傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種傳感器部件的加工裝置，尤其是一種傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置。
【背景技術】
[0002]傳感器用單晶硅在加工過程中，均需對其進行刻蝕處理；現(xiàn)有的刻蝕加工過程中，其往往通過將多個單晶硅疊放在片架之上，并通過向片架所在位置導入反應氣體，并使得反應氣體在電場環(huán)境下產(chǎn)生等離子體，以對單晶硅進行刻蝕；片架在刻蝕過程中通常需要進行旋轉以增加單晶硅與等離子體的接觸均度，然而，片架的旋轉可能導致其發(fā)生偏移，從而造成單晶硅與等離子之間的接觸不均，進而影響其刻蝕效果。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其可在片架于反應室內部進行旋轉的過程中對其進行支撐定位處理，以提高單晶硅刻蝕的加工精度。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明涉及一種傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其包括有反應室，反應室的上端部設置有送氣管道，其連接至設置在反應室外部的氣源室，反應室的下端部設置有抽氣管道，其連接至設置在反應室外部的真空泵；所述反應室的軸線位置設置有片架，其連接至設置在反應室外部的片架旋轉機構；所述反應室外側設置有電磁線圈；所述反應室中，片架之上設置有多個在水平方向上延伸的支撐桿件，每一個支撐桿件的端部位置均設置有導向輪，其與支撐桿件通過轉軸進行連接，所述導向輪的軸線平行于反應室的軸線，導向輪相交于反應室的內壁之上。
[0005]作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中設置有多組支撐桿件，其在片架的高度方向上均勻分布；每組支撐桿件均包括有多根位于同一水平位置的支撐桿件。采用上述設計，其可通過多組位于不同高度位置的支撐桿件，以對片架進行更為穩(wěn)定的支撐，從而確保其各個位置均不會發(fā)生偏移現(xiàn)象，進而使得片架中各個高度的單晶硅的加工精度均可得以保證。
[0006]作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中設置有至少兩組支撐桿件，每組支撐桿件均包括有至少4根支撐桿件，同一組中的支撐桿件關于反應室的軸線成旋轉對稱。采用上述設計，其通過多根對稱的支撐桿件，使得片架在同一高度位置的支撐效果得以改善，并通過支撐桿件的對稱設計，使得多根支撐桿件對于片架形成的支持力亦可相互對稱。
[0007]作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中，每一個支撐桿件的對應水平位置均設置有沿反應室側端面進行延伸的導向軌道，所述導向輪延伸至導向輪內部，其可通過導向軌道以使得導向輪的導向效果更為精準，以避免其在反應室軸向上發(fā)生偏移。
[0008]作為本發(fā)明的一種改進，所述導向軌道的側端面之上設置有橡膠層，其可通過橡膠層以吸收導向輪在工作過程中產(chǎn)生的機械振動。
[0009]作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中，電磁線圈所在的水平位置與導向軌道所在的水平位置彼此交錯排列。采用上述設計，其可避免導向輪在工作過程中對電磁線圈造成影響，使其發(fā)生脫落。
[0010]作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中，每一個導向軌道的對應位置均設置有沿反應室的外壁成環(huán)形延伸的加強筋。采用上述設計，其可避免因導向軌道的設置而造成的反應室側壁穩(wěn)定性的下降。
[0011]作為本發(fā)明的一種改進，所述加強筋的厚度至少為3厘米。
[0012]采用上述技術方案的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其可在片架于反應室內部進行刻蝕加工的過程中，通過多個支撐桿件對片架進行定位處理，使得其始終處于反應室的軸線位置，從而使得片架之中的多個單晶硅的刻蝕加工的精度得以改善；與此同時，支撐桿件端部的導向輪可沿反應室進行滾動，從而使得支撐桿件與片架可實現(xiàn)更為平滑的旋轉。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明示意圖；
圖2為本發(fā)明中片架水平截面圖；
附圖標記列表:
I 一反應室、2—送氣管道、3—氣源室、4 一抽氣管道、5—真空泵、6—片架、7—片架旋轉機構、8—電磁線圈、9一支撐桿件、10—導向輪、11一導向軌道、12一加強筋。
【具體實施方式】
[0014]下面結合【具體實施方式】，進一步闡明本發(fā)明，應理解下述【具體實施方式】僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內”和“外”分別指的是朝向或遠離特定部件幾何中心的方向。
[0015]實施例1
如圖1所示的一種傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其包括有反應室1，反應室I的上端部設置有送氣管道2，其連接至設置在反應室I外部的氣源室3，反應室I的下端部設置有抽氣管道4，其連接至設置在反應室I外部的真空泵5 ;所述反應室I的軸線位置設置有片架6，其連接至設置在反應室I外部的片架旋轉機構7，其具體包括有電機；所述反應室I外側設置有電磁線圈8 ;所述反應室I中，片架6之上設置有多個在水平方向上延伸的支撐桿件9，每一個支撐桿件9的端部位置均設置有導向輪10，其與支撐桿件9通過轉軸進行連接，所述導向輪10的軸線平行于反應室I的軸線，導向輪10相交于反應室I的內壁之上。
[0016]所述反應室I中設置有多組支撐桿件，其在片架6的高度方向上均勻分布；每組支撐桿件均包括有多根位于同一水平位置的支撐桿件9。采用上述設計，其可通過多組位于不同高度位置的支撐桿件，以對片架進行更為穩(wěn)定的支撐，從而確保其各個位置均不會發(fā)生偏移現(xiàn)象，進而使得片架中各個高度的單晶硅的加工精度均可得以保證。
