電子傳送輔助層用組成物、含有電子傳送輔助層的有機光電元件及顯示元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其含有以下化學式1所示的化合物及以下化學式2所示的化合物；包含含有所述組成物的電子傳送輔助層的有機光電元件；及含有所述有機光電元件的顯示元件。
【專利說明】
電子傳送輔助層用組成物、含有電子傳送輔助層的有機光電 元件及顯示元件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明掲示一種電子傳送輔助層用組成物，及含有電子傳送輔助層的有機光電元 件及顯示元件。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機光電元件(organic optoelectric diode)是一種將電能轉(zhuǎn)換成光能且亦可 將光能轉(zhuǎn)換成電能的元件。
[0003] 有機光電元件根據(jù)其驅(qū)動原理可如下分類。一種為其中激子(exciton)由光能產(chǎn) 生、分離成電子及空穴，且電子及空穴傳遞至不同電極而產(chǎn)生電能的光電元件;且另一種為 向電極供應(yīng)電壓或電流W利用電能產(chǎn)生光能的發(fā)光二極管。
[0004] 有機光電元件的實例可為有機光電元件、有機發(fā)光二極管、有機太陽能電池W及 有機感光鼓（organic photo conductor drum) 〇
[0005] 其中，有機發(fā)光二極管(organic light emitting diode，0LED)近來已因平板顯 示器(flat panel display device)需求增加而受到關(guān)注。此類有機發(fā)光二極管藉由施加 電流至有機發(fā)光材料而將電能轉(zhuǎn)換成光。其具有在陽極(anode)與陰極(cathode)之間插入 有機層的結(jié)構(gòu)。
[0006] 重要的是，有機發(fā)光二極管實現(xiàn)長壽命全色顯示器，且為了實現(xiàn)長壽命全色顯示 器，應(yīng)確保藍色有機發(fā)光二極管的壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 技術(shù)問題
[000引一個實施例提供用于實現(xiàn)有機光電元件的長壽命特征的電子傳送輔助層用組成 物。
[0009] 另一個實施例提供因電子傳送輔助層而具有長壽命特征的有機光電元件。
[0010] 又一個實施例提供一種含有有機光電元件的顯示元件。
[0011] 技術(shù)解決方案
[0012] 根據(jù)一個實施例，提供有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，所述組成物包 含W下化學式1所示的化合物及W下化學式2所示的化合物。
[OOU][化學式1]
[0014；
[001引在化學式I中，
[0016] Z各自獨立地為N、C或CR3;
[0017] Z中的至少一者為N;
[001引 X各自獨立地為N、C或CRb;
[0019] R哇R4、R3及Rb各自獨立地為氨、気、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至ClO烷基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的C6至C12芳基，或其組合；
[0020] Li為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞二苯基或經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的聯(lián)亞=苯基；
[0021] nl至n3各自獨立地為0或l;w及
[0022] nl+n 化 n3>l。
[0023] 「'I-此心
[0024]
[0025] 在化學式2中，
[0026] Yi為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20亞 締基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基，或其組 合；
[0027] Ari為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基，或 其組合；
[0028] R5至R8獨立地為氨、気、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6 至巧0芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至巧0雜芳基，或其組合；W及
[00巧]R5至R8及Ari中的至少一者包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞S苯基或經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的巧挫基。
[0030] 根據(jù)另一個實施例，提供一種有機光電元件，其包含陽極及陰極、介于陽極與陰極 之間的發(fā)射層、安置于陰極與發(fā)射層之間的電子傳送層，W及安置于電子傳送層與發(fā)射層 之間且含有所述組成物的電子傳送輔助層。
[0031] 根據(jù)又一個實施例，提供含有有機光電元件的顯示元件。
[0032] 有益效果
[0033] 可實現(xiàn)長壽命有機光電元件。
【附圖說明】
[0034] 圖1為根據(jù)一個實施例的有機光電元件的示意性橫截面圖。
【具體實施方式】
[0035] 在下文中，詳細描述本發(fā)明的實施例。然而，運些實施例為示例性且不限制本發(fā) 明，且本發(fā)明由隨所附權(quán)利要求限定。
[0036] 如本文所用，當不另外提供定義時，術(shù)語"取代"是指經(jīng)選自W下的取代基取代取 代基或化合物中的至少一個氨:気、面素、徑基、胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C30胺基、硝 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C40娃烷基、Cl至C30烷基、Cl至ClO烷基娃烷基、C3至C30環(huán)燒 基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、Cl至C20烷氧基、氣基、諸如=氣甲基 及其類似基團的Cl至ClO=氣烷基或氯基。
[0037] 另外，選自W下的兩個相鄰取代基可彼此間稠合而形成環(huán):經(jīng)取代的面素、徑基、 胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20胺基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40娃烷基、Cl至 C30烷基、Cl至ClO烷基娃烷基、C3至C30環(huán)烷基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜 芳基、Cl至C20烷氧基、氣基、諸如=氣甲基及其類似基團的Cl至ClO =氣烷基或氯基。舉例 而言，經(jīng)取代的C6至C30芳基可與另一個相鄰的經(jīng)取代的C6至C30芳基稠合而形成經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的萊環(huán)。
[0038] 在本說明書中，當不另外提供特定定義時，"雜"是指在一個官能基中包含1至3個 選自N、0、S、PW及Si的雜原子，且其余為碳。
[0039] 在本說明書中，當不另外提供定義時，"烷基(alkyir是指脂族控基。烷基可為無 任何雙鍵或參鍵的"飽和烷基（saturated a化yl)"。
[0040] 烷基可為Cl至C30烷基。更特定而言，烷基可為Cl至C20烷基或Cl至Cio烷基。舉例 而言，Cl至C4烷基的烷基鏈可包含1至4個碳原子，且烷基鏈可選自甲基、乙基、丙基、異丙 基、正下基、異下基、第二下基W及第=下基。
[0041] 烷基的特定實例可為甲基、乙基、丙基、異丙基、下基、異下基、第=下基、戊基、己 基、環(huán)丙基、環(huán)下基、環(huán)戊基、環(huán)己基W及其類似基團。
[0042] 在本說明書中，"芳基(a巧1)"包含環(huán)狀取代基中具有形成共輛(conjugation)的 P-軌域的所有元素，環(huán)狀取代基中具有形成共輛的P-軌域的所有元素包含單環(huán)、多環(huán)或稠 環(huán)多環(huán)（即，環(huán)共享相鄰碳原子對)官能基，且包含萊基W及多個芳基彼此間直接結(jié)合所形 成的聯(lián)苯基、聯(lián)=苯基或聯(lián)四苯基。
[0043] 在本說明書中/碟芳基化eteroa巧1)"是指含有1至3個選自N、0、S、PW及Si的雜 原子W及其余為碳的芳基。當雜芳基為稠環(huán)時，每個環(huán)可包含1至3個雜原子，且可包含諸如 巧挫基、二苯并巧喃基或二苯并嚷吩基的結(jié)構(gòu)。
