本發(fā)明涉及基板制造領(lǐng)域，特別涉及柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)、制造方法及檢測修補(bǔ)方法。

背景技術(shù)：

在柔性襯底(又稱柔性基板、撓性基板)的制造、后處理(post-treatment)與傳送過程中，均有可能在其表面或是內(nèi)部產(chǎn)生缺陷。經(jīng)檢測后，具有這些缺陷的柔性襯底可能被判定為廢品，而提高制造成本。否則，在具有這些缺陷的柔性襯底上繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)的加工生產(chǎn)，將使產(chǎn)品合格率下降。因此，如何修補(bǔ)柔性襯底的缺陷，成為本領(lǐng)域重要的課題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明目的在于提供一種柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良品率，提供一種柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，降低修補(bǔ)層與柔性襯底之間色差，以及提供一種柔性襯底的檢測與修補(bǔ)方法，減少柔性襯底的廢品率，進(jìn)而降低制造成本。

具體地說，本發(fā)明公開了一種柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，包括：

柔性襯底，具有規(guī)則凹陷；以及

至少一修補(bǔ)層，位于所述柔性襯底上且填滿所述規(guī)則凹陷，

其中所述至少一修補(bǔ)層的材料為聚硅氮烷化合物，其包括具有以下化學(xué)式(1)所示單元的聚硅氮烷化合物，

其中rx、ry及rz各自分別為氫原子或碳數(shù)為1～10的經(jīng)取代的烷基、未經(jīng)取代的烷基、烯基或芳香基。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其中所述規(guī)則凹陷為具有平滑輪廓的凹陷。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其中所述規(guī)則凹陷的開口形狀包括圓形、橢圓形、矩形或多邊形。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其中在與所述柔性襯底接觸的修補(bǔ)層中，鄰近于所述柔性襯底的一側(cè)的氮原子百分比低于其遠(yuǎn)離所述柔性襯底的另一側(cè)的氮原子百分比。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其中所述至少一修補(bǔ)層為多數(shù)個修補(bǔ)層。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其中所述多數(shù)個修補(bǔ)層的氮原子百分比的變化在所述柔性襯底的法線方向上為高低交替。

本發(fā)明還公開了一種柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

將修補(bǔ)溶液涂布于柔性襯底上，其中所述修補(bǔ)溶液的毛細(xì)管指數(shù)小于10^-5；

去除所述修補(bǔ)溶液中的溶劑而形成至少一修補(bǔ)材料層；以及

進(jìn)行光學(xué)調(diào)整步驟，以改變所述至少一修補(bǔ)材料層的折射率，而形成所述至少一修補(bǔ)層。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，所述修補(bǔ)溶液的溶質(zhì)包括具有以下化學(xué)式(1)所示的單元的硅氮烷化合物，

其中rx、ry及rz各自分別為氫原子或碳數(shù)為1～10的經(jīng)取代的烷基、未經(jīng)取代的烷基、烯基或芳香基。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述光學(xué)調(diào)整步驟包括調(diào)整所述至少一修補(bǔ)材料層中的氮原子百分比。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述光學(xué)調(diào)整步驟包括對所述至少一修補(bǔ)材料層進(jìn)行熱處理，以降低所述至少一修補(bǔ)材料層的氮原子百分比。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中還包括在進(jìn)行所述熱處理之后，對所述至少一修補(bǔ)層進(jìn)行后處理，以降低所述至少一修補(bǔ)層的氮原子百分比。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述光學(xué)調(diào)整步驟包括對所述至少一修補(bǔ)材料層進(jìn)行等離子體處理，以提高所述至少一修補(bǔ)材料層的氮原子百分比。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在所述柔性襯底上形成所述至少一修補(bǔ)層包括在所述柔性襯底上形成多數(shù)個修補(bǔ)層。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成每一所述修補(bǔ)層所采用的所述光學(xué)調(diào)整步驟的方法與參數(shù)相同。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成每一所述修補(bǔ)層所采用的所述光學(xué)調(diào)整步驟的方法與參數(shù)至少其中之一相異。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中通過所述光學(xué)調(diào)整步驟，以使所述多數(shù)個修補(bǔ)層的氮原子百分比的變化在所述柔性襯底表面的法線方向上為高低交替。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中還包括在形成所述至少一修補(bǔ)層之前，進(jìn)行移除步驟，以移除位于所述柔性襯底上及/或所述柔性襯底內(nèi)的缺陷。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述移除步驟包括進(jìn)行脈沖激光蝕刻或?qū)λ鋈嵝砸r底的表面進(jìn)行研磨。

所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中還包括在形成所述至少一修補(bǔ)層之前對所述柔性襯底進(jìn)行親水性處理。

