新型發(fā)光化合物以及包含其的有機(jī)發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光化合物由于空穴和電子傳輸特性優(yōu)異、藍(lán)色發(fā)光維持及發(fā)光效率優(yōu)異且具有高色純度、高效率和長壽命而在應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光元件時(shí)能夠顯示出優(yōu)異的元件特性。
【專利說明】
新型發(fā)光化合物從及包含其的有機(jī)發(fā)光元件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及新型發(fā)光化合物W及包含其的有機(jī)發(fā)光元件。
【背景技術(shù)】
[0002] 最近，自發(fā)光型的可低電壓驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光元件與作為平板顯示元件的主流的液 晶顯示器化CD, liquid C巧Stal display)相比，視場角、對比度等更優(yōu)異，不需要背光，可 實(shí)現(xiàn)輕量及薄型，在耗電方面上也有利，顏色再現(xiàn)范圍寬，從而作為下一代顯示元件受到關(guān) 注。
[0003] 有機(jī)發(fā)光元件中用作有機(jī)物層的材料按功能大致可分為發(fā)光材料、空穴注入材 料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料、電子注入材料等。上述發(fā)光材料按分子量可分為高分子 和低分子，按發(fā)光機(jī)理可分為來自電子的單重激發(fā)態(tài)的巧光材料、W及來自電子的=重激 發(fā)態(tài)的憐光材料，發(fā)光材料按發(fā)光顏色可分為藍(lán)色、綠色、紅色發(fā)光材料、W及為了呈現(xiàn)更 好的天然色所需的黃色和澄色發(fā)光材料。此外，為了增加通過色純度的增加和能量轉(zhuǎn)移的 發(fā)光效率，可W使用主體/滲雜劑體系作為發(fā)光物質(zhì)。其原理如下：如果在發(fā)光層中混合少 量的與主要構(gòu)成發(fā)光層的主體相比能帶隙小且發(fā)光效率優(yōu)異的滲雜劑，則在主體中產(chǎn)生的 激子傳輸?shù)綕B雜劑而發(fā)出效率高的光。此時(shí)，主體的波長向滲雜劑的波段移動(dòng)，因此可W根 據(jù)所使用的滲雜劑和主體的種類，得到所期望的波長的光。
[0004] 目前為止，作為用于運(yùn)樣的有機(jī)發(fā)光元件的物質(zhì)，已知多種化合物，但在利用W往 已知的物質(zhì)的有機(jī)發(fā)光元件的情況下，由于高驅(qū)動(dòng)電壓、低效率、W及短壽命而在實(shí)用化方 面存在許多困難。因此，為了利用具有優(yōu)異特性的物質(zhì)來開發(fā)出具有低電壓驅(qū)動(dòng)、高亮度及 長壽命的有機(jī)發(fā)光元件而不斷努力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決如上所述的問題，本發(fā)明的目的在于，提供一種新型發(fā)光化合物，其空穴 和電子傳輸特性優(yōu)異，藍(lán)色發(fā)光維持及發(fā)光效率優(yōu)異，能夠具有高色純度、高效率和長壽 命。
[0006] 本發(fā)明的目的還在于，提供通過包含上述化合物而能夠?qū)崿F(xiàn)低驅(qū)動(dòng)電壓、藍(lán)色發(fā) 光維持及發(fā)光效率優(yōu)異、高色純度、高效率和長壽命的有機(jī)發(fā)光元件。
[0007] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供下述化學(xué)式1所表示的發(fā)光化合物：
[000引[化學(xué)式1]
[0009]
[0010] 上述式中，
[0011] X各自獨(dú)立地為0、S、Se或化，
[001^ Ar為被気、面素、氨基、氯基、硝基、Cl-30的烷基、C2-3G的締基、C2-3G的烘基、Cl-30的燒 氧基、C6-30的芳氧基、C6-30的芳基或C2-30的雜芳基取代或未取代的C6-50的芳基;或者被気、面 素、氨基、氛基、硝基、Cl-3日的烷基、C2-3日的締基、C2-3日的烘基、Cl-3日的烷氧基、Cs-3日的芳氧基、 C6-30的芳基或C2-30的雜芳基取代或未取代的C2-50的雜芳基，
[001引 Ri、R2、R3和R4各自獨(dú)立地為氨；気；被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的 Cl-30的烷基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C2-30的締基;被気、面素、氨基、氯 基、硝基取代或未取代的C2-30的烘基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的打-30的燒 氧基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C6-30的芳氧基;被気、面素、氨基、氯基、 硝基取代或未取代的C6-50的芳基;或者被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C2-50的 雜芳基，