[0044] 更特定而言，經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基和/或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至 C30雜芳基可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的糞基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 蔥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的菲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的稠四苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的對聯(lián)=苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代之間 聯(lián)=苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的屈基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞=苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的巧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嚷吩 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的化咯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的化挫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咪挫 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的=挫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的惡挫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嚷挫 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的惡二挫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嚷二挫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的化 晚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喀晚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的化嗦基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的=嗦 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并巧喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并嚷吩基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的苯并咪挫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嗎I噪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的哇嘟基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的異哇嘟基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的哇挫嘟基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的哇巧嘟基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的糞晚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并惡嗦基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并嚷嗦基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的叮晚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡嗦基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡嚷嗦基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的啡惡嗦基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萊基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并巧喃基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并嚷吩基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧挫基、其組合，或前述基團的組 合稠環(huán)，但不限于此。
[0045] 在本說明書中，空穴特征是指當施加電場(electric field)時能夠供給電子W形 成空穴的特征，及由于根據(jù)冊MO能階的導電特征，在陽極中形成的空穴容易注入發(fā)射層中 且在發(fā)射層中傳送的特征。
[0046] 另外，電子特征是指當施加電場時能夠接受電子的特征，及由于根據(jù)LUMO能階的 導電特征，在陰極中形成的電子容易注入發(fā)射層中且在發(fā)射層中傳送的特征。
[0047] 在下文中，描述根據(jù)一個實施例的有機光電元件用組成物。
[0048] 根據(jù)一個實施例的有機光電元件用組成物是用于有機光電元件的電子傳送輔助 層中，且包含具有相對較強電子特征的第一化合物及具有相對較強空穴特征的第二化合 物。
[0049] 第一化合物為具有相對較強電子特征的化合物，且可由W下化學式1表示。
[0050] [化學式。
[0化1 ]
[0化2] 在化學式1中，
[0化3] Z各自獨立地為N、C或CR3，
[0化4] Z中的至少一者為N，
[0化5] X各自獨立地為N、C或CRb,
[0化6] Ri至R4、R3及Rb各自獨立地為氨、気、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至ClO烷基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的C6至C12芳基，或其組合，
[0057] Li為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞二苯基或經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的聯(lián)亞=苯基，
[0化引 nl至n3各自獨立地為O或1，且
[0059] nl+n^n3>l。
[0060] 根據(jù)鍵結(jié)位置，第一化合物可由例如W下化學式I-I或化學式I-II表示。 !化學式14] I化學巧I-W
[0061
[0062] 在化學式I-I或化學式I-II中，X、Z、Ri至R4、l1W及nl至n3與上文所述相同。
[0063] 化學式1所示的化合物具有至少一個扭結(jié)化ink)結(jié)構(gòu)作為亞芳基和/或亞雜芳基 的中屯、。
[0064] 扭結(jié)結(jié)構(gòu)為亞芳基和/或亞雜芳基的兩個連接點不為線性結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。舉例而言， 關(guān)于亞苯基，亞鄰苯基（o-phenylene)及亞間苯基(m-phenylene)具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)，其中兩個 連接點不形成線性結(jié)構(gòu)；而亞對苯基(P-Phenylene)因其中兩個連接點形成線性結(jié)構(gòu)而不 具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)。
[0065] 在化學式1中，扭結(jié)結(jié)構(gòu)可作為鍵聯(lián)基團化1)和/或亞芳基/亞雜芳基的中屯、形成。
[0066] 舉例而言，當W上化學式1中的nl為0時，即不存在鍵聯(lián)基團化1)時，扭結(jié)結(jié)構(gòu)可作 為亞芳基/亞雜芳基的中屯、形成，且例如，化合物可由W下化學式Ia或化學式化表示。
[0067
[006引在化學式Ia或化學式化中，X、Z、Ri至R4W及Li與上文所述相同。
[0069] 舉例而言，當在W上化學式1中的nl為1時，扭結(jié)結(jié)構(gòu)作為鍵聯(lián)基團化1)的中屯、形 成，且例如，Li可為具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的聯(lián)亞二苯基，或具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞=苯基。Li可選自例 如W下群組1中所列的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團。
[0070] [群組 1]
[0071]
[0072] 在群組I中，
[0073] RU至R44各自獨立地為氨、気、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至ClO烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30 芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的C6至C30芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30雜芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C30燒 氧基、面素、含面素基團、氯基、徑基、胺基、硝基、簇基、二茂鐵基，或其組合。
[0074] 化學式1所示的化合物較佳可具有至少兩個扭結(jié)結(jié)構(gòu)，例如兩個至四個扭結(jié)結(jié)構(gòu)。
[0075] 第一化合物可例如由W下化學式Ic至化學式It中的一者表示，但不限于此。
[007<

[00
[00巧]在化學式la至It中，
[0080] X、Z及Ri至R4與上文所述相同，
