專利名稱：真空排氣裝置、真空處理裝置以及真空處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用低溫泵的真空排氣裝置、真空處理裝置以及真空處理方法。
背景技術(shù)：
低溫泵是一種高真空排氣泵這是公知的，被用在真空處理裝置中以進行成膜、表面改質(zhì)、半導體圖形繪制、分析、蒸發(fā)干燥等處理。采用低溫泵，有利于排出水分子，在原理上能夠較容易地得到潔凈的真空環(huán)境。即，真空處理裝置為收集式的泵，能夠?qū)⒈环湃胝婵仗幚硌b置內(nèi)的氣體與被導入真空處理裝置內(nèi)的處理氣體低溫凝縮或低溫吸附，從而在使上述氣體與處理氣體存留在真空處理裝置內(nèi)的狀態(tài)下實現(xiàn)原理上的“排氣”。因此，這需要定期地進行將存留的處理氣體(并非氣態(tài))再次氣化而排出的操作(再生)(參見專利文獻 1、2)。近年來，在光學元件制造領(lǐng)域，在真空處理中一般采用氧(O2)來作為處理氣體，然而在真空槽內(nèi)活化的氧分子經(jīng)過化學反應(yīng)會產(chǎn)生臭氧(O3)，這樣的事態(tài)在不斷增加。在這樣的真空處理中使用低溫泵的話，那么，與真空處理中的其他氣體一樣，臭氧會以氧/臭氧的混合凝縮固體的方式存留在低溫泵的內(nèi)部。在上述低溫泵的進行再生的過程中，氧/臭氧的混合凝縮固體相變?yōu)楹谐粞醯囊簯B(tài)氧，之后蒸發(fā)、氣化。由于氧比臭氧的沸點低，所以其先被蒸發(fā)、氣化，因而使該液態(tài)氧中溶解的臭氧變?yōu)橐簯B(tài)濃縮臭氧。液態(tài)濃縮臭氧是不穩(wěn)定的，受到物理或化學性的刺激會迅速分解，其分解反應(yīng)與由發(fā)熱帶來的火花與爆炸沖擊會一起對真空處理裝置造成破壞。此外，再生時的低溫泵內(nèi)部形成為可燃性的環(huán)境，在這樣的狀態(tài)下若發(fā)生分解反應(yīng)，由反應(yīng)熱產(chǎn)生的火花會使整個環(huán)境被點燃從而產(chǎn)生燒損低溫泵的事故。臭氧的含量越多，則存留在低溫泵中的臭氧的起火帶來的影響越大。為了防止臭氧的蓄積量的增加，現(xiàn)有技術(shù)中有一種使低溫泵反復(fù)地進行再生的方法。但是，由于在再生時真空處理裝置不能連續(xù)地進行排氣，因而真空處理也不得不反復(fù)地被停止。此外，由于沒有直接且定量地對真空處理環(huán)境中的臭氧生成量進行檢測的檢測方法，所以很難預(yù)測臭氧積存到一定量時裝置的運轉(zhuǎn)時間(低溫泵的連續(xù)排氣時間)。另外，現(xiàn)有技術(shù)中還有在真空條件下利用催化劑的作用使臭氧產(chǎn)生反應(yīng)從而變成無害物質(zhì)的多種技術(shù)方案。例如，在專利文獻3中公開了一種使含有臭氧的排出氣體無害化的方法與裝置， 在該方法或裝置中，在氣體的排出管道中設(shè)置具有臭氧分解催化劑作用的金屬氧化物成形體，從而將氣體中含有的臭氧分解以使該氣體無害化后被排放到大氣環(huán)境中。在專利文獻4中記載了一種臭氧處理裝置，在該臭氧處理裝置中于臭氧分解裝置的上游設(shè)置加熱機構(gòu)，該加熱機構(gòu)將低溫時凝縮的光抗蝕劑等的氣體成分加熱分解。此外， 通過防止上述氣體成分凝縮在臭氧分解裝置中的催化劑的表面上，從而使臭氧分解裝置對氣體中的臭氧的分解能力不會降低。另外，在專利文獻5中記載了一種處理裝置，在該處理裝置中，于用于將臭氧分解為氧的分解槽的上游側(cè)設(shè)置濕氣分離器(Mist separator)與冷捕集器(cold trap)，由該濕氣分離器與冷捕集器使要被排出的含有臭氧的氣體干燥?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1專利文獻2專利文獻3專利文獻4專利文獻5
日本發(fā)明專利公開公報特開平11-166477號α0006]段、圖3) 日本發(fā)明專利公開公報特開平6-154505號α0020]段) 日本發(fā)明專利3520325號(
段) 日本發(fā)明專利公開公報特開平5-^^91號α0015]段) 日本發(fā)明專利公開公報特開2004-167352號α0013]段)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在專利文獻3、4所記載的裝置中，在臭氧的分解中使用催化劑，因此，該催化劑有可能會成為存在于真空環(huán)境中的排放廢氣源。這會對真空環(huán)境造成污染，所以，用于臭氧分解的催化劑不能適用在必需使用低溫泵的高真空處理中。在專利文獻5所記載的結(jié)構(gòu)中，設(shè)置在臭氧分解部分上游的用于除去水分的冷捕集器不但會捕集水分，還會將臭氧以固態(tài)或液態(tài)的方式捕集。因而，在該冷捕集器中進行再生時，溶解在水分中的臭氧的濃度會增加，液態(tài)濃縮臭氧的分解反應(yīng)會產(chǎn)生起火，即，專利文獻5所記載的結(jié)構(gòu)存在與上述相同的起火問題。此外，在專利文獻5所記載的結(jié)構(gòu)中，用設(shè)置在臭氧分解槽上游側(cè)的流量控制閥來使大氣壓條件下的含臭氧的排出氣體的流動變得較快，從而利用壓差在分解槽內(nèi)部產(chǎn)生真空壓力，這樣的結(jié)構(gòu)不能作為需要使用低溫泵進行高真空處理的真空排氣裝置。另外，專利文獻5所記載的結(jié)構(gòu)中，用設(shè)置在臭氧分解槽的下游側(cè)的氣體輸送式的真空泵將含有臭氧的氣體從真空環(huán)境中連續(xù)地排放到大氣中，這樣的方式并不能解決作為捕集式的真空泵的低溫泵中所存在的上述問題。有鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠抑制臭氧在低溫泵中的存留的真空排氣裝置、真空處理裝置以及真空排氣方法。解決問題的技術(shù)方案本發(fā)明一個技術(shù)方案涉及用于對真空處理用的處理室進行排氣的真空排氣裝置， 其具有泵單元與加熱單元。上述泵單元具有能夠捕集要排出的處理氣體的低溫泵以及用于將上述要排出的處理氣體從上述處理室導向上述低溫泵中的排氣通路。上述加熱單元使從上述處理室流向上述低溫泵的、上述要排出的處理氣體中所含有的臭氧在上述排氣通路中分解。本發(fā)明的一個技術(shù)方案涉及真空處理裝置，其具有真空處理用的處理室、泵單元、 加熱單元。上述泵單元具有能夠捕集處理氣體的低溫泵以及用于將要排出的處理氣體從上述處理室導向上述低溫泵中的排氣通路。上述加熱單元使從上述處理室流向上述低溫泵的處理氣體中所含有的臭氧分解。本發(fā)明的一個技術(shù)方案涉及對含有臭氧的處理室用低溫泵進行排氣的真空排氣方法。在該真空排氣方法中，包括使要排出的處理氣體中含有的臭氧在排氣過程中與加熱面接觸從而產(chǎn)生熱分解的步驟。并且，上述要排出的處理氣體被低溫泵的冷捕集器被凝縮。


