一種減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電解銅箔表面處理工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，隨著電子產(chǎn)品的小型化、多功能化的方向發(fā)展，推動了印制板向高集成化、高密度化方向發(fā)展，因而對精細(xì)線路中薄型化銅箔有更高的抗剝離強(qiáng)度的要求。同時，需要有效地減少或者避免蝕刻線路時產(chǎn)生的“側(cè)蝕”現(xiàn)象的發(fā)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目在于提供一種減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝。
[0004]基于上述目的，本發(fā)明采取了如下技術(shù)方案:
一種減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝，包括如下步驟:
(1)電解液的制備:將絡(luò)合劑焦磷酸鉀、硫酸鈷、硫酸鎳和添加劑B混合后，溶于水中得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7濃度為30g/L~55g/L，Co2+濃度為0.7g/L~2.5g/L，Ni 2+濃度為
0.3g/L-l.0g/L，添加劑B濃度為0.5g/L-l.5g/L，其中添加劑B中陽離子為Na+、Zn2+和Fe 2+中的至少一種，陰離子為氯離子和檸檬酸根離子中的至少一種；
(2)銅箔電鍍:將預(yù)處理后的銅箔放入含有步驟(I)電解液的電鍍槽中進(jìn)行電鍍。
[0005]較好地，步驟(2)中進(jìn)行電鍍時，電解液的pH為9.5-11.5，溫度為35_45°C，通入陽極板上直流電的電流密度為1.0-1.5A/dm2。
[0006]本發(fā)明主要是在原有的鍍鈷溶液中添加硫酸鎳，形成Co-Ni 二元合金鍍層，通過采用本發(fā)明的工藝技術(shù)，有效減少了 12 μπι銅箔制成的覆銅箔樣品發(fā)生的側(cè)蝕現(xiàn)象。
【具體實施方式】
[0007]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此。
[0008]實施例1
一種減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝，包括如下步驟:
(1)電解液的制備:將絡(luò)合劑焦磷酸鉀、硫酸鈷、硫酸鎳和添加劑B混合后，溶于水得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7濃度為30g/L，Co2+濃度為0.7g/L，Ni 2+濃度為0.3g/L，添加劑B為氯化鋅，且濃度為0.5g/L ；
(2)銅箔電鍍:將粗化、固化處理后的12微米電解銅箔放入含有步驟(I)電解液的電鍍槽中進(jìn)行電鍍，銅箔經(jīng)過電解液的車速為25m/min，電鍍時電解液pH為9.5，溫度為35°C，電流密度為1.0A/dm2，電鍍時間為7s。
[0009]取經(jīng)過上述表面處理后制成的覆銅箔樣品，將膠帶紙覆蓋在樣品的光面上，繼而室溫浸入FeCl3蝕刻液(濃度為38wt%)中進(jìn)行蝕刻，觀察毛面寬度與光面寬度的變化。
[0010]實施例2 一種減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝，包括如下步驟:(1)電解液的制備:將絡(luò)合劑焦磷酸鉀、硫酸鈷、硫酸鎳、添加劑B混合后，溶于水得到澄清溶液，且溶液中K4P2Or^度為55g/L，Co2+濃度為2.5g/L，Ni 2+濃度為1.0g/L，添加劑B (添加劑B為氯化亞鐵和檸檬酸鈉的混合物，氯化亞鐵與檸檬酸鈉的摩爾比為3:2)濃度為1.0g/L ； (2)銅箔電鍍:將粗化、固化處理后的12微米電解銅箔放入含有步驟(I)電解液的電鍍槽中進(jìn)行電鍍，銅箔經(jīng)過電解液的車速為35m/min，電鍍時電解液pH為10.5，溫度為40°C，電流密度為1.5A/dm2，電鍍時間為4s。
[0011]將通過上述表面處理后制成的覆銅箔樣品，將膠帶紙覆蓋在光面上，繼而室溫浸入FeCl3蝕刻液(濃度為38wt%)中進(jìn)行蝕刻，觀察毛面寬度與光面寬度的變化。