[0014] *-為結(jié)合部位，
[001引 n為1或2,當(dāng)n為2時(shí)，Ar不存在。
[0016] 此外，本發(fā)明提供包含上述化學(xué)式1所表示的化合物的有機(jī)發(fā)光元件。
[0017] 本發(fā)明的發(fā)光化合物由于空穴和電子傳輸特性優(yōu)異、藍(lán)色發(fā)光維持及發(fā)光效率優(yōu) 異且具有高色純度、高效率和長壽命而在應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光元件時(shí)能夠顯示出優(yōu)異的元件特 性。
【附圖說明】
[001引圖1示意性示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的OL邸的截面。
[0019] 附圖符號
[0020] 10:基板
[0021] 11:陽極（皆耳）
[0022] 12:空穴注入層
[00剖 13:空穴傳輸層
[0024] 14:發(fā)光層
[00巧]15:電子傳輸層 [0026] 16:陰極(音尋）
【具體實(shí)施方式】
[0027]本發(fā)明的化合物的特征在于由下述化學(xué)式I表示。
[002引[化學(xué)式1]
[0029]
[0030] 上述式中，
[0031] X各自獨(dú)立地為0、S、Se或化，
[0032] Ar為被気、面素、氨基、氯基、硝基、Ci-30的烷基、C2-30的締基、C2-30的烘基、Ci-30的燒 氧基、C6-30的芳氧基、C6-30的芳基或C2-30的雜芳基取代或未取代的C6-50的芳基;或者被気、面 素、氨基、氛基、硝基、Cl-3日的烷基、C2-3日的締基、C2-3日的烘基、Cl-3日的烷氧基、Cs-3日的芳氧基、 C6-30的芳基或C2-30的雜芳基取代或未取代的C2-50的雜芳基，
[0033] Ri、R2、R3和R4各自獨(dú)立地為氨；気；被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的 Cl-30的烷基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C2-30的締基;被気、面素、氨基、氯 基、硝基取代或未取代的C2-30的烘基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的打-30的燒 氧基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C6-30的芳氧基;被気、面素、氨基、氯基、 硝基取代或未取代的C6-50的芳基;或者被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C2-50的 雜芳基，
[0034] *-為結(jié)合部位，
[0035] n為1或2,當(dāng)n為2時(shí)，Ar不存在。
[0036] 本發(fā)明中，上述化學(xué)式1所表示的化合物可W為下述化學(xué)式化學(xué)式2~5所表示的 化合物中的一種。
[0037] [化學(xué)式2]
[0038；
[0039][化學(xué)式3]
[0040]
[0045] 上述化學(xué)式2~5中，X、Ar、Ri、化、R3和R4與化學(xué)式I中的定義相同。[0046] 本發(fā)明中，上述化學(xué)式1所表示的化合物的優(yōu)選例如下：
[0041]
[0042]
[0043]
[0044]























[0071]
[0072] 根據(jù)本發(fā)明的化學(xué)式I的化合物由于空穴和電子傳輸特性優(yōu)異、藍(lán)色發(fā)光維持及 發(fā)光效率優(yōu)異且具有高色純度、高效率和長壽命而在應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光元件時(shí)能夠顯示出優(yōu) 異的元件特性。
[0073] 此外，本發(fā)明的化合物可W通過下述反應(yīng)式1來制造：
[0074] [反應(yīng)式。
[0075；
[0076] 上述反應(yīng)式1中，上述反應(yīng)式中，X、Ar、Ri、R2、R3和R4與化學(xué)式1中的定義相同，R各 自獨(dú)立地與化學(xué)式1的各自獨(dú)立地化學(xué)式1的Ri或化相同。
[0077] 更具體而言，本發(fā)明的化學(xué)式2~5的化合物各自可W通過下述反應(yīng)式2~5來制 造。
[007引[反應(yīng)式2]
的有機(jī)物層，對上述有機(jī)發(fā)光元件的制造方法如下進(jìn)行說明。