本發(fā)明還公開了一種柔性襯底的檢測與修補(bǔ)方法，包括：

對柔性襯底進(jìn)行檢測，以判斷所述柔性襯底是否具有缺陷；

若檢測的結(jié)果為具有缺陷，則依據(jù)缺陷的種類以及位置將檢測出的缺陷進(jìn)行分類；以及

進(jìn)行所述的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法。

基于上述，在本發(fā)明實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)中，修補(bǔ)層填滿柔性襯底的凹陷。據(jù)此，可避免在柔性襯底中形成孔洞，而造成在后續(xù)的生產(chǎn)流程中形成于柔性襯底的膜層產(chǎn)生裂紋或是斷裂的問題。此外，柔性襯底與修補(bǔ)層中的聚硅氮烷化合物之間的附著力佳，故可避免柔性襯底與修補(bǔ)層之間產(chǎn)生脫層的問題。再者，修補(bǔ)層的聚硅氮烷化合物還可阻絕空氣中的水氣及氧氣，使其不能穿透柔性襯底進(jìn)而侵入形成于柔性襯底上的電子元件。

此外，本發(fā)明實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法包括進(jìn)行光學(xué)調(diào)整步驟，以改變修補(bǔ)層的折射率，進(jìn)而降低柔性襯底與修補(bǔ)層的整體的有效折射率與柔性襯底的折射率的差異。因此，可有效地降低修補(bǔ)層與柔性襯底之間的色差。

再者，本發(fā)明實施例的柔性襯底的檢測與修補(bǔ)方法包括依據(jù)缺陷的種類以及位置將柔性襯底的缺陷進(jìn)行分類，且對具有缺陷的柔性襯底進(jìn)行修補(bǔ)。據(jù)此，可使部分具有缺陷的柔性襯底經(jīng)修補(bǔ)后進(jìn)行后續(xù)的加工，也就是說可減少柔性襯底被判定為廢品的數(shù)量，故可降低制造成本。

為讓本發(fā)明的上述特征和效果能闡述的更明確易懂，下文特舉實施例，并配合說明書附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1a至圖1f為依照本發(fā)明一些實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面示意圖；

圖2為依照本發(fā)明一些實施例的柔性襯底的檢測與修補(bǔ)方法的流程圖；

圖3a至圖3b為圖1b的柔性襯底的表面經(jīng)親水性處理后于其上形成修補(bǔ)材料層的流程的放大示意圖；

圖4a至圖4b為圖1c的修補(bǔ)層經(jīng)后處理的流程的放大剖面圖；

圖5為依照本發(fā)明另一些實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖6為依照本發(fā)明另一些實施例的柔性襯底的檢測與修補(bǔ)方法的流程圖；

圖7a至圖7l為依照本發(fā)明其他實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

具體實施方式

請同時參照圖1a與圖2，本實施例的柔性襯底的檢測與修補(bǔ)方法包括下列步驟。進(jìn)行步驟s200，提供柔性襯底100。柔性襯底100的材料例如是聚酰亞胺(polyimide；pi)、聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmethacrylate；pmma)、聚碳酸酯(polycarbonate；pc)、聚醚砜(polyethersulfone；pes)、聚酰胺(polyamide；pa)、聚降冰片烯(polynorbornene；pnb)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate；pet)、聚醚醚酮(polyetheretherketone；peek)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate；pen)、聚乙烯亞胺(polyethyleneimine；pei)或其組合。

在一些實施例中，柔性襯底100形成于硬載板(rigidcarrier)110上，且硬載板110上已形成離形層(de-bondinglayer)108。另外，可依據(jù)柔性襯底100的材質(zhì)而選用適當(dāng)材料的離形層108，離形層108的材料包括金屬材料、陶瓷材料或有機(jī)材料。有機(jī)材料例如是含氟有機(jī)化合物、含氯聚合物、含硅有機(jī)化合物或其組合。在一些實施例中，含氟有機(jī)化合物可例如是聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene；ptef)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidenedifluoride；pvdf)、氟化乙烯丙烯(fluorinatedethylenepropylene；fep)共聚物或其組合。在一些實施例中，含氯聚合物可例如是聚氯乙烯(polyvinylchloride；pvc)。在一些實施例中，含硅有機(jī)化合物例如是硅氧樹脂(polysiloxanes)。然而，本發(fā)明并不以離形層108的材料為限，其他具有低表面能(surfaceenergy)且不易與相鄰材料反應(yīng)的特性的材料皆可適用。

由于柔性襯底100在制造、后處理或傳送的過程可能產(chǎn)生缺陷。若在這些具有缺陷的柔性襯底100上制造電子元件，將導(dǎo)致此電子元件可能具有可被使用者察覺的光學(xué)瑕疵。因此，接著，進(jìn)行步驟s202，對柔性襯底100進(jìn)行檢測，以判斷柔性襯底100是否具有缺陷。在一些實施例中，進(jìn)行檢測的方法可為光學(xué)檢測，例如是自動光學(xué)檢測(automatedopticalinspection；aoi)，其分辨率例如是1μm。換言之，大于1μm的缺陷可被檢測出，而小于1μm的缺陷則不能被檢測出。然而，本發(fā)明并不以此為限。

