可改善設(shè)備工作效率的傳感器單晶硅刻蝕裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元器件的工藝設(shè)備，尤其是一種可改善設(shè)備工作效率的傳感器單晶硅刻蝕裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]傳感器用單晶硅在加工過(guò)程中，均需對(duì)其進(jìn)行刻蝕處理；現(xiàn)有的刻蝕加工過(guò)程中，其往往通過(guò)將多個(gè)單晶硅疊放在片架之上，并通過(guò)向片架所在位置導(dǎo)入反應(yīng)氣體，并使得反應(yīng)氣體在電場(chǎng)環(huán)境下產(chǎn)生等離子體，以對(duì)單晶硅進(jìn)行刻蝕；然而，現(xiàn)有的刻蝕裝置中，由于電磁線圈的位置相對(duì)固定，致使其難以對(duì)反應(yīng)容器內(nèi)各個(gè)位置的反應(yīng)氣體進(jìn)行均勻的處理，從而導(dǎo)致整體加工時(shí)間需得以延長(zhǎng)，工作效率受到影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可通過(guò)降低反應(yīng)室內(nèi)各個(gè)位置單晶硅的不良率，以使得傳感器整體生產(chǎn)效率得以改善。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明涉及一種可改善設(shè)備工作效率的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應(yīng)室，反應(yīng)室的上端部設(shè)置有送氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的氣源室，反應(yīng)室的下端部設(shè)置有抽氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的真空栗；所述反應(yīng)室的軸線位置設(shè)置有片架，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；所述反應(yīng)室外側(cè)設(shè)置有電磁線圈；所述反應(yīng)室外部設(shè)置有多個(gè)在水平方向上的置放端架，每一個(gè)置放端架的均沿反應(yīng)室的側(cè)端面成環(huán)形延伸，所述置放端架與電磁線圈一一對(duì)應(yīng)，每一個(gè)電磁線圈均固定于其所對(duì)應(yīng)的置放端架的上端面；多個(gè)置放端架之間通過(guò)在豎直方向上延伸的支撐桿件進(jìn)行連接；所述反應(yīng)室的外部設(shè)置有多個(gè)升降絲桿，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室上端面的升降電機(jī)，所述升降絲桿與多個(gè)置放端架中，位于最高位置的置放端架彼此固定連接。
[0005]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，相鄰兩個(gè)置放端架之間設(shè)置有至少3根支撐桿件，多個(gè)支撐桿件關(guān)于反應(yīng)室的軸線成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)多個(gè)支撐桿件以使得多個(gè)置放端架之間可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的連接。
[0006]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述可改善設(shè)備工作效率的傳感器單晶硅刻蝕裝置中，升降絲桿與支撐桿件一一對(duì)應(yīng)，每一個(gè)升降絲桿均連接有一個(gè)升降電機(jī)。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)多個(gè)升降電機(jī)使得支撐桿件，置放端架以及電磁線圈在升降絲桿的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行升降時(shí)，可實(shí)時(shí)保持良好的穩(wěn)定性。
[0007]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述可改善設(shè)備工作效率的傳感器單晶硅刻蝕裝置中設(shè)置有四根支撐桿件，每一根支撐桿件與多個(gè)置放端架中，位于最高位置的置放端架的相交端部均固定連接有一根升降絲桿，每根升降絲桿分別對(duì)應(yīng)連接至升降電機(jī)。采用上述設(shè)計(jì)，其可使得多個(gè)置放端架的連接以及升降的穩(wěn)定性得以進(jìn)一步的改善。
[0008]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個(gè)置放端架中均設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)向輪；所述導(dǎo)向輪在置放端架與反應(yīng)室之間進(jìn)行延伸，且其與反應(yīng)室的外壁相貼合。采用上述設(shè)計(jì)，其使得置放端架在升降過(guò)程中，可通過(guò)導(dǎo)向輪在反應(yīng)室外壁上的滾動(dòng)以實(shí)現(xiàn)置放端架連同電磁線圈在徑向上的穩(wěn)定性，以避免其發(fā)生位移以導(dǎo)致反應(yīng)室內(nèi)部單晶硅刻蝕精度受到影響。
