為本實用新型可實施的范疇。
如圖1-3所示的一種新型單層鋁基板,包括沿豎直方向依次疊加的底基板3、絕緣層2和導電層1。其中,導電層1采用金屬銅箔制成,絕緣層2為高導熱、高絕緣的陶瓷粉末填充而成的聚合物,主要為環(huán)氧樹脂,底基板3為鋁板,具有較好的熱傳導性能。
所述導電層1上設有若干個相互連通且沿豎直方向向下延伸貫穿絕緣層2的容置部4,容置部4未延伸入底基板3中。具體地,如圖1所示,導電層1上設有九個容置部4且其呈矩陣排列。所述容置部4橫截面呈圓形、橢圓形或者矩形,并優(yōu)選為圓形。電路元件(未示出)可放置在容置部4中。
底基板3表面設有若干個沿豎直方向向上延伸的圍合部31,所述圍合部31包覆容置部4底層,圍合部31的高度為底基板3高度的1/2。具體地,如圖3所示,底基板3上設有九個圍合部31且其呈矩陣排列,圍合部31形成收容槽310,容置部4底層位于收容槽310中。每個容置部4對應設置有一個圍合部31,從而使每個容置部4底層均可位于收容槽310中。
電路元件可放置在容置部4中,從而使電路元件可與底基板3直接接觸,電路元件工作產生的熱量直接由底基板3直接導出,無需經過絕緣層2進行傳遞,一方面降低了對絕緣層2關于材質方面的要求,另一方面對電路元件進行了快速散熱,迅速降低電路元件內的熱量,延長了電路元件的使用壽命。
所述導電層1上設有沿豎直方向向下延伸且未貫穿導電層1的容置通道5,所述容置通道5與容置部4連通,如圖1所示,容置通道5呈水平布置或者豎直布置,當然,容置通道5也可呈傾斜布置,只要能夠使各個容置部4相連通即可。放置于容置部4中的電路元件之間通過導線(未示出)連接,導線則位于容置通道5中。
絕緣層2與圍合部31外表層粘結,由于絕緣層2與底基板3接觸點增多,增大了絕緣層2與底基板3的接觸面積,增加了絕緣層2與底基板3之間的結合牢度,從而提高了該新型單層鋁基板整體結構的穩(wěn)定性。
底基板3內設有若干個空腔30,空腔30呈球狀、圓柱體或者立方體,并優(yōu)選為球狀??涨?0內填充有導熱材料6,導熱材料6可為導熱膠、導熱膏或納米碳,并優(yōu)選為導熱膏,從而進一步快速對電路元件工作產生的熱量進行驅散。
上面結合附圖對本實用新型優(yōu)選實施方式作了詳細說明,但是本實用新型不限于上述實施方式,在本領域普通技術人員所具備的知識范圍內,還可以在不脫離本實用新型宗旨的前提下做出各種變化。
不脫離本實用新型的構思和范圍可以做出許多其他改變和改型。應當理解,本實用新型不限于特定的實施方式,本實用新型的范圍由所附權利要求限定。