[0089] 上述有機(jī)發(fā)光元件可W在陽極（anode)與陰極（cathode)之間包含空穴注入層 化IL)、空穴傳輸層化TL)、發(fā)光層化ML)、電子傳輸層巧化）、電子注入層化IL)等有機(jī)物層一 層W上。
[0090] 首先，在基板上部蒸鍛具有高功函數(shù)的陽極電極用物質(zhì)而形成陽極。此時(shí)，上述基 板可W使用通常的有機(jī)發(fā)光元件中所使用的基板，特別是使用機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明 性、表面平滑性、操作容易性W及防水性優(yōu)異的玻璃基板或透明塑料基板為佳。此外，作為 陽極電極用物質(zhì)，可W使用透明且導(dǎo)電性優(yōu)異的氧化銅錫（ITO)、氧化銅鋒（IZO)、氧化錫 (Sn化）、氧化鋒(ZnO)等。上述陽極電極用物質(zhì)可W通過通常的陽極形成方法來蒸鍛，具體 可W通過蒸鍛法或瓣射法來蒸鍛。
[0091 ] 其次，可W通過真空蒸鍛法、旋涂法、誘注法、LB (Langmuir-Blodgett，朗格繆爾布 洛杰特)法等方法，在上述陽極電極上部形成空穴注入層物質(zhì)，但從容易獲得均勻的膜質(zhì)、 并且不易產(chǎn)生針孔（巧句晉）等的方面考慮，優(yōu)選通過真空蒸鍛法來形成。在通過上述真 空蒸鍛法來形成空穴注入層的情況下，其蒸鍛條件雖然根據(jù)用作空穴注入層的材料的化合 物、目標(biāo)空穴注入層的結(jié)構(gòu)和熱特性等而不同，但通常優(yōu)選在50-500°C的蒸鍛溫度、1(T8~ 1 (T3托(torr)的真空度、〇..〇 1 一][ 00乂/see的蒸鍛速度、10心~5仰前層厚范圍內(nèi)適當(dāng) 選擇。
[0092] 上述空穴注入層物質(zhì)沒有特別限制，可W使用美國專利第4,356,429號中所公開 的獻(xiàn)菁銅等獻(xiàn)菁化合物或星型胺（么詞?刮么長讀鐘巧）衍生物類即TCTA(4,4'，4"- = (N-巧挫基)S苯基胺）、m-MTDATA(4,4'，4"-S(3-甲基苯基氨基)S苯基胺）、m-MTDAPB (4,4'，4"-S(3-甲基苯基氨基)苯氧基苯）、HI-406(Nl，Nl'-(聯(lián)苯-4,4'-二基)雙(Nl-(糞- 1-基)-N4，N4-二苯基苯-1,4-二胺)等作為空穴注入層物質(zhì)。
[0093] 其次，可W通過真空蒸鍛法、旋涂法、誘注法、LB法等方法，在上述空穴注入層上部 形成空穴傳輸層物質(zhì)，但從容易獲得均勻的膜質(zhì)、并且不易產(chǎn)生針孔等的方面考慮，優(yōu)選通 過真空蒸鍛法來形成。在通過上述真空蒸鍛法來形成空穴傳輸層的情況下，其蒸鍛條件雖 然根據(jù)所使用的化合物而不同，但一般在與空穴注入層的形成幾乎相同的條件范圍內(nèi)選擇 為佳。
[0094] 此外，上述空穴傳輸層物質(zhì)沒有特別限制，可W從空穴傳輸層中所使用的通常的 公知物質(zhì)中任意選擇使用。具體地說，上述空穴傳輸層物質(zhì)可W使用N-苯基巧挫、聚乙締巧 挫等巧挫衍生物，N，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基-[1,1-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)、N， N'-二(糞-1-基)-N，N'-二苯基聯(lián)苯胺(a-NPD)等具有芳香族稠環(huán)的通常的胺衍生物等。 [00M] 之后，可W通過真空蒸鍛法、旋涂法、誘注法、LB法等方法，在上述空穴傳輸層上部 形成發(fā)光層物質(zhì)，但從容易獲得均勻的膜質(zhì)、并且不易產(chǎn)生針孔等的方面考慮，優(yōu)選通過真 空蒸鍛法來形成。在通過上述真空蒸鍛法來形成發(fā)光層的情況下，其蒸鍛條件雖然根據(jù)所 使用的化合物而不同，但通常在與空穴注入層的形成幾乎相同的條件范圍內(nèi)選擇為佳。此 夕h上述發(fā)光層材料可W使用本發(fā)明的化學(xué)式1所表示的化合物作為主體或滲雜劑。
[0096]在使用上述化學(xué)式1所表示的化合物作為發(fā)光主體的情況下，可W將憐光或巧光 滲雜劑一起使用形成發(fā)光層。此時(shí)，作為巧光滲雜劑，可W使用從出光興產(chǎn)公司（Idemitsu 公司）可購入的IDE102、IDE105或抓142(妒，護(hù)2-雙(3,4-二甲基苯基)-滬卻2-二.萊基;蠢-6， 12-二胺），作為憐光滲雜劑，可W共同真空蒸鍛(滲雜)有綠色憐光滲雜劑Ir(ppy)3(S(2- 苯基化晚)合銀）、作為藍(lán)色憐光滲雜劑的F2Irpic(雙[4,6-二氣苯基化晚-N，C2/]郵晚甲酯 合銀（III)，iridium(III )bis[4,6-di-f luorophenyl-pyridinato-N,02^ ]picolinate)、 UDC公司的紅色憐光滲雜劑RD61等。滲雜劑的滲雜濃度沒有特別限制，但相對于主體100重 量份，優(yōu)選WO.Ol~15重量份滲雜有滲雜劑。如果滲雜劑的含量小于0.01重量份，則存在因 滲雜劑量不充分而顯色無法順利完成的問題，在超過15重量份的情況下，存在因濃度巧滅 現(xiàn)象而效率急劇降低的問題。