[0012]實施例3
一種減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝，包括如下步驟:(I)電解液的制備:將絡(luò)合劑焦磷酸鉀、硫酸鈷、硫酸鎳、添加劑B混合后，溶于水，得到澄清溶液，絡(luò)合劑中K4P2O7*度為45g/L，Co2+濃度為1.6g/L，Ni 2+濃度為0.8g/L，添加劑B (添加劑B為氯化鋅和檸檬酸鈉的混合物，氯化鋅和檸檬酸鈉的摩爾比為4:7)濃度為1.5g/L ; (2)銅箔電鍍:將粗化、固化處理后的12微米電解銅箔放入含有步驟(I)電解液的電鍍槽中進(jìn)行電鍍，銅箔經(jīng)過電解液的車速為30m/min，電鍍時電解液pH為11.5，溫度為45°C，電流密度為1.3A/dm2，電鍍時間為6s。
[0013]將通過上述表面處理后制成的覆銅箔樣品，將膠帶紙覆蓋在光面上，繼而室溫浸入FeCl3蝕刻液(濃度為38wt%)中進(jìn)行蝕刻，觀察毛面寬度與光面寬度的變化。
[0014]蝕刻方法:
①FeCl3蝕刻液500mL(濃度為38wt% FeCl 3的水溶液)；
②用1cmX 1cm干燥覆銅箔③將②完全浸入①中30秒，用純水沖洗3~5次；④取出干燥觀察毛面寬度與光面寬度的變化
實施例1至3所制成的覆銅箔樣品毛面寬度比光面寬度依次減少了 0.1mm、0.05mm、
0.08mm。本發(fā)明研發(fā)的表面處理工藝，通過形成比較穩(wěn)定的Co-Ni 二元合金鍍層，在一定程度上有效減少了電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的發(fā)生。
【主權(quán)項】
1.一種減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝，其特征在于，包括如下步驟: (1)電解液的制備:將絡(luò)合劑焦磷酸鉀、硫酸鈷、硫酸鎳和添加劑B混合后，溶于水中得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7濃度為30g/L~55g/L，Co2+濃度為0.7g/L~2.5g/L，Ni 2+濃度為0.3g/L-l.0g/L，添加劑B濃度為0.5g/L-l.5g/L，其中添加劑B中陽離子為Na+、Zn2+和Fe 2+中的至少一種，陰離子為氯離子和檸檬酸根離子中的至少一種； (2)銅箔電鍍:將預(yù)處理后的銅箔放入含有步驟(I)電解液的電鍍槽中進(jìn)行電鍍。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝，其特征在于，步驟(2)中進(jìn)行電鍍時，電解液的PH為9.5-11.5，溫度為35-45°C，通入陽極板上直流電的電流密度為 1.0-1.5A/dm20
【專利摘要】一種減少電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的表面處理工藝，包括如下步驟：（1）電解液的制備：將絡(luò)合劑焦磷酸鉀、硫酸鈷、硫酸鎳和添加劑B混合后，溶于水中得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7？濃度為30g/L~55g/L，Co2+濃度為0.7g/L~2.5g/L，Ni2+濃度為0.3g/L-1.0g/L，添加劑B濃度為0.5g/L-1.5g/L，其中添加劑B中陽離子為Na+、Zn2+和Fe2+中的至少一種，陰離子為氯離子和檸檬酸根離子中的至少一種；（2）銅箔電鍍：將預(yù)處理后的銅箔放入含有步驟（1）電解液的電鍍槽中進(jìn)行電鍍。本發(fā)明主要是在鍍鈷溶液中添加硫酸鎳，形成Co-Ni二元合金鍍層，減少了電解銅箔側(cè)蝕現(xiàn)象的發(fā)生。
【IPC分類】C25D7/06, C25D3/56
【公開號】CN105018985
【申請?zhí)枴緾N201510485034
【發(fā)明人】李應(yīng)恩, 樊斌鋒, 王建智, 韓樹華, 何鐵帥, 張欣, 韓曉琳
【申請人】靈寶華鑫銅箔有限責(zé)任公司
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年8月10日