圖1為表示本發(fā)明第1實施方式的真空處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖；圖2為表示本發(fā)明第2實施方式的真空處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖；圖3為表示本發(fā)明第3實施方式的真空處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖；圖4為表示本發(fā)明第4實施方式的真空處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖；圖5為表示本發(fā)明第5實施方式的真空處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖；圖6為圖5所示的真空處理裝置的局部放大圖；圖7為表示本發(fā)明第6實施方式的真空處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖；圖8為表示圖7所示的真空處理裝置的局部結(jié)構(gòu)例的側(cè)剖視圖；圖9為表示用于確認本發(fā)明的實施方式的效果的實驗?zāi)Ｐ偷木植科室晥D；圖10所示為圖9所示的實驗?zāi)Ｐ偷膶嶒灲Y(jié)果的一例；圖11所示為基于圖9所示的實驗?zāi)Ｐ偷哪M結(jié)果；圖12為為了說不本發(fā)明的一個實施方式中閥芯的開度與臭氧的分解效率之間的關(guān)系的示意圖。附圖標記說明1、2、3、4、5、6真空處理裝置10 真空槽11 處理室12 泵室13 配管13A排氣通路14 閥室15載物臺161冷捕集器17 閥芯18氣體導入管19 低溫泵20、21、22、23、30、31、32、33、34 加熱單元(加熱器)22A、22B、211、232、235、311 發(fā)熱體131、132 管部件P 等離子W 基板
具體實施例方式本發(fā)明的一個實施方式涉及用于對真空處理用的處理室進行排氣的真空排氣裝置，其具有泵單元與加熱單元。
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所述該泵單元具有冷捕集器與排氣通路，冷捕集器能夠捕集排出氣體，排氣通路用于將所述排出氣體從處理室導向冷捕集器。加熱單元，使從處理室流向所述冷捕集器的所述排出氣體中含有的臭氧在所述排氣通路中產(chǎn)生熱分解。在上述真空排氣裝置中，在排出氣體到達冷捕集器之前，排出氣體中含有的臭氧被加熱單元加熱而產(chǎn)生熱分解。從而能夠降低排出氣體中的臭氧的濃度，抑制冷捕集器中的臭氧的凝縮量。因而，采用上述的真空排氣裝置，能夠抑制在低溫泵中的臭氧的存留，防止了在低溫泵進行再生時液態(tài)濃縮的臭氧產(chǎn)生的分解反應(yīng)而造成的起火以及由該起火對低溫泵造成的燒損。所述泵單元可以具有收裝所述冷捕集器的泵室以及形成所述排氣通路的配管。所述加熱單元可以具有配置在所述配管的內(nèi)部的發(fā)熱面。采用這樣的結(jié)構(gòu)，由于加熱單元的發(fā)熱面被配置在遠離泵單元的冷捕集器的位置，因而能夠使冷捕集器的表面維持在規(guī)定的極低溫度，從而確保能夠進行所期望的排氣?？梢栽谂c所述排氣通路的軸向相交叉的方向上保持一定間隔地配置多個所述發(fā)熱面。采用這樣的結(jié)構(gòu)，不會損害排氣效率，并且能夠提高排出氣體與發(fā)熱面的接觸率， 有效地使臭氧產(chǎn)生熱分解。所述加熱單元可以具有支承所述發(fā)熱面的支承體。所述發(fā)熱面可以配置在所述支承體的對著所述處理室的表面上。如此，能夠抑制來自于發(fā)熱面的熱輻射造成泵單元的冷捕集器的溫度上升。所述支承體可以隔熱層。從而能夠阻擋發(fā)熱面向泵單元的冷捕集器的熱輻射，使冷捕集器維持在所期望的極低溫度。所述加熱單元可以還具有轉(zhuǎn)動機構(gòu)部，該轉(zhuǎn)動機構(gòu)部用于使所述支承體以與所述配管的軸向交叉的方向上的軸線為中心轉(zhuǎn)動。如此，能夠使發(fā)熱面被配置在使排出氣體中的臭氧與發(fā)熱面的接觸率較高的位置 (角度)，此外，還能夠調(diào)整排出氣體通過排氣通路時的排氣速度。
可以沿著所述排氣通路的軸向保持一定間隔地配置多個所述發(fā)熱面。采用這樣的結(jié)構(gòu)也能夠?qū)崿F(xiàn)不損害排氣效率，并且提高排出氣體與發(fā)熱面的接觸率從而有效地使臭氧產(chǎn)生熱分解。所述加熱單元可以具有網(wǎng)孔狀的發(fā)熱體，或者可以具有筒狀的發(fā)熱體。采用這樣的結(jié)構(gòu)也能夠?qū)崿F(xiàn)不損害排氣效率，并且提高排出氣體與發(fā)熱面的接觸率從而有效地使臭氧產(chǎn)生熱分解。所述配管可以具有連接在所述處理室側(cè)的第1管部件以及連接在所述泵室側(cè)的第2管部件。所述真空排氣裝置可以還具有配置在所述第1管部件與所述第2管部件之間、 收裝用于開閉所述排氣通路的閥芯的閥室。用閥芯來調(diào)整排氣通路的開度(打開程度)，從而能夠控制排出氣體向泵室的流動以及排氣速度。此外，通過這樣的結(jié)構(gòu)能夠改變排出氣體中的臭氧分子對發(fā)熱面的碰撞頻率。例如，可以將所述發(fā)熱面配置在所述第1管部件的內(nèi)部。此時，發(fā)熱面比上述閥芯更靠近處理室，由于排出氣體中的臭氧分子會碰撞到閥芯，所以能夠提高臭氧分子與發(fā)熱面的接觸幾率。從而提高臭氧分子的分解率。