高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)包含一影像傳感芯片和一蓋板，蓋板第二表面形成有第三凹槽，與其相對(duì)的第一表面上形成有第一凹槽、第二凹槽，第二凹槽與第三凹槽之間通過(guò)貫通的通孔連接。第三凹槽中放置有透光基板，第二凹槽上形成有金屬凸點(diǎn)或者焊球，影像傳感芯片通過(guò)焊墊與蓋板的焊球或者金屬凸點(diǎn)鍵合，蓋板與影像傳感芯片鍵合部分的周圍形成有密封環(huán)結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型蓋板單獨(dú)制作，能夠防止影像傳感芯片表面被污染，實(shí)現(xiàn)高像素；再次，蓋板與影像傳感芯片鍵合后的外圍形成有密封環(huán)，可提高封裝的可靠性；最后，透光基板是嵌入蓋板中的，進(jìn)一步減少了封裝尺寸，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了高像素，工藝簡(jiǎn)單，節(jié)約成本，有效提高了封裝的可靠性和產(chǎn)品的良率。
【專利說(shuō)明】
局像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]影像傳感器或圖像傳感器，是一種將一維或者二維光學(xué)信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的裝置。圖像傳感器可以被進(jìn)一步地分為兩種不同的類型:互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器和電荷耦合器件圖像傳感器。圖像傳感器芯片必須加以封裝才能防止腐蝕、機(jī)械損傷和灰塵顆粒等。傳統(tǒng)的圖像傳感器芯片封裝方法通常是采用引線鍵合等方式進(jìn)行封裝，但隨著集成電路的飛速發(fā)展，較長(zhǎng)的引線使得產(chǎn)品尺寸無(wú)法達(dá)到理想的要求。[〇〇〇3]晶圓級(jí)封裝是在晶圓前道工序完成后，直接進(jìn)行后道工藝，再切割分離形成單個(gè)器件的封裝方法，晶圓級(jí)封裝具有封裝尺寸小，工藝成本低、可靠性高以及標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝工藝技術(shù)相匹配等優(yōu)點(diǎn)，因此，其逐漸取代引線鍵合封裝成為一種重要的封裝方法。
[0004]現(xiàn)有影像傳感芯片的晶圓級(jí)封裝方法為，提供晶圓和載板，其中，晶圓正面具有多個(gè)影像傳感芯片，而影像傳感芯片具有感光結(jié)構(gòu)和多個(gè)焊盤，影像傳感芯片之間具有切割道;然后將從晶圓正面將晶圓與載板固定連接在一起，接著對(duì)晶圓背面進(jìn)行再布線工藝和焊料凸點(diǎn)制作工藝形成背面引出結(jié)構(gòu)，從而使焊盤通過(guò)金屬互連線連接至背面的焊料凸點(diǎn);之后將晶圓和載板分離，并將晶圓和支撐框架固定在一起，使晶圓中的影像傳感芯片的感光面對(duì)應(yīng)于支撐框架的窗口，最后沿所述切割道對(duì)晶圓和支撐架進(jìn)行切割，得到影像傳感芯片模組。[〇〇〇5]上述封裝方式需要將晶圓與載板固定再分離，然后再將晶圓與支撐框架固定，整個(gè)封裝過(guò)程工藝復(fù)雜，工藝效率低。并且，由于經(jīng)歷了與載板先固定再分離的過(guò)程，因此，晶圓表面容易污染和受損，即影像傳感芯片表面容易污染和受損。
[0006]為此，需要一種新的影像傳感芯片的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有影像傳感芯片的晶圓級(jí)封裝方法工藝復(fù)雜，工藝效率低，并且影像傳感芯片表面受玷污或損害的問(wèn)題。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)， 能夠防止影像傳感芯片表面被污染及避免對(duì)芯片造成損傷，實(shí)現(xiàn)高像素;并且在鍵合后的蓋板與影像傳感芯片周圍形成有密封環(huán)，透光基板嵌入蓋板中可以減小封裝體積，保障封裝的可靠性和產(chǎn)品良率，工藝簡(jiǎn)單，節(jié)約成本。
[0008]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0009]—種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括影像傳感芯片和蓋板，所述影像傳感芯片的功能面包含感光區(qū)和位于感光區(qū)周圍的若干焊墊;所述蓋板包含第一表面和與其相對(duì)的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽，所述第一凹槽底部形成有第二凹槽，所述第二表面形成有與所述第二凹槽相對(duì)的第三凹槽，所述第三凹槽與第二凹槽之間有通孔，所述通孔的尺寸不小于所述影像傳感芯片的感光區(qū)的尺寸;所述第二凹槽通孔外的部分形成有金屬互連結(jié)構(gòu)，所述金屬互連結(jié)構(gòu)包括與所述影像傳感芯片的焊墊對(duì)應(yīng)鍵合的第一導(dǎo)電體，該金屬互連結(jié)構(gòu)的電性自第二凹槽經(jīng)第一凹槽引至第一表面上;所述影像傳感芯片的功能面與所述蓋板鍵合在一起，使所述影像傳感芯片的感光區(qū)正對(duì)所述通孔，使所述影像傳感芯片的焊墊與所述金屬互連結(jié)構(gòu)上對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電體鍵合，第一導(dǎo)電體外鍵合后的影像傳感芯片與第一凹槽底部之間形成有密封環(huán);所述第三凹槽內(nèi)或所述通孔內(nèi)鍵合有尺寸不小于所述感光區(qū)尺寸的透光基板。
