一種單晶硅芯片壓力傳感裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，其結(jié)構(gòu)包括外管、導管、保護線路器、殼體、保護膜、傳感板、單晶硅芯片、磁鐵、襯底、單晶硅層、單晶硅薄膜、真空腔,所述殼體連接所述導管，所述導管兩端連接著所述外管，所述殼體內(nèi)部連接著所述保護線路器，所述導管連接著所述傳感板，所述傳感板連接著所述保護膜，所述傳感板連接著所述單晶硅芯片，所述單晶硅芯片設有襯底，所述襯底之上設置有所述單晶硅層，所述單晶硅層設有所述單晶硅薄膜，所述單晶硅薄膜與所述襯底之間形成所述真空腔，所述真空腔在任意位置的豎直方向上的截面均為梯形結(jié)構(gòu)。本實用新型產(chǎn)品單晶硅芯片抗壓性能高，不易損壞，傳感信號不容易受到干擾。
【專利說明】
一種單晶硅芯片壓力傳感裝置
技術(shù)領域
[0001]本實用新型涉及電子感應設備領域，尤其涉及一種單晶硅芯片壓力傳感裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]傳感器是一種檢測裝置，能感受到被測量的信息，并能將感受到的信息，按一定規(guī)律變換成為電信號或其他所需形式的信息輸出，以滿足信息的傳輸、處理、存儲、顯示、記錄和控制等要求。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)公開了申請?zhí)枮?01520856831.9的一種檢測裝置，包括傳感測頭和傳感器主體，所述傳感測頭與傳感器主體連接，所述傳感器主體設有上蓋、扣合與上蓋中的下蓋和上、下蓋周圍的側(cè)板，在傳感器主體的內(nèi)部還設有信息發(fā)送器;所述信息發(fā)送器包括電源、微處理器;在所述傳感器主體的內(nèi)部還設有報警器;但是抗壓性能低，易損壞，傳感信號容易受到干擾。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]對上述問題，本實用新型提供了一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，解決了抗壓性能低，易損壞，傳感信號容易受到干擾的問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采用的技術(shù)方案是:一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，其結(jié)構(gòu)包括外管、導管、保護線路器、殼體、保護膜、傳感板、單晶硅芯片、磁鐵、襯底、單晶硅層、單晶硅薄膜、真空腔，所述殼體連接所述導管，所述導管兩端連接著所述外管，所述殼體內(nèi)部連接著所述保護線路器，所述導管連接著所述磁鐵，所述導管連接著所述傳感板，所述傳感板連接著所述保護膜，所述傳感板連接著所述單晶硅芯片，所述單晶硅芯片設有襯底，所述襯底之上設置有所述單晶硅層，所述單晶硅層設有所述單晶硅薄膜，所述單晶硅薄膜與所述襯底之間形成所述真空腔，所述真空腔在任意位置的豎直方向上的截面均為梯形結(jié)構(gòu)。
[0006]進一步的，所述殼體為無焊接不銹鋼。
[0007]進一步的，所述導管貫穿連接所述殼體。
[0008]進一步的，所述導管連接著所述保護線路器。
[0009]進一步的，所述真空腔的側(cè)端面與上端面之間設置有弧形連接段。
[0010]由上述對本實用新型結(jié)構(gòu)的描述可知，和現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有如下優(yōu)占.V.
[0011]本實用新型產(chǎn)品單晶硅芯片抗壓性能高，不易損壞，傳感信號不容易受到干擾。
【附圖說明】

[0012]構(gòu)成本申請的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當限定。在附圖中:
[0013]圖1為本實用新型一種單晶硅芯片壓力傳感裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本實用新型一種單晶硅芯片壓力傳感裝置的單晶硅芯片示意圖。
【具體實施方式】
[0015]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0016]實施例1
[0017]參考圖1和圖2，一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，其結(jié)構(gòu)包括外管1、導管2、保護線路器3、殼體4、保護膜5、傳感板6、單晶硅芯片7、磁鐵8、襯底1、單晶硅層12、單晶硅薄膜9、真空腔U，所述殼體4連接所述導管2，所述導管2兩端連接著所述外管I，所述殼體4內(nèi)部連接著所述保護線路器3，所述導管2連接著所述磁鐵8，所述導管2連接著所述傳感板6，所述傳感板6連接著所述保護膜5，所述傳感板6連接著所述單晶硅芯片7，所述單晶硅芯片7設有襯底10，所述襯底10之上設置有所述單晶硅層12，所述單晶硅層12設有所述單晶硅薄膜9，所述單晶硅薄膜9與所述襯底10之間形成所述真空腔11，所述真空腔11在任意位置的豎直方向上的截面均為梯形結(jié)構(gòu)，所述殼體4為無焊接不銹鋼，所述導管2貫穿連接所述殼體4，所述導管2連接著所述保護線路器3，所述真空腔11的側(cè)端面與上端面之間設置有弧形連接段。本實用新型產(chǎn)品單晶硅芯片抗壓性能高，不易損壞，傳感信號不容易受到干擾。
[0018]壓力傳感器是在薄片表面形成半導體變形壓力，通過外力(壓力)使薄片變形而產(chǎn)生壓電阻抗效果，從而使阻抗的變化轉(zhuǎn)換成電信號。
[0019]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，其特征在于:其結(jié)構(gòu)包括外管(1)、導管(2)、保護線路器(3)、殼體(4)、保護膜(5)、傳感板(6)、單晶硅芯片(7)、磁鐵(8)、襯底(10)、單晶硅層(12)、單晶硅薄膜(9)、以及真空腔(11)，所述殼體(4)連接所述導管(2)，所述導管(2)兩端連接著所述外管(1)，所述殼體(4)內(nèi)部連接著所述保護線路器(3)，所述導管(2)連接著所述磁鐵(8)，所述導管(2)連接著所述傳感板(6)，所述傳感板(6)連接著所述保護膜(5)，所述傳感板(6)連接著所述單晶硅芯片(7)，所述單晶硅芯片(7)設有襯底(10)，所述襯底(10)之上設置有所述單晶硅層(12)，所述單晶硅層(12)設有所述單晶硅薄膜(9)，所述單晶硅薄膜(9)與所述襯底(10)之間形成所述真空腔(11)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，其特征在于:所述真空腔(11)在任意位置的豎直方向上的截面均為梯形結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，其特征在于:所述殼體(4)為無焊接不銹鋼。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，其特征在于:所述導管(2)貫穿連接所述殼體(4)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，其特征在于:所述導管(2)連接著所述保護線路器(3)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種單晶硅芯片壓力傳感裝置，其特征在于:所述真空腔(11)的側(cè)端面與上端面之間設置有弧形連接段。
【文檔編號】G01L9/08GK205691270SQ201620645808
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月27日 公開號201620645808.X, CN 201620645808, CN 205691270 U, CN 205691270U, CN-U-205691270, CN201620645808, CN201620645808.X, CN205691270 U, CN205691270U
【發(fā)明人】魏滿妹
【申請人】魏滿妹