本申請要求以日本專利申請2016-2648號(申請日：2016年1月8日)為在先申請的優(yōu)先權。本申請通過參照該在先申請而包括該在先申請的全部內容。

本發(fā)明的實施方式涉及磁記錄裝置及讀入方法。

背景技術：

近年來，開發(fā)了用于實現(xiàn)磁記錄裝置(例如hdd)的高記錄容量化的各種技術。作為此類技術之一，有被稱為瓦記錄方式(shingledwritemagneticrecording(smr)(瓦寫磁記錄)或shingledwriterecording(swr)(瓦寫記錄))的記錄技術。瓦記錄方式的磁記錄裝置在向磁盤寫入數(shù)據(jù)時與相鄰的軌道的一部分重疊地在下一記錄軌道進行記錄。通過采用該瓦記錄方式，而能提高軌道密度(trackperinch：tpi，每英寸軌道數(shù))。

此外，存在被稱為熱輔助磁記錄(thermallyassistedmagneticrecording:tamr，熱輔助磁記錄)方式的記錄技術。熱輔助磁記錄方式的磁記錄裝置(以下稱為熱輔助磁記錄裝置)具備將照射光(例如近場光)向磁盤的記錄層照射的光照射元件和用于使光(例如激光)在光照射元件傳播的波導。根據(jù)該磁記錄裝置，在數(shù)據(jù)的寫進時，從光照射元件的前端將照射光向記錄介質的記錄層照射，將記錄層局部加熱，從而能使被加熱的記錄層部分的頑磁力充分下降，能實現(xiàn)高記錄密度化。

在該熱輔助磁記錄裝置中，根據(jù)照射光的照射范圍，而會產生寫入頭所形成的記錄寬度的變動。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施方式提供能實現(xiàn)高密度記錄的磁記錄裝置及讀入方法。

本實施方式涉及的磁記錄裝置，具備：盤，其具有軌道組，該軌道組包括伺服區(qū)域和第一軌道及與所述第一軌道部分重疊的第二軌道；光照射元件，其照射對所述盤進行加熱的光；頭，其具備：在所述盤的以所述光照射元件照射的所述光所加熱的范圍寫進數(shù)據(jù)的寫入頭和從所述盤的所述軌道組內的軌道讀入數(shù)據(jù)的讀取頭；以及控制器，其在所述軌道組的第一區(qū)域寫進檢測偏移量的第一數(shù)據(jù)，參照所述伺服區(qū)域的伺服信息而從所述第一區(qū)域讀入所述第一數(shù)據(jù)，基于所述讀入的第一數(shù)據(jù)的第一信號的振幅來檢測所述讀取頭的偏移量，基于所述偏移量來控制所述讀取頭的位置。

附圖說明

圖1是表示實施方式涉及的磁記錄裝置的構成的框圖。

圖2是放大表示實施方式涉及的磁記錄裝置的頭及磁盤的側視圖。

圖3是實施方式涉及的頭的剖視圖。

圖4(a)是表示在通常時的近場光的照射范圍寫進的帶域(bandarea，帶區(qū))的一例的圖，圖4(b)是表示在近場光的照射范圍變化后寫進的帶域的一例的圖。

圖5是概要地表示磁盤的帶域內的預定用戶區(qū)域的一例的圖。

圖6是包括圖5所示的用戶區(qū)域的檢測區(qū)域的軌道的放大圖。

圖7是表示檢測數(shù)據(jù)的寫進的定時的一例的圖。

圖8a(a)是表示在通常時的近場光的照射范圍寫進的檢測區(qū)域dam的一例的圖，圖8a(b)是表示在近場光的照射范圍變化后寫進的檢測區(qū)域dam的一例的圖。

圖8b是表示圖8a(b)所示的檢測區(qū)域dam中的再現(xiàn)波形的振幅和讀取頭的偏離軌道(offtrack)位置之間的關系的一例的圖。

圖8c是表示再現(xiàn)波形的振幅和時間之間的關系一例的圖。

圖8d是表示再現(xiàn)波形的振幅和時間之間的關系一例的圖。

圖8e是表示再現(xiàn)波形的振幅和時間之間的關系一例的圖。

圖9是讀入處理的流程圖。

具體實施方式

下面參照附圖來說明實施方式。

(實施方式)

