可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體元器件的工藝設備，尤其是一種可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置。
【背景技術】
[0002]傳感器用單晶硅在加工過程中，均需對其進行刻蝕處理；現(xiàn)有的刻蝕加工過程中，其往往通過將多個單晶硅疊放在片架之上，并通過向片架所在位置導入反應氣體，并使得反應氣體在電場環(huán)境下產生等離子體，以對單晶硅進行刻蝕；然而，現(xiàn)有的刻蝕裝置中，由于刻蝕過程會在反應容器內產生高溫，當其溫度傳遞至電磁線圈的安裝位置時，其會對電磁線圈的工作性能造成影響；同時，高溫可能致使電磁線圈的連接部件松動，造成電磁線圈的偏移，進而影響刻蝕精度。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可有效改善刻蝕過程中電磁線圈的穩(wěn)定性，以避免其偏移從而造成刻蝕精度的下降。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明涉及一種可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應室，反應室的上端部設置有送氣管道，其連接至設置在反應室外部的氣源室，反應室的下端部設置有抽氣管道，其連接至設置在反應室外部的真空栗；所述反應室的軸線位置設置有片架，其連接至設置在反應室外部的片架旋轉機構；所述反應室外側設置有電磁線圈；所述反應室的外壁之上設置有多個在水平方向上成環(huán)形延伸的支撐架，其與電磁線圈一一對應，所述電磁線圈置放于支撐架之上，每一個電磁線圈與反應室的側壁之間均存在一定間距；所述支撐架的底端面設置有沿支撐架延伸的冷卻管道，其內部填充有冷凝水。
[0005]作為本發(fā)明的一種改進，每一個電磁線圈與反應室的側壁之間的間距為I至5厘米。
[0006]作為本發(fā)明的一種改進，每一個電磁線圈與反應室的側壁之間的間距為3厘米。采用上述設計，其可有效避免電磁線圈受反應室內的高溫影響。
[0007]作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中，每一個電磁線圈在反應室側端面的投影位置上均設置有溫度隔離層，其由陶瓷材料構成。采用上述設計，其可通過溫度隔離層有效隔絕反應室內部溫度，以避免反應室內部的高溫對電磁線圈的造成影響，使其發(fā)生松動甚至脫落。
[0008]作為本發(fā)明的一種改進，每一個溫度隔離層均由反應室的外壁延伸至反應室的內壁，其可使得溫度隔離層的效果得以進一步的改善。
[0009]作為本發(fā)明的一種改進，每一個支撐架的上端面均設置有置放槽體，所述電磁線圈位于置放槽體內部，所述置放槽體的寬度與電磁線圈的寬度相同。采用上述設計，其可通過置放槽體的設置，使得電磁線圈的安裝穩(wěn)定性得以提升。
[0010]作為本發(fā)明的一種改進，每一個支撐架的下端面設置有冷卻槽體，所述冷卻管道位于冷卻槽體內部；所述冷卻槽體的上端面與置放槽體的底端面之間的距離至多為5厘米。采用上述設計，其可通過冷卻槽體使得冷卻管道的安裝穩(wěn)定性得以改善，并可縮減冷卻管道與電磁線圈之間的距離，以增加冷卻效果。
[0011]作為本發(fā)明的一種改進，所述冷卻槽體的上端面與置放槽體的底端面之間的距離為3厘米；所述冷卻管道的底端面設置有多個沿水平方向延伸至反應室側端面之上的輔助支撐板件。采用上述設計，其可通過輔助支撐板件使得冷卻管道的安裝穩(wěn)定性得以進一步的改善。
[0012]采用上述技術方案的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可通過支撐架以對電磁線圈進行安裝，從而提高其在反應室外部的結構穩(wěn)定性；同時，支撐架底部的冷卻管道可實時對電磁線圈的對應位置進行冷卻處理，以避免反應室內部高溫對電磁線圈所在位置造成影響，使得其發(fā)生偏移，進而影響反應室內部的刻蝕精度。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明示意圖；
附圖標記列表:
I 一反應室、2—送氣管道、3—氣源室、4 一抽氣管道、5—真空栗、6—片架、7—片架旋轉機構、8—電磁線圈、9一支撐架、10—冷卻管道、11 一溫度隔離層、12—置放槽體、13—冷卻槽體、14 一輔助支撐板件。
【具體實施方式】
[0014]下面結合【具體實施方式】，進一步闡明本發(fā)明，應理解下述【具體實施方式】僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內”和“外”分別指的是朝向或遠離特定部件幾何中心的方向。
[0015]實施例1
如圖1所示的一種可改善設備工作效率的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應室1，反應室I的上端部設置有送氣管道2，其連接至設置在反應室I外部的氣源室3，反應室I的下端部設置有抽氣管道4，其連接至設置在反應室I外部的真空栗5 ;所述反應室I的軸線位置設置有片架6，其連接至設置在反應室I外部的片架旋轉機構7，其具體包括有連接至片架7的旋轉軸，以及設置在反應室I外部的旋轉電機；所述反應室I外側設置有電磁線圈8。
[0016]所述反應室I的外壁之上設置有多個在水平方向上成環(huán)形延伸的支撐架9，其與電磁線圈8--對應，每一個電磁線圈8均置放于對應的支撐架9之上，每一個電磁線圈8
與反應室I的側壁之間均存在一定間距；所述支撐架9的底端面設置有沿支撐架9延伸的冷卻管道10，其內部填充有冷凝水。
[0017]作為本發(fā)明的一種改進，每一個電磁線圈8與反應室I的側壁之間的間距為3厘米。采用上述設計，其可有效避免電磁線圈受反應室內的高溫影響。