[0097] 此外，在發(fā)光層中并用憐光滲雜劑的情況下，為了防止=重態(tài)激子或空穴擴(kuò)散到 電子傳輸層的現(xiàn)象，優(yōu)選通過真空蒸鍛法或旋涂法，進(jìn)一步層疊空穴阻擋材料化BL)。此時(shí) 可使用的空穴阻擋物質(zhì)沒有特別限制，可W從用作空穴阻擋材料的公知的材料中選擇任一 種來使用。例如可W舉出t#二挫衍生物、=挫衍生物、菲咯嘟衍生物或日本特開平11- 3297%(A1)中所記載的空穴阻擋材料等，可W代表性地使用Balq(雙（8-徑基-2-甲基哇 口林）-聯(lián)苯酪侶）、菲咯嘟（phenanthrolines)系化合物（例如，UDC公司的BCP (Batho 州 proine，浴銅靈））等。
[0098] 在如上形成的發(fā)光層上部，形成電子傳輸層，此時(shí)，上述電子傳輸層通過真空蒸鍛 法、旋涂法、誘注法等方法來形成，特別優(yōu)選通過真空蒸鍛法來形成。
[0099] 上述電子傳輸層材料發(fā)揮將從電子注入電極注入的電子穩(wěn)定地傳輸?shù)淖饔?，其種 類沒有特別限制，例如可W使用哇嘟衍生物，特別是^(8-徑基哇嘟)侶(Alqs)、或ET4(6， 6'-(3,4-二萊基-1,1-二甲基-IH-嚷咯-2,5-二基）二-2,2'-聯(lián)化晚（6，6'-(3,4- 坤刮A]皂-1，1-馬呵導(dǎo)-IH-召善-2，S-勾智)啤2，2 ' -刮詞司巧))。此外，在電子傳 輸層上部，可W層疊具有容易使電子從陰極注入的作用的物質(zhì)、即電子注入層化IL)，作為 電子注入層物質(zhì)，可W利用^。、船(：1、〔3。心2〇、8曰0等物質(zhì)。
[0100] 此外，上述電子傳輸層的蒸鍛條件根據(jù)所使用的化合物而不同，但一般在與空穴 注入層的形成幾乎相同的條件范圍內(nèi)選擇為佳。
[0101] 之后，在上述電子傳輸層上部，可W形成電子注入層物質(zhì)，此時(shí)，關(guān)于上述電子傳 輸層，可W通過真空蒸鍛法、旋涂法、誘注法等方法來形成通常的電子注入層物質(zhì)，特別優(yōu) 選通過真空蒸鍛法來形成。
[0102] 最后，通過真空蒸鍛法或瓣射法等方法，在電子注入層上部形成陰極形成用金屬， 從而用作陰極。在此，作為陰極形成用金屬，可W使用具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電性化 合物W及它們的混合物。作為具體例，有裡化i)、儀(Mg)、侶(Al)、侶-裡(Al-Li)、巧(Ca)、 儀-銅(Mg-In)、儀-銀(Mg-Ag)等。此外，為了得到頂部發(fā)光元件（??當(dāng)脅么；^]* )，也 可W采用使用口 0、IZ0的透射型陰極。
[0103] 本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件不僅能夠?qū)崿F(xiàn)陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光元件，而且能夠?qū)崿F(xiàn)多種結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光元件 的結(jié)構(gòu)，也可W根據(jù)需要進(jìn)一步形成一層或兩層的中間層。
[0104] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明形成的各有機(jī)物層的厚度可W根據(jù)所要求的程度來調(diào)節(jié)， 優(yōu)選為10~1000 nm，更優(yōu)選為20~150nm D
[0105] 此外，本發(fā)明的包含上述化學(xué)式I所表示的化合物的有機(jī)物層由于能夠W分子單 位調(diào)節(jié)有機(jī)物層的厚度，因此存在表面均勻、形態(tài)穩(wěn)定性優(yōu)異的優(yōu)點(diǎn)。
[0106] 本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件的低驅(qū)動(dòng)電壓、藍(lán)色發(fā)光維持及發(fā)光效率優(yōu)異，具有高色 純度、高效率和長壽命等優(yōu)異的元件特性。
[0107] W下，為了有助于理解本發(fā)明，公開優(yōu)選的實(shí)施例，但下述實(shí)施例只不過例示本發(fā) 明，本發(fā)明的范圍并不限于下述實(shí)施例。
[0108] 中間體A的合成
[0109；
[0110] [A-1 的合成]
[0111] 在圓底燒瓶中，將苯并巧喃-2-基棚酸28.5g、5-漠-2-艦苯甲酸甲醋50g溶解于甲 苯600ml，加入220ml的K2C03(2M)和5.1g的Pd(PPh3)4,然后進(jìn)行回流攬拌。通過TLC確認(rèn)反 應(yīng)，并添加水，然后終止反應(yīng)。將有機(jī)層用EA提取并減壓過濾后，上柱精制，得到35.?的中 間體A-U收率72%)。
[0112] [A-2 的合成]