[0081] R45至R62各自獨立地為氨、気、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至ClO烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30 芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的C6至C30芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30雜芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C30燒 氧基、面素、含面素基團、氯基、徑基、胺基、硝基、簇基、二茂鐵基，或其組合。
[0082] 化學式1中的X的氮(N)數(shù)目可為例如0至2。
[0083] 第一主體化合物可為例如W下群組2中所列化合物之一，但不限于此。
[0084] [群組 2]
[0085]











[0102] Ari為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基，或 其組合；
[0103] R5至R8獨立地為氨、気、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6 至巧0芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至巧0雜芳基，或其組合；W及
[0104] R5至R8及Ari中的至少一者包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞S苯基或經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的巧挫基。
[0105] 第二化合物可例如由W下化學式2-1至化學式2-HI中的至少一者表示。
[0106]
[0107]
[010 引
[0109] 在化學式2-1至化學式2-HI中，
[0110] Yi至Y3各自獨立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的C2至C20亞締基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞 雜芳基，或其組合；
[0111] Ari及Ar2各自獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2 至C30雜芳基，或其組合；W及
[0112] R5至R8及R43至R54各自獨立地為氨、気、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20烷基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的C6至巧0芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至巧0雜芳基，或其組合。
[0113] 化學式2-1所示的第二化合物具有一種結(jié)構(gòu)，其中具有取代基的兩個巧挫基彼此 連接。
[0114] 化學式2-1中的Ari及Ar2為具有電子或空穴特征的取代基，且可獨立地為例如經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)=苯基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的糞基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蔥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧挫基、經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的苯并巧喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并嚷吩基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萊基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的化晚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喀晚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的化嗦基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的=嗦基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞=苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并巧喃基、經(jīng) 取代或未經(jīng)取代的二苯并嚷吩基，或其組合。
[0115] 上述化學式2-1中的Ari及Ar2中的至少一者可為例如具有電子特征的取代基，且可 為例如由W下化學式A表示的取代基。
[0116] 才"
[0117]
[011引在化學式A中，
[0119] Z各自獨立地為N或CRb;
[0120] Al及A2各自獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3 至C30雜芳基，或其組合；
[0121] Z、A1及A2中的至少一者包含N;W及
[0122] a及b各自獨立地為0或1。
[0123] 化學式A所示的取代基可為例如W下群組3中所列官能基之一。
[0124] [群組 3]
[0125]
。'
[0126] 舉例而言，上述化學式2-1中的Ari及Ar2中的至少一者可為例如具有空穴特征的取 代基，且可為例如W下群組4中所列取代基之一。
[0127] [群組 4]
[0128
[0129] 上述化學式2-1所示的化合物可為例如選自W下群組5中所列化合物的化合物，但 不限于此。
[0130] 「趙紀 51
[01














[014A1 O
[0147] 化學式2-II或化學式2-III所示的化合物具有其中經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧挫基與 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞=苯基鍵結(jié)的結(jié)構(gòu)。
[0148] 上述化學式2-II中的Ari為具有電子或空穴特征的取代基，且可為例如經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)=苯基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的糞基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蔥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧挫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的苯并巧喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并嚷吩基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萊基、經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的化晚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喀晚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的化嗦基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的=嗦基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞=苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并嚷吩基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的二苯并巧喃基，或其組合。
[0149] 上述化學式2-II所示的化合物可為例如選自W下群組6中所列化合物的化合物， 但不限于此。
[0150] [群組 6]
[01511
[0152]
[0153] 上述化學式2-in所示的化合物可為例如選自W下群組7的化合物，但不限于此。
[0154] [群組 7]
[0156]
[0157] 第二化合物含有具有強空穴特征的巧挫基或聯(lián)巧挫基，且可用于發(fā)射層與電子傳 送層之間的電子傳送輔助層，且藉此，其可有效地吸收或防止發(fā)射層中所產(chǎn)生的空穴和/或 激子傳送至電子傳送層。從而防止空穴在發(fā)射層與電子傳送層之間的界面聚集且同時可有 效地保護電子傳送層不受發(fā)射層的空穴和/或激子影響，且從而可改良有機光電元件的壽 命。
[0158] 如上文所述，第一化合物為具有相對較強電子特征的化合物，且第二化合物為具 有相對較強電子特征的化合物。第一化合物及第二化合物適用于電子傳送輔助層，所述電 子傳送輔助層將自電子傳送層所注入的電子傳送至發(fā)射層且同時吸收和/或防止通過發(fā)射 層的空穴和/或激子傳送至電子傳送層，從而改良有機光電元件的壽命。
[0159] 第一化合物與第二化合物可W不同方式組合且從而提供不同組成物。組成物可包 含至少一種第一化合物及至少一種第二化合物，且可還包含除第一化合物及第二化合物之 外的其他化合物。