圖1是表示本實施方式涉及的磁記錄裝置1的構成的框圖。

磁記錄裝置1具備：后述的頭盤組件(head-diskassembly：hda)；驅動器ic20；頭(head)放大器集成電路(以下稱為頭放大器ic)30；易失性存儲器70；非易失性存儲器80；緩沖存儲器(緩存)90；和由一芯片的集成電路構成的系統(tǒng)控制器130。此外，磁記錄裝置1可與主機系統(tǒng)(主機)100連接。

hda具有：磁盤(以下稱為盤)10；主軸馬達(spm)12；搭載有頭15的臂13；和音圈馬達(vcm)14。盤10通過主軸馬達12而旋轉。臂13和vcm14構成了致動器。致動器通過vcm14的驅動來將搭載于臂13的頭15移動控制到盤10上的預定位置。也可設置兩個以上數(shù)量的盤10及頭15。

盤10在數(shù)據(jù)區(qū)域分配了瓦記錄區(qū)域(smr區(qū)域)11a和介質高速緩存(mediacache)區(qū)域11b。瓦記錄區(qū)域11a記錄從主機100進行了寫入請求的用戶數(shù)據(jù)等。介質高速緩存區(qū)域11b可用作瓦記錄區(qū)域11a的高速緩存。

瓦記錄區(qū)域11a是與相鄰的軌道(以下簡稱為相鄰軌道)的一部分重疊地寫入下一軌道的數(shù)據(jù)且軌道密度比介質高速緩存區(qū)域11b高的記錄區(qū)域。瓦記錄區(qū)域11a具備多個軌道組(以下稱為帶域ban)，該多個軌道組分別包括一部分重疊寫到相鄰軌道的至少一個軌道(第一軌道)和最后重疊寫的軌道(第二軌道)。第二軌道與第一軌道相比軌道寬度較寬。帶域ban由盤10的一周的量的軌道組構成。在下面，將數(shù)據(jù)的寫進時的頭 15的軌跡(軌道)稱為寫入軌道，將除了通過瓦記錄而對相鄰的寫入軌道重疊寫了的區(qū)域之外的剩余寫入軌道的區(qū)域稱為讀取軌道。在瓦記錄方式的第一軌道中，寫入軌道的寬度的中心位置(以下簡稱為軌道扇區(qū))與讀取軌道的軌道中心通常不一致。再有，有時也將寫入軌道及讀取軌道簡稱為軌道。

參照圖2及圖3來說明頭15。

圖2是放大表示本實施方式涉及的磁記錄裝置的頭15及磁盤10的側視圖，圖3是本實施方式涉及的頭15的剖視圖。在圖2中，示出了盤10的旋轉方向a。

頭15具備滑塊251?；瑝K251在安裝于臂13的萬向節(jié)201固定。

頭15具備分別設置于滑塊251的寫入頭15w、讀取頭15r、光產生元件(例如激光二極管)250、波導255及近場光照射元件(等離子體激元發(fā)生器、近場轉換器)256。

讀取頭15r讀取在盤10上的數(shù)據(jù)軌道記錄的數(shù)據(jù)。寫入頭15w在盤10上寫入數(shù)據(jù)。寫入頭15w對盤10的表面產生垂直方向的磁場。

光產生元件250是(激光)光源，且設置于滑塊251的上部或萬向節(jié)201。光產生元件250向波導255供給光。再有，光產生元件250也可設置于滑塊251或萬向節(jié)201以外的部位。例如，光產生元件250可設置于臂13及頭15的外部。波導255使光產生元件250產生的光傳播到近場光照射元件256。

近場光照射元件256設置于與盤10相對的滑塊251的下端部。近場光照射元件256在執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫進時，由經波導255傳播的激光產生近場光，并向盤10照射近場光。照射的近場光將盤10的記錄層加熱，使盤10的記錄層的頑磁力下降。近場光照射元件256包括金屬部件。再有，可具備使從光產生元件250傳播的光在盤10會聚的透鏡，以代替近場光照射元件256。

這樣，通過將從近場光照射元件256產生的近場光照射到盤10，而能使磁記錄裝置1在作為高頑磁力介質的盤10進行高密度的磁記錄。

此外，近場光照射元件256利用近場光的照射范圍(或者，有時也稱為光斑范圍和/或熱分布寬度)來規(guī)定由寫入頭15w進行寫進的記錄寬度(或軌道寬度)。即、記錄寬度與近場光的照射范圍的寬度對應。例如，近場光照射元件256通過用比寫入頭15w的寬度小的寬度在近場光的照射范圍進行照射，來規(guī)定寫入軌道的軌道寬度(以下簡稱為寫入軌道寬度)。