[0010]進(jìn)一步的，所述金屬互連結(jié)構(gòu)包括依次鋪設(shè)于所述第二凹槽、所述第一凹槽及所述第一表面上的絕緣層、金屬線路層和防焊層，所述第二凹槽底部的防焊層上預(yù)留有暴露出金屬線路的與若干所述焊墊對(duì)應(yīng)的若干第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口處形成所述第一導(dǎo)電體;所述第一表面上的防焊層上預(yù)留有暴露出金屬線路的若干第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口處形成有用于外接的第二導(dǎo)電體。
[0011]進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)電體、所述第二導(dǎo)電體為焊球、導(dǎo)電膠或金屬凸點(diǎn)。
[0012]進(jìn)一步的，所述第三凹槽的尺寸大于所述通孔的尺寸，所述透光基板鍵合于所述第三凹槽的底部，且所述透光基板與所述第三凹槽的開(kāi)口平齊。
[0013]進(jìn)一步的，所述第三凹槽的尺寸小于所述通孔的尺寸，所述透光基板鍵合于所述通孔與所述第三凹槽的結(jié)合處。[0〇14] 進(jìn)一步的，所述通孔高度不小于100um。
[0015]進(jìn)一步的，所述透光基板為IR濾光玻璃;所述透光基板通過(guò)粘結(jié)膠水或者膜與所述第三凹槽或所述通孔連接。
[0016]進(jìn)一步的，所述第一凹槽或/和所述第二凹槽或/和所述第三凹槽的形狀為矩形或梯形。
[0017]進(jìn)一步的，所述密封環(huán)的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、導(dǎo)電膠、干膜或者絕緣樹(shù)脂中的一種。
[0018]進(jìn)一步的，所述密封環(huán)橫截面形狀為是矩形或梯形。
[0019]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型提供一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)提供一蓋板、一影像傳感芯片和一透光基板，蓋板第二表面形成有第三凹槽，與其相對(duì)的第一表面上形成有第一凹槽、第二凹槽，第二凹槽與第三凹槽之間形成有貫通的通孔;第三凹槽中放置有透光基板，第二凹槽上形成有金屬凸點(diǎn)或者焊球，影像傳感芯片通過(guò)焊墊與蓋板上的焊球或者金屬凸點(diǎn)鍵合，焊墊外圍形成密封環(huán)結(jié)構(gòu)。該封裝結(jié)構(gòu)中蓋板單獨(dú)制作好之后再與影像傳感芯片鍵合，可以防止影像傳感芯片表面被污染，實(shí)現(xiàn)高像素，同時(shí)解決了之前鍵合之后在芯片背部進(jìn)行刻蝕等工藝時(shí)對(duì)芯片造成的損傷；該封裝結(jié)構(gòu)中透光基板埋入或嵌入蓋板中，影像傳感芯片嵌入蓋板中，可進(jìn)一步減小封裝體積，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高像素；通過(guò)焊墊周圍的密封環(huán)，可保障封裝的可靠性和產(chǎn)品良率;相比傳統(tǒng)工藝，本實(shí)用新型工藝簡(jiǎn)單，可節(jié)約成本，可防止影像傳感芯片表面被污染及受損，可減小封裝體積，有效提尚封裝的可靠性和廣品的良率?！靖綀D說(shuō)明】
[0020]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中減薄后影像傳感芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例中形成有第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽的蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例中將透光基板與第三凹槽粘結(jié)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例中在蓋板第一、第二凹槽及第一表面上鋪設(shè)絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例中在絕緣層上鋪設(shè)金屬線路層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖6為本實(shí)用新型一實(shí)施例中在金屬線路層上鋪設(shè)防焊層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖7為本實(shí)用新型一實(shí)施例中形成通孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖8為本實(shí)用新型一實(shí)施例中在防焊層預(yù)留開(kāi)口處形成焊球的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖9為本實(shí)用新型一實(shí)施例中將蓋板與影像傳感芯片鍵合后的周圍形成密封環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖10為本實(shí)用新型另一實(shí)施例蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖11為本實(shí)用新型另一實(shí)施例透光基板與蓋板粘合的結(jié)構(gòu)示意圖；[0031 ]圖12本實(shí)用新型另一實(shí)施例蓋板與影像傳感芯片結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖；[〇〇32]結(jié)合附圖，作以下說(shuō)明:[〇〇33]1-影像傳感芯片，101-感測(cè)區(qū)，102-焊墊，2-蓋板201-第一凹槽，202-第二凹槽，203-通孔，204-第三凹槽3—粘合層，4-透光基板，5-絕緣層，6-金屬線路層，7-防焊層，8-第一導(dǎo)電體，9-密封環(huán)，10-第一開(kāi)口，11-第二開(kāi)口，12-第二導(dǎo)電體?！揪唧w實(shí)施方式】
[0034]為了能夠更清楚地理解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，特舉以下實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明，其目的僅在于更好理解本實(shí)用新型的內(nèi)容而非限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0035]實(shí)施例1
[0036]如圖9所示，一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括影像傳感芯片1和蓋板2， 所述影像傳感芯片的功能面包含感光區(qū)101和位于感光區(qū)周圍的若干焊墊102;所述蓋板包含第一表面和與其相對(duì)的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽201，所述第一凹槽底部形成有第二凹槽202,所述第二表面形成有與所述第二凹槽相對(duì)的第三凹槽204,所述第二凹槽底部形成有貫通所述第三凹槽與第二凹槽的通孔203,所述通孔的尺寸不小于所述影像傳感芯片的感光區(qū)的尺寸;所述第二凹槽底部通孔外的部分形成有金屬互連結(jié)構(gòu)，所述金屬互連結(jié)構(gòu)包括與所述影像傳感芯片的焊墊對(duì)應(yīng)鍵合的第一導(dǎo)電體8,該金屬互連結(jié)構(gòu)的電性自第二凹槽經(jīng)第一凹槽引至第一表面上;所述影像傳感芯片的功能面與所述蓋板鍵合在一起，使所述影像傳感芯片的感光區(qū)正對(duì)所述通孔，使所述影像傳感芯片的焊墊與所述金屬互連結(jié)構(gòu)上對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電體鍵合，在鍵合后的焊墊與第一導(dǎo)電體外圍形成密封環(huán);所述第三凹槽的尺寸大于所述通孔的尺寸，所述透光基板鍵合于所述第三凹槽的底部， 且所述透光基板與所述第三凹槽的開(kāi)口平齊。
[0037]優(yōu)選的，所述金屬互連結(jié)構(gòu)包括依次鋪設(shè)于所述第二凹槽、所述第一凹槽及所述第一表面上的絕緣層5、金屬線路層6和防焊層7,所述第二凹槽底部的防焊層上預(yù)留有暴露出金屬線路的與若干所述焊墊對(duì)應(yīng)的若干第一開(kāi)口 10,所述第一開(kāi)口處形成所述第一導(dǎo)電體;所述第一表面上的防焊層上預(yù)留有暴露出金屬線路的若干第二開(kāi)口 11，所述第二開(kāi)口處形成有用于外接的第二導(dǎo)電體12。優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電體、所述第二導(dǎo)電體為焊球或金屬凸點(diǎn)。[〇〇38] 優(yōu)選的，所述通孔高度不小于200um。
[0039]優(yōu)選的，所述透光基板為IR濾光玻璃;所述濾光玻璃通過(guò)粘結(jié)膠水或者膜等粘合層3與所述第三凹槽或所述通孔連接。
