本實(shí)用新型涉及芯片加工領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片吸嘴。

背景技術(shù)：

目前的芯片厚度非常地薄，半導(dǎo)體幾臺(tái)在對(duì)切割后的芯片進(jìn)行處理過程中，都需要進(jìn)行芯片的吸取和放置動(dòng)作，該動(dòng)作在芯片吸嘴對(duì)芯片吸附后進(jìn)行，芯片吸嘴是連接真空發(fā)生裝置通過真空吸氣或泄氣的方式對(duì)芯片進(jìn)行吸取和放置。然而，隨著芯片像素越來越高，感光區(qū)域面積越來越大，且芯片存在感光區(qū)域偏心設(shè)置，導(dǎo)致非感光區(qū)越來越??；在此情況下，現(xiàn)有芯片吸嘴采用四邊吸嘴壁，吸嘴壁越來越薄，但薄的吸嘴內(nèi)壁容易在芯片感光區(qū)產(chǎn)生壓傷吸嘴印，從而降低成品率。另外，大多數(shù)芯片采用激光切割 ，造成芯片四周殘留大量碳化碎屑，目前所采用的芯片吸嘴與芯片的接觸會(huì)帶起芯片四周的碎屑粘在吸嘴上，容易導(dǎo)致芯片臟污的異常事故發(fā)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種芯片吸嘴，該芯片吸嘴采用三條吸嘴壁吸附芯片，具有便于定位吸附、不易壓傷芯片和芯片潔凈度高的優(yōu)勢(shì)。

為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本實(shí)用新型采用了以下的技術(shù)方案：

一種芯片吸嘴，包括基座，以及設(shè)置于基座上的嘴部；所述基座內(nèi)部設(shè)有氣道，氣道上端口處的基座上設(shè)有用于連接真空發(fā)生裝置的貫串孔，氣道下端口處開設(shè)在基座的工作端面上；其特征在于：所述基座的工作端面是矩形，嘴部由且僅由沿基座工作端面邊緣設(shè)置的三條吸嘴壁，三條吸嘴壁的吸附端面齊平，三條吸嘴壁與基座的工作端面之間形成負(fù)壓腔。

作為優(yōu)選，所述氣道的直徑是8mm；上述方案中，為了克服三條吸嘴壁吸附芯片容易產(chǎn)生芯片傾斜的問題，通過提升氣道流量，將芯片吸嘴的直徑5mm擴(kuò)大至8mm，從而形成更強(qiáng)的負(fù)壓，使芯片吸附更加穩(wěn)定。

作為優(yōu)選，所述吸嘴壁的壁厚寬度是210um，硬度是75S。上述方案中，為了克服三條吸嘴壁吸附芯片容易產(chǎn)生芯片傾斜的問題，將吸嘴壁的壁厚由原有的50um增加至210um，硬度由原有的70S增加至75S，從而提升吸嘴壁與芯片的接觸面積和吸附強(qiáng)度，使芯片吸附更加穩(wěn)定。

作為優(yōu)選，所述基座的工作端面上設(shè)有抗靜電表層；該方案對(duì)吸嘴表面進(jìn)行防靜電打滑設(shè)計(jì)，防止吸嘴掉落橡膠碎屑及靜電帶回現(xiàn)象發(fā)生。

作為優(yōu)選，所述三條吸嘴壁分別包括中間的第一吸嘴壁，以及設(shè)置在第一吸嘴壁兩側(cè)的第二吸嘴壁；所述第一吸嘴壁的兩端部分別與第二吸嘴壁的第一端部連為一體，第二吸嘴壁的第二端部與基座工作端面邊緣之間留有間隙。

作為優(yōu)選，所述基座是錐形基座，基座包括上方的主體部，以及下方的收口部；所述主體部呈矩形柱體，貫串孔開設(shè)有在主體部上，收口部呈矩形錐臺(tái)，三條吸嘴壁一體連接于收口部的基座工作端面上。

本實(shí)用新型采用上述技術(shù)方案，該技術(shù)方案涉及一種芯片吸嘴，該芯片吸嘴的工作端面是矩形，而其吸嘴是由且僅由沿基座工作端面邊緣設(shè)置的三條吸嘴壁構(gòu)成，該方案具有以下三方面的優(yōu)勢(shì)：1，傳統(tǒng)芯片吸嘴采用四邊吸嘴壁吸附芯片，吸附時(shí)需要對(duì)準(zhǔn)于芯片的四個(gè)邊緣，如此在定位過程中非常不便；而該方案采用三條吸嘴壁進(jìn)行吸附，并不需要完全對(duì)準(zhǔn)于芯片邊緣，定位要求不高，從而便于定位，提升裝機(jī)效率；2，現(xiàn)有芯片感光區(qū)域面積越來越大，感光區(qū)域偏心設(shè)置，傳統(tǒng)吸附定位方式只能通過減小吸嘴壁厚度用以規(guī)避感光區(qū)域；而該方案采用三條吸嘴壁進(jìn)行吸附，將開口處對(duì)準(zhǔn)芯片感光區(qū)域一側(cè)，由此即可實(shí)現(xiàn)規(guī)避感光區(qū)域，又可避免芯片產(chǎn)生壓傷吸嘴?。?，現(xiàn)有芯片四周殘留大量碳化碎屑，傳統(tǒng)吸附方式需貼合吸盤邊緣吸附，易于將四周的碎屑粘在吸嘴內(nèi)；但該技術(shù)方案可不貼合邊緣進(jìn)行吸附，從而可避免四周的碎屑粘在吸嘴內(nèi)，提升芯片潔凈度。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型的底面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方案作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