例如，在由于照射近場光時產生的熱等原因而使近場光照射元件的形狀發(fā)生變化的情況下，近場光的照射范圍變動，與之相伴地，寫入頭15w所形成的寫入軌道的軌道寬度發(fā)生變化。再有，由于寫入頭15w所形成的寫入軌道的軌道寬度變化，而使預定帶域的寬度(以下簡稱為帶寬)變化。

參照圖4來說明與近場光的照射范圍的變化相伴的帶域ban的變化。

圖4是表示與近場光的照射范圍的變化相伴的帶域ban的變化的一例的概念圖。圖4(a)是表示在通常時的近場光的照射范圍寫進的帶域ban的一例的圖，圖4(b)是表示在近場光的照射范圍變化后寫進的帶域ban的一例的圖。在近場光的照射范圍從圖4(a)變化為圖4(b)的情況下，近場光的照射范圍擴大。此處，通常時表示例如近場光的照射范圍沒有因熱等原因變化時。

圖4(a)所示的讀取軌道j－1、讀取軌道j及讀取軌道j+1分別與圖4(b)所示的讀取軌道j－1、讀取軌道j及讀取軌道j+1對應。在圖4(a)及圖4(b)中，讀取軌道j－1及讀取軌道j分別表示除了相鄰的寫入軌道被重疊寫的區(qū)域之外的剩余寫入軌道的區(qū)域。讀取軌道j+1表示在預定的帶域ban最后寫進的寫入軌道(第二軌道)。

如圖4(a)所示，將由寫入頭15w在通常時的近場光的照射范圍(以下簡稱為通常時)寫進了的寫入軌道構成的讀取軌道j+1的軌道寬度設為h。如圖4(b)所示，將由寫入頭15w在近場光的照射范圍變化后(以下簡稱為變化后)寫進了的寫入軌道構成的讀取軌道j+1的軌道寬度設為h。即、通常時的寫入軌道寬度為h，變化后的寫入軌道寬度為h。此外，在通常時和變化后，寫入軌道寬度之差為2δh。此處，說明變化后的近場光的照射范圍相對于通常時的近場光的照射范圍擴大的情況(h＞h)。再有， 以下，將通常時由寫入頭15w寫進了的寫入軌道所構成的讀取軌道簡稱為通常時的讀取軌道，將變化后由寫入頭15w寫進了的寫入軌道所構成的讀取軌道簡稱為變化后的讀取軌道。

如圖4(a)所示，設定通常時的讀取軌道j－1的軌道中心tcj－1、讀取軌道j的軌道中心tcj、讀取軌道j+1的軌道中心tcj+1。此外，如圖4(b)所示，設定變化后的讀取軌道j－1的軌道中心tc’j－1、讀取軌道j的軌道中心tc’j、讀取軌道j+1的軌道中心tc’j+1。

在圖4中，讀取軌道j－1及讀取軌道j的軌道寬度分別相當于：除了在相鄰的寫入軌道例如構成讀取軌道j的寫入軌道和/或構成讀取軌道j+1的寫入軌道重疊寫的部分之外的剩余部分的交叉軌道(crosstrack)方向的長度。在通常時和變化后，各寫入軌道由寫入頭15w在盤10的半徑方向(以下簡稱為半徑方向)的相同目標位置寫進。在圖4的例子中，各寫入軌道寬度為變化后比通常時增大2δh。

但是，此時，讀取軌道j－1及讀取軌道j的軌道寬度在通常時和變化后沒有變化。這是因為，雖然在通常時和變化后，各寫入軌道的邊緣的半徑位置或與相鄰的寫入軌道重疊(與相鄰的寫入軌道重疊寫)的半徑位置變化，但是，相鄰的寫入軌道間的中心間隔(即寫入軌道的間距)沒有變化。

此外，讀取軌道j－1的軌道中心tcj－1及讀取軌道j的軌道中心tcj，在近場光的照射范圍變化的情況下，相應于寫入軌道寬度的變化而在半徑方向上移位(移動)。例如，如圖4所示，讀取軌道j－1的軌道中心tcj－1相應于寫入軌道寬度的變化而在半徑方向上變化為離開(移動)了偏移量δh的軌道中心tc’j－1。此外，讀取軌道j的軌道中心tcj相應于寫入軌道寬度的變化而在半徑方向上變化為離開(移動)了偏移量δh的軌道中心tc’j。