進(jìn)行步驟s203，判斷柔性襯底100是否具有缺陷。若柔性襯底100經(jīng)判斷不具有缺陷或其具有的缺陷的尺寸小于量測極限，則可直接進(jìn)行步驟s214，在柔性襯底100上形成電子元件。接著，可進(jìn)行步驟s216，裁切部分位于電子元件周圍的柔性襯底。隨后，可進(jìn)行步驟s218，將離型層108及硬載板110從柔性襯底100移除。在一些實施例中，可通過機(jī)械力的方式使柔性襯底100與離型層108分離。在其他實施例中，還可通過例如是風(fēng)刀、線或其他方式使柔性襯底100與離型層108分離。

若柔性襯底100經(jīng)判斷具有缺陷101，則進(jìn)行柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法。進(jìn)行步驟s204，將缺陷101進(jìn)行分類。缺陷101的種類可包括不規(guī)則凹陷102、異物104、內(nèi)部缺陷106，但不以此為限。不規(guī)則凹陷102位于柔性襯底100表面，其例如是輪廓不平滑且形狀、截面積及/或深度彼此不同的凹陷。不規(guī)則凹陷102可包括不規(guī)則凹陷102a及不規(guī)則凹陷102b，其中不規(guī)則凹陷102b例如是刮傷或微裂痕，其上視放大示意圖如圖1a的虛線區(qū)域所繪示。不規(guī)則凹陷102a例如是針孔或是凹洞。異物104位于柔性襯底100上。內(nèi)部缺陷106位于柔性襯底100內(nèi)部，且內(nèi)部缺陷106可包括內(nèi)部缺陷106a及內(nèi)部缺陷106b，其中內(nèi)部缺陷106a例如是封閉的孔洞，而內(nèi)部缺陷106b例如是雜質(zhì)。

請同時參照圖1b與圖2，若柔性襯底100具有異物104，則可選擇性地進(jìn)行步驟s206a，移除異物104。若柔性襯底100具有內(nèi)部缺陷106，則可進(jìn)行步驟s206b，移除內(nèi)部缺陷106，以形成自柔性襯底100的內(nèi)部延伸至其表面的規(guī)則凹陷112，其包括分別對應(yīng)到內(nèi)部缺陷106a及內(nèi)部缺陷106b的規(guī)則凹陷112a及規(guī)則凹陷112b。移除異物104與內(nèi)部缺陷106的方法可以采用物理性的方法。在一些實施例中，移除異物104的方法是對異物104進(jìn)行脈沖激光蝕刻，或?qū)θ嵝砸r底100的表面進(jìn)行研磨。在一些實施例中，移除內(nèi)部缺陷106的方法例如是對內(nèi)部缺陷106進(jìn)行脈沖激光蝕刻，以形成上述的規(guī)則凹陷112。規(guī)則凹陷112為投影在柔性襯底100上具有平滑輪廓的凹陷，其彼此之間的形狀及/或截面積可以相同或是相異。規(guī)則凹陷112投影在柔性襯底100上的形狀包括圓形、橢圓形、矩形或多邊形。舉例而言，規(guī)則凹陷112投影在柔性襯底100上的形狀為圓形，其上視示意圖如圖1b的虛線區(qū)域所繪示。

在一些實施例中，規(guī)則凹陷112的截面積范圍可在100μm²至900μm²之間，或大于900μm²。在一些例示實施例中，內(nèi)部缺陷106的直徑范圍在1μm至10μm之間，所形成的規(guī)則凹陷112的截面積可為100μm²。在另一些例示實施例中，內(nèi)部缺陷106的直徑范圍在10μm至20μm之間，所形成的規(guī)則凹陷112的截面積可為400μm²。在又一些例示實施例中，內(nèi)部缺陷106的直徑范圍在20μm至30μm之間，所形成的規(guī)則凹陷112的截面積可為900μm²。

在另一些實施例中，若柔性襯底100的異物104的厚度小于1μm時，可選擇不進(jìn)行步驟s206a，而使后續(xù)形成的膜層覆蓋于異物104上。另外，在其他實施例中，若內(nèi)部缺陷106在柔性襯底100中的深度大于柔性襯底100的厚度的一半(也就是說，較接近離形層108)，則可選擇不進(jìn)行步驟s206b，以避免所形成的規(guī)則凹陷深度過深，造成柔性襯底的機(jī)械強(qiáng)度不足。

請同時參照圖2與圖3a，可選擇性地進(jìn)行步驟s208，對柔性襯底100進(jìn)行親水性處理，以在柔性襯底100的表面形成親水性官能基(官能基是決定有機(jī)化合物的化學(xué)性質(zhì)的原子或原子團(tuán)，又稱官能團(tuán)、功能團(tuán))。舉例而言，進(jìn)行親水性處理的方法可以醇類或酮類(例如是丙酮或乙醇)對柔性襯底100的表面進(jìn)行去脂處理。接著，以堿性溶液對柔性襯底100的表面進(jìn)行活化處理，其例如是在30分鐘內(nèi)以體積摩爾濃度(molarity)為1m(mol/l)的氫氧化鈉溶液進(jìn)行此活化處理。之后，以酸性溶液將柔性襯底100的表面官能基化，以在柔性襯底100的表面形成例如是羥(oh官能基)的親水性官能基。進(jìn)行此官能基化處理所使用的酸性溶液例如是體積摩爾濃度為0.1m的乙酸溶液，且官能基化處理的時間例如是在30分鐘內(nèi)。最后，以純水潤洗柔性襯底100，并于空氣中干燥柔性襯底100。

