一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，將相同體積的陰離子聚電解質(zhì)溶液和稀土離子鹽溶液混合，攪拌12?24h，得到帶負(fù)電荷的高分子稀土復(fù)合物納米粒子溶液；在10?50℃條件下，將預(yù)處理后的基片放入陽離子聚電解質(zhì)溶液中，靜置，清洗，然后放入帶負(fù)電荷的高分子稀土復(fù)合物納米粒子溶液中，靜置，清洗，如此循環(huán)，即得含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜。本發(fā)明方法簡單，易于操作，制備所得的薄膜具有優(yōu)良光學(xué)性能，具有廣闊應(yīng)用前景。
【專利說明】
一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于高分子納米復(fù)合材料的制備領(lǐng)域，特別涉及一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]稀土元素(RareEarthElement)由于其原子結(jié)構(gòu)的特殊性而具有其他元素不具有的光、電、磁等特性。近年來，將稀土元素與高分子材料復(fù)合而成的高分子稀土復(fù)合物，兼具稀土獨(dú)特性能以及高分子質(zhì)輕、抗沖擊和易加工的特性，已經(jīng)在熒光材料、光學(xué)器件、催化等方面顯示出廣泛的應(yīng)用前景。高分子稀土復(fù)合物的制備方式，一般可大致分為兩種，一是稀土化合物作為摻雜劑均勻地分散到單體或聚合物中，制成以摻雜方式存在的稀土高分子，稱之為摻雜型稀土高分子;摻雜法簡便、適應(yīng)性廣且實(shí)用性強(qiáng)，但它是一種物理混合法，存在許多的局限性:大多數(shù)稀土化合物與樹脂的親和力小，高濃度摻雜時(shí)很難使稀土化合物均勻地分散在高分子基質(zhì)中，容易發(fā)生相分離，材料透明性變差，強(qiáng)度受損。且由于分散性差，還會(huì)導(dǎo)致熒光分子間的猝滅作用，從而使熒光強(qiáng)度降低，熒光壽命減短，最終限制了其應(yīng)用范圍。二是將稀土離子直接鍵合在聚合物鏈上而獲得鍵合型稀土復(fù)合物，主要有三種途徑:1.稀土離子與大分子鏈上反應(yīng)性官能團(tuán)如羥基、羧基等反應(yīng);2.稀土離子與鏈上含有配位基的聚合物配體配位，如:二酮基、羧基、磺酸基、啦啶基、卟啉基等;3.含稀土的單體均聚、共聚或縮聚。這些方法在一定程度上克服了摻雜型稀土高分子配合物中稀土化合物與高聚物親和力小，材料透明性和力學(xué)性能差等缺點(diǎn)，為獲得高稀土含量、高透光率的稀土高分子功能材料提供了可能途徑。
[0003]制備光學(xué)薄膜方法很多，包括熱蒸發(fā)沉積、電子束蒸發(fā)、派射法、分子束外延和化學(xué)氣相沉積等等，而采用層層組裝技術(shù)制備功能薄膜，對實(shí)驗(yàn)設(shè)備要求不高，操作簡單，而且還可以對薄膜的結(jié)構(gòu)及厚度進(jìn)行精確控制。在過去的十幾年中，研究人員在層層組裝的應(yīng)用方面做了廣泛的探索，主要包括:防腐蝕、抗靜電、防污、防霧、超疏水涂層、生物相容性涂層、化學(xué)和生物傳感、微流道控制、薄膜反應(yīng)器、發(fā)光器件、增透與濾光、薄膜過濾。這些應(yīng)用主要基于層層組裝的兩大特點(diǎn):一是通過某種分子作用力，層層組裝技術(shù)可將很多材料引入到薄膜中，從而可設(shè)計(jì)制備各種功能性薄膜。二是層層組裝對于基底沒有嚴(yán)格的要求，很多材料表面都可以使用層層組裝技術(shù)直接進(jìn)行修飾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，本發(fā)明方法簡單，易于操作，制備所得的薄膜具有優(yōu)良光學(xué)性能，具有廣闊應(yīng)用前景。
[0005]本發(fā)明的一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，包括:
(I)將相同體積的陰離子聚電解質(zhì)溶液和稀土離子鹽溶液混合，攪拌12_24h，得到帶負(fù)電荷的高分子稀土復(fù)合物納米粒子溶液，其中聚電解質(zhì)和稀土離子的摩爾配比大于或等于10:1； (2)在10-50°C條件下，將預(yù)處理后的基片放入陽離子聚電解質(zhì)溶液中，靜置，清洗，然后放入帶負(fù)電荷的高分子稀土復(fù)合物納米粒子溶液中，靜置，清洗，如此循環(huán)，即得含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜。