[0160] 第一化合物與第二化合物可W不同比率組合且可應(yīng)用于電子傳送輔助層，且藉此 可控制電子傳送層向發(fā)射層的電子傳送能力且可控制與發(fā)射層的電子傳送能力的平衡，且 防止電子在發(fā)射層與電子傳送層的界面聚集。電子傳送輔助層可將自陽極傳送至發(fā)射層的 空穴和/或發(fā)射層中所產(chǎn)生的激子轉(zhuǎn)換為能量比發(fā)射層的激子的能量低的激子，且因此有 效地防止空穴和/或激子經(jīng)由發(fā)射層傳送至電子傳送層。藉此可改良有機光電元件的壽命。 第一化合物及第二化合物可例如Wl:99至99:1的重量比包括在內(nèi)。
[0161] 在下文中，描述組成物所應(yīng)用的有機光電元件。
[0162] 有機光電元件可為將電能轉(zhuǎn)換成光能且將光能轉(zhuǎn)換成電能的任何元件而不受特 定限制，且可為例如有機光電元件、有機發(fā)光二極管、有機太陽能電池W及有機感光鼓。
[0163] 本文中，有機發(fā)光二極管作為有機光電元件的一個實例加W描述，但本發(fā)明不限 于此，且可W相同方式應(yīng)用于其他有機光電元件。
[0164] 在圖式中，為了清楚起見，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度經(jīng)放大。在整篇說明書中，相 同的元件符號表示相同的元件。應(yīng)了解當諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱作"位于"另一 元件"上"時，其可直接位于另一元件上或亦可存在插入元件。相比之下，當元件被稱作"直 接位于"另一元件上時，不存在插入元件。
[0165] 圖1為根據(jù)一個實施例的有機發(fā)光二極管的示意性橫截面圖。
[0166] 參看圖1，根據(jù)一個實施例的有機發(fā)光二極管包含面向彼此的陰極（10)及陽極 (20) W及安插在陰極(10)與陽極(20)之間的有機層(30)。
[0167] 陰極（10)可由功函數(shù)較低W有助于電子注入的導體制成，且可為例如金屬、金屬 氧化物和/或?qū)щ娋酆衔铩ｊ帢O(20)可為例如金屬或其合金，諸如儀、巧、鋼、鐘、鐵、銅、錠、 裡、禮、侶、銀、錫、鉛、飽、領(lǐng)W及其類似物；多層結(jié)構(gòu)材料，諸如LiF/Al、Li〇2/Al、LiF/Ca、 LiF/AlW及BaF2/Ca，但不限于此。
[0168] 陽極（20)可由功函數(shù)較高W有助于空穴注入的導體制成，且可為例如金屬、金屬 氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陽極（10)可為例如金屬儀、銷、饑、銘、銅、鋒、金W及其類似物或 其合金;金屬氧化物，諸如氧化鋒、氧化銅、氧化銅錫（ITO)、氧化銅鋒（IZO) W及其類似物； 金屬與氧化物的組合，諸如ZnO及Al或Sn化及Sb;導電聚合物，諸如聚（3-甲基嚷吩）、聚（3， 4-(亞乙基-1，2-二氧基）嚷吩）（9〇176111716]16(1；[0巧1：11；[0地6]16:陽01')、聚11比咯^及聚苯胺， 但不限于此。
[0169] 有機層(30)包含空穴傳送區(qū)（34)、發(fā)射層（32)、電子傳送區(qū)（31)及電子傳送輔助 層(33)。
[0170] 空穴傳送區(qū)（34)可包含例如空穴注入層、空穴傳送層、電子阻擋層及輔助層中的 至少一者，且電子傳送區(qū)可包含例如電子注入層、電子傳送層、空穴阻擋層及電子傳送輔助 層中的至少一者。根據(jù)本發(fā)明實施例的組成物可適用于陽極(10)與陰極(20)之間的有機層 (30)，尤其適用于電子傳送輔助層(33)。
[0171] 空穴傳送區(qū)（34)可包含例如W下群組8中所列的m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、 B-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、a-NPB、TAPC、HMTPD、TCTA(4，4'，4"-參(N-巧挫基）S苯胺（4， 4' ，4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine))、Pani/DBSA(Polyaniline/ Dodecylbenzenesulfonic acid:聚苯胺/十二烷基苯橫酸）、PED0T/PSS( Poly (3，4- 6地5^1日]1日(1;[0巧1:11；[0地日]1日）/?〇17(4-317的]1日3111;1!'〇]1日1日）：聚（3,4-亞乙二氧基嚷吩）/聚（4- 苯乙締橫酸醋））、Pani/CSA(PoIyani line/Camphor Siilf onicacid:聚苯胺/精腦橫酸）、 PANI/PSS(F*olyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):聚苯胺）/聚（4-苯乙締橫酸醋））、W 下化學式201所示的化合物W及W下化學式202所示的化合物：
[0172] 「前 Wol
[0173]
[0174]
[0175] 在化學式201中，
[0176] Arm及AriQ2獨立地為亞苯基、亞并環(huán)戊二締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞并環(huán)庚 =締基、起基、亞萊基、亞藍基、亞菲基、亞蛋蔥基、亞聯(lián)亞=苯基、亞巧基、亞屈基、亞稠四苯 基、亞畦基、亞巧基或亞稠五苯基；或各經(jīng)W下中的至少一者取代的亞苯基、亞并環(huán)戊二締 基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞并環(huán)庚=締基、起基、亞萊基、亞丙締合糞基、亞菲基、亞蔥 基、亞蛋蔥基、亞聯(lián)亞=苯基、亞巧、亞屈基、亞稠四苯基、亞畦基、亞巧基或亞稠五苯基： 気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、胺基、甲脈基、阱基、腺基、簇酸基團或其鹽、橫酸基團 或其鹽、憐酸基團或其鹽、扣-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、&-C6日烷氧基、C3-C1日環(huán)烷基、 C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-Csq芳基、Cs-Csq芳氧基、Cs-Csq芳硫基、〔2- C60雜芳基、一價非-芳族稠合多環(huán)基及一價非-芳族雜稠合多環(huán)基。
[0177] 在化學式201中，xa及Xb可獨立地為整數(shù)0至5，或0、1或2。舉例而言，xa可為1且Xb 可為0,但不限于此。
[017引在化學式201及化學式202中，RlOl至R108、R111至R119W及R121至R124可各自獨 立地為
[0179]氨、気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、胺基、甲脈基、阱基、腺基、簇酸基團或其 鹽、橫酸基團或其鹽、憐酸基團或其鹽、Cl-Cio烷基(例如甲基、乙基、丙基、下基、戊基、己基 及其類似基團）或Cl-Cio烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、下氧基、戊氧基及其類似基 團）；
[0180] 經(jīng)W下中的一或多者取代的Cl-Cio烷基或Cl-Cio烷氧基:気、-F、-C1、-化、-I、徑 基、氯基、硝基、胺基、甲脈基、阱基、腺基、簇酸基團或其鹽、橫酸基團或其鹽、憐酸基團或其 鹽；
[0181] 苯基、糞基、蔥基、萊基或巧基;或
[0182] 經(jīng)W下中的一或多者取代的苯基、糞基、蔥基、萊基或巧基:気、-F、-C1、-化、-1、徑 基、氯基、硝基、胺基、甲脈基、阱基、腺基、簇酸基團或其鹽、橫酸基團或其鹽、憐酸基團或其 鹽、Cl-ClO烷基W及Cl-ClO烷氧基，但不限于此。
[0183] 化學式201中的R109可為
[0184] 苯基、糞基、蔥基或化晚基;或
[0185] 經(jīng)W下中的一或多者取代的苯基、糞基、蔥基或化晚基:気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、 氯基、硝基、胺基、甲脈基、阱基、腺基、簇酸基團或其鹽、橫酸基團或其鹽、憐酸基團或其鹽、 C1-C20烷基W及C1-C20烷氧基。
[0186] 根據(jù)一個實施例，化學式201所示的化合物可由W下化學式201A表示，但不限于 此：
[0187] 「化舉式 201A1 [018 引
[0189] 舉例而言，化學式201所示的化合物及化學式202所示的化合物可包含W下化合物 HT1至化合物HT20，但不限于此：
[0190]

[0192]
[019引空穴傳送區(qū)（34)可具有約誦A至約撫(激A的厚度，例如約城竊A至約i㈱自瓜。當 空穴傳送區(qū)（34)包含空穴注入層與空穴傳送層時，空穴注入層可具有約100 A至約說欲紙及 的厚度，例如約100 A至約WOO A，且空穴傳送層可具有約訊A至約如(游A的厚度，例如約 100 A至約;500 A。當空穴傳送區(qū)、空穴注入層W及空穴傳送層具有上述范圍內(nèi)的厚度時，可 在不增加實質(zhì)性驅(qū)動電壓的情況下獲得足夠的空穴傳送特征。
[0194]除如上所述的材料之外，空穴傳送區(qū)（34)亦可更包含電荷產(chǎn)生材料W改良電導 性。電荷產(chǎn)生材料可均勻或不均勻地分散于空穴傳送區(qū)（34)中。
[01M]電荷產(chǎn)生材料可為例如P型滲雜劑。P型滲雜劑可為奎寧衍生物、金屬氧化物W及 含氯基的化合物之一，但不限于此。舉例而言，P型滲雜劑的非限制性實例可為釀衍生物，諸 如四氯基釀二甲燒(TCNQ)、2，3，5，6-四氣-四氯基-1，4-苯釀二甲燒(F4-TCNQ)及其類似物； 金屬氧化物，諸如氧化鶴、氧化鋼及其類似物;及含氯基化合物，諸如下述化合物HT-Dl，但 不限于此。
[019
[0197] 空穴傳送區(qū)（34)可還包含輔助層。
[0198] 輔助層可根據(jù)自發(fā)射層發(fā)射的光的波長補償光的光學共振距離，且因此可增加效 率。
