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一種電子倉的磁場測量裝置的制作方法

文檔序號:11112325閱讀:876來源:國知局
一種電子倉的磁場測量裝置的制造方法

本發(fā)明涉及一種電子倉的磁場測量裝置。



背景技術:

水下外磁場測量系統(tǒng),目前多采用多芯信號線電纜從磁傳感器連接到磁場采集裝置(或處理裝置),但因為磁傳感器均位于水下,且磁傳感器采集的磁場信息以模擬信號形式傳輸,通過電纜傳輸容易導致數(shù)據(jù)丟失。此外,現(xiàn)有技術中,一個采集裝置連接多個位于水下的磁傳感器,這樣會使用大量的線纜,現(xiàn)有技術存在傳輸精度低,線纜消耗大的弊端。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種測量精度高、線纜使用少的基于前置電子倉的水下磁場測量系統(tǒng)。

本發(fā)明解決上述技術問題的技術方案如下:一種電子倉的磁場測量裝置,包括多個磁傳感器、前置電子倉和工控屏,所述前置電子倉和多個磁傳感器均位于水面以下,每個所述磁傳感器分別通過電纜連接至前置電子倉,所述前置電子倉通過光纜連接至位于水面以上的工控屏;還包括位置顯示燈。

本發(fā)明的有益效果是:在每個磁傳感器采集的磁場信號以模擬信號的形式傳輸,這種模擬信號在水下傳輸?shù)倪^程中容易受到干擾或丟失,通過將多個磁傳感器的磁場信息發(fā)送至前置電子倉的方案,可以大大減小模擬信號水下傳輸?shù)木嚯x,與此同時,也節(jié)省了磁傳感器傳輸電纜的用料。這種方案既提高了系統(tǒng)測量精度,又節(jié)省了材料成本。通過光纜將前置電子倉內采集到的多個磁傳感器發(fā)送的磁場信息發(fā)送至工控屏,可以提高傳輸速率,增強傳輸?shù)姆€(wěn)定性。工控屏可以直觀的將上述信息顯示出來,也可以便于工作人員對系統(tǒng)進行操作。

在上述技術方案的基礎上,本發(fā)明還可以做如下改進。

進一步,所述前置電子倉包括外殼,所述外殼內設置有數(shù)據(jù)接收器和A/D轉換模塊,所述數(shù)據(jù)接收器接收每個所述磁傳感器發(fā)送的磁場信息并將其發(fā)送至A/D轉換模塊,所述A/D轉換模塊將數(shù)據(jù)接收器發(fā)送的模擬信號轉換為數(shù)字信號,所述A/D轉換模塊通過光纜連接至工控屏。

采用上述進一步方案的有益效果是,所述數(shù)據(jù)接收器可以匯集每個磁傳感器發(fā)送的磁場信息并發(fā)送給A/D轉換模塊,而A/D轉換模塊可以將上述模擬信號轉換為數(shù)字信號,并通過光纜發(fā)送至工控屏,這樣可以提高信號傳輸?shù)陌踩院头€(wěn)定性。

進一步,所述外殼由耐腐蝕的不銹鋼板制成。

采用上述進一步方案的有益效果是,外殼由不銹鋼板制成,既可以保證抵抗水下壓強不變形,也能防止腐蝕導致水進入殼體內。

進一步,所述外殼內注有硅脂,所述硅脂將外殼內除數(shù)據(jù)接收器和A/D轉換模塊外的所有空間填充滿。

所述硅脂的密度不小于1.2g/m3。

所述硅脂的密度為1.5g/m3或2.0g/m3。

采用上述進一步方案的有益效果是,使用硅脂填滿除數(shù)據(jù)接收器和A/D轉換模塊外的所有空間,既可以保證所述前置電子倉的水密性,有可以提高電子倉內電子部件的散熱性能,保障儀器能長時間的工作,實現(xiàn)了免維護的目的。選用密度不小于1.2g/m3的硅脂進行填充,當所述殼體有破損時,由于硅脂的密度大于海水,可以防止海水倒灌進入殼體。

附圖說明

圖1為本發(fā)明系統(tǒng)結構示意圖。

附圖中,各標號所代表的部件列表如下:

1、工控屏,2、前置電子倉,21、數(shù)據(jù)接收器,22、A/D轉換模塊,3、磁傳感器,4、電纜,5、光纜。

具體實施方式

以下結合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述,所舉實例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。

實施例1,如圖1所示,一種電子倉的磁場測量裝置,包括多個磁傳感器3、前置電子倉2和工控屏1,所述前置電子倉2和多個磁傳感器3均位于水面以下,每個所述磁傳感器3分別通過電纜4連接至前置電子倉2,所述前置電子倉2通過光纜5連接至位于水面以上的工控屏1。

實施例2,在實施例1的基礎上,本實施例中所述前置電子倉2包括外殼,所述外殼內設置有數(shù)據(jù)接收器21和A/D轉換模塊22,所述數(shù)據(jù)接收器21接收每個所述磁傳感器3發(fā)送的磁場信息并將其發(fā)送至A/D轉換模塊22,所述A/D轉換模塊22將數(shù)據(jù)接收器21發(fā)送的模擬信號轉換為數(shù)字信號,所述A/D轉換模塊21通過光纜5連接至工控屏1。

所述外殼由耐腐蝕的不銹鋼板制成。

所述外殼內注有硅脂,所述硅脂將外殼內除數(shù)據(jù)接收器21和A/D轉換模塊22外的所有空間填充滿。

所述硅脂的密度不小于1.2g/m3。

所述硅脂的密度為1.5g/m3或2.0g/m3

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。

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