請同時參照圖1c、圖1d以及圖2，之后，進(jìn)行步驟s210，在柔性襯底100上形成修補(bǔ)層116。形成修補(bǔ)層116的步驟包括下列子步驟。首先，進(jìn)行子步驟s210a，將修補(bǔ)溶液涂布(plasticcoating)于柔性襯底100上。在本實施例中，柔性襯底100具有不規(guī)則凹陷102及規(guī)則凹陷112，此時修補(bǔ)溶液填滿不規(guī)則凹陷102及規(guī)則凹陷112。修補(bǔ)溶液的溶質(zhì)包括具有以下化學(xué)式(1)所示單元的硅氮烷化合物：

其中rx、ry及rz各自分別為氫原子或碳數(shù)為1～10的經(jīng)取代的烷基、未經(jīng)取代的烷基、烯基或芳香基。在本發(fā)明一些實施例中，硅氮烷化合物可為單體、化合物、寡聚物(又稱低聚物)或高聚物。換言之，在一些實施例中，硅氮烷化合物具有以下化學(xué)式(2)所示的單元的硅氮烷化合物，

其中rx、ry及rz分別為氫原子或碳數(shù)為1～10的經(jīng)取代的烷基、未經(jīng)取代的烷基、烯基或芳香基，以及n為1至10000的自然數(shù)。

另外，在本發(fā)明一些實施例中，硅氮烷化合物的分子量(relativemolecularmass)范圍可在約47至1×10⁶之間。修補(bǔ)溶液的溶劑可以是芳香族，例如是乙苯或二甲苯。在一些實施例中，修補(bǔ)溶液的毛細(xì)管指數(shù)(又稱界面張力數(shù)capillarynumber)小于10^-5，故其在具有不規(guī)則凹陷102及規(guī)則凹陷112的表面流動時是以毛細(xì)力主導(dǎo)，進(jìn)而可使修補(bǔ)溶液完全地填滿不規(guī)則凹陷102及規(guī)則凹陷112。若修補(bǔ)溶液的毛細(xì)管指數(shù)大于10^-5，則修補(bǔ)溶液的流動是以黏滯力主導(dǎo)，其可能造成修補(bǔ)溶液無法完全填滿不規(guī)則凹陷102及規(guī)則凹陷112而留下孔洞。此孔洞可能造成應(yīng)力集中的現(xiàn)象，而使得在后續(xù)的生產(chǎn)流程中形成于柔性襯底100的膜層產(chǎn)生裂紋抑或是斷裂的問題。此外，調(diào)整修補(bǔ)溶液的毛細(xì)管指數(shù)的方法例如是調(diào)整修補(bǔ)溶液的固含量。在本發(fā)明一些實施例中，修補(bǔ)溶液的固含量例如是3％時，其修補(bǔ)溶液的毛細(xì)管指數(shù)可以小于10^-5。另外，在其他實施例中，若未在步驟s206a中移除異物104，則修補(bǔ)溶液還覆蓋異物104。

之后，進(jìn)行子步驟s210b，去除修補(bǔ)溶液中的溶劑而形成修補(bǔ)材料層114。去除溶劑的方法例如是對修補(bǔ)溶液進(jìn)行預(yù)烘烤(pre-bake)。在一些實施例中，預(yù)烘烤的溫度范圍在120℃至150℃之間。所形成的修補(bǔ)材料層114自柔性襯底100的平坦面起算的厚度可小于1μm，例如為250nm。修補(bǔ)材料層114的材料具有上述化學(xué)式(1)所示的單元的硅氮烷化合物：

其中rx、ry及rz各自分別為氫原子或碳數(shù)為1～10的經(jīng)取代的烷基、未經(jīng)取代的烷基、烯基或芳香基。在本發(fā)明一些實施例中，硅氮烷化合物可為單體、化合物、寡聚物或高聚物。換言之，在一些實施例中，硅氮烷化合物具有以下化學(xué)式(2)所示的單元的硅氮烷化合物，

其中rx、ry及rz分別為氫原子或碳數(shù)為1～10的經(jīng)取代的烷基、未經(jīng)取代的烷基、烯基或芳香基，以及n為1至10000的自然數(shù)。

另外，在本發(fā)明一些實施例中，硅氮烷化合物的分子量范圍可在約47至1×10⁶之間。由于柔性襯底100與硅氮烷化合物所形成的材料層之間具有足夠的附著力，其附著力高于柔性襯底100與修補(bǔ)材料層(其材料與柔性襯底100的材料相同)之間的附著力，故可避免柔性襯底與修補(bǔ)材料層產(chǎn)生脫層的問題。此外，硅氮烷化合物還可阻絕環(huán)境中的水氣及氧氣，使其不能穿透柔性襯底100進(jìn)而侵入形成于柔性襯底100上的電子元件，因此可以避免電子元件與水氣及氧氣反應(yīng)而劣化。