[0040]優(yōu)選的，所述第一凹槽或/和所述第二凹槽或/和所述第三凹槽的形狀為矩形或梯形。[0041 ]優(yōu)選的，所述密封環(huán)的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者絕緣樹(shù)脂中的一種。
[0042]優(yōu)選的，所述密封環(huán)形狀為是矩形或梯形。[〇〇43]以下結(jié)合附圖1-9對(duì)該優(yōu)選實(shí)施例一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，具體步驟如下:
[0044]步驟1、參見(jiàn)圖1，提供一影像傳感芯片1，影像傳感芯片的功能面包含感光區(qū)101和位于感光區(qū)周圍的若干焊墊102,焊墊的材質(zhì)是鋁、鋁合金、銅和銅合金中的一種。影像傳感芯片背部根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行減薄。
[0045]步驟2、參見(jiàn)圖2,提供一蓋板2,所述蓋板包含第一表面和與其相對(duì)的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽201，所述第一凹槽底部形成有第二凹槽202,所述第二表面形成有與所述第二凹槽相對(duì)的第三凹槽204;其中，第一凹槽用于嵌入結(jié)合影像傳感芯片， 第二凹槽用于形成容置感光區(qū)的空腔并實(shí)現(xiàn)其內(nèi)金屬互連結(jié)構(gòu)與焊墊的鍵合，第三凹槽用于嵌入鍵合透光玻璃，第三凹槽的尺寸不小于透光基板的尺寸。形成凹槽的方法可以是:先利用光刻、刻蝕形成第一凹槽，并于第一凹槽底部形成第二凹槽;接著在蓋板上與第一凹槽所在平面相對(duì)的第二表面形成第三凹槽。也可以先形成第三凹槽，在形成第一、第二凹槽； 凹槽的形狀可以是矩形、梯形或者其它規(guī)則幾何形狀；
[0046]步驟3、參見(jiàn)圖3,提供一不小于所述感光區(qū)尺寸的透光基板4,將所述透光基板嵌入鍵合于所述蓋板的第三凹槽內(nèi)。
[0047]優(yōu)選的，透光玻璃為IR濾光玻璃;濾光玻璃通過(guò)粘結(jié)膠水或者膜等粘合層3與所述第三凹槽連接，粘結(jié)膠水或者膜可以涂布在透光玻璃上，也可以涂布在第三凹槽中，又或者兩者都有。
[0048]步驟4、參見(jiàn)圖4,在所述蓋板的第一凹槽、第二凹槽及第一表面上鋪設(shè)絕緣層5;絕緣層的材質(zhì)可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者絕緣樹(shù)脂。
[0049]步驟5、參見(jiàn)圖5,在所述絕緣層上鋪設(shè)金屬線路層6;形成金屬線路層的步驟中至少形成一層金屬線路，形成第一層金屬線路的方式可以先采用濺射/化鍍錫或銀;第二層金屬線路可以是銅、鎳、靶、金中的一種或多種，形成所述金屬線路層的方法為電鍍、化學(xué)鍍、 真空蒸鍍法、化學(xué)氣相沉積法中的一種。
[0050]步驟6、參見(jiàn)圖6,在所述金屬線路層上形成防焊層7,并在所述第二凹槽底部的防焊層上預(yù)留出暴露出金屬線路的與若干所述焊墊對(duì)應(yīng)的若干第一開(kāi)口 10;在所述第一表面上的防焊層上預(yù)留有暴露出金屬線路的若干第二開(kāi)口 11;
[0051]步驟7、參見(jiàn)圖7,形成貫通所述第二凹槽與所述第三凹槽的通孔203,所述通孔的尺寸不小于所述影像傳感芯片的感光區(qū)的尺寸；具體方法為:通過(guò)刻蝕或切割或者兩者結(jié)合的工藝形成貫通第二凹槽和第三凹槽的通孔，所述通孔暴露出影像傳感芯片的感測(cè)區(qū)；
[0052]步驟8、參見(jiàn)圖8,在所述第一開(kāi)口處形成用于電性連接所述影像傳感芯片的焊墊的第一導(dǎo)電體8;在所述第二開(kāi)口處形成用于外接的第二導(dǎo)電體12;優(yōu)選的，第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體為焊球或者金屬凸點(diǎn);本實(shí)施例中利用植球的方式形成焊球。[〇〇53]步驟9、參見(jiàn)圖9,將所述影像傳感芯片的功能面通過(guò)所述焊墊與蓋板上的第一導(dǎo)電體鍵合于所述第二凹槽底部，使所述影像傳感芯片的感光區(qū)正對(duì)所述通孔。優(yōu)選的，本實(shí)施例是采用金金鍵合的方式將蓋板與影像傳感芯片的焊墊鍵合在一起。[〇〇54] 實(shí)施例2