讀取軌道j+1的軌道寬度由于不在相鄰的寫入軌道重疊寫，因而相應于寫入軌道寬度的變化而變化。例如，如圖4所示，通常時的讀取軌道j+1的軌道寬度h向變化后的讀取軌道j+1的軌道寬度h變化。此外，在 通常時和變化后，在寫入軌道相同的目標位置寫進，因此讀取軌道j+1的軌道中心tcj和軌道中心tc’j位于同一半徑方向。

如上所述，在變化后的帶域ban中，讀取軌道j－1及讀取軌道j，由于在與各自對應的寫入軌道相鄰的寫入軌道重疊寫，因而軌道中心的位置在半徑方向上變化，但是，其軌道寬度不變化。此外，在變化后的帶域ban中，讀取軌道j+1由沒有重疊寫的寫入軌道構成，因此軌道中心的位置在半徑方向上沒有變化，其軌道寬度變化。

如圖1所示，驅動器ic20按照系統(tǒng)控制器130(具體地，為后述的mpu60)的控制來控制spm12及vcm14的驅動。

頭放大器ic30具有讀取放大器及寫入驅動器。讀取放大器將由讀取頭15r讀出的讀取信號放大，向讀取/寫入(r/w)信道40傳輸。寫入驅動器將與從r/w信道40輸出的寫入數(shù)據(jù)相應的寫入電流向寫入頭15w傳輸。

易失性存儲器70是在切斷電源供給時所保存的數(shù)據(jù)丟失的半導體存儲器。易失性存儲器70存儲磁記錄裝置1的各部的處理所需的數(shù)據(jù)等。易失性存儲器70是例如sdram(synchronousdynamicrandomaccessmemory，同步動態(tài)隨機存取存儲器)。

非易失性存儲器80是即使斷開電力供給也會保持所保存的數(shù)據(jù)的半導體存儲器。非易失性存儲器80是例如閃速rom(flashreadonlymemory:from，閃速只讀存儲器)。

緩沖存儲器90是臨時保持在盤10與主機100之間發(fā)送接收的數(shù)據(jù)等的半導體存儲器。再有，緩沖存儲器90可與易失性存儲器70一體配置。緩沖存儲器90是例如dram(dynamicrandomaccessmemory，動態(tài)隨機存取存儲器)、sram(staticrandomaccessmemory,靜態(tài)隨機存取存儲器)、sdram、feram(ferroelectricrandomaccessmemory，鐵電隨機存取存儲器)及mram(magnetoresistiverandomaccessmemory,磁阻隨機存取存儲器)等。

系統(tǒng)控制器(控制器)130使用例如將多個元件在單個芯片集成的被 稱為芯片上系統(tǒng)(soc，system-on-a-chip)的大規(guī)模集成電路(lsi)來實現(xiàn)。系統(tǒng)控制器130包括r/w信道40、硬盤控制器(hdc)50和微處理器(mpu)60。

r/w信道40執(zhí)行讀取數(shù)據(jù)及寫入數(shù)據(jù)的信號處理。r/w信道40具有測定讀取數(shù)據(jù)的信號品質的電路或功能。

hdc50相應于來自mpu60的指示而控制主機100與r/w信道40之間的數(shù)據(jù)傳輸。hdc50具備與主機100連接的主機i/f電路。

mpu60是控制磁記錄裝置1的各部分的主控制器。mpu60經驅動器ic20來控制vcm14，執(zhí)行進行頭15的定位的伺服控制。此外，mpu60控制對盤10寫入數(shù)據(jù)的寫進工作，并且執(zhí)行選擇從主機100傳輸?shù)膶戇M數(shù)據(jù)的保存目的地的控制。mpu60的控制所進行的寫進工作中包括瓦記錄方式的工作。mpu60包括讀取/寫入控制部61和位置檢測部62。再有，mpu60在固件上執(zhí)行該各部分的處理。

讀取/寫入控制部61根據(jù)來自主機100的命令來控制數(shù)據(jù)的讀出(讀取)以及寫進(寫入)。讀取/寫入控制部61通過控制寫入頭15w來在盤10上寫進數(shù)據(jù)而構成寫入軌道。在瓦記錄方式中，讀取/寫入控制部61在帶域ban中在預定數(shù)量的寫入軌道重疊寫。讀取/寫入控制部61在相鄰的帶域(例如帶域ban和與帶域ban在半徑方向上相鄰的帶域ban+1(未圖示))之間為了防止數(shù)據(jù)的覆寫等而配置保護區(qū)域(或間隙(gap))。此外，讀取/寫入控制部61控制讀取頭15r而從讀取軌道讀入數(shù)據(jù)。

