技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于模壓芯片級(jí)封裝的晶圓工藝，包括：在晶圓上的芯片焊接墊上沉積金屬凸塊；在晶圓正面制備第一封裝層，覆蓋金屬凸塊；在晶圓的邊緣處制備未覆蓋環(huán)，使多個(gè)劃線中每個(gè)劃線的兩端都裸露出來(lái)；減薄第一封裝層，使金屬凸塊裸露出來(lái)；制備切割槽；研磨晶圓的背面，在晶圓邊緣處形成凹陷空間和支撐環(huán)；在凹陷空間中晶圓的背面沉積金屬種子層；切除晶圓的邊緣部分；在襯底上翻轉(zhuǎn)并安裝晶圓；沉積覆蓋著金屬種子層的金屬層；從晶圓上除去襯底；通過(guò)沿劃線切割第一封裝層、晶圓、金屬種子層和金屬層，使單獨(dú)的芯片與晶圓分離。

技術(shù)研發(fā)人員：薛彥迅;哈姆扎·依瑪茲;何約瑟;魯軍;牛志強(qiáng);連國(guó)峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.25
技術(shù)公布日：2017.08.01