此外，也可以將所述發(fā)熱面配置在所述閥室的內(nèi)部，或者配置在所述第2管部件的內(nèi)部。此時，也能夠根據(jù)閥芯的開度而控制臭氧與發(fā)熱面的接觸從而控制臭氧的分解效率。發(fā)熱面的位置可以根據(jù)閥芯的位置進行適當?shù)恼{(diào)整。本發(fā)明的一個實施方式涉及的真空處理裝置具有真空處理用的處理室、泵單元、 加熱單元。泵單元具有冷捕集器與排氣通路，所述冷捕集器能夠捕集排出氣體，所述排氣通路用于將所述排出氣體從所述處理室導向所述冷捕集器。加熱單元使從所述處理室流向所述冷捕集器的所述排出氣體中含有的臭氧在所述排氣通路中產(chǎn)生熱分解。采用上述的真空處理裝置，能夠抑制在低溫泵中的臭氧的存留，防止了在低溫泵進行再生時液態(tài)濃縮的臭氧產(chǎn)生的分解反應(yīng)而造成的起火以及由該起火對低溫泵造成的燒損。所述加熱單元可以配置在所述排氣通路中，也可以配置在所述處理室中。此外，還可以在排氣通路與處理室中分別配置加熱單元。將加熱單元配置在排氣通路中能夠使從處理室排出的氣體中的臭氧有效地分解。 將加熱單元設(shè)置在處理室中能夠使處理室中產(chǎn)生的臭氧在處理室中產(chǎn)生熱分解。本發(fā)明的一個實施方式涉及用低溫泵對存在臭氧的處理室進行排氣的真空排氣方法，該真空排氣方法包括使排出氣體中的臭氧在排氣途中與加熱面接觸而產(chǎn)生熱分解的步驟，并且用所述低溫泵的冷捕集器將所述排出氣體凝縮。在上述真空排氣方法中，在排出氣體到達冷捕集器之前，排出氣體中含有的臭氧被加熱單元加熱而產(chǎn)生熱分解。從而能夠降低排出氣體中的臭氧的濃度，抑制冷捕集器中的臭氧的凝縮量。因而，采用上述的真空排氣方法，能夠抑制在低溫泵中的臭氧的存留，防止了在低溫泵進行再生時液態(tài)濃縮的臭氧產(chǎn)生的分解反應(yīng)而造成的起火以及由該起火對低溫泵造成的燒損。下面參照附圖對本發(fā)明的具體實施方式
進行詳細的說明。第1實施方式圖1為表示本發(fā)明一個實施方式的真空處理裝置1的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。本實施方式的真空處理裝置1具有真空槽10。真空槽10具有用于對基板W進行處理的處理室 11、用于對處理室11進行排氣的泵室12、連接在處理室11與泵室12之間的配管13。真空槽10全部由鋁或不銹鋼等的金屬材料構(gòu)成。在本實施方式中，配管13形成將需要排出的處理氣體從處理室11導向泵室12的排氣通路13A。配管13由第1管部件131與第2管部件132構(gòu)成。第1管部件131連接在處理室11上，第2管部件132連接在泵室12上。并且，在第1管部件131與第2管部件 132之間設(shè)有閥室14，該閥室14構(gòu)成配管13的一部分，從而也是真空槽10的一部分。處理室11具有用于對基板W進行支承的載物臺15。處理室11形成對被支承在載物臺15上的基板W進行處理的真空處理腔。在本實施方式中，作為真空處理而言，可以為使用含有氧與臭氧的處理氣體的成膜處理(例如，利用濺射法、蒸鍍法)或者使用這些氣體的等離子(圖1中用符號P表示)進行的處理等。處理氣體通過氣體導入管18被導入到處理室11內(nèi)。另外，雖然圖中并未示出，不過在真空槽10的內(nèi)部或者外部設(shè)有等離子發(fā)生源(高頻線圈、磁控管、微波振蕩器等)。作為真空處理的例子，除了上述的以外，還有用電子束進行的曝光、分析、表面觀察等。在本實施方式中，能夠在處理室11內(nèi)進行有臭氧生成的各種處理。在泵室12的內(nèi)部設(shè)有低溫泵19的冷捕集器161 (極低溫部)。真空槽10內(nèi)的氣體被冷捕集器161吸附或者凝縮。從而使真空槽內(nèi)部被維持在規(guī)定的高真空條件。被捕集的排出氣體(處理氣體)作為凝縮固體存留在低溫泵19內(nèi)，在低溫泵19進行再生操作時， 該處理氣體(凝縮固體)暫時被液化后最終被氣化、蒸發(fā)。低溫泵19由泵室12、機械式制冷機162、制冷頭163、冷捕集器161構(gòu)成，其中，泵室12是低溫泵的腔室并且是真空槽10的一部分，機械式制冷機162為嵌入泵室12內(nèi)的、 用于產(chǎn)生低溫的、GM(Gifford-McMahon,吉福德-麥克馬洪)制冷機等的機械式制冷機，制冷頭163是機械式制冷機162的一部分，為低溫生成部，冷捕集器161與制冷頭163保持良好的接觸以保證熱交換，用于將處理氣體凝縮或者吸附。由機械式制冷機162使制冷頭161被保持在極低的溫度。制冷頭161可以采用平面狀的、線圈狀的以及其他形狀的。在閥室14的內(nèi)部收裝著閥芯17。閥芯17被構(gòu)成為能夠在使排氣通路13A開放的打開位置與使排氣通路13A被切斷(關(guān)閉)的關(guān)閉位置之間移動。閥芯17能夠使流過排氣通路13A的氣體的流導發(fā)生改變。此外，閥芯17可以形成為像閘閥等一樣的密封性結(jié)構(gòu)，以使處理室11與泵室12之間相氣密地隔絕。真空處理裝置1還具有加熱單元20，該加熱單元20用于將存在于真空槽10內(nèi)的臭氧分子熱分解。在本實施方式中，以加熱單元20設(shè)置在排氣通路13A中為例進行說明。加熱單元20具有一個或者多個加熱器21與加熱用電源(未示出)。在本實施方式中，在與排氣通路13A的軸向相交叉的方向上保持一定間隔地配置多個加熱器21。加熱器21具有發(fā)熱體211與支承體212。發(fā)熱體211可以由內(nèi)裝有電阻發(fā)熱體與加熱源的金屬板等構(gòu)成。支承體212為板狀部件，發(fā)熱體211支承在支承體212的面對處理室11的面上。支承體211通過軸部m安裝在第1管部件131上?？梢詫⑤S部m用作配線的一部分或者在軸部m內(nèi)裝入電纜以使加熱用電源的電力被輸送到發(fā)熱體211上。發(fā)熱面211被加熱到足夠的溫度以使臭氧分解。從處理室11排出的氣體的一部分在排氣通路13A中與發(fā)熱面211接觸。與發(fā)熱面211接觸的氣體中的臭氧分子經(jīng)過如下式(1)所示的熱分解反應(yīng)被還原為無害的氧。203 — 302". (1)在臭氧濃度一定時，加熱溫度越高臭氧的熱分解反應(yīng)所需的時間越短。