圖5是概要地表示盤10的帶域ban內的預定用戶區(qū)域uam的一例的圖，圖6是包括圖5所示的預定的用戶區(qū)域uam的檢測區(qū)域dam的軌道的放大圖。在圖5中，旋轉方向a與圖2所示的方向a對應。

如圖5所示，帶域ban具有預定的用戶區(qū)域uam和位于該用戶區(qū)域uam前后的伺服區(qū)域sam、sam+1。預定的用戶區(qū)域uam包括偏移量檢測區(qū)域(以下簡稱為檢測區(qū)域)dam和用戶數(shù)據(jù)區(qū)域udm。通過對檢測區(qū)域dam進行讀入，來檢測從讀取軌道的軌道中心的偏移量(以下簡稱為偏移量)。此時，相應于檢測區(qū)域dam的大小,偏移量的檢測精度提 高。用戶數(shù)據(jù)區(qū)域udm是檢測區(qū)域dam以外的用戶區(qū)域uam。在用戶數(shù)據(jù)區(qū)域udm，寫進用戶數(shù)據(jù)。伺服區(qū)域sam包括與用戶區(qū)域uam對應的伺服信息。此外，伺服區(qū)域sam+1包括與用戶區(qū)域uam+1對應的伺服信息，該用戶區(qū)域uam+1是與用戶區(qū)域uam在盤10的周向(以下簡稱為周向)上在與方向a相反側相鄰的下一用戶區(qū)域。

優(yōu)選的是，檢測區(qū)域dam不將用戶數(shù)據(jù)區(qū)域udm分開地設置于用戶區(qū)域uam的開頭的區(qū)域或用戶區(qū)域uam的末尾的區(qū)域。再有，檢測區(qū)域dam也可將用戶數(shù)據(jù)區(qū)域udm分開地設置于用戶區(qū)域uam的一部分。

此外，檢測區(qū)域dam可僅設置于帶域ban的一個位置，也可設置于多個位置。例如，檢測區(qū)域可以以盤10的中心為轉軸而每隔旋轉角度90度地設置于帶域ban內的四個位置。

在圖6中，軌道k－1包括檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk－1，軌道k包括檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk，軌道k+1包括檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk+1，軌道k+2包括用戶數(shù)據(jù)區(qū)域udk+2。此處，檢測區(qū)域dam是包括檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk－1、檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk及檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk+1的區(qū)域。此外，在圖6中，表示了軌道k－1的軌道中心tck－1、軌道k的軌道中心tck和軌道k+1的軌道中心tck+1。

在檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk－1，寫進檢測數(shù)據(jù)pt1，在檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk，寫進檢測數(shù)據(jù)pt2，在檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk+1，寫進檢測數(shù)據(jù)pt3。在用戶區(qū)域uam中，在檢測區(qū)域dam以外的區(qū)域寫進用戶數(shù)據(jù)。例如，在用戶數(shù)據(jù)區(qū)域udk+2寫進用戶數(shù)據(jù)。

讀取/寫入控制部61在預定的用戶區(qū)域uam的一部分設定檢測區(qū)域dam。例如，讀取/寫入控制部61在預定的用戶區(qū)域uam內的半徑方向上連續(xù)的多個軌道的范圍設定檢測區(qū)域dam。例如，讀取/寫入控制部61在用戶區(qū)域uam的連續(xù)至少兩個軌道的范圍設定檢測區(qū)域dam。此外，讀取/寫入控制部61在預定的用戶區(qū)域uam中在檢測區(qū)域dam以外的區(qū)域寫進用戶數(shù)據(jù)。再有，檢測區(qū)域dam可在制造時預先設定。

讀取/寫入控制部61在記錄介質例如非易失性存儲器80等存儲檢測區(qū) 域dam的位置信息。讀取/寫入控制部61參照所存儲的檢測區(qū)域dam的位置信息和伺服信息來從帶域ban檢測出檢測區(qū)域dam。

