一種單層單晶石墨烯量子點(diǎn)及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種單層單晶石墨烯量子點(diǎn),該單層單晶石墨烯量子點(diǎn)粒徑大小為1~10nm,為單層的單晶結(jié)構(gòu),且所述單晶結(jié)構(gòu)為典型的六方網(wǎng)格條紋結(jié)構(gòu)。還公開了此單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,該方法以多環(huán)芳烴為碳源,利用液相剝離法制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn),得到的量子點(diǎn)可發(fā)出明亮的熒光,發(fā)光波長可通過碳源前軀體和石墨烯量子點(diǎn)溶液的pH值進(jìn)行調(diào)控。
【專利說明】
一種單層單晶石墨烯量子點(diǎn)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及碳納米材料領(lǐng)域。更具體地,涉及一種單層單晶石墨烯量子點(diǎn)及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前在石墨烯量子點(diǎn)的研究中,采用的制備方法主要有自上而下和自下而上兩種方法。其中自上而下的方法是通過對(duì)碳納米材料,如富勒稀、碳納米管、石墨稀、石墨及碳纖維等,進(jìn)行裂解得到石墨稀量子點(diǎn),包括酸裂解(Nat.Commun.2013,4,2943-2948)、等離子體處理(Small 2010,6,1469-1473)、電化學(xué)裂解(Adv.Mater.2011,23,776-780)、水熱切割(Adv.Mater.2010,22,734-738)等。自下而上是指碳源(糖類、梓檬酸、胺類、小分子等)通過水熱/溶劑熱(Sci.R印.2014,4,5294-5304)、微波(Adv.Funct.Mater.2012,22,2971-2979)及有機(jī)合成(J.Am.Chem.Soc.2010,132,5944-5945)等方法得到石墨烯量子點(diǎn)。然而上述方法制備的石墨烯量子點(diǎn)始終存在一些缺點(diǎn),如結(jié)構(gòu)多晶或者無定形、層數(shù)較多等,并導(dǎo)致了其熒光效率低、熒光光譜單一及熒光不可控等問題。
[0003]基于此有必要提供一種制備結(jié)構(gòu)和發(fā)光可控的石墨烯量子點(diǎn)的方法。本發(fā)明是以多環(huán)芳烴為碳源通過液相剝離的方法制備得到具有單層單晶結(jié)構(gòu)的石墨烯量子點(diǎn),并且其熒光光譜可通過碳源和PH進(jìn)行調(diào)控。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的第一個(gè)目的在于提供一種單層單晶石墨烯量子點(diǎn),該石墨烯量子點(diǎn)為單層的單晶結(jié)構(gòu),具有典型的六方網(wǎng)格條紋結(jié)構(gòu);所述石墨烯量子點(diǎn)可發(fā)出熒光,熒光效率高,且熒光發(fā)光波長范圍可控。
[0005]本發(fā)明的第二個(gè)目的在于提供一種單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,該制備方法簡單,以多環(huán)芳烴為碳源,利用液相剝離法制備得到此石墨烯量子點(diǎn)。
[0006]為達(dá)到上述第一個(gè)目的,本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
[0007]—種單層單晶石墨烯量子點(diǎn),所述單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的粒徑大小為I?1nm;所述單層單晶石墨烯量子點(diǎn)為單層的單晶結(jié)構(gòu);所述單晶結(jié)構(gòu)為六方網(wǎng)格條紋單晶結(jié)構(gòu)。
[0008]所述單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的熒光發(fā)光波長范圍可通過碳源多環(huán)芳烴或pH值調(diào)控。
[0009]所述pH值調(diào)控是指用酸性化合物或堿性化合物進(jìn)行調(diào)控。
[0010]優(yōu)選地,所述酸性化合物包含但不局限于鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸中的一種或幾種的組合。
[0011]優(yōu)選地,所述堿性化合物包含但不局限于氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、氨水中的一種或幾種的組合。
[0012]為達(dá)到上述第二個(gè)目的,本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
[0013]—種單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,包括如下步驟:
[0014]I)將多環(huán)芳烴與酸在-5?5°C溫度下混合攪拌0.5?2h,形成共軛稠環(huán)化合物,再加入氧化劑,繼續(xù)低溫?cái)嚢?.5?2h,得混合物;
[0015]2)將步驟I)所得混合物于油浴中,在60?100°C溫度下攪拌反應(yīng)I?5h,將反應(yīng)產(chǎn)物置于去離子水中,得到含有單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的懸濁液;
[0016]3)將步驟2)得到的懸濁液用微孔濾膜過濾除去大顆粒雜質(zhì),再用堿性化合物將濾液pH調(diào)至6?8,再透析I?5天,得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)溶液;
[0017]4)將步驟3)所得溶液經(jīng)干燥除去水分,得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。
[0018]優(yōu)選地,步驟I)中,所述多環(huán)芳烴的量為0.05?0.5g,酸的量為I?25mL;所述氧化劑與多環(huán)芳烴的質(zhì)量比為1:1?25:1。
[0019]優(yōu)選地,步驟I)中,所述多環(huán)芳烴選自萘、苊烯、苊、芴、菲、蒽、熒蒽、芘、苯并(a)蒽、屈、苯并(b)熒蒽、苯并(k)熒蒽、苯并(a)芘、茚并(l,2,3-cd)芘、二苯并(a,h)蒽、苯并(g,h,i)茈、卜甲基萘、2-甲基萘、六苯并苯、六苯并蔻、C96H30、C132H34、C15oH42或C222H42。