[0113] 將35g的上述A-I溶解于THF 800ml，然后將溫度降低至(TC。緩慢添加105ml的 C出MgBr,緩慢提升至常溫并攬拌1小時(shí)，然后進(jìn)行回流攬拌。將有機(jī)層用MC提取并減壓過 濾，然后上柱精制，得到25.2g的中間體A-2川欠率70% )。
[0114] [A的合成]
[0115] 將25g的上述A-2中加入乙酸250ml和鹽酸Iml后，回流攬拌24小時(shí)，然后將溫度降 低至常溫。將析出的固體過濾后，上柱精制，得到14.2g的中間體A(收率60%)。
[0116] 中間化B的合成
[0117]
[0118] [B-1 的合成]
[0119] 在圓底燒瓶中，將苯并巧喃-2-基棚酸28.5g、5-漠-2-艦苯甲酸甲醋50g溶解于甲 苯600ml，加入220ml的K2C03(2M)和5.1g的Pd(PPh3)4,然后進(jìn)行回流攬拌。通過TLC確認(rèn)反 應(yīng)，并添加水，然后終止反應(yīng)。將有機(jī)層用EA提取并減壓過濾后，上柱精制，得到35.?的中 間體B-U收率72%)。
[0120] [B-2 的合成]
[0121] 將35g的上述B-I溶解于THF 850ml，然后將溫度降低至(TC。緩慢添加105ml的 PhM濁r，緩慢提升至常溫并攬拌I小時(shí)，然后進(jìn)行回流攬拌。將有機(jī)層用MC提取并減壓過濾， 然后上柱精制，得到33.7g的中間體B-2川欠率70% )。
[0122] [B的合成]
[0123] 在3：3g的上述B-2中加入乙酸330ml和鹽酸1.3ml后，回流攬拌24小時(shí)，然后將溫度 降低至常溫。將析出的固體過濾后，上柱精制，得到20.6g的中間體B(收率65%)。
[0124] 中間體C的合成
[0125
[0126] [C-1 的合成]
[0127] 在圓底燒瓶中，將苯并[b]嚷吩-2-基棚酸31.3g、5-漠-2-艦苯甲酸甲醋50g溶解于 甲苯600ml，加入220ml的K2CO3(2M)和5. Ig的PcKPI%3)4，然后進(jìn)行回流攬拌。通過TLC確認(rèn)反 應(yīng)，并添加水，然后終止反應(yīng)。將有機(jī)層用EA提取并減壓過濾后，上柱精制，得到38.2g的中 間體C-U收率75%)。
[012引[C-2的合成]
[0129] 將38g的上述C-I溶解于THF 900ml，然后將溫度降低至(TC。緩慢添加IlOml的 C出MgBr,緩慢提升至常溫并攬拌1小時(shí)，然后進(jìn)行回流攬拌。將有機(jī)層用MC提取并減壓過 濾，然后上柱精制，得到26.6g的中間體C-2川欠率70% )。
[0130] [C的合成]
[0131] 在26g的上述C-2中加入乙酸260ml和鹽酸Iml后，回流攬拌24小時(shí)，然后將溫度降 低至常溫。將析出的固體過濾后，上柱精制，得到14.Sg的中間體C(收率60%)。
[0132] 中間體D的合成
[0134」 LD-I的合成」
[0135] 在圓底燒瓶中，將苯并[b]嚷吩-2-基棚酸31.3g、5-漠-2-艦苯甲酸甲醋50g溶解于 甲苯600ml，加入220ml的K2CO3(2M)和5. Ig的PcKPI%3)4，然后進(jìn)行回流攬拌。通過TLC確認(rèn)反 應(yīng)，并添加水，然后終止反應(yīng)。將有機(jī)層用EA提取并減壓過濾后，上柱精制，得到38.2g的中 間體D-U收率75%)。
[0136] [D-2 的合成]
[0137] 將38g的上述D-I溶解于THF 900ml，然后將溫度降低至(TC。緩慢添加IlOml的 PhM濁r，緩慢提升至常溫并攬拌1小時(shí)，然后進(jìn)行回流攬拌。將有機(jī)層用MC提取并減壓過濾， 然后上柱精制，得到36.6g的中間體D-2川欠率71 % )。
[0138] [D的合成]
[0139] 在36g的上述D-2中加入乙酸360ml和鹽酸1.5ml后，回流攬拌24小時(shí)，然后將溫度 降低至常溫。將析出的固體過濾后，上柱精制，得到23.?的中間體D(收率67%)。
[0140] 帝輸債Ih .A成
[0141]
[0142] :A、3.4g的（10-苯基蔥-9-基）棚酸溶解于甲苯 100mL (P化3) 4，然后進(jìn)行回流攬拌。通過化(：確認(rèn)反應(yīng)， 如果技 MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到2. Og的化合 物1川《
[0143]
[0144]
[0145] ^、4.0邑的（10-(糞-2-基）蔥-9-基)棚酸溶解于甲 苯1051 ]Pd(PPh3)4,然后進(jìn)行回流攬拌。通過IlX確認(rèn)反 應(yīng)，如； 言用MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到2. Ig的 化合彩
[0146]
[0147]
[014引在圓底燒瓶中，將3.Og的中間體A、4.Og的（10-(糞-1-基)蔥-9-基)棚酸溶解于甲 苯105ml，加入15ml的K2C03(2M)和0.33g的Pd(PPh3)4,然后進(jìn)行回流攬拌。通過IlX確認(rèn)反 應(yīng)，如果反應(yīng)結(jié)束，則添加水，然后將有機(jī)層用MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到2.3g的 化合物3川欠率44%)。