讀取/寫入控制部61在檢測區(qū)域dam寫進用于檢測頭15的偏移量的檢測數(shù)據(jù)。檢測數(shù)據(jù)是表示例如單一頻率(單一模式)的信號波形的數(shù)據(jù)(以下稱為單一頻率的數(shù)據(jù))。在多個軌道的范圍設定檢測區(qū)域dam的情況下，讀取/寫入控制部61在檢測區(qū)域dam的各軌道寫進頻率互為素數(shù)的單一頻率的數(shù)據(jù)。例如，單一頻率的數(shù)據(jù)是1、0、1、0、1、···那樣的模式的數(shù)據(jù)。

例如，如圖6所示，在半徑方向上連續(xù)的軌道k－1、軌道k及軌道k+1的范圍設定檢測區(qū)域dam的情況下，讀取/寫入控制部61在檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk－1寫進檢測數(shù)據(jù)pt1，在檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk寫進檢測數(shù)據(jù)pt2，在檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk+1寫進檢測數(shù)據(jù)pt3。檢測數(shù)據(jù)pt1、pt2及pt3分別是頻率互為素數(shù)的單一頻率的數(shù)據(jù)。此處，檢測數(shù)據(jù)pt1、pt2及pt3的信號波形的頻率可以是將寫進數(shù)據(jù)時的標準的或最大的頻率f用互為素數(shù)的整數(shù)來除而得到的值。例如，檢測數(shù)據(jù)pt1的單一頻率可為f/2，檢測數(shù)據(jù)pt2的單一頻率可為f/3，檢測數(shù)據(jù)pt3的單一頻率可為f/5。再有，在預定的檢測區(qū)域dam寫進的檢測數(shù)據(jù)只要至少在相鄰的軌道彼此頻率互不相同即可。例如，不同的兩種頻率的檢測數(shù)據(jù)可在相鄰的軌道交替地記錄于檢測區(qū)域dam。

圖7是表示檢測數(shù)據(jù)pt1、pt2及pt3的寫進的定時的一例的圖。

如圖7所示，讀取/寫入控制部61在伺服門(gate)信號的脈沖為導通(on)的狀態(tài)的時間ts1讀入伺服區(qū)域sam的伺服信息，并參照讀入的伺服信息來執(zhí)行頭15的定位。然后，讀取/寫入控制部61在寫入門信號的脈沖為導通的狀態(tài)的時間tw1以瓦記錄方式向用戶區(qū)域uam寫進數(shù)據(jù)。例如，如圖7所示，讀取/寫入控制部61在時間tw1內的最初時間tp1將檢測數(shù)據(jù)pt1、pt2及pt3分別寫進檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk－1、ddk及ddk+1。讀取/寫入控制部61在寫進檢測數(shù)據(jù)pt1～pt3的時間tp1以外的時間(tw1－tp1)向用戶數(shù)據(jù)區(qū)域udm寫進數(shù)據(jù)。然后，讀取/寫入 控制部61在伺服門信號的脈沖為導通的狀態(tài)的時間ts2讀入與下一帶域對應的伺服區(qū)域sam+1的伺服信息，并參照讀取的伺服信息來執(zhí)行頭15的定位。

讀取/寫入控制部61參照伺服區(qū)域sam的伺服信息而在讀入用戶數(shù)據(jù)區(qū)域udm前讀入檢測區(qū)域dam的檢測數(shù)據(jù)pt1～pt3的至少一個。讀取/寫入控制部61將從檢測區(qū)域dam讀入的數(shù)據(jù)向后述的位置檢測部62輸出。讀取/寫入控制部61參照從位置檢測部62接受的數(shù)據(jù)來控制讀入時的頭15的定位的位置。

位置檢測部62參照從檢測區(qū)域dam的預定位置讀入的數(shù)據(jù)的再現(xiàn)波形(以下簡稱為再現(xiàn)波形)和偏離軌道位置信息來檢測讀取頭15r在檢測區(qū)域dam的預定讀取軌道處的偏離軌道位置。

偏離軌道位置信息包括表示各讀取軌道的、再現(xiàn)波形的振幅與讀取頭15r的半徑方向的偏離軌道位置之間的關系的信息。此外，偏離軌道位置信息包括以下信息：該信息表示再現(xiàn)波形所含的、或從再現(xiàn)波形檢測的多個頻率分量的信號波形的振幅的比例的分數(shù)值與讀取頭15r的偏離軌道位置之間的關系。偏離軌道位置信息在使用磁記錄裝置1前通過測定而取得，并存儲于記錄介質例如非易失性存儲器80等。