[0199] 電子傳送區(qū)（31)包括電子傳送層，且視情況可更包含選自電子注入層及空穴阻擋 層中的至少一者。舉例而言，電子傳送區(qū)（31)可包含電子傳送層/電子注入層、空穴阻擋層/ 電子傳送層/電子注入層，或電子傳送層/電子注入層，但不限于此。
[0200]當電子傳送區(qū)（31)包含空穴阻擋層時，空穴阻擋層可包含例如W下BCP及化hen中 的至少一者，但不限于此。
[0201；
[0202] 至穴阻哲居W具巧巧20 A生巧1撕0這的焊巧，例觀巧縱盆生巧3㈱A:。當空穴阻擋 層具有所述范圍內(nèi)的厚度時，可在無實質(zhì)性驅(qū)動電壓的情況下獲得極佳的空穴阻擋特征。
[0203] 電子傳送層可還包含BCP、B地en W及W下Alqs、Bal q、TAZ W及NTAZ中的至少一者。
[0204]
[0205] 子此。
[0206]
[0207] 電子傳送層可具有約!00 A至約1獄欺為的厚度，例如約滯爲至約5妨A;。當電子傳 送層具有所述范圍內(nèi)的厚度時，可在無實質(zhì)性驅(qū)動電壓的情況下獲得極佳的電子傳送特 征。
[0208] 除上述材料之外，電子傳送層可還包含含金屬材料。
[0209] 含金屬材料可包含Li錯合物。Li錯合物可包含例如W下化合物ET-Dl (哇嘟裡， LiQ)或ET-D2。
[0210]
[0211] 當電于傳送區(qū)（31)包含電于注入層時，電子注入層可包含選自LiF、化Cl、CsF、 Li2〇W及BaO的至少一者。
[0212] 電子注入層可具有細A至約1飢A、約3 A至約W A的厚度。當電子注入層具有所 述范圍內(nèi)的厚度時，可在無實質(zhì)性驅(qū)動電壓的情況下獲得極佳的電子注入特征。
[0213] 發(fā)射層(32)可包含主體化OSt)及滲雜劑(dopant)。
[0214] 發(fā)射層（32)可包含單一主體或超過兩種主體的混合主體，且在本文中，主體可具 有極佳電子特征與空穴特征的雙極特征或作為單一主體的單獨極佳電子特征，或同時包含 具有雙極特征、具有相對較強電子特征的第一主體化合物及具有雙極特征、具有相對較強 電子特征的第二主體化合物作為混合主體。
[0215] 第一主體化合物及第二主體化合物可W約1:99至99:1范圍內(nèi)，例如10:90至90:10 范圍內(nèi)的重量比使用。當?shù)谝恢黧w化合物及第二主體化合物在上述重量比范圍內(nèi)使用時， 可有效地控制發(fā)射層中空穴與電子注入的平衡。
[0216] 滲雜劑可包含根據(jù)巧光發(fā)射機制發(fā)光的巧光滲雜劑或根據(jù)憐光發(fā)射機制發(fā)光的 憐光滲雜劑。
[0217] 舉例而言，滲雜劑可為憐光滲雜劑，且憐光滲雜劑可包含由W下化學式81表示的 有機金屬化合物：
[021引 豐井811
[0219]
[0223] Yl與Y2彼此間經(jīng)由單鍵或雙鍵連接，且Y3與Y4彼此間經(jīng)由單鍵或雙鍵連接；
[0224] CYl及CY2各自獨立地為苯、糞、萊、螺萊、巧、化咯、嚷吩、巧喃(furan)、咪挫、化挫、 嚷挫異嚷挫、惡挫、異惡挫（isooxazo 1 e)、化晚、化嗦、喀晚、化嗦、哇嘟、異哇嘟、苯并哇嘟、 哇巧嘟、哇挫嘟、巧挫、苯并咪挫、苯并巧喃（benzo化ran )、苯并嚷吩、異苯并嚷吩、苯并惡 挫、異苯并惡挫、S挫、四挫、惡二挫、S嗦、二苯并巧喃(山benzo化ran)或二苯并嚷吩，其中 CYl及CY2視情況(optionally)彼此間經(jīng)由單鍵或有機鍵聯(lián)基團（o;rganic linking group) 連接；
[02巧]R81及R82各自獨立地為氨、気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、胺基、甲脈基、阱 基、腺基、簇酸基團或其鹽、橫酸基團或其鹽、憐酸基團或其鹽、-SFs、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 C1-C60烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2-C60締基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2-C60烘基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的C1-C60烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3-C10環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2- ClO雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3-C10環(huán)締基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2-C10雜環(huán)締基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6-C60芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6-C60芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的C6-C60芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2-C60雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的一價非-芳族稠 合多環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的一價非-芳族雜稠合多環(huán)基、-N(化）（化）、-Si(化）（Q4)(化） 或-B(Qs)(Q7);
[0。6] a81及a82各自獨立地選自整數(shù)1至5;
[0227] n81為選自0至4的整數(shù)；
[022引 1182為1、2或3;^及
[0229] L81為一價有機配位體、二價有機配位體或=價有機配位體。
[0230] R81及R82的描述是指本說明書中的R41的描述。
[0231] 磯化慘雜劑可巧含Pi下化合物PDl牽化合物PD78中的牽々一者，巧不限于此：
[023;




[023引
[0239] 巧光滲雜劑可包含W下0?4￥81、804￥81^8化、0〔1、0(^18、香豆素6及05451'中的至 少一者，但不限于此。
[024
.0
[0241] 當發(fā)射層(32)包含主體及滲雜劑時，W約100重量份的主體計，滲雜劑的量通常可 選自約0.01重量份至約20重量份，但不限于此。
[0242] 發(fā)射層(32)可具有約i撕A至約10嫩盆的厚度，例如約魏G A至約辦0 :森。當發(fā)射層 具有所述范圍內(nèi)的厚度時，可在無實質(zhì)性驅(qū)動電壓的情況下獲得極佳的發(fā)光特征。
[0243] 發(fā)射層(32)可包含例如藍色發(fā)射層、紅色發(fā)射層及綠色發(fā)射層。
[0244] 電子傳送輔助層（33)可安置于發(fā)射層（32)與電子傳送區(qū)（31)之間，例如發(fā)射層 (32)與電子傳送層之間。電子傳送輔助層(33)接觸發(fā)射層(32)及電子傳送層。電子傳送輔 助層(33)可藉由使用與上文所述相同的組成物形成。
[0245] 電子傳送輔助層(33)可例如安置于藍色發(fā)射層與電子傳送區(qū)（31)之間，且接觸藍 色發(fā)射層，從而改良藍色有機發(fā)光二極管的壽命。藉此克服藍色有機發(fā)光二極管的不利壽 命且可實現(xiàn)長壽命全色顯示器。
[0246] 電子傳送輔助層(33)可由組成物經(jīng)干式涂布法形成，諸如蒸發(fā)(ecaporation)、瓣 鍛(sputtering)、等離子體電鍛及離子電鍛，且兩種或超過兩種化合物可同時成膜或具有 相同沉積溫度的化合物可混合，接著成膜。
[0247] 實驗例
[0248] 在下文中，參照實例更詳細地說明實施例。然而運些實例在任何意義上均不解釋 為限制本發(fā)明的范疇。
[0249] 下文中，除非特定提及，否則實例及合成實例中所用的起始物質(zhì)及反應(yīng)物質(zhì)購自 西格瑪-奧德里奇有限公司、TCI公司、UMT公司、北京普瑞化學公司。
[0250] 合成第一化合物
[0251] 合成實例1:合成化合物A-15
[0252] 化合物A-15根據(jù)W下方法合成。
[0巧3] 1、乂 Rft 由 I旬物1T-9
[0 巧 4]
[0巧5]在氮氣氛圍下，將32.7g(107mmol)2-漠聯(lián)亞S苯溶解于300ml四氨巧喃中，向其中 添加20g(128mmol)3-氯苯基棚酸及1.23g(l.〇7mmol)肆(S苯基麟)鈕，且攬拌混合物。接 著，向其中添加36. Sg (267mmo 1)碳酸鐘飽和水溶液，且所得混合物在80°C加熱且回流24小 時。反應(yīng)完成時，向反應(yīng)溶液中添加水，用二氯甲燒萃取混合物，且接著過濾，且接著用無水 MgS化移除其中的水分，隨后在減壓下濃縮經(jīng)過濾的溶液。所得殘余物經(jīng)由管柱層析法分離 且純化，獲得22.6g(63% )中間物1-2。
[0巧6] 2)合成中間物T-3
[0 巧 7;
[0巧引在氮氣氛圍下，將22.6g(66.7mmol)中間物1-2溶解于300ml二甲基甲酯胺(DMF) 中，向其中添加25.4g(100mmol)雙(頻哪醇根基)二棚、0.54g(0.67mmol) (1，1'-雙(二苯基 麟)二茂鐵)二氯鈕（II)及16.4g(167mmol)乙酸鐘，且混合物在150°C加熱且回流48小時。反 應(yīng)完成時，向反應(yīng)溶液中添加水，且將混合物過濾且在真空烘箱中干燥。所得殘余物經(jīng)由管 柱層析法分離且純化，獲得18.6g(65%)中間物1-3。
[0 巧 91 Q、A成令物14-1 G [0260：