[0055]如圖12所示，一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括影像傳感芯片1和蓋板2， 所述影像傳感芯片的功能面包含感光區(qū)101和位于感光區(qū)周圍的若干焊墊102;所述蓋板包含第一表面和與其相對(duì)的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽201，所述第一凹槽底部形成有第二凹槽202,所述第二表面形成有與所述第二凹槽相對(duì)的第三凹槽204,所述第二凹槽底部形成有貫通所述第三凹槽與第二凹槽的通孔203,所述通孔的尺寸不小于所述影像傳感芯片的感光區(qū)的尺寸;所述第二凹槽底部通孔外的部分形成有金屬互連結(jié)構(gòu)，所述金屬互連結(jié)構(gòu)包括與所述影像傳感芯片的焊墊對(duì)應(yīng)鍵合的第一導(dǎo)電體8,該金屬互連結(jié)構(gòu)的電性自第二凹槽經(jīng)第一凹槽引至第一表面上;所述影像傳感芯片與所述蓋板鍵合在一起，使所述影像傳感芯片的感光區(qū)正對(duì)所述通孔，使所述影像傳感芯片的焊墊與所述金屬互連結(jié)構(gòu)上對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電體鍵合，在鍵合后的焊墊與第一導(dǎo)電體外圍形成密封環(huán);所述第三凹槽的尺寸小于所述通孔的尺寸，所述透光玻璃鍵合于所述通孔與所述第三凹槽的結(jié)合處。[〇〇56]優(yōu)選的，所述金屬互連結(jié)構(gòu)包括依次鋪設(shè)于所述第二凹槽、所述第一凹槽及所述第一表面上的絕緣層5、金屬線路層6和防焊層7,所述第二凹槽底部的防焊層上預(yù)留有暴露出金屬線路的與若干所述焊墊對(duì)應(yīng)的若干第一開(kāi)口 10,所述第一開(kāi)口處形成所述第一導(dǎo)電體;所述第一表面上的防焊層上預(yù)留有暴露出金屬線路的若干第二開(kāi)口 11，所述第二開(kāi)口處形成有用于外接的第二導(dǎo)電體12。優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電體、所述第二導(dǎo)電體為焊球或金屬凸點(diǎn)。[〇〇57] 優(yōu)選的，所述通孔高度不小于200um。
[0058]優(yōu)選的，所述透光玻璃為IR濾光玻璃;所述透光玻璃通過(guò)粘結(jié)膠水或者膜等粘合層與所述通孔連接。
[0059]優(yōu)選的，所述第一凹槽或/和所述第二凹槽或/和所述第三凹槽的形狀為矩形或梯形。
[0060]優(yōu)選的，所述密封環(huán)的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者絕緣樹(shù)脂中的一種。 [0061 ]優(yōu)選的，所述密封環(huán)形狀為是矩形或梯形。
[0062]以下結(jié)合附圖10-12對(duì)該優(yōu)選實(shí)施例一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，
[0063]與實(shí)施例1不同的是，本實(shí)施例中形成的蓋板如圖10所示，形成蓋板的方式與實(shí)施例1相同，不同之處在于所述蓋板第三凹槽的尺寸不大于所述通孔的尺寸。具體可以參見(jiàn)圖 10,所述蓋板2包含第一表面和與其相對(duì)的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽201， 所述第一凹槽底部形成有第二凹槽202,所述第二表面形成有與所述第二凹槽相對(duì)的第三凹槽204,貫通所述第二凹槽與所述第三凹槽的通孔203,所述通孔的尺寸不小于所述影像傳感芯片的感光區(qū)的尺寸；
[0064]參見(jiàn)圖11，提供一不小于所述感光區(qū)尺寸的透光基板4,所述第三凹槽的尺寸小于所述通孔的尺寸，所述透光基板鍵合于所述通孔與所述第三凹槽的結(jié)合處；
[0065]優(yōu)選的，所述透光基板為IR濾光玻璃，所述透光基板通過(guò)粘結(jié)膠水或者膜等粘合層3與所述通孔連接。
[0066]參見(jiàn)圖12,將所述影像傳感芯片的功能面與所述蓋板鍵合在一起，使所述影像傳感芯片的感光區(qū)正對(duì)所述通孔，使所述影像傳感芯片的焊墊與所述第一導(dǎo)電體鍵合。
[0067]綜上，本實(shí)用新型提供一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)提供一蓋板、一影像傳感芯片和一透光基板，蓋板第二表面形成有第三凹槽，與其相對(duì)的第一表面上形成有第一凹槽、第二凹槽，第二凹槽與第三凹槽之間形成有貫通的通孔;第三凹槽中放置有透光玻璃，第二凹槽上形成有金屬凸點(diǎn)或者焊球，影像傳感芯片通過(guò)焊墊與蓋板的焊球或者金屬凸點(diǎn)鍵合連接在一起，焊墊外圍形成密封環(huán)結(jié)構(gòu)。該封裝結(jié)構(gòu)中蓋板單獨(dú)制作好之后再與影像傳感芯片鍵合，可以防止影像傳感芯片表面被污染，實(shí)現(xiàn)高像素，同時(shí)解決了之前鍵合之后在芯片背部進(jìn)行刻蝕等工藝時(shí)對(duì)芯片造成的損傷;該封裝結(jié)構(gòu)中透光玻璃埋入或嵌入蓋板中，影像傳感芯片嵌入蓋板中，可進(jìn)一步減小封裝體積，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高像素;通過(guò)在焊墊周圍形成密封環(huán)，可保障封裝的可靠性和產(chǎn)品良率；因此，相比傳統(tǒng)工藝，本實(shí)用新型工藝簡(jiǎn)單，可節(jié)約成本，可防止影像傳感芯片表面被污染及受損，可減小封裝體積，有效提尚封裝的可靠性和廣品的良率。
