阻擋膜及制備該阻擋膜的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本申請(qǐng)?jiān)O(shè)及一種阻擋膜和制備該阻擋膜的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 當(dāng)在有機(jī)或無(wú)機(jī)巧光體、顯示設(shè)備和光伏設(shè)備等中包括的電子器件和金屬連線與 外部化學(xué)物質(zhì)，如氧或水相接觸時(shí)，他們可被改性或氧化，因而不能正常地發(fā)揮功能。因此， 有必要保護(hù)所述電子器件遠(yuǎn)離運(yùn)些化學(xué)物質(zhì)。為此，已經(jīng)提出了利用玻璃板作為基板或覆 蓋板來(lái)保護(hù)易受運(yùn)些化學(xué)物質(zhì)損害的內(nèi)部電子器件的技術(shù)。所述玻璃板具有令人滿意的特 性，包括透光率、熱膨脹系數(shù)和耐化學(xué)性。然而，由于玻璃是重的、硬的和易于損壞的，故其 應(yīng)當(dāng)被小屯、地處理。
[0003] 因此，存在有積極的嘗試，用塑料膜或片（其為與所述玻璃板相比具有較輕的重 量、優(yōu)良的耐沖擊性和更高的柔初性的代表性材料)來(lái)替代用作電子器件的基板的玻璃板。 然而，與所述玻璃板相比，有必要彌補(bǔ)目前工業(yè)生產(chǎn)的塑料膜不足的物理性能。特別地，相 比于所述玻璃板的特性，最為迫切地需要改善所述塑料膜的物理性能中的耐水性和氣體阻 隔性能，且需要展現(xiàn)出優(yōu)異的氣體阻隔性能和透光率的阻擋膜。
[0004] [現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0005] 1、日本早期公開專利申請(qǐng)第2007-090803號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] [技術(shù)問(wèn)題]
[0007] 本申請(qǐng)?jiān)O(shè)及提供一種阻擋膜及該阻擋膜的制造方法，所述阻擋膜適用于有機(jī)或無(wú) 機(jī)巧光體、顯示設(shè)備和光伏設(shè)備W有效阻隔環(huán)境中的化學(xué)物質(zhì)，如濕氣或氧，保護(hù)其中的電 子器件，并保持優(yōu)異的光學(xué)特性。
[000引[技術(shù)方案]
[0009] 在一個(gè)方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N阻擋膜。在一個(gè)實(shí)施例中，本申請(qǐng)的阻擋膜可被用 于有機(jī)或無(wú)機(jī)巧光設(shè)備、顯示設(shè)備和光伏設(shè)備。如圖1所示，示例性的阻擋膜10可依序包括 基底層14、第一電介質(zhì)層13、無(wú)機(jī)層12和第二電介質(zhì)層11，并滿足通式1。在運(yùn)里，所述無(wú)機(jī) 層可具有1.65W上的折射率。另外，所述第一電介質(zhì)層可具有l(wèi)OOnmW上的厚度，且所述第 二電介質(zhì)層的厚度可等于或小于所述第一電介質(zhì)層的厚度。即所述第二電介質(zhì)層的厚度可 等于或小于所述第一電介質(zhì)層的厚度。與此同時(shí)，所述無(wú)機(jī)層的折射率可W是至少1.65,例 如，1.7 W上、1.75 W上、1.8 W上、1.85 W上、1.9 W上、1.95 W上、1.96 W上、1.97 W上、1.98 W上、1.99W上或2.0W上。所述無(wú)機(jī)層的折射率的上限可W是，但并不特別地限定于，例 如，3.0W下、2.5W下、2.4W下、2.3W下或2.2W下。除具有相對(duì)較高的折射率的無(wú)機(jī)層之 夕h本申請(qǐng)通過(guò)控制所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層的厚度和折射率可提供一種具 有氣體阻隔性能和優(yōu)異的光學(xué)特性的阻擋膜。
[0010] [通式U
[0011] η2<ηι<Π?