請參照圖3b，在步驟s208中于柔性襯底100的表面所形成的親水性官能基(例如是oh基)可與修補(bǔ)材料層114中的氮原子形成氫鍵。在修補(bǔ)材料層114為硅氮烷化合物的實施例中，親水性官能基(例如是oh基)可以與硅氮烷化合物中的硅產(chǎn)生鍵結(jié)(例如是si-oh鍵結(jié))，據(jù)此，可進(jìn)一步地加強(qiáng)柔性襯底100與修補(bǔ)材料層114之間的附著力。

接著，進(jìn)行子步驟s210c，進(jìn)行光學(xué)調(diào)整步驟，以形成修補(bǔ)層116。從另一方面來說，光學(xué)調(diào)整步驟也可以稱為固化反應(yīng)。在本實施例中，光學(xué)調(diào)整步驟可以是對修補(bǔ)材料層114進(jìn)行熱處理。熱處理的溫度范圍例如是在200℃至400℃之間。在一些實施例中，修補(bǔ)材料層114包括硅氮烷化合物，而進(jìn)行熱處理時，硅氮烷化合物可以產(chǎn)生聚合反應(yīng)，例如是交聯(lián)聚合反應(yīng)，降低修補(bǔ)材料層114中的氮原子百分比。換言之，在進(jìn)行熱處理時，修補(bǔ)材料層114中的硅氮烷化合物產(chǎn)生交聯(lián)聚合反應(yīng)，并與空氣中與柔性襯底100的水氣進(jìn)行水解反應(yīng)，而產(chǎn)生氨氣并逸散到空氣中，并且使硅氮烷化合物中的部分si-n鍵結(jié)轉(zhuǎn)變?yōu)閟i-o鍵結(jié)，而形成修補(bǔ)層116。因此，進(jìn)行熱處理之后，所形成的修補(bǔ)層116包括具有下式(1)的重復(fù)單元的聚硅氮烷化合物：

其中rx、ry及rz各自分別為氫原子或碳數(shù)為1～10的經(jīng)取代的烷基、未經(jīng)取代的烷基、烯基或芳香基。聚硅氮烷化合物的數(shù)目平均分子量(又稱數(shù)均分子量number-averagemolecularweight)大于1×10⁶。在一些實施例中，聚硅氮烷化合物為巨分子(macromolecule)。

此外，修補(bǔ)層116中的氮原子百分比低于修補(bǔ)材料層114中的氮原子百分比，且修補(bǔ)層116的折射率也低于修補(bǔ)材料層114的折射率。此外，熱處理的溫度越高，硅氮烷化合物中有更多的si-n鍵結(jié)轉(zhuǎn)變?yōu)閟i-o鍵結(jié)，因此，所形成的修補(bǔ)層116中的氮原子百分比越低，且其折射率也越低。在本實施例中，熱處理的加熱時間為2分鐘，當(dāng)加熱溫度為90℃時修補(bǔ)層116的折射率為1.592；加熱溫度為120℃時修補(bǔ)層116的折射率為1.572；加熱溫度為150℃時修補(bǔ)層116的折射率為1.545；加熱溫度為180℃時修補(bǔ)層116的折射率為1.548。因此，可通過調(diào)整熱處理的溫度來控制修補(bǔ)層116中的氮原子百分比及其折射率。通過進(jìn)行熱處理，柔性襯底100與修補(bǔ)層116的整體的有效折射率可與柔性襯底100的折射率相匹配。在一些實施例中，修補(bǔ)層116的折射率小于或趨近于柔性襯底100的折射率時，可使柔性襯底100與修補(bǔ)層116的整體的有效折射率與柔性襯底100的折射率之間的差異可小于0.1，故可有效地降低修補(bǔ)層116與柔性襯底100之間的色差。

請同時參照圖2、圖4a及圖4b，在形成修補(bǔ)層116之后，可選擇性地進(jìn)行步驟s212，對修補(bǔ)層116進(jìn)行后處理，以形成修補(bǔ)層116a。在一些實施例中，進(jìn)行后處理的方法例如是再次進(jìn)行熱處理。熱處理的溫度范圍例如是在200℃至400℃之間。熱處理可使修補(bǔ)層116的聚硅氮烷化合物進(jìn)一步與空氣以及柔性襯底100中的水氣進(jìn)行水解反應(yīng)。由此，以進(jìn)一步降低修補(bǔ)層116a中的氮原子百分比以及折射率。換言之，修補(bǔ)層116a中的氮原子百分比低于修補(bǔ)層116中的氮原子百分比，且修補(bǔ)層116a的折射率也低于修補(bǔ)層116的折射率。此外，與子步驟s210c的熱處理相似，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員也可通過調(diào)整熱處理的溫度來控制修補(bǔ)層116a的折射率。并且，再次進(jìn)行熱處理還可使修補(bǔ)層116a的表面平整化。