因此，提高發(fā)熱面211的溫度能夠使臭氧更有效地分解。此外，提高發(fā)熱面211的溫度能夠有效地降低氣體中的臭氧的濃度。關(guān)于發(fā)熱面211的溫度的具體數(shù)值，例如可以為300°C以上。發(fā)熱面211的溫度可設(shè)定在適當?shù)臄?shù)值。因加熱而使分子分解，則加熱溫度越高， 與加熱體表面接觸以進行分解反應(yīng)所需要的時間就越短，臭氧分解的效率也越高。在使用鎢(W)或錸(Re)等的高熔點金屬構(gòu)成加熱體時，可保證3000°C以上的加熱溫度。但是，在工業(yè)上一般使用銅(Cu)來作為對加熱體供電的導體，其熔點在純銅時為1080°C。此外，若溫度超過1000°C，那么從發(fā)熱體發(fā)出的熱輻射會超過lOW/lcm2，因而，此時即使采用表面積較小的加熱體，也會對低溫泵產(chǎn)生熱輻射。另一方面，在加熱體為銅的時候，若加熱至300°C， 空氣中的臭氧濃度在數(shù)秒左右即可降低為一半。由于以上原因，發(fā)熱面211的加熱溫度的上限為1000°C，特別是在加熱體為銅制的時候，其加熱溫度的下限為300°C。加熱器21的配置間隔可以根據(jù)排氣通路13A中所要求的排氣速度與臭氧的分解效率來設(shè)定。即，配置間隔越大，則流導越高因而氣體的流動阻力越小，但由于臭氧分子與發(fā)熱體的接觸率較低所以臭氧分解效率較差。而配置間隔越小，則臭氧的分解效率越高，但由于流導較低所以排氣阻力較大。因此，要根據(jù)在處理室11中進行處理的處理條件(臭氧的產(chǎn)生量、排氣速度)來設(shè)定加熱器21的配置間隔。在具有上述結(jié)構(gòu)的加熱器21中，發(fā)熱面211配置在支承體212的靠近處理室11 一側(cè)的表面上。從而能夠使來自于處理室11的氣體充分地與發(fā)熱面211接觸。另外，由于加熱單元21的發(fā)熱體距冷捕集器161較遠，所以能夠保證冷捕集器161維持在極低的溫度而達到所需的排氣作用。根據(jù)需要，也可以使支承體212中包含隔熱層。從而能夠使發(fā)熱面211對冷捕集器161的熱輻射被遮擋。關(guān)于隔熱層，可以將隔熱材料層壓在支承體212上而形成，也可以直接用隔熱材料形成整個支承體212。支承加熱器21的軸部m可以構(gòu)成為轉(zhuǎn)動軸。此時，能夠使發(fā)熱面211相對于排氣通路13A的軸向呈任意的角度。從而能夠自由地調(diào)整排出氣體中的臭氧與發(fā)熱面211的接觸率。關(guān)于各加熱器21的轉(zhuǎn)動位置的調(diào)整，可以將各加熱器21設(shè)定在一個相同的角度位置，也可以使各加熱器21各自設(shè)定在不同的角度位置。通過調(diào)整各個加熱器21的角度位置從而能夠控制排出氣體從排氣通路13A的流過的排氣速度。此外，還可以使加熱器21 具有調(diào)整排氣通路13A的打開程度(開度)的閥的作用。按照如上所述即構(gòu)成了本實施方式的真空處理裝置1。另外，由泵室12、配管 13(排氣通路13A)以及冷捕集器161(低溫泵19)構(gòu)成了本發(fā)明一個實施方式的泵單元。 還有，由上述泵單元與加熱單元20構(gòu)成本發(fā)明一個實施方式的真空排氣裝置。在具有上述結(jié)構(gòu)的真空處理裝置1中，真空槽10內(nèi)部存在的水分與氣體被冷捕集器161凝縮或者吸附，從而使真空槽10的內(nèi)部被維持在相當于中間流區(qū)域(intermediate flow region)或分子流區(qū)域(molecular flow region)的高真空或超過真空環(huán)境。所以， 含有在處理室11中生成或被導入的臭氧的氣體從處理室11經(jīng)由排氣通路13A被導向泵室 12。在該排氣過程中，氣體中所含有的臭氧接觸或者碰撞到被加熱至高溫(例如，300°C IOOO0C )的發(fā)熱體211，從而產(chǎn)生熱分解，使排出氣體中的臭氧被除去或者使排出氣體中的臭氧濃度降低。采用本實施方式，能夠有效地降低低溫泵19中存留的排出氣體的凝縮固體中的臭氧濃度。所以，能夠防止，在伴隨有凝縮固體的液化與氣化、蒸發(fā)的低溫泵的再生過程中， 對人體有害的高濃度臭氧被釋放到大氣中。此外，還能夠防止因凝縮液態(tài)臭氧的分解反應(yīng)帶來的起火而對低溫泵造成燒損這樣的事態(tài)的發(fā)生。另外，采用本實施方式，由于不是利用催化劑而是利用加熱將臭氧分解、除去，所以能夠使真空槽10的內(nèi)部維持在清潔的高真空狀態(tài)。此外，由于構(gòu)成加熱單元20的多個加熱器21以適當?shù)拈g隔配置，所以不會對氣體的排出效率造成影響并能夠有效地除去氣體中的臭氧。如上所述，臭氧的去除效率根據(jù)配置在排氣通路13A中的發(fā)熱面211的大小、數(shù)目、設(shè)置角度而改變。由于能夠自由地調(diào)整這些發(fā)熱面211的配置條件，所以能夠根據(jù)基板 W所需要的真空處理的種類、條件等進行適當?shù)脑O(shè)定，并且能夠抑制裝置結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化。第2實施方式圖2為表示本發(fā)明第2實施方式的真空處理裝置2的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。在圖中對與上述的真空處理裝置1(圖1)對應(yīng)的部分用相同的符號標記，并省略了其詳細的文字說明。在用于將排出氣體中的臭氧分解的加熱單元20被配置在排氣通路13A中這一點上，本實施方式的真空處理裝置2與上述真空處理裝置1相同，而在該加熱單元20被配置在閥室14內(nèi)這一點上與上述真空處理裝置1不同。加熱單元20具有多個加熱器21，這些加熱器21在與排氣通路13A的軸向交叉的方向上保持一定間隔地配置。加熱器21 (發(fā)熱體211)的大小、數(shù)量、位置并沒有特別限定， 可以根據(jù)閥室14的容積、排氣通路13A的氣流通道面積等適當?shù)卦O(shè)定。在真空處理裝置2中，閥芯17被配置在比加熱器20更靠近處理室11 一側(cè)的位置。 