本實用新型涉及一種存儲芯片，尤其是高速智能手機存儲芯片。

背景技術(shù)：

DDR3內(nèi)存芯片采用了ODT(核心整合終結(jié)器)技術(shù)以及用于優(yōu)化性能的EMRS技術(shù)，同時也允許輸入時鐘異步。在針腳定義方面，DDR3表現(xiàn)出很強的獨立性，對比DDR2系列有著絕對的優(yōu)勢。

目前DDR3的存儲芯片很多用在手機上，但是DDR3大容量的內(nèi)存加工難度大，影響大批量生產(chǎn)。8G的芯片厚度較厚，強度高，基本是多個芯片平布在基板上，貼合在基板上時，先刷一層環(huán)氧樹脂層，環(huán)氧樹脂層的厚度不均勻，通過對8G芯片加壓，使8G芯片將環(huán)氧樹脂層壓平，8G芯片貼合在基板上，由于8G芯片較厚不容易壓壞。16G芯片較薄，不能受壓，容易破碎，采用環(huán)氧樹脂連接芯片廢品率高、不適合大規(guī)模生產(chǎn)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本實用新型提供一種加工難度小的高速智能手機存儲芯片，具體技術(shù)方案為：

高速智能手機存儲芯片，包括第二層芯片、第一層芯片、基板和環(huán)氧樹脂；所述第二層芯片通過第二層粘合膠疊加在第一層芯片上方；所述第一層芯片通過第一層粘合膠固定在基板上方；所述第二層芯片和第一層芯片分別通過金線與基板連接；所述基板設(shè)有多層，每層均設(shè)有金線組成的線路，其中一層為芯片連接層，所述芯片連接層連通第一層芯片和第二層芯片，所述基板下方設(shè)有錫球，所述錫球設(shè)有多個，規(guī)則排布在基板下方；所述錫球與基板上相關(guān)的金線連接；所述環(huán)氧樹脂覆蓋在基板上方，將第二層芯片、第二層粘合膠、第一層芯片、第一層粘合膠和金線全部包裹在內(nèi)。

優(yōu)選的，所述第二層芯片與第一層芯片之間設(shè)有連接板，所述連接板上設(shè)有金線線路，所述連接板連通第一層芯片和第二層芯片，所述連接板不大于第二層芯片，所述連接板的四周設(shè)有第二層粘合膠，所述第二層粘合膠粘結(jié)第 一層芯片和第二層芯片。

優(yōu)選的，所述第二層芯片與第一層芯片之間設(shè)有碳納米管，所述碳納米管連通第二層芯片與第一層芯片，所述第二層粘合膠間隔布置，所述碳納米管布置在第二層粘合膠的間隔處，所述第二層粘合膠粘結(jié)第二層芯片和第一層芯片。

16G芯片較薄，采用疊加的方式封裝，而環(huán)氧樹脂作為連接層時厚度大，不平整，無法通過對16G芯片施壓使環(huán)氧樹脂層變平整，因此采用粘合膠貼合，粘合膠為晶圓背面貼合膠帶，是一種粘性好，厚度薄，并且平面度好的雙面膠，由LG和日立生產(chǎn)?，F(xiàn)采用粘合膠，材質(zhì)較軟、平面度好，貼合芯片時不易出現(xiàn)開裂，廢品少、加工方便，提高了生產(chǎn)效率。

與現(xiàn)有技術(shù)相比本實用新型具有以下有益效果：

本實用新型提供的高速智能手機存儲芯片加工方便、廢品率低、適合大批量生產(chǎn)。

附圖說明

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)結(jié)合附圖說明本實用新型的具體實施方式。

實施例一

如圖1所示，高速智能手機存儲芯片，包括第二層芯片1、第一層芯片3、基板5和環(huán)氧樹脂7；所述第二層芯片1通過第二層粘合膠2疊加在第一層芯片3上方；所述第一層芯片3通過第一層粘合膠4固定在基板5上方；所述第二層芯片1和第一層芯片3分別通過金線8與基板5連接；所述基板5設(shè)有多層，每層均設(shè)有金線組成的線路，其中一層為芯片連接層，所述芯片連接層連通第一層芯片3和第二層芯片1，所述基板5下方設(shè)有錫球6，所述錫球6設(shè)有多個，規(guī)則排布在基板5下方；所述錫球6與基板5上相關(guān)的金線連接；所述環(huán)氧樹脂7覆蓋在基板5上方，將第二層芯片1、第二層粘合膠2、第一層芯片3、第一層粘合膠4和金線8全部包裹在內(nèi)。

所述第二層芯片1與第一層芯片3之間設(shè)有連接板，所述連接板上設(shè)有金線線路，所述連接板連通第一層芯片3和第二層芯片1，所述連接板不大 于第二層芯片1，所述連接板的四周設(shè)有第二層粘合膠2，所述第二層粘合膠2粘結(jié)第一層芯片3和第二層芯片1。

由于基板的厚度固定，層數(shù)難以增加，而存儲芯片容量變大，連接金線增多，原有的基板較難滿足高密度的金線布置，容易出現(xiàn)短路，通過連接板連通第一層芯片3和第二層芯片1，無需增加基板的層數(shù)和金線的布置數(shù)量，降低基板加工難度，同時減少金線與基板的連接數(shù)量，能減少了基板的短路幾率，有助于提高質(zhì)量，降低成本。

實施例二

高速智能手機存儲芯片，包括第二層芯片1、第一層芯片3、基板5和環(huán)氧樹脂7；所述第二層芯片1通過第二層粘合膠2疊加在第一層芯片3上方；所述第一層芯片3通過第一層粘合膠4固定在基板5上方；所述第二層芯片1和第一層芯片3分別通過金線8與基板5連接；所述基板5設(shè)有多層，每層均設(shè)有金線組成的線路，其中一層為芯片連接層，所述芯片連接層連通第一層芯片3和第二層芯片1，所述基板5下方設(shè)有錫球6，所述錫球6設(shè)有多個，規(guī)則排布在基板5下方；所述錫球6與基板5上相關(guān)的金線連接；所述環(huán)氧樹脂7覆蓋在基板5上方，將第二層芯片1、第二層粘合膠2、第一層芯片3、第一層粘合膠4和金線8全部包裹在內(nèi)。所述第二層芯片1與第一層芯片3之間設(shè)有碳納米管，所述碳納米管連接第二層芯片1與第一層芯片3，所述第二層粘合膠2間隔布置，所述碳納米管布置在第二層粘合膠2的間隔處。

碳納米管作為一維納米材料，重量輕，六邊形結(jié)構(gòu)連接完美，具有許多異常的力學(xué)、電學(xué)和化學(xué)性能。

將碳納米管用于連通芯片，具有很好的效果，連接層也薄，適合將手機存儲芯片制造的更加薄。