[0149]實(shí)施例4:化合物4的合成
[0150]
[0151] ^八、4.3邑的（1〇-([1，1，-聯(lián)苯]-4-基）蔥-9-基)棚酸 溶解于 ）和0.3：3g的Pd?；? )4，然后進(jìn)行回流攬拌。通過IlX 確認(rèn)反 言將有機(jī)層用MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到 2. Og 的
[0152]
[0153]
[0154] ^八、4.3邑的（1〇-([1，1'-聯(lián)苯]-3-基）蔥-9-基)棚酸 溶解于 ）和0.3：3g的Pd?；? )4，然后進(jìn)行回流攬拌。通過IlX 確認(rèn)反 言將有機(jī)層用MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到 2.4g 的
[0155]
[0156]
[0157] ^八、4.3邑的（1〇-([1，1'-聯(lián)苯]-2-基）蔥-9-基）棚酸 溶解于 ）和〇.3：3g的PcKP化3)4,然后進(jìn)行回流攬拌。通過IlX 確認(rèn)反 言將有機(jī)層用MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到 2.2g 的
[015 引
[0159]
[0160] 在圓底燒瓶中，將2.5g的中間體A、4.Og的（10-(4-(糞-1-基)苯基)蔥-9-基)棚酸 溶解于甲苯100ml，加入12ml的K2C03(2M)和0.3g的Pd(PPh3)4,然后進(jìn)行回流攬拌。通過IlX 確認(rèn)反應(yīng)，如果反應(yīng)結(jié)束，則添加水，然后將有機(jī)層用MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到 2.2g的化合物7川欠率45%)。
[0161] 實(shí)施例8:化合物8的合成
[0162]
[0163] \、4. Og 的（10-(4-(糞-2-基)苯基）蔥-9-基）棚酸
溶解3 陽〇.3g的Pd(PPh3)4,然后進(jìn)行回流攬拌。通過IlX 確認(rèn)^ 將有機(jī)層用MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到 2.：3g 白'
[0164]
[01 化]
[0166] \、4.Og 的（10-(3-(糞-1-基)苯基）蔥-9-基）棚酸 溶解3 陽〇.3g的Pd(PPh3)4,然后進(jìn)行回流攬拌。通過IlX 確認(rèn)^ 將有機(jī)層用MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到 2.：3g 白'
[0167]
[016 引
[0169] \、4. Og 的（10-(3-(糞-2-基)苯基）蔥-9-基）棚酸 溶解3 陽〇.3g的Pd(PPh3)4,然后進(jìn)行回流攬拌。通過IlX 確認(rèn)^ 將有機(jī)層用MC提取。減壓過濾后，上柱精制，得到 2. Ig白'
[0170]
[0171]
[0172] 用中間體B來代替中間體A進(jìn)行反應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物1相同的方法來 合成化合物11。
[0173] 實(shí)施例12:化合物12的合成
[0174]
[0175] 、，通過與上述化合物2相同的方法來 合成化
[0176]
[0177]
[0178] 、，通過與上述化合物3相同的方法來 合成化
[0179]
[0180]
[0181] 、，通過與上述化合物4相同的方法來 合成化
[0182]
[0183]
[0184] 用中間體B來代替中間體A進(jìn)行反應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物5相同的方法來 合成化合物15。
[0185] 實(shí)施例16:化合物16的合成
[0186]
[0187] ，除此之外，通過與上述化合物6相同的方法來
合成仙
[018 引
[0189]
[0190] ，除此之外，通過與上述化合物7相同的方法來 合成仙
[0191]
[0192]
[0193] ，除此之外，通過與上述化合物8相同的方法來 合成仙
[0194]
[0195]
[0196] 用中間體B來代替中間體A進(jìn)行反應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物9相同的方法來 合成化合物19。
[0197] 實(shí)施例20:化合物20的合成
[0198
[0199 應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物10相同的方法
來合j [0200
[0201
[0202 立，除此之外，通過與上述化合物1相同的方法來 合成^
[0203
[0204