即，僅在對處理室11進行排氣時由加熱器20使排出氣體中的臭氧分解，在對基板進行處理時，由閥芯17將排氣通路13A關(guān)閉，將一定量的臭氧導入處理室11中，從而能夠使基板處理的環(huán)境保持在臭氧量不會變化的穩(wěn)定狀態(tài)。關(guān)于閥芯17的設(shè)置，并不限于上述的實施方式，也可以將其配置在比加熱器20更靠近泵室12 —側(cè)的位置。此時，即使在排氣通路13A被閥芯17關(guān)閉的情況下，也能夠使處理室11內(nèi)的臭氧分解，從而使本發(fā)明也能夠應(yīng)用在進行處理時無法避免產(chǎn)生臭氧的基板處理中。此外，也可以在排氣通路13A(第1管部件131)與閥室14中分別配置加熱單元 20。如此，在對處理室11進行排氣時，由于沿著排氣通路13A的軸向上配置有多個(多級) 加熱器21，所以能夠有效地除去排出氣體中的臭氧。此時，通過使位于上游的加熱器21與位于下游的加熱器21配置在從處理室11 一側(cè)看來是相互錯開的位置上，從而能夠提高排出氣體與發(fā)熱面211的接觸率。第3實施方式圖3為表示本發(fā)明第3實施方式的真空處理裝置3的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。在圖中對與上述的真空處理裝置1(圖1)對應(yīng)的部分用相同的符號標記，并省略了其詳細的文字說明。在用于將排出氣體中的臭氧分解的加熱單元20被配置在排氣通路13A中這一點上，本實施方式的真空處理裝置3與上述真空處理裝置1相同，而在該加熱單元20被配置在第2管部件132內(nèi)這一點上與上述真空處理裝置1不同。加熱單元20具有多個加熱器21，這些加熱器21在與排氣通路13A的軸向交叉的方向上保持一定間隔地配置。加熱器21 (發(fā)熱體211)的大小、數(shù)量、位置并沒有特別限定， 可以根據(jù)閥室14的容積、排氣通路13A的氣流通道面積等適當?shù)卦O(shè)定。在真空處理裝置3中，與上述真空處理裝置1、2相比，加熱單元20配置在離泵室 12最近的位置。所以，在排出氣體被捕集到冷捕集器161中之前，由加熱器21使排出氣體中的臭氧被除去。另外，還可以在處理室11 一側(cè)(第1管部件131與/或閥室14中)再設(shè)置另外的加熱單元20。從而能夠有效地除去排出氣體中的臭氧。另外，如上所述，通過使支承發(fā)熱體211的支承體212具有隔熱性，從而能夠保護冷捕集器161免于受到來自于發(fā)熱體211的熱輻射影響。第4實施方式圖4為表示本發(fā)明第4實施方式的真空處理裝置4的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。在圖中對與上述的真空處理裝置1(圖1)對應(yīng)的部分用相同的符號標記，并省略了其詳細的文字說明。在用于將排出氣體中的臭氧分解的加熱單元被配置在排氣通路13A中這一點上， 本實施方式的真空處理裝置4與上述真空處理裝置1相同，而在該加熱單元22構(gòu)成為多個格狀(條格狀)或者網(wǎng)孔狀的發(fā)熱體這一點上與上述真空處理裝置1不同。在圖4所示的真空處理裝置4中，加熱單元22由層疊地配置在第1管部件131內(nèi)的兩個網(wǎng)孔狀的發(fā)熱體22A、22B構(gòu)成。各發(fā)熱體22A、22B典型地可以采用電阻發(fā)熱體。使這些發(fā)熱器22A、22B生溫到臭氧產(chǎn)生熱分解的溫度以上，從而除去通過排氣通路13A的排出氣體中含有的臭氧。從而降低到達冷捕集器161中的排出氣體中的臭氧的濃度，即，獲得與上述第1實施方式相同的效果。發(fā)熱體22A、22B的發(fā)熱面形成為格狀或者網(wǎng)孔狀，因而不會增大排氣通路13A中的對排出氣體的阻力，并能夠有效地使排出氣體與發(fā)熱面接觸。從而提高排出氣體中臭氧的分解率。關(guān)于發(fā)熱體22A、22B的發(fā)熱面的形狀，不限于平面狀，也可以為曲面。S卩，發(fā)熱體 22A、22B可以利用壓力加工形成為板狀，也可以形成為用線編織成的格狀與網(wǎng)孔狀，或者也可以折成線圈狀、漩渦狀。發(fā)熱體22A、22B的數(shù)量并不限于上述實施例所示的兩個，也可以為1個或3個。此外，發(fā)熱體22A、22B的設(shè)置位置也不限于第1管部件131的內(nèi)部，也可以設(shè)置在第2管部件 132的內(nèi)部，或者如果可能的話也可以設(shè)置在閥室14的內(nèi)部。此外，也可以在這些位置中都設(shè)置發(fā)熱體。第5實施方式圖5為表示本發(fā)明第5實施方式的真空處理裝置5的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。在圖中對與上述的真空處理裝置1(圖1)對應(yīng)的部分用相同的符號標記，并省略了其詳細的文字說明。在用于將排出氣體中的臭氧分解的加熱單元被配置在排氣通路13A中這一點上， 本實施方式的真空處理裝置5與上述真空處理裝置1相同，而在使加熱單元22被構(gòu)成為筒狀這一點上與上述真空處理裝置1不同。在圖5所示的真空處理裝置5中，通過在具有圓筒形狀的支承體的周面上安裝發(fā)熱體從而構(gòu)成加熱單元23。圖6為表示加熱單元23的具體結(jié)構(gòu)的放大圖。如圖6所示，加熱單元23具有位于內(nèi)側(cè)的第1圓筒狀支承體231與位于外側(cè)的第 2圓筒狀支承體234。在第1圓筒狀支承體231與第2圓筒狀支承體232的外周面上分別固定著發(fā)熱體232、235。發(fā)熱體232、235由多個環(huán)形的發(fā)熱材料構(gòu)成，第2圓筒狀支承體 234套在第1圓筒狀支承體231之外。此外，第1圓筒狀支承體231與第2圓筒狀支承體232通過多個平板狀的連接部件233相互連接且同心。如圖5所示，按照如上所述而構(gòu)成的加熱單元23沿著排氣通路13A(第1管部件 131)的軸向配置。因而，來自于處理室11的排出氣體經(jīng)由加熱單元23的內(nèi)周側(cè)與外周側(cè)到達泵室12。此時，各發(fā)熱體232、235分別升溫到300°C以上，使與發(fā)熱體232、235接觸的排出氣體中的臭氧產(chǎn)生熱分解而被去除。