[0017]作為本發(fā)明的一種改進，如圖2所示，所述反應室I中設置有兩組支撐桿件，每組支撐桿件均包括有4根支撐桿件9，同一組中的支撐桿件9關于反應室I的軸線成旋轉對稱。采用上述設計，其通過多根對稱的支撐桿件，使得片架在同一高度位置的支撐效果得以改善，并通過支撐桿件的對稱設計，使得多根支撐桿件對于片架形成的支持力亦可相互對稱。
[0018]采用上述技術方案的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其可在片架于反應室內部進行刻蝕加工的過程中，通過多個支撐桿件對片架進行定位處理，使得其始終處于反應室的軸線位置，從而使得片架之中的多個單晶硅的刻蝕加工的精度得以改善；與此同時，支撐桿件端部的導向輪可沿反應室進行滾動，從而使得支撐桿件與片架可實現(xiàn)更為平滑的旋轉。
[0019]實施例2
作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中，每一個支撐桿件9的對應水平位置均設置有沿反應室I側端面進行延伸的導向軌道11，所述導向輪10延伸至導向輪11內部，其可通過導向軌道以使得導向輪的導向效果更為精準，以避免其在反應室軸向上發(fā)生偏移。
[0020]本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例1相同。
[0021]實施例3
作為本發(fā)明的一種改進，所述導向軌道11的側端面之上設置有橡膠層，其可通過橡膠層以吸收導向輪在工作過程中產(chǎn)生的機械振動。
[0022]本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例2相同。
[0023]實施例4
作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中，電磁線圈8所在的水平位置與導向軌道11所在的水平位置彼此交錯排列。采用上述設計，其可避免導向輪在工作過程中對電磁線圈造成影響，使其發(fā)生脫落。
[0024]本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例3相同。
[0025]實施例5
作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中，每一個導向軌道11的對應位置均設置有沿反應室I的外壁成環(huán)形延伸的加強筋12。采用上述設計，其可避免因導向軌道的設置而造成的反應室側壁穩(wěn)定性的下降。
[0026]作為本發(fā)明的一種改進，所述加強筋12的厚度為5厘米。
【主權項】
1.一種傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其包括有反應室，反應室的上端部設置有送氣管道，其連接至設置在反應室外部的氣源室，反應室的下端部設置有抽氣管道，其連接至設置在反應室外部的真空泵；所述反應室的軸線位置設置有片架，其連接至設置在反應室外部的片架旋轉機構；所述反應室外側設置有電磁線圈；其特征在于，所述反應室中，片架之上設置有多個在水平方向上延伸的支撐桿件，每一個支撐桿件的端部位置均設置有導向輪，其與支撐桿件通過轉軸進行連接，所述導向輪的軸線平行于反應室的軸線，導向輪相交于反應室的內壁之上。2.按照權利要求1所述的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應室中設置有多組支撐桿件，其在片架的高度方向上均勻分布；每組支撐桿件均包括有多根位于同一水平位置的支撐桿件。3.按照權利要求2所述的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應室中設置有至少兩組支撐桿件，每組支撐桿件均包括有至少4根支撐桿件，同一組中的支撐桿件關于反應室的軸線成旋轉對稱。4.按照權利要求3所述的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應室中，每一個支撐桿件的對應水平位置均設置有沿反應室側端面進行延伸的導向軌道，所述導向輪延伸至導向輪內部。5.按照權利要求4所述的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其特征在于，所述導向軌道的側端面之上設置有橡膠層。6.按照權利要求5所述的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應室中，電磁線圈所在的水平位置與導向軌道所在的水平位置彼此交錯排列。7.按照權利要求6所述的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應室中，每一個導向軌道的對應位置均設置有沿反應室的外壁成環(huán)形延伸的加強筋。8.按照權利要求7所述的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其特征在于，所述加強筋的厚度至少為3厘米。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其包括有反應室，反應室的軸線位置設置有片架，其連接至設置在反應室外部的片架旋轉機構；所述反應室外側設置有電磁線圈；所述反應室中，片架之上設置有多個在水平方向上延伸的支撐桿件，每一個支撐桿件的端部位置均設置有導向輪，其與支撐桿件通過轉軸進行連接，所述導向輪的軸線平行于反應室的軸線，導向輪相交于反應室的內壁之上；采用上述技術方案的傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其可在片架于反應室內部進行刻蝕加工的過程中，通過多個支撐桿件對片架進行定位處理，使得其始終處于反應室的軸線位置，從而使得片架之中的多個單晶硅的刻蝕加工的精度得以改善。
【IPC分類】C30B33/08
【公開號】CN104975350
【申請?zhí)枴緾N201510399718
【發(fā)明人】牟恒
【申請人】江蘇德爾森傳感器科技有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年7月9日