位置檢測部62分析再現(xiàn)波形的頻率分量，并執(zhí)行再現(xiàn)波形的頻率分解處理例如fft(fastfouriertransform，快速傅里葉變換)。位置檢測部62通過頻率分解處理而將再現(xiàn)波形的頻率分解為頻率分量。位置檢測部62能參照通過頻率分解處理而取得的至少一個頻率分量的信號波形的振幅和偏離軌道位置信息來檢測讀取頭15r的偏離軌道位置，再根據(jù)檢測到的偏離軌道位置的信息來取得讀取頭15r的偏移量δh。

參照圖8a、圖8b、圖8c、圖8d及圖8e來說明位置檢測部62的偏移量的取得方法。

圖8a是表示與近場光的照射范圍的變化相伴的檢測區(qū)域dam的變化的一例的概念圖。圖8a(a)是表示在通常時的近場光的照射范圍寫進的檢測區(qū)域dam的一例的圖，圖8a(b)是表示在近場光的照射范圍變化后寫 進的檢測區(qū)域dam的一例的圖。如圖8a(b)所示，假設近場光的變化后的讀取軌道k－1的軌道中心tc’k－1、讀取軌道k的軌道中心tc’k、讀取軌道k+1的軌道中心tc’k+1。在從圖8a(a)變化為圖8a(b)的情況下，近場光的照射范圍擴大。此時，變化后的軌道中心tc’k－1、tc’k及tc’k+1分別從通常時的軌道中心tck－1、tck及tck+1在半徑方向上移動δh。在圖8a(b)中，表示了參照伺服區(qū)域sam的伺服信息而定位于變化后的檢測區(qū)域dam時的讀取頭15r。此外，在圖8a(b)中，表示了通常時的軌道中心tck－1，以作為參照伺服區(qū)域sam的伺服信息而定位于變化后的檢測區(qū)域dam時的讀取頭15r的目標位置。

圖8b是表示圖8a(b)所示的檢測區(qū)域dam中的再現(xiàn)波形的振幅與偏離軌道位置之間的關系的一例的圖。在圖8b中，縱軸表示再現(xiàn)波形的振幅，橫軸表示讀取頭15r的半徑方向的位置。信號曲線(profile，輪廓線)sw1表示檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk－1的再現(xiàn)波形的振幅與讀取頭15r的偏離軌道位置之間的關系，信號曲線sw2表示檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk的再現(xiàn)波形的振幅與讀取頭15r的偏離軌道位置之間的關系。半徑位置p1是圖8a(b)所示的變化后的讀取軌道k－1的軌道中心tc’k－1。半徑位置p2是圖8a(b)所示的變化后的讀取軌道k的軌道中心tc’k。半徑位置p3是圖8a(b)所示的變化后的軌道k－1從軌道中心tc’k－1離開偏移量δh后的位置。即、半徑位置p3是參照通常時的檢測區(qū)域dam的伺服區(qū)域sam的伺服信息而定位于變化后的檢測區(qū)域dam時的讀取頭15r的位置。參照標記s31是半徑位置p3處的信號曲線sw1的振幅，參照標記s32是半徑位置p3處的信號曲線sw2的振幅。圖8b與圖8a(b)所示的變化后的預定用戶區(qū)域uam中的檢測區(qū)域dam對應。

圖8c、圖8d及圖8e是表示再現(xiàn)波形的振幅與時間之間的關系的一例的圖。在圖8c至圖8e中，縱軸表示再現(xiàn)波形的振幅，橫軸表示時間。此外，在圖8c至圖8e中，t1、t2表示預定的時間。圖8c表示與圖8b的半徑位置p1對應的檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk－1的軌道中心tc’k－1的再現(xiàn)波形的振幅與時間之間的關系，圖8d表示與圖8b的半徑位置p2對應的 檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk的軌道中心tc’k的再現(xiàn)波形的振幅與時間之間的關系，圖8e表示與圖8b的半徑位置p3對應的檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk－1的從軌道中心tc’k－1偏離軌道δh后的位置的再現(xiàn)波形的振幅與時間之間的關系。圖8c中，表示了讀入檢測數(shù)據(jù)pt1后的再現(xiàn)波形wf1，圖8d中，表示了讀入檢測數(shù)據(jù)pt2后的再現(xiàn)波形wf2，圖8e中，表示了再現(xiàn)波形wf1和再現(xiàn)波形wf2的混合波形。再現(xiàn)波形wf1和再現(xiàn)波形wf2是不同的頻率。