[0006]所述步驟(I)中陰離子聚電解質(zhì)為聚丙烯酸PAA、聚甲基丙烯酸PMAA、羧甲基纖維素CMC、聚苯乙烯磺酸鈉PSS中的一種或幾種；陰離子聚電解質(zhì)溶液的pH為3-6，濃度為0.20-0.40mol/Lo
[0007]所述步驟(I)中稀土離子鹽溶液為氯化鹽REC13、硫酸鹽RE2(S04)3，硝酸鹽RE(N03) 3中的一種或幾種，其中RE為鈰Ce3+、鐠Pr3+、釹Nd3+、鋱Tb3+、鉺Er3+、鐿Yb3+、銪Eu3+中的一種。
[0008]所述步驟(I)中稀土離子鹽溶液的pH為3-6，稀土離子鹽溶液中稀土離子的濃度為
0.02-0.04mol/Lo
[0009]控制聚電解質(zhì)和稀土離子摩爾配比大于等于10:1，使稀土離子與陰離子聚電解質(zhì)配位完全后，高分子長鏈上仍具有多余的負(fù)電荷官能團(tuán)，因此高分子稀土復(fù)合物顆粒帶負(fù)電荷，基于同性相斥原理，顆粒間相互排斥，從而穩(wěn)定高分子稀土復(fù)合物溶液體系。
[0010]所述步驟(I)中混合為:高分子溶液與稀土離子鹽溶液快速混合;或稀土離子鹽溶液以緩慢的速率加入到高分子溶液中；或高分子溶液以緩慢的速率加入到稀土離子鹽溶液中；其中緩慢的速率均為0.5-5ml/h。
[0011]不同的混合順序、滴加速度影響高分子稀土復(fù)合物顆粒的成核方式，從而改變復(fù)合物溶液各種性質(zhì)，如復(fù)合物溶液的Zeta電位值、復(fù)合物顆粒尺寸等。
[0012]所述步驟(2)中基片的預(yù)處理方法為:基片放入硫酸/雙氧水H2S04/H202體積比為7:3的溶液中浸泡0.5-lh，取出清洗至中性，氮?dú)獯蹈?或基片放入氨水:雙氧水:去離子水NH40H: H202: H20體積比為1: 1:5的溶液中，在90 °C水浴下加熱0.5_lh，取出清洗至中性，氮?dú)獯蹈?或基片放入紫外臭氧清洗機(jī)處理5_15min。此類方法預(yù)處理后得到的基片表面含豐富的OH-基團(tuán)，使陽離子聚電解質(zhì)易于吸附在基片表面。
[0013]所述步驟(2)中基片為硅片、石英片、玻璃片中的一種；陽離子聚電解質(zhì)為聚二烯丙基二甲基氯化銨PDDA、聚(丙烯胺鹽酸鹽)PAH、殼聚糖中的一種或幾種；陽離子聚電解質(zhì)溶液的pH為3-6，濃度為0.01-0.08mol/L。
[0014]所述步驟(2)中靜置時(shí)間均為4-10min;循環(huán)次數(shù)為10-30次。
[0015]所述步驟(2)中清洗所用清洗液的pH為3-6;清洗次數(shù)為2-3次。
[0016]本發(fā)明提供一種制備稀土高分散性和穩(wěn)定性的高分子納米復(fù)合薄膜的方法，不僅使薄膜具有獨(dú)特的熒光特性，并且基于層層組裝技術(shù)，有效調(diào)控薄膜的厚度。制備方法主要分為兩步，首先制備帶負(fù)電荷的分散均相的高分子稀土復(fù)合物溶液;其次，將復(fù)合物溶液與聚陽離子以靜電作用為驅(qū)動(dòng)力層層組裝，構(gòu)筑納米級高分子-稀土三元復(fù)合薄膜。
[0017]有益效果
本發(fā)明所制備的高分子稀土三元復(fù)合薄膜因稀土離子直接配位鍵合在高分子鏈上，使得稀土離子分散均勻穩(wěn)定，因而薄膜具有稀土離子獨(dú)特?zé)晒庑阅埽乙詫訉咏M裝技術(shù)，可有效調(diào)控薄膜的各項(xiàng)性能；
本發(fā)明方法簡單，易于操作，制備所得的薄膜具有優(yōu)良光學(xué)性能，具有廣闊應(yīng)用前景。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明制備的PAA-Ce高分子稀土復(fù)合物的動(dòng)態(tài)光散射圖；
圖2為本發(fā)明制備的(PAA-Ce-PDDA)20三元復(fù)合薄膜的X射線光電子能譜；
圖3為本發(fā)明制備的(PAA-Ce-PDDA)20三元復(fù)合薄膜的反射譜圖；
圖4為本發(fā)明制備的(PAA-Ce-PDDA)20三元復(fù)合薄膜的熒光光譜圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。
[0020]實(shí)施例1
(I)配置pH = 6、濃度為0.20mol/L的PAA溶液:稱取2.057g(Mw= 15000，35% )聚丙烯酸鈉鹽溶液，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)pH值至6.0，然后加入pH = 6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得到PH=6、濃度為0.20mo 1/L的PAA溶液。
