本發(fā)明屬于微電子技術(shù)中的集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)以及制作工藝。

背景技術(shù)：

隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展，為了滿足不同內(nèi)存容量的要求，越來越多的封裝方式從1d>2d>4d>8d……,且使用的芯片也越來越薄，但是目前的產(chǎn)品外觀尺寸固定，這樣經(jīng)過內(nèi)部結(jié)構(gòu)調(diào)整后,需要設(shè)計一種能解決適應(yīng)不同功能芯片厚度的產(chǎn)品封裝需求,并且能解決產(chǎn)品翹曲度問題的封裝結(jié)構(gòu)以及制作工藝，從而達(dá)到利潤最大化以及保證封裝機(jī)構(gòu)可靠性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種結(jié)構(gòu)簡單，能夠適應(yīng)不同功能芯片厚度的需求，同時解決產(chǎn)品翹曲度問題的增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)以及制作工藝。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括：

銅基板，具有相對的一頂面和一底面；

功能性芯片，配置于所述銅基板的頂面或非功能芯片上方；

非功能性芯片，配置于功能性芯片的上方、下方或者側(cè)面，其中非功能芯片位于功能性芯片的下方和側(cè)面時，非功能芯片與銅基板相連；

金線，用于連接功能性芯片與銅基板；

絕緣樹脂，用于將上述增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝空間填充滿。

制造如權(quán)利要求1所述的增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作工藝，包括如下步驟：

第一步：對功能性芯片和非功能性芯片進(jìn)行正面貼膜，然后對上述兩個芯片進(jìn)行背面研磨；

第二步：對第一步中的功能性芯片和非功能性芯片進(jìn)行背面貼膜，然后將芯片和非功能性芯片上的正面貼膜撕掉；

第三步：將第二步中的功能性芯片和非功能性芯片分別切割成單個元件；

第四步：把單個元件的功能性芯片通過膠帶設(shè)置在銅基板上，再利用金線將單個元件的功能性芯片和銅基板焊接相連，然后單個元件的非功能性芯后通過膠帶設(shè)置在基板或單個元件的功能性芯片上；或者先把單個的元件的非功能性芯片通過膠帶設(shè)置在銅基板上，再將單個元件的功能性芯片焊接到單個元件的非功能性芯片上，再利用金線將功能性芯片和銅基板焊接相連；

第五步：將第四步中制成的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行樹脂合成，然后進(jìn)行植球或電鍍，最后對其進(jìn)行切割。

由于上述技術(shù)方案的運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點：

本發(fā)明方案的增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)以及制作工藝，在生產(chǎn)工藝流程上簡易，從而獲得成本上的比較優(yōu)勢，且針對不同厚度的薄芯片的不同封裝需求，通過調(diào)整非功能芯片的位置，大小，厚度等因素，來解決芯片的再利用，利潤最大化，滿足了實際的生產(chǎn)加工需求，具有較強(qiáng)的實用性和推廣價值。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明技術(shù)方案作進(jìn)一步說明：

附圖1為實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖3為實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中：1、銅基板；2、功能性芯片；3、非功能性芯片；4、膠帶。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

本發(fā)明所述的一種增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括：銅基板1，具有相對的一頂面和一底面；功能性芯片2，配置于所述銅基板1的頂面或非功能芯片3的上方；非功能性芯片3，配置于功能性芯片3的上方、下方或者側(cè)面，其中非功能芯片3位于功能性芯片2的下方和側(cè)面時，非功能芯片3與銅基板1相連；金線，用于連接功能性芯片2與銅基板1；絕緣樹脂（圖中未示出），用于將上述增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝空間填充滿；其中，功能性芯片2和銅基板1、非功能性芯片3和銅基板1之間通過膠帶4連接在一起。

實施一中：增加非功能芯片的封裝結(jié)構(gòu)如圖1所示：

此時，非功能芯片3位于功能性芯片2上方，這樣不但能保證功能性芯片2沒有翹曲度，同時還可以通過調(diào)整非功能芯片3的厚度和大小來滿足不同封裝結(jié)構(gòu)的需求。