至此，已完成柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法。請參照圖1e、圖1f與圖2，后續(xù)的步驟還可以包括進(jìn)行步驟s214，在修補(bǔ)層116a上形成電子元件118。電子元件118例如是有機(jī)發(fā)光元件、觸控元件或其他光電元件，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員可依其需求，選擇適當(dāng)?shù)碾娮釉姆N類，本發(fā)明并不以此為限。之后，可進(jìn)行步驟s216，進(jìn)行裁切，將部分位于電子元件118周圍的柔性襯底100與修補(bǔ)層116a裁切。最后，進(jìn)行步驟s218，將離形層108及硬載板110從柔性襯底100移除，以形成電子裝置200。電子裝置200包括柔性襯底100、修補(bǔ)層116b以及電子元件118。

請參照圖1e或圖1d。在結(jié)構(gòu)上，本實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)包括柔性襯底100與修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層116)。柔性襯底100具有規(guī)則凹陷112，其中規(guī)則凹陷112投影至柔性襯底100具有平滑輪廓。規(guī)則凹陷112投影至柔性襯底100的開口形狀包括圓形、橢圓形、矩形或多邊形，且規(guī)則凹陷112的截面積范圍例如是在100μm²至900μm²之間或大于900μm²。柔性襯底100也可具有輪廓不平滑且形狀、截面積及/或深度彼此不同的不規(guī)則凹陷102。修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層116)位于柔性襯底100上且填滿規(guī)則凹陷112，且還可填滿不規(guī)則凹陷102。在其他實施例中，缺陷101還可包括位于柔性襯底100上的異物(未在附圖中標(biāo)示)，且修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層116)可覆蓋此異物。離形層108可設(shè)置于柔性襯底100與硬載板110之間。修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層116)的材料為具有化學(xué)式(1)所示的單元的聚硅氮烷化合物，其中rx、ry及rz分別為氫原子或碳數(shù)為1～10的經(jīng)取代的烷基、未經(jīng)取代的烷基、烯基或芳香基。聚硅氮烷化合物的數(shù)目平均分子量大于1×10⁶。在一些實施例中，聚硅氮烷化合物為巨分子(macromolecule)。

請同時參照圖5及圖6，本實施例的柔性襯底的檢測與修補(bǔ)方法與圖2所示的方法類似，差異僅在于本實施例在完成子步驟s210b之后是進(jìn)行子步驟s210d而非子步驟s210c。子步驟s210d為光學(xué)調(diào)整步驟，以對修補(bǔ)材料層114進(jìn)行等離子體處理(又稱等離子處理)，而形成修補(bǔ)層117。進(jìn)行等離子體處理之后，所形成的修補(bǔ)層117包括具有下式(1)的重復(fù)單元的聚硅氮烷化合物：

其中rx、ry及rz各自分別為氫原子或碳數(shù)為1～10的經(jīng)取代的烷基、未經(jīng)取代的烷基、烯基或芳香基。在一些實施例中，聚硅氮烷化合物為巨分子(macromolecule)。在子步驟s210d中，對柔性襯底100施加的偏壓范圍例如是在-5kv至-20kv之間，以使正離子注入修補(bǔ)材料層114，其中正離子例如是氬離子。若對柔性襯底100施加的偏壓大于-5kv，則等離子體處理的機(jī)制將由鍍膜主導(dǎo)或由蝕刻主導(dǎo)。注入修補(bǔ)材料層114的正離子可抑制硅氮烷化合物與空氣中的水氣反應(yīng)而抑制si-o鍵結(jié)的產(chǎn)生，故可提高所形成的修補(bǔ)層117的聚硅氮烷化合物中si-n鍵結(jié)的比例，也就是說具有固氮的作用。據(jù)此，修補(bǔ)層117的氮原子百分比高于修補(bǔ)材料層114中的氮原子百分比，且修補(bǔ)層117的折射率也高于修補(bǔ)材料層114的折射率。此外，等離子體處理的功率越高，則修補(bǔ)層117中的氮原子百分比越高，且其折射率也越高。因此，可通過調(diào)整等離子體處理的功率來控制修補(bǔ)層117的折射率。當(dāng)柔性襯底100的折射率高于修補(bǔ)材料層114的折射率時，可進(jìn)行子步驟s210d而形成折射率較高的修補(bǔ)層117，使其折射率趨近于柔性襯底100的折射率，而使柔性襯底100與修補(bǔ)層117的整體的有效折射率與柔性襯底100的折射率之間的差異例如是小于0.1。據(jù)此，可有效地降低修補(bǔ)層117與柔性襯底100之間的色差。