[°02°] 其中,上述六苯并蔻的合成過程參照文獻(xiàn)Angew.Chem.1nt.Ed.Engl.1995 ,34,1609-1611。
[0021 ] C96H3Q的合成過程參照文獻(xiàn)Angew.Chem.1nt.Ed.2004,43,755-758。
[0022]Ci32H34 的合成過程參照文獻(xiàn) Chem.Eur.J.1998,4,2099-2109。
[0023]C15QH42 的合成過程參照文獻(xiàn) J.0rg.Chem.2004,69,5179-5186。
[0024]C222H42 的合成過程參照文獻(xiàn) Chem.Eur.J.2002,8,1424-1429。
[0025]優(yōu)選地,步驟I)中,所述酸選自硫酸、硝酸或磷酸中的一種或幾種。
[0026]優(yōu)選地,步驟I)中,所述氧化劑選自高錳酸鉀、硝酸或重鉻酸鉀中的一種或幾種。
[0027]優(yōu)選地,步驟3)中,所述堿性化合物選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀或氨水中的一種或幾種。
[0028]優(yōu)選地,步驟3)中,所述微孔濾膜的孔徑為0.22μπι;所述透析用的透析袋的截留分子量為I?8kDa。
[0029]本發(fā)明中使用的各種原料,如無特殊說明,均可市售購買得到或通過本領(lǐng)域常規(guī)手段獲得。
[0030]本發(fā)明的有益效果如下:
[0031]本發(fā)明的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)為單層的單晶結(jié)構(gòu),熒光效率高,熒光可控,熒光光譜可通過碳源或pH進(jìn)行調(diào)整。
[0032]本發(fā)明提供了一種新的制備單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的方法,該方法簡單,條件可控。
【附圖說明】
[0033]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0034]圖1示出本發(fā)明實(shí)施例1中的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的透射電鏡照片及其電子衍射花樣。
[0035]圖2示出本發(fā)明實(shí)施例1中的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的原子力顯微鏡照片及其高度大小。
[0036]圖3示出本發(fā)明實(shí)施例2中的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)在不同pH水溶液中的熒光光.)並L曰O
[0037]圖4示出本發(fā)明實(shí)施例2中的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)在不同pH水溶液中照片,上部分為日光下的照片,下部分為在365nm紫外燈照射下的照片。
【具體實(shí)施方式】
[0038]為了更清楚地說明本發(fā)明,下面結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的,不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0039]實(shí)施例1
[0040]—種單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備,步驟如下:
[0041 ] a)將0.1g芘加入至250mL三口燒瓶中,并轉(zhuǎn)移至冰鹽浴(_5°C )中,加入5mL硝酸并攪拌Ih,再逐粒加入0.5g高猛酸鉀,繼續(xù)攪拌Ih,制成混合物;
[0042]b)將混合物置于油浴鍋中80 0C攪拌反應(yīng)2h,然后將混合物倒入30mL去離子水中得到含有單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的懸濁液;
[0043]c)使用0.22μπι微孔濾膜過濾除去大顆粒,使用碳酸鈉將濾液pH調(diào)至6,使用分子量為IkDa透析袋進(jìn)行透析3天,收集透析袋內(nèi)的單晶單層石墨烯量子點(diǎn)溶液;
[0044]d)采用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去水得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。
[0045]其透射電鏡圖片及其電子衍射花樣見附圖1,從圖1中可看出,所得石墨烯量子點(diǎn)為單層的單晶結(jié)構(gòu),粒徑大小為3nm左右,條紋間距為0.21nm。其原子力顯微鏡照片見附圖
2,其高度為0.4 n m左右。將其分散在水中,使用鹽酸和氫氧化鈉調(diào)控石墨烯量子點(diǎn)溶液的pH。隨著pH值的增加,其熒光峰逐漸紅移。
[0046]實(shí)施例2
[0047]—種單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備,步驟如下:
[0048]a)將0.05g六苯并蔻加入至250mL三口燒瓶中,并轉(zhuǎn)移至冰水浴(0°C)中,加入ImL硫酸并攪拌0.5h,再逐滴加入1.25g硝酸,繼續(xù)攪拌0.5h,制成混合物;
[0049]b)將混合物置于油浴鍋中60°C回流攪拌反應(yīng)5h,然后將混合物倒入5mL去離子水中得到含有單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的懸濁液;
[0050]c)使用0.22μπι微孔濾膜過濾除去大顆粒,使用氫氧化鈉將濾液pH調(diào)至7,使用分子量為3.5kDa透析袋進(jìn)行透析I天,收集透析袋內(nèi)的單晶單層石墨烯量子點(diǎn)溶液;
[0051 ] d)采用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去水得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。
[0052]所得單層單晶石墨烯量子點(diǎn)為單層的單晶結(jié)構(gòu),粒徑大小為5nm左右,條紋間距為
0.21nm,高度為0.6nm左右。將其分散在水中,使用硫酸和氫氧化鉀調(diào)控石墨烯量子點(diǎn)溶液的pH。其不同pH水溶液在365nm激發(fā)時(shí)的熒光光譜見附圖3,隨著pH值的增加,熒光峰逐漸紅移。其不同PH水溶液日光下和365nm紫外燈照射下的照片見附圖4。
[0053]實(shí)施例3