[0018]作為本發(fā)明的一種改進，所述反應室中，每一個電磁線圈8在反應室I側端面的投影位置上均設置有溫度隔離層11，其由陶瓷材料構成。采用上述設計，其可通過溫度隔離層有效隔絕反應室內部溫度，以避免反應室內部的高溫對電磁線圈的造成影響，使其發(fā)生松動甚至脫落。
[0019]作為本發(fā)明的一種改進，每一個溫度隔離層11均由反應室I的外壁延伸至反應室I的內壁，其可使得溫度隔離層的效果得以進一步的改善。
[0020]采用上述技術方案的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可通過支撐架以對電磁線圈進行安裝，從而提高其在反應室外部的結構穩(wěn)定性；同時，支撐架底部的冷卻管道可實時對電磁線圈的對應位置進行冷卻處理，以避免反應室內部高溫對電磁線圈所在位置造成影響，使得其發(fā)生偏移，進而影響反應室內部的刻蝕精度。
[0021]實施例2
作為本發(fā)明的一種改進，每一個支撐架9的上端面均設置有置放槽體12，所述電磁線圈8位于置放槽體12內部，所述置放槽體12的寬度與電磁線圈8的寬度相同。采用上述設計，其可通過置放槽體的設置，使得電磁線圈的安裝穩(wěn)定性得以提升。
[0022]本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例1相同。
[0023]實施例3
作為本發(fā)明的一種改進，每一個支撐架9的下端面設置有冷卻槽體13，所述冷卻管道10位于冷卻槽體13內部；所述冷卻槽體13的上端面與置放槽體12的底端面之間的距離至多為5厘米。采用上述設計，其可通過冷卻槽體使得冷卻管道的安裝穩(wěn)定性得以改善，并可縮減冷卻管道與電磁線圈之間的距離，以增加冷卻效果。
[0024]本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例2相同。
[0025]實施例4
作為本發(fā)明的一種改進，所述冷卻槽體13的上端面與置放槽體12的底端面之間的距離為3厘米；所述冷卻管道10的底端面設置有多個沿水平方向延伸至反應室I側端面之上的輔助支撐板件14。采用上述設計，其可通過輔助支撐板件使得冷卻管道的安裝穩(wěn)定性得以進一步的改善。
[0026]本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例3相同。
【主權項】
1.一種可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應室，反應室的上端部設置有送氣管道，其連接至設置在反應室外部的氣源室，反應室的下端部設置有抽氣管道，其連接至設置在反應室外部的真空栗；所述反應室的軸線位置設置有片架，其連接至設置在反應室外部的片架旋轉機構；所述反應室外側設置有電磁線圈；其特征在于，所述反應室的外壁之上設置有多個在水平方向上成環(huán)形延伸的支撐架，其與電磁線圈一一對應，所述電磁線圈置放于支撐架之上，每一個電磁線圈與反應室的側壁之間均存在一定間距；所述支撐架的底端面設置有沿支撐架延伸的冷卻管道，其內部填充有冷凝水。2.按照權利要求1所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個電磁線圈與反應室的側壁之間的間距為I至5厘米。3.按照權利要求2所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個電磁線圈與反應室的側壁之間的間距為3厘米。4.按照權利要求3所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述反應室中，每一個電磁線圈在反應室側端面的投影位置上均設置有溫度隔離層，其由陶瓷材料構成。5.按照權利要求4所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個溫度隔離層均由反應室的外壁延伸至反應室的內壁。6.按照權利要求5所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個支撐架的上端面均設置有置放槽體，所述電磁線圈位于置放槽體內部，所述置放槽體的寬度與電磁線圈的寬度相同。7.按照權利要求6所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，每一個支撐架的下端面設置有冷卻槽體，所述冷卻管道位于冷卻槽體內部；所述冷卻槽體的上端面與置放槽體的底端面之間的距離至多為5厘米。8.按照權利要求7所述的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述冷卻槽體的上端面與置放槽體的底端面之間的距離為3厘米；所述冷卻管道的底端面設置有多個沿水平方向延伸至反應室側端面之上的輔助支撐板件。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應室，反應室外側設置有電磁線圈；所述反應室的外壁之上設置有多個在水平方向上成環(huán)形延伸的支撐架，其與電磁線圈一一對應，所述電磁線圈置放于支撐架之上；所述支撐架的底端面設置有沿支撐架延伸的冷卻管道，其內部填充有冷凝水；采用上述技術方案的可實現(xiàn)定位加工的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可通過支撐架以對電磁線圈進行安裝，從而提高其在反應室外部的結構穩(wěn)定性；同時，支撐架底部的冷卻管道可實時對電磁線圈的對應位置進行冷卻處理，以避免反應室內部高溫對電磁線圈所在位置造成影響，使得其發(fā)生偏移，進而影響反應室內部的刻蝕精度。
【IPC分類】H01L21/306, H01L21/67
【公開號】CN105161411
【申請?zhí)枴緾N201510399681
【發(fā)明人】牟恒
【申請人】江蘇德爾森傳感器科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年7月9日