位置檢測部62在對半徑位置p1的檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk－1進行了讀入的情況下，取得圖8c的檢測數(shù)據(jù)pt1的再現(xiàn)波形wf1。位置檢測部62分析該再現(xiàn)波形wf1的頻率分量，對該再現(xiàn)波形wf1進行頻率分解處理。位置檢測部62通過分解處理而取得檢測數(shù)據(jù)pt1所具有的頻率的信號波形的振幅s1。位置檢測部62參照圖8b所示那樣的偏離軌道位置信息和信號波形的振幅s1來檢測讀取頭15r位于軌道k－1的半徑位置p1這一情況。

位置檢測部62在對半徑位置p2的檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk進行了讀入的情況下，取得圖8d的檢測數(shù)據(jù)pt2的再現(xiàn)波形wf2。位置檢測部62分析該再現(xiàn)波形wf2的頻率分量，對該再現(xiàn)波形wf2進行頻率分解處理。位置檢測部62通過分解處理而取得檢測數(shù)據(jù)pt2所具有的頻率的信號波形的振幅s2。位置檢測部62參照圖8b所示那樣的信號曲線sw1即偏離軌道位置信息和信號波形的振幅s2，來檢測讀取頭15r位于軌道k的半徑位置p2這一情況。

位置檢測部62在對半徑位置p3的檢測數(shù)據(jù)區(qū)域ddk進行了讀入的情況下，取得在相鄰的軌道k－1和軌道k分別寫進了的檢測數(shù)據(jù)pt1及pt2的混合波形(圖8e所示的wf1+wf2)。位置檢測部62分析該再現(xiàn)波形wf2的頻率分量，對該再現(xiàn)波形wf2進行頻率分解處理。位置檢測部62取得對該混合波形進行分解處理而取得的多個信號波形的振幅的分數(shù)值例如兩個信號波形的振幅之比s31/s32。位置檢測部62可參照偏離軌道位置信息和取得的多個信號波形的振幅的分數(shù)值例如兩個信號波形之 比s31/s32，來檢測讀取頭15r位于軌道k－1的半徑位置p3這一情況。

圖9是讀入處理的流程圖。

在圖9中，在預定的帶域ban的檢測區(qū)域dam的各軌道寫進檢測數(shù)據(jù)。這些檢測數(shù)據(jù)分別是與相鄰的檢測數(shù)據(jù)互為素數(shù)的單一頻率的數(shù)據(jù)。

mpu60在伺服區(qū)域sam進行讀入(b901)，并參照伺服信息來在檢測區(qū)域dam進行讀入(b902)。

mpu60對再現(xiàn)波形執(zhí)行頻率分解處理(b903)。

mpu60取得信號波形的振幅的信息來作為頻率分解處理的結果(b904)。

mpu60參照信號波形的振幅的信息和偏離軌道位置信息來取得讀取頭15r的偏離軌道位置(b905)。

mpu60基于偏離軌道位置來取得偏移量(b906)，并基于取得的偏移量來執(zhí)行讀入處理(b907)。

根據(jù)本實施方式，磁記錄裝置1在寫進數(shù)據(jù)時在帶域ban的檢測區(qū)域dam的多個軌道分別寫進互不相同的頻率的多個檢測數(shù)據(jù)。磁記錄裝置1在讀入數(shù)據(jù)時，在檢測區(qū)域dam進行讀入，并參照從檢測區(qū)域dam讀出的信號波形的振幅和偏離軌道位置信息來取得頭15的偏移量。

因此，磁記錄裝置1在寫入頭15w所形成的寫入軌道寬度相應于近場光的照射范圍的變化而變化的情況下，也能基于頭15的偏移量來控制讀取頭15r的讀入位置。其結果，在寫入頭15w所形成的寫入軌道寬度變化了的情況下，磁記錄裝置1也能在帶域ban內在成為對象的讀取軌道正確地進行讀入。這樣，能實現(xiàn)可進行高密度記錄的熱輔助磁記錄方式的磁記錄裝置。

雖然說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但是這些實施方式只是例示，而不是用于限定發(fā)明的范圍。這些新實施方式可以以其他各種方式實施，在不脫離發(fā)明的要旨的范圍，可以進行各種省略、置換、變更。這些實施方式和/或其變形包括于發(fā)明的范圍和/或要旨中，也包括于技術方案記載的發(fā)明及其均等的范圍中。