[0054]一種單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備,步驟如下:
[0055]a)將0.5g C222H42加入至250mL三口燒瓶中,并轉(zhuǎn)移至水浴(5 °C )中,加入25mL磷酸并攪拌2h,再逐粒加入0.5g重鉻酸鉀,繼續(xù)攪拌2h,制成混合物;
[0056]b)將混合物置于油浴鍋中100 °C攪拌反應(yīng)Ih,然后將混合物倒入I OOmL去離子水中得到含有單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的懸濁液;
[0057]c)使用0.22μπι微孔濾膜過濾除去大顆粒,使用碳酸氫鈉將濾液pH調(diào)至8,使用分子量為SkDa透析袋進(jìn)行透析5天,收集透析袋內(nèi)的單晶單層石墨烯量子點(diǎn)溶液;
[0058]d)采用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去水得到石墨烯量子點(diǎn)。
[0059]所得單層單晶石墨烯量子點(diǎn)為單層的單晶結(jié)構(gòu),粒徑大小為1nm左右,條紋間距為0.2Inm,高度為0.6nm左右。將其分散在水中,使用硝酸和氨水調(diào)控石墨烯量子點(diǎn)溶液的pH。隨著pH值的增加,其熒光峰逐漸紅移。
[0060]實(shí)施例4
[0061 ]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“芘”換成“萘”,將步驟c)中的“碳酸鈉”換成“碳酸鉀”,將步驟d)中的“鹽酸和氫氧化鈉”換成“磷酸和碳酸鈉”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)大小為Inm左右,其余性質(zhì)與實(shí)施例I基本相近。
[0062]實(shí)施例5
[0063]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“芘”換成“苊烯”,將步驟c)中的“碳酸鈉”換成“氫氧化鉀”,將步驟d)中的“氫氧化鈉”換成“碳酸鉀”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0064]實(shí)施例6
[0065]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“芘”換成“苊”,將步驟c)中的“碳酸鈉”換成“碳酸氫鉀”,將步驟d)中的“氫氧化鈉”換成“碳酸氫鉀”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0066]實(shí)施例7
[0067]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“芘”換成“芴”,將步驟c)中的“碳酸鈉”換成“氨水”,將步驟d)中的“氫氧化鈉”換成“碳酸氫鈉”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0068]實(shí)施例8
[0069]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“芘”換成“1-甲基萘”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0070]實(shí)施例9
[0071]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“芘”換成“2-甲基萘”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0072]實(shí)施例10
[0073]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“花”換成“菲”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0074]實(shí)施例11
[0075]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“芘”換成“蒽”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0076]實(shí)施例12
[0077]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“花”換成“焚蒽”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0078]實(shí)施例13
[0079]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“花”換成“焚蒽”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0080]實(shí)施例14
[0081 ]重復(fù)實(shí)施例1,區(qū)別在于,將步驟a)中的“花”換成“屈”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例1基本相近。
[0082]實(shí)施例15
[0083]重復(fù)實(shí)施例2,區(qū)別在于,將步驟a)中的“六苯并蔻”換成“苯并(b)熒蒽”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例2基本相近。
[0084]實(shí)施例16
[0085]重復(fù)實(shí)施例2,區(qū)別在于,將步驟a)中的“六苯并蔻”換成“苯并(k)熒蒽”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例2基本相近。
[0086]實(shí)施例17
[0087]重復(fù)實(shí)施例2,區(qū)別在于,將步驟a)中的“六苯并蔻”換成“苯并(a)芘”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例2基本相近。
[0088]實(shí)施例18
[0089]重復(fù)實(shí)施例2,區(qū)別在于,將步驟a)中的“六苯并蔻”換成“苯并(g,h,i)茈”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例2基本相近。
[0090]實(shí)施例19
[0091]重復(fù)實(shí)施例2,區(qū)別在于,將步驟a)中的“六苯并蔻”換成“茚并(I,2,3_cd)芘”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例2基本相近。
[0092]實(shí)施例20
