專利名稱：用含氨基酸的組合物研磨內(nèi)存或硬盤(pán)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使底質(zhì)(特別是內(nèi)存或硬盤(pán))平坦(planarizing)或?qū)ζ溥M(jìn)行研磨(polishing)的方法。
背景技術(shù)：
提高內(nèi)存或硬盤(pán)存儲(chǔ)容量的需求及使內(nèi)存或硬盤(pán)小型化的趨勢(shì)(因?yàn)橛?jì)算機(jī)制造業(yè)者希望能使用較小的硬件)一直在強(qiáng)調(diào)內(nèi)存或硬盤(pán)生產(chǎn)過(guò)程的重要性，包括使這樣的硬盤(pán)平坦或研磨，以確保有最大效能。雖然對(duì)于半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)而言存在有多種化學(xué)-機(jī)械研磨(chemical-mechanical polishing，CMP)組合物和方法，但是傳統(tǒng)的CMP法或市售的CMP組合物幾乎沒(méi)有能很好地適用于使內(nèi)存或硬盤(pán)平坦或?qū)ζ涫┮蕴幚淼漠a(chǎn)品。
特別地，當(dāng)施用于內(nèi)存或硬盤(pán)時(shí)，這樣的研磨組合物和/或方法提供的研磨速率比所希望得到的低并且使得表面缺陷度高。內(nèi)存或硬盤(pán)效能直接與其表面品質(zhì)有關(guān)。因此，研磨組合物和方法提高了內(nèi)存或硬盤(pán)在平坦化或研磨處理之后的拋光或移除速率而降低了表面缺陷度，這一點(diǎn)是相當(dāng)重要的。
目前已進(jìn)行了許多嘗試，以改善研磨期間內(nèi)的內(nèi)存或硬盤(pán)移除速率并盡可能降低經(jīng)研磨表面于平坦化或研磨期間內(nèi)的缺陷度。例如，美國(guó)專利第4,769,046號(hào)提出一種用以研磨在硬盤(pán)上的鎳鍍層的方法，其使用了包含氧化鋁和研磨加速劑如硝酸鎳、硝酸鋁或其混合物的組合物。
但以高移除速率使內(nèi)存或硬盤(pán)平坦或?qū)ζ涫┮匝心ヌ幚聿⒈M可能減少表面缺陷的方法仍有改善的空間。本發(fā)明試圖提出這樣的方法。由此處關(guān)于本發(fā)明的描述可了解本發(fā)明方法的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種用以使內(nèi)存或硬盤(pán)表面平坦或?qū)ζ涫┮匝心ヌ幚淼姆椒?，包含?i)研磨組合物(polishing composition)，包含選自過(guò)硫酸鹽和過(guò)氧化物的氧化劑、氨基酸和水，及(ii)磨料(abrasive)，研磨至少一部分表面。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提出一種用以使內(nèi)存或硬盤(pán)平坦或?qū)ζ涫┮匝心ヌ幚淼姆椒?。此方法包含使?nèi)存或硬盤(pán)表面與(i)研磨組合物，包含選自過(guò)硫酸鹽和過(guò)氧化物的氧化劑、氨基酸和水，及(ii)磨料，接觸，并且通過(guò)使得研磨組合物與內(nèi)存或硬盤(pán)相對(duì)運(yùn)動(dòng)而研磨內(nèi)存或硬盤(pán)的至少一部分表面。這樣的接觸和研磨可通過(guò)任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)進(jìn)行。例如，研磨組成物可以施用于內(nèi)存或硬盤(pán)表面并通過(guò)使用研磨墊而研磨內(nèi)存或硬盤(pán)的至少一部分表面。
