技術(shù)編號(hào)：11628215
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體器件的封裝方法。確切地說，本發(fā)明旨在提供一種模壓芯片級(jí)封裝（MCSP）的改良晶圓工藝，以獲得帶有厚背面金屬的薄芯片封裝，以及在器件的正面和/或背面上的成型化合物。背景技術(shù)在晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝（WLCSP）的技術(shù)中，在晶圓上全部完成半導(dǎo)體芯片，從晶圓上分離單獨(dú)的芯片封裝后，半導(dǎo)體芯片直接封裝在晶圓級(jí)上。因此，芯片封裝的尺寸與原始的半導(dǎo)體芯片的尺寸相同。通常來(lái)說，WLCSP技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件。在本領(lǐng)域中眾所周知，垂直功率器件，例如共漏MOSFET等具有較大的Rdson。因此，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。