[0261]根據(jù)與制備中間物I -2的方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用1 7 . 2 1 6g (40.01mmol)中間物l-3及11.781g(44.01mmol)2-氯-4,6-二苯基-l，3,5-ミ嗦（2-chloro- 4,6-di地enyl-l，3,5-t;riazine)合成16g(75%)化合物A-15。 惦創(chuàng) LC質(zhì)量(理論值:535.64g/mol，量測值:M+H+ = 536.62g/mol)
[0263] 合成實例2:合成化合物A-33
[0264] 化合物A-33根據(jù)W下方法合成。
[02 化' ......-
[0%6:
[0%7: I 物1-^
[0%8:
[0269：
[0270： I 物I-E
[0271：
[0272；
[0273] 根據(jù)與制備中間物I -2的方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用16.5g(32.69mmo 1) 中間物1-7 及 9.63g(35.96mmol)2-氯-4,6-二苯基-1，3,5-^嗦合成16邑(80%)化合物4-33。
[0274] LC 質(zhì)量(量測值:611.73g/mol，量測值:M+H+ = 612.71g/mol)
[02巧]合成實例3:合成化合物A-69
[0276] 化合物A-69根據(jù)W下方法合成。
[0277] 1、入戍 rh 向編T_/l
[027引
[0279] 根據(jù)與制備中間物I -2的方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用1 OOg (282mmo 1)化合 物I-l(2-漠聯(lián)亞 = 苯W與合成中間物I-3的方法相同的方法合成)及95.9g(339mmol)l-漠- 2-艦苯（l-b;romo-2-iodobenzene)合成95.1g(88%)中間物I-4。
[0280] 2)合成中間物1-5
[0281]
[0282] 根據(jù)與合成中間物1-3的方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用90g(235mmol)中間 物1-4及71.6g(282mmol)雙（頻哪醇根基）二棚（biS(Pinacolato)(Iiboron)合成74. Sg (74%)中間物1-5。
[0283] 3)合成中間物1-8
[0284]
[0285] 物 I-52 1-8。
[0286]
[0287]
[028引 物 I-82 (69%)
[0289]
[0290]
[0291 ]根據(jù)與合成中間物1-2的方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用17.7g(35.03mmo 1) 中間物 1-9及 10.3g(38.5mmol)2-氯-4，6-二苯基-I，3，5-S嗦（2-chlor〇-4，6-di曲en}d-l， 3,5-triazine)合成 16.5g(77%)化合物 A-69。
[0 巧2] LC 質(zhì)量(理論值:611.73g/mol，量測值:M+H+ = 612.72g/mol)
[0293] 合成第二化合物
[0294] 合成實例4:合成化合物B-43 [0巧日]化合物B-43根據(jù)W下方法合成。
[0296]
[0297] 將17.88g(44.9mmol M-聯(lián)苯巧挫基漠化物、13g(49.4mmol )3-聯(lián)苯巧挫基棚酸、 18.6g( 134.61mmol)碳酸鐘及1.55g( 1.35mmmol)肆-(S苯麟）鈕（0)懸浮于180ml 甲苯及 70ml蒸饋水中，接著回流且攬拌12小時。隨后用二氯甲燒及蒸饋水萃取所得物，且用硅膠過 濾有機層。接著，使其中所產(chǎn)生的固體與二氯甲燒及正己燒一起再結(jié)晶，獲得21.：3g化合物 B-43(產(chǎn)率:75%)。
[0巧引 LC質(zhì)量(理論值:636.78g/mol，量測值:M+H+ = 637.77g/mol)
[0299] 合成實例5:合成化合物B-IO
[0300] 化合物B-IO根據(jù)W下方法合成。
[03心」 U甘々乂甲間物J[0303]根據(jù)與合成中間物I -2的方法相同的方法，在氮氣氛圍下，使用38.7g(104.9mmo 1)
[03i 化合物9-苯基-3-(4，4，5，5-四甲基-I，3，2-二氧雜棚雜環(huán)戊-2-基）-9H-巧挫及28.4g (115.41mmo 1) 3-漠-9H-巧挫獲得35.7g(83 % )中間物(J)。
[0304] 2)合成化合物B-IO
[0305] 在氮氣氛圍下，將15.5g(38. Immol)中間物(J)溶解于200mL甲苯中，向其中添加 13g(42mmol)2-漠-4,6-二苯基化晚、5.5g(57.12mmol)第ミ下醇鋼、1.74g(1.9mmol)參（二 苯亞甲基丙酬)二鈕(0)及3.695g(7.62mmol)S-第S下基麟(50%于二甲苯中），且混合物 在120°C加熱且回流12小時。反應(yīng)完成時，向反應(yīng)溶液中添加水，用二氯甲燒(DCM)萃取混合 物，接著用無水MgS化移除其中的水分，隨后過濾且在減壓下濃縮。所得殘余物經(jīng)由急驟管 柱層析法分離且純化，獲得18.5g(76 % )化合物B-10。
[0306] LC質(zhì)量(理論值:637.77g/mol，量測值:M+H+ = 638.75g/mol)
[0307] 合成實例6:合成化合物B-170
[0308] 化合物B-43根據(jù)W下方法合成。
[0309；
[0 310 ] 根據(jù)與制備化合物B - 1 0的萬巧相問的萬巧，在氮氣氛圍h，使用1 5 . 2 6 g (49.36mmol)4-漠 -1,1' :4'，1"-聯(lián)立苯及 18.3g(44.87mmol)中間物(J)獲得21.3g(75%)化 合物B-170。
[0311] LC質(zhì)量(理論值:636.78g/mol，量測值:M+H+ = 637.76g/mol)
[0312] 合成實例7:合成化合物B-158
[0313] 化合物B-158根據(jù)W下方法合成。
[03141
[0315] I)合成中間物I
[0316] 根據(jù)與合成中間物1-2的方法相同的方法，使用43.2g( 134.2mmol )3-漠-N-苯基巧 挫及18g(147.6mmol)苯基棚酸獲得32g(75%)中間物1。
[0317] 2)合成中間物2
[031引將34.4g(107.6mmol)中間物1溶解于SOOmL二氯甲燒中，向其中添加19.2g (107.6mmol)N-漠下二酷亞胺且在室溫下攬拌混合物8小時，獲得35g(82% )中間物2。
[0319] 3)合成中間物3
[0320] 根據(jù)與合成化合物B-IO的方法相同的方法，使用17.65g(71.74mmol )3-漠巧挫及 22g(78.91mmol)4-艦聯(lián)苯獲得 15g(53%)中間物 3。
[0321] 4)合成中間物4
[0322] 根據(jù)與合成中間物1 -3的方法相同的方法，使用20.1g(50.5mmo 1)中間物3及19.2g (75. Smmo 1)雙(頻哪醇根基)二棚獲得20g(89 % )中間物4。
[0323] 5)合成化合物B-158
[0324] 根據(jù)與合成中間物I-2的方法相同的方法，使用13g(33. Immo 1)中間物2及16.2g (36.4mmo 1)中間物4獲得 1 Sg(84 % )化合物B-158。
[0325] LC質(zhì)量(理論值:636.78g/mol，量測值:M+H+ = 637.77g/mol)
[03%]合成實例8:合成化合物B-160
[0327]化合物B-160根據(jù)W下方法合成。
[032引
[0329] I)合成中間物5
[0330] 根據(jù)與合成中間物1-2的方法相同的方法，使用43.2g( 108.4mmol)中間物3及 14.5g(119mmol)苯基棚酸得33g(77%)中間物5。
[0331] 2)合成中間物6
[0332] 根據(jù)與合成中間物2的方法相同的方法，使用29.8g (75.28mm01)中間物5及14g (75.28mmol )N-漠下二酷亞胺獲得29g(81 % )中間物6。
[0333] 3)合成化合物B-160
[0334] 根據(jù)與合成中間物1-2的方法相同的方法，使用9.7g(33.65mmol )N-苯基巧挫-3- 基-棚酸及16g(33.65mmol)中間物6獲得17g(79%)化合物B-160。
[0335] LC質(zhì)量(理論值:636.78g/mol，量測值:M+H+ = 637.77g/mol)
[0336] 合祐帝債ilQ.合祐從合蜘r-1 n
[0337]
[0338] 根據(jù)與合成中間物1-2的方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用10g( 34.83mmol)苯 基巧挫基棚酸及11.77g(38.31mmol)2-漠聯(lián)亞S苯獲得14.4g(88%)化合物C-10。
[0339] LC 質(zhì)量(理論值:469.57g/mol，量測值:M+H+ = 470.55g/mol)
[0340] 制造有機發(fā)光二極管-1
[0341] 實例 1
[0342] 涂有!500A厚的ITO(氧化銅錫）的玻璃基板在蒸饋水存在下進行超聲波洗涂。隨 后，玻璃基板在諸如異丙醇、丙酬、甲醇及其類似物的溶劑存在下進行超聲波洗涂，移至等 離子體清潔器中藉由使用氧等離子體清潔10分鐘，接著移至真空沉積器中。此所得ITO透明 電極用作陽極，化合物A真空沉積于ITO基板上部W形成-00 A厚的空穴注入層，化合物B在 注入層上沉積汾A厚，且化合物C沉積I胎O A厚W形成空穴傳送區(qū)。在空穴傳送區(qū)上，藉由 將滲雜劑濃度為5wt%的BH113及抓370(由SFC制造)作為藍色巧光發(fā)射主體及滲雜劑真空 沉積來形成雙從A厚的發(fā)射層。接著在發(fā)射層上，使化合物A-15與化合物B-IOW50:50(wt: Wt)真空沉積，得到如A厚的電子傳送輔助層?；衔顳與LiqWl :1比率同時真空沉積于電 子傳送輔助層上W形成3()() A厚的電子傳送層，且在電子傳送層上依序真空沉積15 ALiq 及1:2說)AAl W形成陰極，從而制得有機發(fā)光二極管。有機發(fā)光二極管具有五層薄膜結(jié)構(gòu)且 特化 ll'lj d，ITO/化合鞠 A ( 700 A) /化合物 B ( 50 A) /化合物 C (' 1020 A)化ML !BHn 3:BD370 -95:3 (州::說t> ]巧(議 A)' 化合物 A-15:化舍'物拉40。餅:50 (wt':wt) (50 A) /化音物 D:'Iiq(3狐 A') /Liq ( .15 A ) /Al (1200 A)'^