[0068]以上實(shí)施例是參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過(guò)對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種形式上的修改或變更，但不背離本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)的情況下，都落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括影像傳感芯片(1)和蓋板 (2)，所述影像傳感芯片的功能面包含感光區(qū)(101)和位于感光區(qū)周圍的若干焊墊(102);所 述蓋板包含第一表面和與其相對(duì)的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽(201)，所述 第一凹槽底部形成有第二凹槽(202)，所述第二表面形成有與所述第二凹槽相對(duì)的第三凹 槽(204)，所述第三凹槽與第二凹槽之間有通孔(203)，所述通孔的尺寸不小于所述影像傳 感芯片的感光區(qū)的尺寸;所述第二凹槽通孔外的部分形成有金屬互連結(jié)構(gòu)，所述金屬互連 結(jié)構(gòu)包括與所述影像傳感芯片的焊墊對(duì)應(yīng)鍵合的第一導(dǎo)電體(8)，該金屬互連結(jié)構(gòu)的電性 自第二凹槽經(jīng)第一凹槽引至第一表面上;所述影像傳感芯片的功能面與所述蓋板鍵合在一 起，使所述影像傳感芯片的感光區(qū)正對(duì)所述通孔，使所述影像傳感芯片的焊墊與所述金屬 互連結(jié)構(gòu)上對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電體鍵合，第一導(dǎo)電體外鍵合后的影像傳感芯片與第一凹槽 (201)底部之間形成有密封環(huán)(9);所述第三凹槽內(nèi)或所述通孔內(nèi)鍵合有尺寸不小于所述感 光區(qū)尺寸的透光基板(4)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬互連 結(jié)構(gòu)包括依次鋪設(shè)于所述第二凹槽、所述第一凹槽及所述第一表面上的絕緣層(5)、金屬線 路層(6)和防焊層(7)，所述第二凹槽底部的防焊層上預(yù)留有暴露出金屬線路的與若干所述 焊墊對(duì)應(yīng)的若干第一開(kāi)口( 10)，所述第一開(kāi)口處形成所述第一導(dǎo)電體;所述第一表面上的 防焊層上預(yù)留有暴露出金屬線路的若干第二開(kāi)口(11)，所述第二開(kāi)口處形成有用于外接的 第二導(dǎo)電體(12)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一導(dǎo)電 體、所述第二導(dǎo)電體為焊球、導(dǎo)電膠或金屬凸點(diǎn)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第三凹槽 的尺寸大于所述通孔的尺寸，所述透光基板鍵合于所述第三凹槽的底部，且所述透光基板 與所述第三凹槽的開(kāi)口平齊。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第三凹槽 的尺寸小于所述通孔的尺寸，所述透光基板鍵合于所述通孔與所述第三凹槽的結(jié)合處。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述通孔高度 不小于100um。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述透光基板 為IR濾光玻璃;所述透光基板通過(guò)粘結(jié)膠水或者膜與所述第三凹槽或所述通孔連接。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一凹槽 或/和所述第二凹槽或/和所述第三凹槽的形狀為矩形或梯形。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述密封環(huán)的 材質(zhì)為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、導(dǎo)電膠、干膜或者絕緣樹(shù)脂中的一種。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高像素影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述密封環(huán) 橫截面形狀為是矩形或梯形。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK205609527SQ201620300443
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年4月12日
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