[0021 ] (2)配置 pH = 6、濃度為 0.02mol/L 的 CeC13 溶液:稱取 I.8629g(Mw = 372.58,35%)七水合氯化鈰粉末，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)PH值至6.0，然后加入pH = 6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得到pH=6、濃度為0.20mol/L的CeC13溶液。
[0022](3)配置pH=6、濃度為0.01mol/L的PDDA溶液:稱取0.40375g聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液(Mw= (1-2) X 105KDa，20% )，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)pH值至6.0，然后加入pH=6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得pH=6、濃度為0.0lmol/L的PDDA溶液。
[0023](4)高分子稀土二元復(fù)合物(PAA-Ce)的制備:把配置好的PAA溶液與CeC13溶液，分別取25ml體積，將PAA溶液以lml/h的速率緩慢加入CeC13溶液中，邊滴加邊攪拌，滴加完全后攪拌12h，即可得到穩(wěn)定均相的高分子稀土復(fù)合物溶液。
[0024](5)高分子稀土三元復(fù)合薄膜(PAA-Ce-PDDA) 20的制備:薄膜制備在室溫(25 ± 2°C)條件下進(jìn)行。先將石英基片/硅片(基片處理:放入硫酸/雙氧水(H2S04/H202)體積比為7:3的溶液中浸泡30min，取出清洗至中性，氮?dú)獯蹈?放入I3DDA溶液中，靜置4min，然后將基片分別在PH = 6的水溶液中進(jìn)行清洗，每個(gè)工位清洗I分鐘，然后放入PAA-Ce溶液中，靜置4min，再將基片放入pH=6的水溶液中進(jìn)行3次清洗，如此循環(huán)20次，便可得到20層的高分子稀土三元復(fù)合薄膜。
[0025]利用動(dòng)態(tài)光散射測試(DLS)、X射線光電子能譜(XPS)、反射光譜以及熒光光譜表征制膜過程和薄膜性質(zhì)。以PAA-Ce復(fù)合物以及(PAA-Ce-PDDA)20復(fù)合薄膜為例，具體測試結(jié)果如下.(I)動(dòng)態(tài)光散射
將稀土離子Ce3+溶液與PAA溶液快速混合所制備得到的高分子稀土復(fù)合物納米粒子(其中PAA濃度為0.lmol/L，Ce3+濃度為0.0lmol/L)，顆粒分散均勻。見附圖1。
[0026](2)X射線光電子能譜
通過X射線光電子能譜證實(shí)了高分子稀土三元復(fù)合薄膜中成功引入稀土元素。見附圖 2。
[0027](3)反射光譜
通過反射光譜計(jì)算得到(PAA-Ce-PDDA)20三元復(fù)合薄膜的厚度為1058nm(其中PAA濃度為0.lmol/L, Ce3+離子濃度為0.0lmolA^F1DDA 濃度為0.0lmol/L)。見附圖3。
[0028](4)熒光光譜
通過熒光光譜證實(shí)了高分子稀土三元復(fù)合薄膜具有良好的熒光性能。(其中激發(fā)波長為255nm，發(fā)射波長35Onm)
實(shí)施例2
(I)配置pH = 6、濃度為0.20mol/L的PAA溶液:稱取2.057g(Mw= 15000，35% )聚丙烯酸鈉鹽溶液，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)pH值至6.0，然后加入pH = 6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得到PH=6、濃度為0.20mo 1/L的PAA溶液。
[0029](2)配置 pH = 6、濃度為 0.02mol/L 的 CeC13 溶液:稱取 I.8629g(Mw = 372.58,35%)七水合氯化鈰粉末，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)PH值至6.0，然后加入pH = 6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得到pH=6、濃度為0.20mol/L的CeC13溶液。
[0030](3)配置pH=6、濃度為0.0lmol/L的PDDA溶液:稱取0.40375g聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液(Mw= (1-2) X 105KDa，20% )，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)pH值至6.0，然后加入pH=6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得pH=6、濃度為0.0lmol/L的PDDA溶液。