從而能夠降低到達冷捕集器161的排出氣體中的臭氧的濃度，即，能夠獲得與上述第1實施方式相同的效果。加熱單元23也可以配置在第2管部件132 —側(cè)。此外，支承發(fā)熱體的支承體并不限于圓筒狀，也可以形成為棱筒狀，或者采用多個形狀的組合。并且，支承發(fā)熱體的支承體也不限于內(nèi)外兩個，一個也可以，三個以上也可以。另外，采用圖1所示的加熱單元20與圖 4所示的加熱單元22的組合也可以。在圖6中例示了發(fā)熱體231、234配置在圓筒狀的支承體231、234的外周部，然而將該發(fā)熱體配置在圓筒狀的支承體的內(nèi)周側(cè)也可以。第6實施方式圖7為表示本發(fā)明第6實施方式的真空處理裝置6的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。在圖中對與上述的真空處理裝置1(圖1)對應(yīng)的部分用相同的符號標記，并省略了其詳細的文字說明。在用于將排出氣體中的臭氧分解的加熱單元并未被配置在排氣通路13A中而是配置在處理室11的內(nèi)部這一點上，本實施方式的真空處理裝置6與上述真空處理裝置1不同。本實施方式中，真空處理裝置6被構(gòu)成為產(chǎn)生臭氧(O3)的等離子而對基板(未圖示) 進行處理的等離子處理裝置。用于使臭氧產(chǎn)生熱分解的加熱器(加熱單元)30被配置在處理室11的內(nèi)部。此處例示的是，在處理室11的內(nèi)周面附近以及連接排氣通路13A的排氣口的附近分別配置加熱器30。配置在處理室11的內(nèi)周面附近的加熱器30，可以使其面向處理室11的內(nèi)周面，配置一個或者多個，也可以形成為包圍著等離子體(圖7中用符號P表示)形成的空間的筒狀。關(guān)于加熱器30的形狀，可以為平面狀，也可以為曲面狀，或者也可以采用這些形狀的組合。關(guān)于加熱器30的設(shè)置位置，并不限于上述的例子，也可以設(shè)置在處理室11的上部或者上述排氣口的周圍。此外，可以將支承基板的載物臺(未圖示)用作加熱面。各加熱器30具有加熱面，該加熱面被加熱至充分的高溫(例如，300°C IOOO0C )，以使在處理室11中產(chǎn)生的臭氧產(chǎn)生熱分解。所以，在處理室11中產(chǎn)生的臭氧分子(O3)碰撞(接觸)到加熱器30從而產(chǎn)生熱分解而被還原為氧(O2)。從而使經(jīng)由排氣通路13A被導向泵室12的排出氣體的臭氧濃度降低。采用本實施方式的真空處理裝置6，能夠有效地降低存留在低溫泵19中的排出氣體的凝縮固體中的臭氧的濃度。所以，能夠防止，在凝縮固體液化、氣化與蒸發(fā)的再生工序中，對人體有害的高濃度臭氧氣體被釋放到大氣中。并且，還能夠防止因凝縮液態(tài)臭氧的分解反應(yīng)帶來的起火而對低溫泵造成燒損的事態(tài)的發(fā)生。另外，采用本實施方式，由于不是利用催化劑而是利用加熱而將臭氧分解、除去， 所以能夠使真空槽10的內(nèi)部維持在清潔的高真空狀態(tài)。圖8中的㈧ ⑶所例示的是加熱器30的典型的結(jié)構(gòu)。圖8中(A)所示為由發(fā)熱體311與支承該發(fā)熱體311的支承體312構(gòu)成的加熱器
1331。發(fā)熱體311對著處理室內(nèi)側(cè)地配置在支承體312上。支承體312可以由固定在真空槽 10上的一個或者多個平板或者彎板形成。不言而喻，從構(gòu)成加熱器31的角度來看，支承體 312并不是必需的，可以將發(fā)熱體311直接設(shè)置在處理室11的規(guī)定位置上。關(guān)于這一點，對于上述的真空處理裝置1(圖1)來說也是同樣的。圖8中(B)所示為由線狀的發(fā)熱體構(gòu)成的加熱器32。作為線狀的發(fā)熱體而言，可以使用由鎢等的具有高融點的金屬材料構(gòu)成的線材或帶保護皮的加熱絲等的棒狀加熱體， 將其拉設(shè)在處理室11內(nèi)從而構(gòu)成加熱器32。這種加熱器32的設(shè)置自由度較高，不僅是處理室11中，也可以設(shè)置在排氣通路13A中。此外，還可以使用不具有加熱作用的支承體對線狀發(fā)熱體進行支承。圖8中(C)所示為由網(wǎng)狀的發(fā)熱體構(gòu)成的加熱器33。與線狀的發(fā)熱體相比，網(wǎng)狀的發(fā)熱體具有發(fā)熱有效面積大的優(yōu)點。作為網(wǎng)狀的發(fā)熱體而言，不限于網(wǎng)孔狀的，也可以采用格狀的發(fā)熱體或者穿孔金屬板。此外，并不僅是處理室11中，還可以在排氣通路13A中設(shè)置加熱器33。而且，還可以使用不具有加熱作用的支承體以對線狀發(fā)熱體進行支承。圖8中⑶所示為由多孔狀的發(fā)熱體構(gòu)成的加熱器34。多孔的物質(zhì)表面積大，能夠提高臭氧的分解效率。作為多孔狀的發(fā)熱體而言，典型的有多孔質(zhì)SiC發(fā)熱體等。除此之外，也可以采用織物狀的發(fā)熱體。此外，不僅是處理室11中，在排氣通路13A中也可以設(shè)置加熱器33。另外，也可以用非發(fā)熱性的多孔物質(zhì)與對其進行加熱的發(fā)熱體的組合來構(gòu)成多孔的發(fā)熱體。如圖9所示，在處理室111(真空槽)內(nèi)設(shè)有一根銅線120。使處理室111內(nèi)維持規(guī)定的壓力(O. IPa)，將銅線1 加熱至較高的溫度(900°C )。并且，將用臭氧發(fā)生器140 產(chǎn)生的臭氧導入處理室111中，對處理室111內(nèi)殘存的臭氧用四極桿質(zhì)量分析器150進行檢測。用臭氧發(fā)生器140產(chǎn)生的臭氧的濃度(03/02)為7000ppm。圖10所示為，在使銅線120發(fā)熱的情況下(ON)以及不發(fā)熱的情況下(OFF)四極桿質(zhì)量分析器150的臭氧的檢測輸出。根據(jù)結(jié)果可知，在使銅線120發(fā)熱，其表面溫度達到 900°C之后，臭氧的檢測輸出顯著地減少。相反地，若使銅線120的發(fā)熱停止，則臭氧的檢測輸出回復(fù)至初始值。根據(jù)圖10的結(jié)果可知，由高溫的銅線120能夠使臭氧切實地進行熱分解。