[0343] 化合物A:M，M'-二苯基-N4，M'-雙(9-苯基-9H-巧挫-3-基)聯(lián)苯-4,4'-二胺
[0344] 化合物B: 1，4，5，8，9，11-六氮雜聯(lián)亞S苯-六甲臘(HAT-CN)，
[0345] 化合物C: N-(聯(lián)苯-4-基)-9，9-二甲基-N- (4- (9-苯基-9H-巧挫-3-基）苯基)-9H- 萊-2-胺
[0346] 化合物D: 8-( 4-( 4，6-二(糞-2-基)-1，3，5-S嗦-2-基)苯基)哇嘟 [0；347]實例2
[0348] 根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用70:30(wt:wt)比率的 化合物A-15及化合物B-IO。
[0349] 實例3
[0350] 根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用50:50(wt:wt)比率的 化合物A-15及化合物B-43。
[0；351 ]實例4
[0352]根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用50:50(wt:wt)比率的 化合物A-33及化合物B-158。
[0；353]實例5
[0354]根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用50:50(wt:wt)比率的 化合物A-33及化合物B-10。
[0；355]實例6
[0356]根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用70:30(wt:wt)比率的 化合物A-33及化合物B-10。
[0；357]實例7
[0358]根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用50:50(wt:wt)比率的 化合物A-33及化合物B-43。
[0；359]實例8
[0360] 根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用70:30(wt:wt)比率的 化合物A-33及化合物B-43。
[0361] 實例9
[0362] 根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用50:50(wt:wt)比率的 化合物A-33及化合物B-160。
[0363] 實例10
[0364]根據(jù)與實例I相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用50: 50 (Wt: Wt)比率的 化合物A-69及化合物B-43。
[03化]實例11
[0366] 根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用50: 50 (Wt: Wt)比率的 化合物A-69及化合物B-158。
[0367] 實例 12
[036引根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用70: 30 (Wt: Wt)比率的 化合物A-69及化合物B-158。
[0369] 實例13
[0370] 根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用50: 50 (Wt: Wt)比率的 化合物A-69及化合物B-170。
[0371] 實例14
[0372] 根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中使用50: 50 (Wt: Wt)比率的 化合物A-69及化合物C-10。
[0373] 比較實例1
[0374] 根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中不使用電子傳送輔助層。
[0375] 評估 1
[0376] 量測根據(jù)實例1至實例14及比較實例1的各有機發(fā)光二極管的與電壓相關(guān)的電流 密度變化、亮度變化及發(fā)光效率。
[0377] 特定量測方法如下，且結(jié)果顯示于下表1中。
[0378] (1)量測電流密度變化與電壓變化的相關(guān)性
[0379] 在使電壓自O(shè)V增至IOv的同時，使用電流-電壓計(吉時利2400)量測所制造的有機 發(fā)光二極管單元元件中流動的電流值，且將所量測的電流值除W面積，得出結(jié)果。
[0380] (2)量測亮度變化與電壓變化的相關(guān)性
[0381] 對于亮度而言，在使電壓自O(shè)V增至IOv的同時，使用亮度計(美能達Cs-1000 A)量測 所制造的有機發(fā)光二極管的亮度。
[0382] (3)量測發(fā)光效率
[0383] 藉由使用獲自第（1)項及第(2)項的亮度、電流密度W及電壓來計算相同電流密度 (lOmA/cm2)下的電流效率kd/A)。
[0384] (5)壽命
[0385] 實例1至實例14及比較實例1的有機發(fā)光二極管的T97壽命是W其亮度相對于發(fā)光 后的初始亮度而言降至97%時的時間度量，用普拉尼克斯壽命量測系統(tǒng)量測其亮度降低與 時間的相關(guān)性，其中W750cd/m2作為初始亮度kd/m2)。
[0386] [表 11
[0387]
[0388] 參看表1，相較于根據(jù)比較實例I的有機發(fā)光二極管，根據(jù)實例I至實例14的有機發(fā) 光二極管顯示改良的發(fā)光效率及壽命特征。
[0389] 制造有機發(fā)光二極管-2
[0390] 實例 15
[0391] 沉積有：!觀Q A厚的ITO(氧化銅錫）的玻璃基板在蒸饋水存在下進行超聲波洗涂。 隨后，玻璃基板在諸如異丙醇、丙酬、甲醇及其類似物的溶劑存在下進行超聲波洗涂，移至 等離子體清潔器中藉由使用氧等離子體清潔10分鐘，接著移至真空沉積器中。此所得ITO透 明電極用作陽極，將HT13真空沉積于口 0基板上部W形成1視OA厚的空穴注入及傳送層。在 其上真空沉積藍色巧光發(fā)射主體及作為滲雜劑的9,10-二(2-糞基)蔥(ADN)及抓01，滲雜劑 濃度為5wt%，W形成2撕A厚的發(fā)射層。ADN及抓Ol具有W下結(jié)構(gòu)。根據(jù)合成實例2及合成實 例4的化合物Wl: Uwt/wt)比率真空沉積于發(fā)射層上W形成5(.) A厚的電子傳送輔助層。將 參(8-徑基哇嘟)侶(Alq3)真空沉積于電子傳送輔助層上W形成3m A厚的電子傳送層，且 在電子傳送層上依序真空沉積IS ALiq及;1孤0 AAlW形成陰極，從而制得有機發(fā)光二極管。
[0392] 有機發(fā)光二極管具有五層有機薄膜結(jié)構(gòu)，且特定而言，
[039；3] ITC約巧巧 14撕 化絕X:投D沿=95:5(2(撕 A) '化合物 B-43:化合妝j A-巧二 1:1 (50A) /Aiq3 (310A.) /Lkj (15A) /A! (1200A)。
[0394]
[0395] 比較實例2
[0396] 根據(jù)與實例15相同的方法制造有機發(fā)光二極管，但其中不使用電子傳送輔助層。
[0397] 評估 2
[0398] 根據(jù)與"評估r相同的量測方法量測根據(jù)實例15及比較實例2的有機發(fā)光二極管 的電流密度變化、亮度變化及發(fā)光效率與電壓的相關(guān)性。結(jié)果提供于表2中。
[0399] [表 2] 「04001
LUW I」 麥有巧Z ,化化頭1巧10的巧f化乂兀^攸音的對訊化不；/、」同了化化化；f乂頭1巧Z的巧午化 發(fā)光二極管的壽命約1.7倍。因此，有機發(fā)光二極管的壽命特征因電子傳送輔助層而得到改 良。
[0402]盡管本發(fā)明已結(jié)合目前視為實用例示性實施例的內(nèi)容來描述，但應(yīng)了解本發(fā)明不 限于所掲示的實施例，而是相反，本發(fā)明意欲涵蓋所附權(quán)利要求的精神及范疇內(nèi)所包含的 各種潤飾及等效配置。因此，上述實施例應(yīng)理解為例示性的，而非W任何方式限制本發(fā)明。 [040：3]【符號說明】
[0404] 10:陰極
[0405] 20:陽極
[0406] 30:有機層
[0407] 31:電子傳送區(qū) [040引32:發(fā)射層
[0409] 33:電子傳送輔助層
[0410] 34:空穴傳送區(qū)
【主權(quán)項】