[0009]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個(gè)置放端架中，其與支撐桿件的相交位置均設(shè)置有一個(gè)導(dǎo)向輪，其可使得置放端架連同電磁線圈的徑向穩(wěn)定性得以進(jìn)一步的改善。
[0010]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，反應(yīng)室的外壁中，導(dǎo)向輪的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有沿豎直方向延伸的導(dǎo)向軌道，所述導(dǎo)向輪延伸至導(dǎo)向軌道內(nèi)部。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)導(dǎo)向軌道的設(shè)置使得導(dǎo)向輪的運(yùn)動(dòng)軌跡更為精準(zhǔn)，以避免其偏移。
[0011]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述導(dǎo)向軌道的內(nèi)壁之上設(shè)置有橡膠防護(hù)層，其可減少導(dǎo)向輪與反應(yīng)室的相互損耗。
[0012]采用上述技術(shù)方案的可改善設(shè)備工作效率的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可通過(guò)設(shè)置在反應(yīng)室外部的置放端架以對(duì)電磁線圈進(jìn)行固定，置放端架可在升降絲桿的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行升降，以使得電磁線圈亦可隨之進(jìn)行升降；電磁線圈在升降過(guò)程中，其在反應(yīng)室內(nèi)部產(chǎn)生的電場(chǎng)分布亦會(huì)進(jìn)行實(shí)時(shí)變化，從而使得反應(yīng)室內(nèi)的電場(chǎng)分布更為均勻，而反應(yīng)室中，各個(gè)位置的反應(yīng)氣體在上述電場(chǎng)的作用下，其產(chǎn)生的等離子體的分布亦更為均勻，進(jìn)而使得反應(yīng)室中，各個(gè)位置的單晶硅所進(jìn)行的刻蝕工藝的工藝精度均可得以達(dá)到需求程度。上述裝置使得批量處理的單晶硅的整體加工精度得以改善，以避免殘次品的出現(xiàn)，從而使得傳感器整體的工藝效率得到提升。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本發(fā)明示意圖；
[0014]圖2為本發(fā)明中反應(yīng)室水平截面圖；
[0015]附圖標(biāo)記列表:
[0016]I 一反應(yīng)室、2—送氣管道、3—?dú)庠词摇? 一抽氣管道、5—真空栗、6—片架、7—片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、8—電磁線圈、9—置放端架、10—支撐桿件、11—升降絲桿、12—升降電機(jī)、13—導(dǎo)向輪、14 一導(dǎo)向軌道。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。需要說(shuō)明的是，下面描述中使用的詞語(yǔ)“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語(yǔ)“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠(yuǎn)離特定部件幾何中心的方向。
[0018]實(shí)施例1
[0019]如圖1所示的一種可改善設(shè)備工作效率的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應(yīng)室1，反應(yīng)室I的上端部設(shè)置有送氣管道2，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室I外部的氣源室3，反應(yīng)室I的下端部設(shè)置有抽氣管道4，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室I外部的真空栗5 ;所述反應(yīng)室I的軸線位置設(shè)置有片架6，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室I外部的片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)7，其具體包括有連接至片架7的旋轉(zhuǎn)軸，以及設(shè)置在反應(yīng)室I外部的旋轉(zhuǎn)電機(jī)；所述反應(yīng)室I外側(cè)設(shè)置有電磁線圈8。
[0020]所述反應(yīng)室I外部設(shè)置有多個(gè)在水平方向上的置放端架9，每一個(gè)置放端架9的均沿反應(yīng)室I的側(cè)端面成環(huán)形延伸，所述置放端架9與電磁線圈8 —一對(duì)應(yīng)，每一個(gè)電磁線圈8均固定于其所對(duì)應(yīng)的置放端架9的上端面；多個(gè)置放端架9之間通過(guò)在豎直方向上延伸的支撐桿件10進(jìn)行連接；