另外，柔性襯底100中的水氣可與鄰近柔性襯底100的修補(bǔ)層117中的聚硅氮烷化合物進(jìn)行水解反應(yīng)，而造成氨氣的逸散，以使聚硅氮烷化合物中的部分si-n鍵結(jié)轉(zhuǎn)變?yōu)閟i-o鍵結(jié)。相反地，修補(bǔ)層117中的其他部分經(jīng)等離子體處理，以使得si-n鍵結(jié)的數(shù)量相對地提高。因此，在修補(bǔ)層117中，鄰近于柔性襯底100的一側(cè)的氮原子百分比可低于其遠(yuǎn)離柔性襯底100的另一側(cè)的氮原子百分比。

除此之外，在一些實施例中，進(jìn)行子步驟s210d之后可不進(jìn)行圖2所示的步驟s212。

請同時參照圖1e(或圖1d)以及圖5，在結(jié)構(gòu)上，本實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)與圖1e(或圖1d)所示的結(jié)構(gòu)相似。上述兩者的差異僅在于本實施例的修補(bǔ)層為修補(bǔ)層117，而圖1e(或圖1d)所示的修補(bǔ)層為修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層116)。本實施例的修補(bǔ)層117中，鄰近于柔性襯底100的一側(cè)的氮原子百分比可低于其遠(yuǎn)離柔性襯底100的另一側(cè)的氮原子百分比。此外，本實施例的修補(bǔ)層117的氮原子百分比可高于圖1e(或圖1d)所示的修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層116)的氮原子百分比，且修補(bǔ)層117的折射率也可高于修補(bǔ)層116a(修補(bǔ)層116)的折射率。

在以上的實施例中，修補(bǔ)層為單層，然而，本發(fā)明實施例的修補(bǔ)層可以是兩層或更多層。每一修補(bǔ)層的形成方法可依照上述形成修補(bǔ)層116、修補(bǔ)層116a或是修補(bǔ)層117的方法。每一修補(bǔ)層所采用的光學(xué)調(diào)整步驟的方法與參數(shù)可彼此相同，或至少其中之一相異。

圖7a至圖7l為依照本發(fā)明其他實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖7a至7d，在本實施例中，修補(bǔ)層可以是兩層。

在圖7a至7d中，修補(bǔ)層的形成方法可以采用圖1e所示的修補(bǔ)層116a的形成方法，也就是說依序進(jìn)行如圖2所示的子步驟s210a至子步驟s210c以及步驟s212，而形成修補(bǔ)層116a或修補(bǔ)層216a。修補(bǔ)層的形成方法還可以采用圖5所示的修補(bǔ)層117的形成方法，也就是說依序進(jìn)行如圖6所示的子步驟s210a、子步驟s210b及子步驟s210d而形成修補(bǔ)層117或修補(bǔ)層217。特別來說，形成圖7a至圖7d的修補(bǔ)層116a及修補(bǔ)層216a的參數(shù)可彼此相同或相異。相似地，形成修補(bǔ)層117及修補(bǔ)層217的參數(shù)也可彼此相同或相異。

由上述的實施例可知，修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層216a)中的氮原子百分比低于修補(bǔ)層117(或修補(bǔ)層217)，且修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層216a)的折射率小于修補(bǔ)層117(或修補(bǔ)層217)的折射率。此外，形成修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層216a)的方法中，進(jìn)行熱處理或后處理的溫度越高，則修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層216a)中的氮原子百分比越低，且折射率也越低。再者，形成修補(bǔ)層117(或修補(bǔ)層217)的方法中，進(jìn)行等離子體處理的功率越高，則修補(bǔ)層117(或修補(bǔ)層217)中的氮原子百分比越高，且折射率也越高。

據(jù)此，可通過堆棧修補(bǔ)層116a及修補(bǔ)層217，或堆棧修補(bǔ)層117及修補(bǔ)層216a，而形成柔性襯底100與兩個修補(bǔ)層的折射率變化在柔性襯底100的法線方向上為高低交替，以提高在特定波長范圍中(例如是可見光波長范圍中)柔性襯底100與兩個修補(bǔ)層的整體的穿透率。另外，還可通過堆棧彼此熱處理溫度不同的修補(bǔ)層116a及修補(bǔ)層216a，或堆棧彼此等離子體處理的功率不同的修補(bǔ)層117及修補(bǔ)層217，以形成柔性襯底100與兩個修補(bǔ)層的折射率變化在柔性襯底100的法線方向上為高低交替，而提高在特定波長范圍中(例如是可見光波長范圍中)柔性襯底100與兩個修補(bǔ)層的整體的穿透率。

在一些實施例中，上述的修補(bǔ)層116a及修補(bǔ)層216a還可由圖1d所示的修補(bǔ)層116取代，也就是說僅依序進(jìn)行如圖2所示的子步驟s210a至子步驟s210c，而省略步驟s212。據(jù)此，修補(bǔ)層116可與修補(bǔ)層117或修補(bǔ)層217形成雙層的修補(bǔ)層，或由熱處理參數(shù)彼此相同或不同的修補(bǔ)層116形成雙層的修補(bǔ)層。