[0031](4)高分子稀土二元復(fù)合物(PAA-Ce)的制備:把配置好的PAA溶液與CeC13溶液，分別取25ml體積，將PAA溶液快速倒入CeC13溶液中，混合后攪拌12h，即可得到高分子稀土復(fù)合物溶液。
[0032](5)高分子稀土三元復(fù)合薄膜(PAA-Ce-PDDA) 20的制備:薄膜制備在室溫(25 ± 2°C)條件下進(jìn)行。先將石英基片/硅片(基片處理:放入硫酸/雙氧水(H2S04/H202)體積比為7:3的溶液中浸泡30min，取出清洗至中性，氮?dú)獯蹈?放入I3DDA溶液中，靜置4min，然后將基片分別在PH = 6的水溶液中進(jìn)行清洗，每個(gè)工位清洗I分鐘，然后放入PAA-Ce溶液中，靜置4min，再將基片放入pH=6的水溶液中進(jìn)行3次清洗，如此循環(huán)20次，便可得到20層的高分子稀土三元復(fù)合薄膜。
[0033]實(shí)施例3
(I)配置pH = 6、濃度為0.20mol/L的PAA溶液:稱取2.057g(Mw= 15000，35% )聚丙烯酸鈉鹽溶液，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)pH值至6.0，然后加入pH = 6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得到PH=6、濃度為0.20mo 1/L的PAA溶液。
[0034](2)配置 pH = 6、濃度為 0.02mol/L 的 CeC13 溶液:稱取 I.8629g(Mw = 372.58,35%)七水合氯化鈰粉末，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)PH值至6.0，然后加入pH = 6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得到pH=6、濃度為0.20mol/L的CeC13溶液。
[0035](3)配置pH = 6、濃度為0.05mol/L的PDDA溶液:稱取2.0188g聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液(Mw= (1-2) X 105KDa，20% )，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)pH值至6.0，然后加入pH=6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得pH=6、濃度為0.05mo 1/L的PDDA溶液。
[0036](4)高分子稀土二元復(fù)合物(PAA-Ce)的制備:把配置好的PAA溶液與CeC13溶液，分別取25ml體積，將PAA溶液快速倒入CeC13溶液中，混合后攪拌12h，即可得到高分子稀土復(fù)合物溶液。
[0037](5)高分子稀土三元復(fù)合薄膜(PAA-Ce-PDDA) 20的制備:薄膜制備在室溫(25 ± 2°C)條件下進(jìn)行。先將石英基片/硅片(基片處理:放入硫酸/雙氧水(H2S04/H202)體積比為7:3的溶液中浸泡30min，取出清洗至中性，氮?dú)獯蹈?放入I3DDA溶液中，靜置4min，然后將基片分別在PH = 6的水溶液中進(jìn)行清洗，每個(gè)工位清洗I分鐘，然后放入PAA-Ce溶液中，靜置4min，再將基片放入pH=6的水溶液中進(jìn)行3次清洗，如此循環(huán)20次，便可得到20層的高分子稀土三元復(fù)合薄膜。
[0038]實(shí)施例4
(I)配置pH = 6、濃度為0.20mol/L的PAA溶液:稱取2.057g(Mw= 15000，35% )聚丙烯酸鈉鹽溶液，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)pH值至6.0，然后加入pH = 6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得到PH=6、濃度為0.20mo 1/L的PAA溶液。
[0039](2)配置 pH = 6、濃度為 0.02mol/L 的 PrC13 溶液:稱取 1.8629g(Mw = 247.27)氯化鐠粉末，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)pH值至6.0，然后加入pH=6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得到pH=6、濃度為 0.20mol/L 的 CeC13 溶液。
[0040](3)配置pH=6、濃度為0.0lmol/L的PDDA溶液:稱取0.40375g聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液(Mw= (1-2) X 105KDa，20% )，將其溶解于水后，調(diào)節(jié)pH值至6.0，然后加入pH=6.0的水溶液標(biāo)定至50mL，即可得pH=6、濃度為0.0lmol/L的PDDA溶液。