[0012] 在通式1中，m代表所述第一電介質(zhì)層的折射率，Π 2代表所述第二電介質(zhì)層的折射 率，W及m代表所述無(wú)機(jī)層的折射率。
[0013] 通過(guò)調(diào)節(jié)組件層的折射率和厚度會(huì)影響具有層壓了若干層的結(jié)構(gòu)的膜的光學(xué)特 性。特別地，由于光的反射和折射會(huì)發(fā)生在具有不同的折射率的兩個(gè)層的交界面處，故層壓 材料(造成了它們本身之間的折射率的差異)和層壓順序?qū)Χ鄬幽さ墓鈱W(xué)特性具有深遠(yuǎn)的 影響。所述第一電介質(zhì)層、無(wú)機(jī)層和第二電介質(zhì)層可由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所知的材料 形成而沒(méi)有限制，只要所述材料滿足所述折射率的關(guān)系即可，而當(dāng)滿足所述折射率的關(guān)系 和厚度關(guān)系時(shí)，可制得具有優(yōu)異的光學(xué)特性的阻擋膜。
[0014] 此處所用的術(shù)語(yǔ)"折射率"可W是，除非有特別的規(guī)定，300至1000皿的波長(zhǎng)范圍內(nèi) 的折射率。在一個(gè)實(shí)施例中，此處所用的"折射率"可指的是550或633nm波長(zhǎng)處的折射率。
[0015] 另外，可通過(guò)滿足根據(jù)通式4的厚度關(guān)系來(lái)制造本申請(qǐng)的具有優(yōu)異的光學(xué)特性的 阻擋膜。
[0016] [通式 4]
[0017] 0.01 <d2/di< 1
[0018] 在通式4中，di為所述第一電介質(zhì)層的厚度，W及cb為所述第二電介質(zhì)層的厚度。
[0019] 如上所述，所述第二電介質(zhì)層的厚度cb與所述第一電介質(zhì)層的厚度山的比例可W 是 0.01至1，或0.01W上且小于1，例如，0.02至 1.0、0.05至1.0、0.1至1.0、0.1至0.9、0.1至 0.8或0.1至0.7。如上所述，當(dāng)所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層之間的厚度的比例被 限定為特定的比例時(shí)，可制得具有優(yōu)異的氣體阻隔性能和透光率的膜。
[0020] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電介質(zhì)層的厚度山可為lOOnmW上，例如，大于lOOnm且 為化mW下。另外，所述第一電介質(zhì)層的厚度di可為1 lOnm至Ιμηι、120nm至900nm、130nm至 80化m、140皿至700皿、150nm至600皿、150nm至500皿或150皿至48化m。在一個(gè)實(shí)施例中，所 述第二電介質(zhì)層的厚度d2可為lOnm至化m、lOnm至900nm、20nm至800nm、30nm至700nm、35nm 至600nm、40nm至500nm或45nm至480nm。
[0021] 另外，在本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式中，所述第一電介質(zhì)層的折射率nl和所述第二 電介質(zhì)層的折射率n2可滿足通式2。
[0022] [通式 2]
[0023] 〇.5< (n2-l)/(nl-l) < 1
[0024] 如通式2所示，所述第二電介質(zhì)層的折射率m與所述第一電介質(zhì)層的折射率m的比 例(n2-l)/(m-l)可為0.5至 1，優(yōu)選地，0.55至 1、0.6至 1、0.65至 1 或0.7至 1。
[0025] 另外，在本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式中，所述第一電介質(zhì)層的折射率m和所述無(wú)機(jī) 層的折射率m可滿足通式3。
[0026] [通式 3]
[0027] 〇.3< (m-l)/(m-l) <0.95
[0028] 如通式3所示，所述第一電介質(zhì)層的折射率m與所述無(wú)機(jī)層的折射率m的比例(m- 1)/(山-1)可為0.3至0.95，優(yōu)選地，0.35至0.85、0.4至0.8、0.4至0.75、0.4至0.7或0.45至 0.7。
[0029] 根據(jù)本申請(qǐng)，可通過(guò)限定所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層之間的折射率的 比例和/或所述無(wú)機(jī)層與所述第二電介質(zhì)層之間的折射率的比例在特定的范圍內(nèi)來(lái)制造具 有優(yōu)異的透光率的膜。
[0030]在一個(gè)實(shí)施例中，所述基底層的折射率可W是，但并不特別地限定于，1.45至 1.75、1.45至1.7或1.5至1.65。只要滿足通式1，所述第一電介質(zhì)層的折射率m或所述第二 電介質(zhì)層的折射率Π 2可W是，但并不特別地限定于，1.35至1.9、1.4至1.9、1.45至1.9或 1.45 至 1.8。
[0031 ]另外，當(dāng)所述基底層的折射率為ns時(shí)，所述基底層的折射率可低于所述無(wú)機(jī)層的 折射率m。在一個(gè)實(shí)施例中，所述基底層的折射率ns和所述無(wú)機(jī)層的折射率m可滿足通式5。
[0032] [通式引
[0033] ns<m
[0034] 在本申請(qǐng)中，所述基底層的折射率ns和所述第一電介質(zhì)層的折射率m也可滿足通 式6。
[0035] [通式 6]
[0036] 〇.5<ns/ni 含 1.5
[0037] 即用于本申請(qǐng)的基底層的材料并不作特別地限定，但可滿足通式5或6即可。例如， 所述基底層的折射率為ns與所述第一電介質(zhì)層的折射率m