[0205 立，除此之外，通過與上述化合物2相同的方法來 合成^
[0206
[0207
[0208 立，除此之外，通過與上述化合物3相同的方法來 合成^
[0209
[0210
[0211]用中間體C來代替中間體A進(jìn)行反應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物4相同的方法來 合成化合物24。
[0213]
[0212] 實(shí)施例25:化合物25的合成
[0214] 此之外，通過與上述化合物5相同的方法來 合成本
[0215]
[0216]
[0217] 此之外，通過與上述化合物6相同的方法來 合成本
[021 引
[0219]
[0220] 此之外，通過與上述化合物7相同的方法來 合成本
[0221]
[0222]
[0223] 此之外，通過與上述化合物8相同的方法來 合成本
[0224]
[0225]
[0226] 用中間體C來代替中間體A進(jìn)行反應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物9相同的方法來 合成化合物29。
[0227]實(shí)施例30:化合物30的合成 [022引
[0229] 應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物10相同的方法 來合成
[0230]
[0231]
[0232] 立，除此之外，通過與上述化合物1相同的方法來 合成化
[0233]
[0234]
[0235] 立，除此之外，通過與上述化合物2相同的方法來 合成化
[0236]
[0237]
[0238] 用中間體D來代替中間體A進(jìn)行反應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物3相同的方法來 合成化合物33。
[0239] 實(shí)施例34:化合物34的合成
[0240；
[0241； k之外，通過與上述化合物4相同的方法來
合成4 [0242；
[0243；
[0244； k之外，通過與上述化合物5相同的方法來 合成4 [0245；
[0246；
[0247； k之外，通過與上述化合物6相同的方法來 合成4 [0248；
[0249；
[0250] 用中間體D來代替中間體A進(jìn)行反應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物7相同的方法來 合成化合物37。
[0251] 實(shí)施例38:化合物38的合成
[0 巧 2]
[0253] ;，除此之外，通過與上述化合物8相同的方法來
合成化 [0 巧 4]
[0 巧5]
[0256] ;，除此之外，通過與上述化合物9相同的方法來 合成化 [0 巧 7]
[0巧引
[0259] 用中間體D來代替中間體A進(jìn)行反應(yīng)，除此之外，通過與上述化合物10相同的方法 來合成化合物40。
[0260] 有機(jī)發(fā)光元件的制造
[0261] 按照圖1中所記載的結(jié)構(gòu)，制造有機(jī)發(fā)光元件。關(guān)于有機(jī)發(fā)光元件，從下依次層疊 陽極（脅尋）(空穴注入電極11)/空穴注入層12/空穴傳輸層13/發(fā)光層14/電子傳輸層15/ 陰極（善號）(電子注入電極16)。
[0262] 實(shí)施例和比較例的空穴注入層12、空穴傳輸層13、發(fā)光層14、電子傳輸層15使用了 如下物質(zhì)。

[02化]實(shí)施例41
[0266] 將WisooA厚度薄膜涂布有氧化銅錫(ITO)的玻璃基板用蒸饋水超聲波清洗。蒸 饋水清洗結(jié)束后，用異丙醇、丙酬、甲醇等溶劑進(jìn)行超聲波清洗并干燥，然后移送至等離子 清洗機(jī)后，利用氧等離子體，將上述基板清洗5分鐘后，利用熱真空鍛膜機(jī)（thermal evaporator),在ITO基板上部，制造空穴注入層HT01:6:(M藻、作為空穴傳輸層的化合物1 250A的膜。然后，作為上述發(fā)光層，滲雜化合物i:bdo15%，制造250 乂的膜。然后，作為電 子傳輸層，WETOl :Liq(l:l)制造300A的膜后，審雌LiFioA的膜、侶(Al)1000 A的膜， 將該元件在手套箱中密封化ncapsulation)，從而制作有機(jī)發(fā)光元件。
[0267] 實(shí)施例42~實(shí)施例80
[0268] 通過與上述實(shí)施例41相同的方法，制作分別使用化合物2~40來代替化合物1而制 造空穴注入層和空穴傳輸層的有機(jī)發(fā)光元件。
[0269] 比較例1
[0270] 使用AND來代替上述實(shí)施例41的作為發(fā)光層的化合物1，除此之外，通過相同的方 法來制作元件。
[0271] 比較例2
[0272] 使用比較化合物1來代替上述實(shí)施例1的作為發(fā)光層的化合物1，除此之外，通過相 同的方法來制作元件。
[0273] 有機(jī)發(fā)光元件的性能評價(jià)