如圖1-3所示的一種芯片吸嘴，包括基座1，以及設(shè)置于基座1上的嘴部2。所述基座1內(nèi)部設(shè)有氣道13，氣道13上端口處的基座1上設(shè)有用于連接真空發(fā)生裝置的貫串孔11，氣道13下端口處開設(shè)在基座1的工作端面12上。具體地，所述基座1是錐形基座，基座1包括上方的主體部14，以及下方的收口部15；所述主體部14呈矩形柱體，貫串孔11開設(shè)有在主體部14上，收口部15呈矩形錐臺(tái)。所述基座1的工作端面12是矩形，工作端面12上設(shè)有抗靜電表層，對(duì)吸嘴表面進(jìn)行防靜電打滑設(shè)計(jì)，防止吸嘴掉落橡膠碎屑及靜電帶回現(xiàn)象發(fā)生。

所述嘴部2由且僅由沿基座1工作端面12邊緣設(shè)置的三條吸嘴壁，三條吸嘴壁的吸附端面齊平，三條吸嘴壁與基座1的工作端面12之間形成負(fù)壓腔。具體地，三條吸嘴壁一體連接于收口部15的基座1工作端面12上，三條吸嘴壁分別包括中間的第一吸嘴壁21，以及設(shè)置在第一吸嘴壁21兩側(cè)的第二吸嘴壁22；所述第一吸嘴壁21的兩端部分別與第二吸嘴壁22的第一端部連為一體，第二吸嘴壁22的第二端部與基座1工作端面12邊緣之間留有間隙23。

上述技術(shù)方案涉及一種芯片吸嘴，該芯片吸嘴的工作端面12是矩形，而其吸嘴是由且僅由沿基座1工作端面12邊緣設(shè)置的三條吸嘴壁構(gòu)成，該方案具有以下三方面的優(yōu)勢(shì)：1，傳統(tǒng)芯片吸嘴采用四邊吸嘴壁吸附芯片，吸附時(shí)需要對(duì)準(zhǔn)于芯片的四個(gè)邊緣，如此在定位過程中非常不便；而該方案采用三條吸嘴壁進(jìn)行吸附，并不需要完全對(duì)準(zhǔn)于芯片a邊緣，定位要求不高，從而便于定位，提升裝機(jī)效率；2，現(xiàn)有芯片感光區(qū)域面積越來越大，感光區(qū)域偏心設(shè)置，傳統(tǒng)吸附定位方式只能通過減小吸嘴壁厚度用以規(guī)避感光區(qū)域；而該方案采用三條吸嘴壁進(jìn)行吸附，將開口處對(duì)準(zhǔn)芯片感光區(qū)域一側(cè)，由此即可實(shí)現(xiàn)規(guī)避感光區(qū)域，又可避免芯片產(chǎn)生壓傷吸嘴??；3，現(xiàn)有芯片四周殘留大量碳化碎屑，傳統(tǒng)吸附方式需貼合吸盤邊緣吸附，易于將四周的碎屑粘在吸嘴內(nèi)；但該技術(shù)方案可不貼合邊緣進(jìn)行吸附，從而可避免四周的碎屑粘在吸嘴內(nèi)，提升芯片潔凈度。

另外，上述技術(shù)方案在實(shí)際應(yīng)用中還存在著三條吸嘴壁吸附芯片容易產(chǎn)生芯片傾斜的問題；為了進(jìn)一步完善，用以克服該技術(shù)問題，實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。芯片吸嘴的氣道13直徑是8mm，將芯片吸嘴的直徑5mm擴(kuò)大至8mm，從而提升氣道13流量，形成更強(qiáng)的負(fù)壓，使芯片吸附更加穩(wěn)定。同時(shí)將吸嘴壁的壁厚寬度是210um，硬度是75S；將吸嘴壁的壁厚由原有的50um增加至210um，硬度由原有的70S增加至75S，從而提升吸嘴壁與芯片的接觸面積和吸附強(qiáng)度，使芯片吸附更加穩(wěn)定。