請參照圖7e至圖7l，在本實施例中，修補(bǔ)層的層數(shù)為三層。每一修補(bǔ)層的形成方法可采用圖1e所示的修補(bǔ)層116a的形成方法，而形成修補(bǔ)層116a、修補(bǔ)層216a或修補(bǔ)層316a。每一修補(bǔ)層的形成方法也可采用圖5所示的修補(bǔ)層117的形成方法，以形成修補(bǔ)層117、修補(bǔ)層217或修補(bǔ)層317。據(jù)此，可通過堆棧修補(bǔ)層116a、修補(bǔ)層216a或修補(bǔ)層316a以及修補(bǔ)層117、修補(bǔ)層217或修補(bǔ)層317以形成三層的修補(bǔ)層。特別來說，形成圖7e至圖7l的修補(bǔ)層116a、修補(bǔ)層216a及修補(bǔ)層316a的參數(shù)可彼此相同或相異。相似地，形成修補(bǔ)層117、修補(bǔ)層217及修補(bǔ)層317的參數(shù)也可彼此相同或相異。

與圖7a至圖7d的實施例相似，可通過交替堆棧修補(bǔ)層116a、修補(bǔ)層216a及修補(bǔ)層316a中的一個修補(bǔ)層以及修補(bǔ)層117、修補(bǔ)層217及修補(bǔ)層317中的一個修補(bǔ)層，而形成柔性襯底100與三個修補(bǔ)層的折射率變化在柔性襯底100的法線方向上為高低交替，以提高在特定波長范圍中(例如是可見光波長范圍中)柔性襯底100與三個修補(bǔ)層的整體的穿透率。另外，還可通過堆棧彼此熱處理溫度不同的修補(bǔ)層116a、修補(bǔ)層216a及修補(bǔ)層316a，或堆棧彼此等離子體處理的功率不同的修補(bǔ)層117、修補(bǔ)層217及修補(bǔ)層317，以形成柔性襯底100與三個修補(bǔ)層的折射率變化在柔性襯底100的法線方向上為高低交替，而提高在特定波長范圍中(例如是可見光波長范圍中)柔性襯底100與三個修補(bǔ)層的整體的穿透率。

在一些實施例中，上述的修補(bǔ)層116a、修補(bǔ)層216a及修補(bǔ)層316a還可由圖1d所示的修補(bǔ)層116取代，也就是說僅依序進(jìn)行如圖2所示的子步驟s210a至子步驟s210c，而省略步驟s212。據(jù)此，修補(bǔ)層116可與修補(bǔ)層117、修補(bǔ)層217或修補(bǔ)層317形成三層的修補(bǔ)層，或由熱處理參數(shù)彼此相同或不同的修補(bǔ)層116形成三層的修補(bǔ)層。

當(dāng)柔性襯底100的折射率大于或等于修補(bǔ)層117的折射率時，三個修補(bǔ)層的堆棧方式可為修補(bǔ)層117夾置于兩層修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層116)之間，以提高在特定波長范圍中(例如是可見光波長范圍中)柔性襯底100與三個修補(bǔ)層的整體的穿透率。反之，當(dāng)柔性襯底100的折射率小于修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層116)的折射率時，三個修補(bǔ)層的堆棧方式可為修補(bǔ)層116a(或修補(bǔ)層116)夾置于兩層修補(bǔ)層117之間。除此之外，在其他實施例中，修補(bǔ)層的數(shù)量還可大于三個，本發(fā)明并不以修補(bǔ)層的數(shù)量為限。

綜上所述，在本發(fā)明實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)中，修補(bǔ)層填滿柔性襯底的凹陷。據(jù)此，可避免在柔性襯底中形成孔洞，而造成在后續(xù)的生產(chǎn)流程中形成于柔性襯底的膜層產(chǎn)生裂紋或是斷裂的問題。此外，柔性襯底與修補(bǔ)層中的聚硅氮烷化合物之間的附著力佳，故可避免柔性襯底與修補(bǔ)層之間產(chǎn)生脫層的問題。再者，修補(bǔ)層的聚硅氮烷化合物還可阻絕空氣中的水氣及氧氣，使其不能侵入形成于柔性襯底上的電子元件。

此外，本發(fā)明實施例的柔性襯底修補(bǔ)結(jié)構(gòu)的制造方法包括進(jìn)行光學(xué)調(diào)整步驟，以改變修補(bǔ)層的折射率，進(jìn)而降低柔性襯底與修補(bǔ)層的整體的有效折射率與柔性襯底的折射率的差異。因此，可有效地降低修補(bǔ)層與柔性襯底之間的色差。

再者，本發(fā)明實施例的柔性襯底的檢測與修補(bǔ)方法包括依據(jù)缺陷的種類以及位置將柔性襯底的缺陷進(jìn)行分類，且對具有缺陷的柔性襯底進(jìn)行修補(bǔ)。據(jù)此，可使部分具有缺陷的柔性襯底經(jīng)修補(bǔ)后參與后續(xù)的加工流程，也就是說可減少柔性襯底被判定為廢品的數(shù)量，故可降低制造成本。

雖然本發(fā)明以上述實施例公開，但具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明，任何本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍內(nèi)，可作一些的變更和完善，故本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。