[0041 ] (4)高分子稀土二元復(fù)合物(PAA-Pr)的制備:把配置好的PAA溶液與PrCl 3溶液，分別取25ml體積，將PAA溶液快速倒入CeC13溶液中，混合后攪拌12h，即可得到高分子稀土復(fù)合物溶液。
[0042](5)高分子稀土三元復(fù)合薄膜(PAA-Pr-PDDA) 20的制備:薄膜制備在室溫(25 ± 2°C)條件下進(jìn)行。先將石英基片/硅片(基片處理:放入硫酸/雙氧水(H2S04/H202)體積比為7:3的溶液中浸泡30min，取出清洗至中性，氮?dú)獯蹈?放入I3DDA溶液中，靜置4min，然后將基片分別在PH = 6的水溶液中進(jìn)行清洗，每個(gè)工位清洗I分鐘，然后放入PAA-Pr溶液中，靜置4min，再將基片放入pH=6的水溶液中進(jìn)行3次清洗，如此循環(huán)20次，便可得到20層的高分子稀土三元復(fù)合薄膜。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，包括: (1)將相同體積的陰離子聚電解質(zhì)溶液和稀土離子鹽溶液混合，攪拌12-24h，得到帶負(fù)電荷的高分子稀土復(fù)合物納米粒子溶液;其中聚電解質(zhì)和稀土離子的摩爾配比大于或等于10:1； (2)在10-50°C條件下，將預(yù)處理后的基片放入陽離子聚電解質(zhì)溶液中，靜置，清洗，然后放入帶負(fù)電荷的高分子稀土復(fù)合物納米粒子溶液中，靜置，清洗，如此循環(huán)，即得含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于:所述步驟(I)中陰離子聚電解質(zhì)為聚丙烯酸PAA、聚甲基丙烯酸PMAA、羧甲基纖維素CMC、聚苯乙烯磺酸鈉PSS中的一種或幾種；陰離子聚電解質(zhì)溶液的pH為3-6，濃度為0.20-0.40mol/L03.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于:所述步驟(I)中稀土離子鹽溶液為氯化鹽REC13、硫酸鹽RE2(S04)3，硝酸鹽RE(N03)3中的一種或幾種，其中RE為鈰Ce3+、鐠Pr3+、釹Nd3+、鋱Tb3+、鉺Er3+、鐿Yb3+、銪Eu3+中的一種。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于:所述步驟(I)中稀土離子鹽溶液的PH為3-6，稀土離子鹽溶液中稀土離子的濃度為0.02-0.04mol/Lo5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于:所述步驟(I)中混合為:高分子溶液與稀土離子鹽溶液混合;或稀土離子鹽溶液以緩慢的速率加入到高分子溶液中；或高分子溶液以緩慢的速率加入到稀土離子鹽溶液中；其中緩慢的速率均為0.5-5ml/h。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于:所述步驟(2)中基片的預(yù)處理方法為:基片放入硫酸/雙氧水H2S04/H202體積比為7:3的溶液中浸泡0.5-lh，取出清洗至中性，氮?dú)獯蹈?；或基片放入氨?雙氧水:去離子水NH40H:H202: H20體積比為1: 1:5的溶液中，在90°C水浴下加熱0.5_lh，取出清洗至中性，氮?dú)獯蹈桑换蚧湃胱贤獬粞跚逑礄C(jī)處理5-15min。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于:所述步驟(2)中基片為硅片、石英片、玻璃片中的一種；陽離子聚電解質(zhì)為聚二烯丙基二甲基氯化銨PDDA、聚(丙烯胺鹽酸鹽)PAH、殼聚糖中的一種或幾種；陽離子聚電解質(zhì)溶液的pH為 3-6，濃度為 0.01-0.08mol/Lo8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于:所述步驟(2)中靜置時(shí)間均為4-10min;循環(huán)次數(shù)為10-30次。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土的高分子納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于:所述步驟(2)中清洗所用清洗液的pH為3-6;清洗次數(shù)為2-3次。
【文檔編號】C09K11/06GK106085411SQ201610437602
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月18日
【發(fā)明人】劉勇
【申請人】合肥浦爾菲電線科技有限公司