并且， 根據(jù)在銅線120發(fā)熱時分析器150的檢測輸出的減少值(b)與導入臭氧時分析器150的檢測輸出的增加值(a)的比值(b/a)可知，臭氧的分解率為82%。在上述實驗例中，用與臭氧分子的接觸率比較小的線狀的發(fā)熱體構(gòu)成加熱面，然而即使在這樣的情況下也能夠使臭氧高效地被分解，因而可以推定，設(shè)置多根這樣的線狀發(fā)熱體或者使用面狀的發(fā)熱體能夠使臭氧的分解效率進一步提高。根據(jù)以上結(jié)果可知，作為在真空中的臭氧分解機構(gòu)而言，本發(fā)明是非常有效的。用熱電阻線代替上述實驗例中的銅線120，用鐵線與銥線進行同樣的實驗。所得到的結(jié)果為，在使用鐵線時，在970°C的表面溫度下臭氧分解率為68%，使用銥線時，在 1000°C的溫度下臭氧分解率為55%。根據(jù)這樣的結(jié)果可知，臭氧分解效率與線的材質(zhì)無關(guān)， 使其表面溫度保持在適當?shù)母邷?上述兩種材質(zhì)約為10000°C )能夠達到與銅線大致相同的分解率。這說明臭氧分解率與高溫表面的材質(zhì)無關(guān)，而僅與表面溫度具有很大的關(guān)系。此外，由于高溫表面所使用的材質(zhì)并不限于特定的材質(zhì)，所以這意味著能夠根據(jù)真空處理的各項條件與真空裝置的要求來選擇合適的材質(zhì)。為了驗證上述實驗結(jié)果是否可靠，用計算機進行模擬實驗，通過模擬氣體分子的運動與碰撞而求得圖9中對應(yīng)的實驗?zāi)Ｐ椭械某粞醴肿优c熱電阻線的碰撞率。其結(jié)果如圖 11所示。如圖11中實線所示，臭氧分子與熱電阻線的碰撞幾率與真空排氣系統(tǒng)的主排氣閥的打開程度有關(guān)。并且，在上述實驗中得到的臭氧分解率為圖11中的黑色正方形所示的點(所示的數(shù)值)，與模擬結(jié)果非常相近。模擬的分子碰撞結(jié)果能夠說明實驗值正確，因而，可以說臭氧分子的分解效率與臭氧分子和高溫表面的碰撞率相等。這說明了本發(fā)明的原理即臭氧分子與高溫表面一接觸就立即發(fā)生熱分解是正確的。此外，在模擬中，通過調(diào)整主排氣閥的打開程度能夠得到接近于100%的分解率。 這說明能夠?qū)⒊粞醯姆纸饴试O(shè)定并維持在所需的數(shù)值。由于真空裝置在結(jié)構(gòu)上的原因，使高溫表面的形態(tài)、面積、設(shè)置部位等會受到限制，但可以通過調(diào)節(jié)主排氣閥的打開程度而得到較高的臭氧分解率。這是本發(fā)明的有益效果之一。本發(fā)明的發(fā)明人試著用大致如圖12所示的排氣系統(tǒng)簡單地對主排氣閥的打開程度(開度)與臭氧分解率的關(guān)系進行了研究。在圖12中，與圖1相對應(yīng)的部分采用相同的符號進行標記，并且省略了其詳細的文字說明。圖12所示的排氣系統(tǒng)與圖1中的相同，在真空槽10與低溫泵19之間配置著配管 13，在配管13的內(nèi)部從真空槽10 —側(cè)向低溫泵19 一側(cè)順序地配置加熱器21與閥芯17。 這樣的結(jié)構(gòu)是能夠通過調(diào)整主排氣閥(閥芯17)的打開程度而得到較高的臭氧分解率的結(jié)構(gòu)中的一種。在該排氣系統(tǒng)內(nèi)部，臭氧分子從吸入側(cè)邊界面入射(流入)(ni)，在加熱器21 周圍的空間內(nèi)無序地運動。這些臭氧分子最終會，碰撞到加熱器21上而立刻分解(nh)、或者被壁面散射(nw)、或者從排出側(cè)邊界面流出(ne)、或者從吸入側(cè)邊界面流出(nb)。nh、 nw.ne.nb表示經(jīng)過了上述過程的單位時間的臭氧分子數(shù)。臭氧分子的流入(ni)以及臭氧的分解為恒定的條件下，吸入側(cè)邊界面與排出側(cè)邊界面之間的空間中，臭氧的分子數(shù)是一定的，下式(2)是成立的(nw只不過是在壁面上的散射，因而在式O)中不考慮)。ni = nh+ne+nb." (2)臭氧的分解率Y為，y = nh/ni... (3)將⑵代入(3)，則，y = l/{l+(ne/nh) + (nb/nh)}— (4)氣體分子向表面的入射頻率與入射表面的面積是成比例的，將排出側(cè)邊界面的面積記為Ae，全部加熱器21的發(fā)熱面的總面積記為AhHne/nh = Ae/Ah... (5)則式(4)變?yōu)?，y = l/{l+(Ae/Ah)+C}— (6)從吸入側(cè)邊界面流出的分子(nb)很大程度上依賴于加熱器21的形狀與配置以及配管13的形狀，并不是能夠用像式( 那樣簡單的面積比來表示的，因而，(nb/nh) =C(常數(shù))。根據(jù)式(6)可知，減小主排氣閥(閥芯17)的打開程度則Ae變小，臭氧分解率Y 接近最大值1/(1+0。與此相反，增大主排氣閥17的打開程度，使Ae接近配管132的截面面積Ac，則臭氧分解效率接近于最小值l/{l+(Ac/Ah)+C}。在理想的設(shè)計結(jié)構(gòu)中，常數(shù)C很小，則式(6)變?yōu)?，?= l/{l+(Ae/Ah)}…(7)在低溫泵中進行再生的再生時間τ由允許排到低溫泵中的臭氧的允許量(M)以及真空槽中產(chǎn)生的臭氧量(G)所決定。τ = (M/G)/(l-y)··· (8)根據(jù)該式⑶可知，與臭氧完全未溶解時的情況(Y = 0)相比，如果要使再生時間延長2倍的話，臭氧的分解效率至少要在50%以上(γ彡0.5)。根據(jù)式(7)，臭氧分解率50%所對應(yīng)的主排氣閥的開度Ae為，Ae = Ah... (9)S卩，通過調(diào)整主排氣閥的開度Ae，使之達到與發(fā)熱面211的總面積An相等的程度， 能夠獲得50%的臭氧分解率。Ah依賴于設(shè)計結(jié)構(gòu)，但是，為了不明顯損害排氣系統(tǒng)的流導， 最好是使其為配管截面面積Ac的1/2。在這樣的條件下，式(9)變?yōu)椋? < Ae ^ Ac/2— (10)即，通過使主排氣閥的開度變?yōu)榕涔芙孛婷娣eAc的50 %以下(若Ah較小，則需要再進一步縮小主排氣閥的開度)，能夠獲得50%以上的臭氧分解率。在上面對本發(fā)明的具體實施方式