[0274] 通過吉時(shí)利2400數(shù)字源表化iethley 2400sou;rce measurement unit)施加電壓， 注入電子和空穴，利用柯尼卡美能達(dá)化onica Minolta)分光福射計(jì)(CS-2000)，測定發(fā)出光 時(shí)的亮度，從而在大氣壓條件下測定針對施加電壓的電流密度和亮度，評價(jià)實(shí)施例和比較 例的有機(jī)發(fā)光元件的性能，將其結(jié)果示于表1。
[0275] 表 1
[0276] [表1]
[027引
[0279] 如上述表1所示可確認(rèn)到，本發(fā)明的實(shí)施例與比較例I和2相比，驅(qū)動(dòng)電壓、效率和 壽命更優(yōu)異。運(yùn)被判斷為由本申請的4個(gè)環(huán)引起效率和壽命提高。
[0280] 產(chǎn)業(yè)上可利用性
[0281] 本發(fā)明的發(fā)光化合物由于空穴和電子傳輸特性優(yōu)異、藍(lán)色發(fā)光維持及發(fā)光效率優(yōu) 異且具有高色純度、高效率和長壽命而在應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光元件時(shí)能夠顯示出優(yōu)異的元件特 性。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種發(fā)光化合物，其由下述化學(xué)式1表示： 化學(xué)式1 上述式中，X各自獨(dú)立地為0、S、Se或Te， Ar為被氖、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-3Q的烷基、C2-3Q的烯基、C2-3Q的炔基、C1-3Q的烷氧基、 C6-30的芳氧基、C6-30的芳基或C2-3Q的雜芳基取代或未取代的C6- 5Q的芳基;或者被氘、鹵素、氨 基、氛基、硝基、Cl-3Q的烷基、C2-3Q的烯基、C2-3Q的炔基、Cl-3Q的烷氧基、C6-3Q的芳氧基、C6-30的 芳基或C2-30的雜芳基取代或未取代的C 2-5Q的雜芳基， Rl、R2、R3和R4各自獨(dú)立地為氫;氘;被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的Cl-30的 烷基;被氖、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-3Q的烯基;被氖、鹵素、氨基、氰基、硝 基取代或未取代的C2-3Q的炔基;被気、鹵素、氣基、氛基、硝基取代或未取代的Cl-3Q的烷氧基； 被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C6-30的芳氧基;被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取 代或未取代的C 6-5Q的芳基;或者被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-5Q的雜芳基， *_為結(jié)合部位， η為1或2，當(dāng)η為2時(shí)，Ar不存在。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光化合物，其特征在于，由下述化學(xué)式2~5中的一種化學(xué)式 表不：上述化學(xué)式2~5中，乂、六^1?1、1?2、1?3和1?4與化學(xué)式1中的定義相同。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光化合物，其特征在于，由下述化學(xué)式中的任一種表示：4. 一種化學(xué)式1的制造方法，其由下述反應(yīng)式1表示：反應(yīng)式1上述反應(yīng)式1中，上述反應(yīng)式中，XjrHJ3和R4與化學(xué)式1中的定義相同，R各自獨(dú)立 地與化學(xué)式1的各自獨(dú)立地化學(xué)式1的Ri或R2相同。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的化學(xué)式1的制造方法，其由下述反應(yīng)式2~5中的任一種表示： 反應(yīng)式2 上述反應(yīng)式中，XJhRhR^R3和R4與化學(xué)式1中的定義相同，R各自獨(dú)立地與化學(xué)式1的 各自獨(dú)立地化學(xué)式1的Ri或R2相同。6. -種有機(jī)發(fā)光元件，其包含陽極、陰極以及在兩個(gè)電極之間的含有權(quán)利要求1所述的 化合物的一層以上的有機(jī)物層。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光元件，其特征在于，所述有機(jī)物層含有權(quán)利要求1所 述的化合物作為發(fā)光主體或摻雜劑。
【文檔編號】H01L51/50GK105934497SQ201480073917
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2014年12月3日
【發(fā)明人】咸昊完, 金奉記, 安賢哲, 金成勛, 金東駿, 韓政佑, 金槿泰, 林東煥, 趙志恩
【申請人】東進(jìn)世美肯株式會社