制造如實施一中的增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作工藝，包括如下步驟：第一步：對功能性芯片和非功能性芯片進(jìn)行正面貼膜，然后對上述兩個芯片進(jìn)行背面研磨；第二步：對第一步中的兩個芯片進(jìn)行背面貼膜，然后上述兩個芯片上的正面貼膜撕掉；第三步：將功能性芯片和非功能性芯片分別切割成單個元件；第四步：把單個元件的功能性芯片通過膠帶設(shè)置在銅基板上，再利用金線將單個元件的功能性芯片和銅基板焊接相連，然后單個元件的非功能性芯后通過膠帶設(shè)置在單個元件的功能性芯片上；第五步：將第四步中的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行樹脂合成，然后進(jìn)行植球或電鍍，最后對其進(jìn)行切割。

實施二中：增加非功能芯片的封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示，

此時非功能芯片3設(shè)置在功能性芯片2下方，這是因為功能性芯片3的體積較小，通過調(diào)節(jié)非功能性芯片3的厚度和大小可以很方便的將功能性芯片2設(shè)置在銅基板1上。

制造如實施二中的增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作工藝，包括如下步驟：第一步：對功能性芯片和非功能性芯片進(jìn)行正面貼膜，然后對上述兩個芯片進(jìn)行背面研磨；第二步：對第一步中的兩個芯片先進(jìn)行背面貼膜，然后將上述兩個芯片的正面貼膜撕掉；第三步：將第二步中的功能性芯片和非功能性芯片分別切割成單個元件；第四步：先把單個元件的非功能性芯片通過膠帶設(shè)置在銅基板上，再將單個元件的功能性芯焊接到單個元件的非功能性芯片上，再利用金線將功能性芯片和銅基板焊接相連；第五步：將第四步中的封裝機(jī)構(gòu)進(jìn)行樹脂合成，然后進(jìn)行植球或電鍍，最后對其進(jìn)行切割。

實施三中：增加非功能芯片的封裝結(jié)構(gòu)如圖3所示:

非功能芯片3在功能性芯片2的側(cè)面，這是由于如果只是單個的功能性芯片2與銅基板1連接后，而此時填充物將填滿封裝結(jié)構(gòu)，在功能性芯片2一側(cè)設(shè)置與銅基板相連的非功能性芯片3，是為了保證功能性芯片2兩側(cè)的填充物分布均勻。

制造如實施三中的增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作工藝，包括如下步驟：第一步：對功能性芯片和非功能性芯片進(jìn)行正面貼膜，然后對上述兩個芯片進(jìn)行背面研磨；第二步：對第一步中的兩個芯片進(jìn)行背面貼膜，然后將上述兩個芯片上的正面貼膜撕掉；第三步：將第二步中的功能性芯片和非功能性芯片分別切割成單個元件；第四步：先將單個元件的非功能性芯片通過膠帶設(shè)置到銅基板上，再將第單個元件后的功能性芯片貼在位于單個元件的非功能性芯片一側(cè)，最后利用金線將功能性芯片焊接到銅基板上；第五步：將第四步中的封裝機(jī)構(gòu)樹脂合成，然后進(jìn)行植球或電鍍，最后對其進(jìn)行切割。

本發(fā)明的增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)以及制作工藝，在生產(chǎn)工藝流程上簡易，從而獲得成本上的比較優(yōu)勢，且針對不同厚度的薄芯片的不同封裝需求，通過調(diào)整非功能芯片的位置，大小，厚度等因素，來解決芯片的再利用，利潤最大化，滿足了實際的生產(chǎn)加工需求，具有較強(qiáng)的實用性和推廣價值。

以上僅是本發(fā)明的具體應(yīng)用范例，對本發(fā)明的保護(hù)范圍不構(gòu)成任何限制。凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括：銅基板，具有相對的一頂面和一底面；功能性芯片，配置于所述銅基板的頂面或非功能芯片上方；非功能性芯片，配置于功能性芯片的上方、下方或者側(cè)面，其中非功能芯片位于功能性芯片的下方和側(cè)面時，非功能芯片與銅基板相連；金線，用于連接功能性芯片與銅基板；絕緣樹脂，用于將上述增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝空間填充滿，本發(fā)明的增加非功能性芯片的封裝結(jié)構(gòu)以及制作工藝，在生產(chǎn)工藝流程上簡易，從而獲得成本上的比較優(yōu)勢，且針對不同厚度的薄芯片的不同封裝需求，通過調(diào)整非功能芯片的位置，大小，厚度等因素，來解決芯片的再利用，利潤最大化，滿足了實際的生產(chǎn)加工需求。

技術(shù)研發(fā)人員：王榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：太極半導(dǎo)體（蘇州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.08
技術(shù)公布日：2017.10.27