作了說明，但本發(fā)明并不僅限于此，可以根據(jù)本發(fā)明的基本技術(shù)思想進行各種的變更。例如，在上述實施方式中，所例示的是通過等離子的形成而在處理室內(nèi)產(chǎn)生臭氧的真空處理，然而并不僅限于此，本發(fā)明也可以適用在形成帶電粒子束流的各種真空處理裝置中，其中，該帶電粒子束流包括用于對式樣進行表面分析或表面加工的電子束、或者用于注入離子工序中的離子束等。此外，在上述實施方式中，說明了用于使臭氧熱分解的加熱器(發(fā)熱體)的各種實施方式，然而，也并不限于上述的方式，并且發(fā)熱體的設(shè)置位置也不限于附圖中所示的位置，可以根據(jù)所使用的真空裝置的規(guī)格進行適當?shù)淖兏?。再者，本發(fā)明也可用于防止，在用吸附劑對氣體進行低溫吸附的低溫吸附泵中，再生時濃縮液態(tài)臭氧的起火以及由起火帶來的吸附劑的燃燒。
權(quán)利要求
1.一種真空排氣裝置，用于對真空處理用的處理室進行排氣，其特征在于， 包括泵單元，該泵單元具有冷捕集器與排氣通路，所述冷捕集器能夠捕集排出氣體，所述排氣通路用于將所述排出氣體從所述處理室導向所述冷捕集器；加熱單元，其使從所述處理室流向所述冷捕集器的所述排出氣體中含有的臭氧在所述排氣通路中產(chǎn)生熱分解。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空排氣裝置，其特征在于，所述泵單元具有收裝所述冷捕集器的泵室以及形成所述排氣通路的配管， 所述加熱單元具有配置在所述配管的內(nèi)部的發(fā)熱面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空排氣裝置，其特征在于，在與所述排氣通路的軸向相交叉的方向上保持一定間隔地配置著多個所述發(fā)熱面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空排氣裝置，其特征在于所述加熱單元具有支承所述發(fā)熱面的支承體，所述發(fā)熱面被配置在所述支承體的對著所述處理室的表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空排氣裝置，其特征在于，所述支承體包括隔熱層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空排氣裝置，其特征在于，所述加熱單元還具有轉(zhuǎn)動機構(gòu)部，用于使所述支承體以與所述配管的軸向交叉的方向上的軸線為中心轉(zhuǎn)動。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空處理裝置，其特征在于，沿著所述排氣通路的軸向保持一定間隔地配置著多個所述發(fā)熱面。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空排氣裝置，其特征在于， 所述加熱單元包括網(wǎng)孔狀的發(fā)熱體。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空排氣裝置，其特征在于， 所述加熱單元包括筒狀的發(fā)熱體。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空排氣裝置，其特征在于，所述配管具有連接在所述處理室側(cè)的第1管部件以及連接在所述泵室側(cè)的第2管部件，所述真空排氣裝置還包括收裝用于開閉所述排氣通路的閥芯的閥室，該閥室配置在所述第1管部件與所述第2管部件之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空排氣裝置，其特征在于， 所述發(fā)熱面被配置在所述第1管部件的內(nèi)部。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空排氣裝置，其特征在于， 所述發(fā)熱面被配置在所述閥室的內(nèi)部。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空排氣裝置，其特征在于， 所述發(fā)熱面被配置在所述第2管部件的內(nèi)部。
14.一種真空處理裝置，其特征在于， 包括真空處理用的處理室；泵單元，該泵單元具有冷捕集器與排氣通路，所述冷捕集器能夠捕集排出氣體，所述排氣通路用于將所述排出氣體從所述處理室導向所述冷捕集器；加熱單元，其使從所述處理室流向所述冷捕集器的所述排出氣體中含有的臭氧在所述排氣通路中產(chǎn)生熱分解。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的真空處理裝置，其特征在于， 所述加熱單元被配置在所述排氣通路中。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的真空處理裝置，其特征在于， 所述加熱單元被配置在所述處理室中。
17.一種真空排氣方法，為用低溫泵對存在臭氧的處理室進行排氣的方法，其特征在于，使排出氣體中的臭氧在排氣途中與加熱面接觸而產(chǎn)生熱分解， 用所述低溫泵的冷捕集器將所述排出氣體凝縮。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠抑制臭氧在低溫泵中的存留的真空排氣裝置、真空處理裝置以及真空排氣方法。為達到上述目的，本發(fā)明的一個實施方式的真空排氣裝置(1)包括真空處理用的處理室(11)泵單元，該泵單元具有冷捕集器(161)與排氣通路(13A)，所述冷捕集器(161)能夠捕集排出氣體，所述排氣通路(13A)用于將所述排出氣體從所述處理室(11)導向所述冷捕集器(161)；加熱單元(20)，其使從所述處理室(11)流向所述冷捕集器(161)的所述排出氣體中含有的臭氧在所述排氣通路(13A)中產(chǎn)生熱分解。
文檔編號F04B37/08GK102171455SQ20098013858
公開日2011年8月31日 申請日期2009年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者增田行男, 大園修司, 小室拓, 齋藤一也, 淺利伸, 降矢新治 申請人:株式會社愛發(fā)科, 愛發(fā)科低溫泵株式會社