[0093]重復(fù)實(shí)施例2,區(qū)別在于,將步驟a)中的“六苯并蔻”換成“二苯并(a,h)蒽”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例2基本相近。
[0094]實(shí)施例21
[0095]重復(fù)實(shí)施例2,區(qū)別在于,將步驟a)中的“六苯并蔻”換成“六苯并苯”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例2基本相近。
[0096]實(shí)施例22
[0097]重復(fù)實(shí)施例3,區(qū)別在于,將步驟a)中的“C222H42”換成“C96H3Q”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例3基本相近。
[0098]實(shí)施例23
[0099]重復(fù)實(shí)施例3,區(qū)別在于,將步驟a)中的“C222H42”換成“C132H34”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例3基本相近。
[0100] 實(shí)施例24
[0101 ]重復(fù)實(shí)施例3,區(qū)別在于,將步驟a)中的“C222H42”換成“C15QH42”,其余條件不變,制備得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。得到的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)性質(zhì)與實(shí)施例3基本相近。
[0102]對(duì)比例I
[0103]制備方法基本與實(shí)施例1相同,只是將a)中的“芘”換成“檸檬酸”,其余條件不變,得不到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。
[0104]對(duì)比例2
[0105]制備方法基本與實(shí)施例2相同,只是將a)中的“六苯并蔻”換成“乙二胺”,其余條件不變,得不到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。
[0106]對(duì)比例3
[0107]制備方法基本與實(shí)施例1相同,只是不加a)中的“高錳酸鉀”,得不到單層單晶石墨稀量子點(diǎn)。
[0108]對(duì)比例4
[0109]制備方法基本與實(shí)施例2相同,只是不加a)中的“硫酸”,得不到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。
[0110]顯然,本發(fā)明的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例,而并非是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的限定,對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng),這里無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉,凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種單層單晶石墨烯量子點(diǎn),其特征在于:所述單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的粒徑大小為I?1nm;所述單層單晶石墨烯量子點(diǎn)為單層的單晶結(jié)構(gòu);所述單晶結(jié)構(gòu)為六方網(wǎng)格條紋單晶結(jié)構(gòu)。2.如權(quán)利要求1所述的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:包括如下步驟: 1)將多環(huán)芳經(jīng)與酸在-5?5°C溫度下混合攪拌0.5?2h后,再加入氧化劑,繼續(xù)攪拌0.5?2h,得混合物; 2)將步驟I)所得混合物于油浴中,在60?1000C溫度下攪拌反應(yīng)I?5h,將反應(yīng)產(chǎn)物置于去離子水中,得到懸濁液; 3)將步驟2)得到的懸濁液用微孔濾膜過濾,用堿性化合物將濾液pH調(diào)至6?8,再透析I?5天,得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)溶液; 4)將步驟3)所得溶液經(jīng)干燥除去水分,得到單層單晶石墨烯量子點(diǎn)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟I)中,所述多環(huán)芳烴的量為0.05?0.5g,酸的量為I?25mL;所述氧化劑與多環(huán)芳烴的質(zhì)量比為1:1?25:1。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟I)中,所述多環(huán)芳烴選自萘、苊烯、苊、芴、菲、蒽、熒蒽、芘、苯并(a)蒽、屈、苯并(b)熒蒽、苯并(k)焚蒽、苯并(a)花、弗并(I,2,3_cd)花、二苯并(a,h)蒽、苯并(g,h,i)花、1-甲基萘、2-甲基萘、六苯并苯、六苯并蔻、C96H30、C132H34、C150H42或C222H42中的一種。5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟I)中,所述酸選自硫酸、硝酸或磷酸中的一種或幾種。6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟I)中,所述氧化劑選自高錳酸鉀、硝酸或重鉻酸鉀中的一種或幾種。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟3)中,所述堿性化合物選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀或氨水中的一種或幾種。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單層單晶石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟3)中,所述微孔濾膜的孔徑為0.22μπι;所述透析用的透析袋的截留分子量為I?8kDa。
【文檔編號(hào)】B82Y40/00GK105860968SQ201610284598
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年4月29日
【發(fā)明人】周樹云, 袁標(biāo), 孫興明, 嚴(yán)峻, 謝政, 陳萍
【申請(qǐng)人】中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所