1. 一種有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，包括以下化學式1所示的化合物及 以下化學式2所示的化合物： [化學式1]其中，在化學式1中， Z各自獨立地為N、C或CRa; Z中的至少一者為N; X各自獨立地為N、C或CRb; R1至妒、1^及0各自獨立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(：1至(：1〇烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的C6至C12芳基，或其組合； L1為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞二苯基或經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的聯(lián)亞三苯基； nl至n3各自獨立地為O或1;以及 nl+n2+n3^ 1 ； [化學式2]其中，在化學式2中， Y1為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20亞烯基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基，或其組合； Ar1為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基，或其組 合； R5至R8獨立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至 C50芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C50雜芳基，或其組合；以及 R5至R8及Ar1中的至少一者包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞三苯基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的咔唑基。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所示 的化合物是由以下化學式I-I或化學式I-II表示：其中，在化學式I-I或I-II中； Z各自獨立地為N、C或CRa; Z中的至少一者為N; X各自獨立地為N或CRb; R1至妒、1^及0各自獨立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(：1至(：1〇烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的C6至C12芳基，或其組合； L1為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞二苯基或經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的聯(lián)亞三苯基； nl至n3各自獨立地為O或1;以及 nl+n2+n3^ 1 〇3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1中的 L1為具有扭結(jié)(kink)結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的聯(lián)亞二苯基，或具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞三苯基。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1中的 L1是選自以下群組1中所列的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團： [群組1]其中，在群組1中， R17至R44各自獨立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至ClO烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 C6至C30芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30雜芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C30烷氧 基、鹵素、含鹵素基團、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基，或其組合。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所示 的化合物具有至少兩個扭結(jié)結(jié)構(gòu)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所示 的化合物是由以下化學式Ia至It中的一者表示：其中，在化學式Ia至化學式It中， Z各自獨立地為N、C或CRa; Z中的至少一者為N; X各自獨立地為N、C或CRb; R1至妒、1^及0各自獨立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(：1至(：1〇烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的C6至C12芳基，或其組合；以及 R45至R62獨立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至ClO烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至 C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng) 取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至 C30芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30雜芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C30烷氧基、 鹵素、含鹵素基團、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基，或其組合。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1中的 X的氮(N)數(shù)目為0至2。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所示 的化合物為以下群組2中所列化合物之一：9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2的化 合物是由以下化學式2-1至化學式2-III中的至少一者表示：其中，在化學式2-1至化學式2-III中， Y1至Y3各自獨立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 C2至C20亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳 基，或其組合； Ar1及Ar2各自獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至 C30雜芳基，或其組合；以及 R5至R8及R43至R54各自獨立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl至C20烷基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的C6至C50芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C50雜芳基，或其組合。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2-1 中的Ar1及Ar2各自獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的聯(lián)三苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并噻吩基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的Il基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞三苯基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并噻吩基，或其組合。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2-1 中的Ar1及Ar2中的至少一者是選自以下[群組3]及[群組4]中所列的基團： [群組3]H12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2-II 的化合物是選自以下群組6中所列的化合物： [群組6]13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2-III所 示的化合物是選自群組7中所列的化合物： [群組7]14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光電元件的電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所 示的化合物與化學式2所示的化合物是以1:99至99:1的重量比包含在內(nèi)。15. -種有機光電元件，包括 面向彼此的陽極及陰極； 發(fā)射層，安置于所述陽極與所述陰極之間； 電子傳送層，安置于所述陰極與所述發(fā)射層之間；以及 電子傳送輔助層，安置于所述電子傳送層與所述發(fā)射層之間， 其中所述電子傳送輔助層包含根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項所述的有機光電元件的電 子傳送輔助層用組成物。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機光電元件，其中所述電子傳送輔助層分別接觸所述電 子傳送層及所述發(fā)射層。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機光電元件，其中所述發(fā)射層包含藍色摻雜劑，且所述電 子傳送輔助層接觸所述發(fā)射層。18. -種顯示元件，包括根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機光電元件。
【文檔編號】C09K11/06GK105934499SQ201580005920
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2015年1月16日
【發(fā)明人】金亨宣, 姜基煜, 金奉玉, 金榮權(quán), 金勳, 吳在鎭, 柳銀善, 李韓壹, 李炫揆, 趙平錫
【申請人】三星Sdi株式會社