所謂的＂內(nèi)存(memory)或硬盤(pán)(rigid disk)＂是指任何用以電磁形式留存數(shù)據(jù)的磁盤(pán)、硬盤(pán)、硬質(zhì)碟狀物或記憶碟。內(nèi)存或硬盤(pán)通常具有一個(gè)包含鎳-磷的表面，但內(nèi)存或硬盤(pán)表面可以包含任何其它適當(dāng)?shù)牟牧稀?br> 此磨料可以是任何適當(dāng)?shù)哪チ稀４四チ弦越饘傺趸锬チ蠟榧?。金屬氧化物磨料例如包括氧化鋁(alumina)、二氧化硅(silica)、氧化鈦(titania)、氧化鈰(ceria)、氧化鋯(zirconia)、氧化鍺(germania)、氧化鎂(magnesia)和它們的組合。優(yōu)選，本發(fā)明方法中的磨料是縮合-聚合的金屬氧化物，例如縮合-聚合的二氧化硅。縮合-聚合的二氧化硅通常是通過(guò)縮合Si(OH)4而形成膠態(tài)顆粒而制得的。這樣的磨料可根據(jù)美國(guó)專利第5,230,833號(hào)制得或者可為多種市售品，如Akzo-Nobel Bindzil 50/80產(chǎn)品及Nalco 1050，2327和2329產(chǎn)品以及DuPont，Bayer，Applied Research，Nissan Chemical和Clariant的其它類似產(chǎn)品。
希望，此磨料為使得約90％或以上的磨料(數(shù)量)的顆粒尺寸不大于100納米的磨料。優(yōu)選磨料顆粒為使得至少約95％、98％或甚至于基本上所有(或事實(shí)上所有)的磨料顆粒(數(shù)量)的顆粒尺寸不大于100納米。較佳情況中，研磨顆粒的這些顆粒尺寸(即，磨料中至少約90％、95％、98％、基本上所有及所有的磨料顆粒(數(shù)量)不超過(guò)磨料顆粒的特定尺寸)可為其它顆粒尺寸，如95納米、90納米、85納米、80納米、75納米、70納米和65納米。
類似地，此磨料顆?？梢詾槭沟弥辽偌s90％、95％、98％或甚至于基本上所有(或事實(shí)上所有)(數(shù)量)的磨料顆粒的顆粒尺寸不低于5納米。較佳情況中，研磨顆粒的這些顆粒尺寸(即，磨料中至少約90％、95％、98％、幾乎所有及所有的磨料顆粒(數(shù)量)不超過(guò)磨料顆粒的特定尺寸)可為其它顆粒尺寸，如7納米、10納米、15納米、25納米和30納米。
除非特別聲明，否則此處用以描述磨料本質(zhì)的百分比值是“數(shù)量”百分比，而非重量％。將磨料中的磨料顆粒的顆粒尺寸稱為粒徑。此顆粒尺寸可通過(guò)任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)測(cè)定。此處所提及的顆粒尺寸值是以肉眼觀察為基礎(chǔ)，特定言之，以磨料的合乎統(tǒng)計(jì)的樣品(以至少200個(gè)顆粒為佳)以透射電子顯微(TEM)觀察。
磨料中的磨料顆粒的粒徑分布的特征在于數(shù)量的幾何標(biāo)準(zhǔn)偏差，以σg表示。用(a)磨料中84％的較小磨料顆粒(數(shù)量)直徑除以(b)磨料中的16％較小磨料顆粒(數(shù)量)可得到σg值(即，σg值＝d84/d16)。單分散的磨料顆粒的σg值為約1。隨著磨料顆粒便成多分散的，磨料顆粒(即，顆粒尺寸逐漸改變)的磨料顆粒的σg值高于1。通常，磨料顆粒的σg值為約2.5或以下(如約2.3或以下)。磨料顆粒的較佳σg值是至少約1.1(如約1.1-2.3，如1.1-1.3)，更佳的σg值至少約1.3(如約1.5-2.3或甚至1.8-2.3)。
任何適當(dāng)量的磨料可以存在于此研磨組合物中。以組合物計(jì)，磨料的存在濃度以約0.1-30重量％為佳，如約1-28重量％。更佳情況中，以組合物計(jì)，磨料的存在濃度以約3-25重量％為佳，如約5-20重量％，或甚至約6-15重量％?；蛘撸チ先珨?shù)或一部分可以固定(如埋入)于研磨墊上或之中。
氧化劑可以是任何合適的氧化劑，適當(dāng)?shù)难趸瘎┌?，例如過(guò)硫酸鹽和過(guò)氧化物。較佳情況中，此氧化劑選自過(guò)硫酸銨、過(guò)硫酸鉀、過(guò)硫酸鈉和過(guò)氧化氫。
任何適當(dāng)量的氧化劑可以存在于此研磨組合物中。以組合物計(jì)，此氧化劑的存在量以約0.01-10重量％為佳，如約0.1-10重量％。以組合物計(jì)，此氧化劑的存在量以約0.5-8重量％更佳，如約1-6或甚至約2-6重量％。
氨基酸可以是任何適當(dāng)?shù)陌被?。適當(dāng)?shù)陌被岚?，如，?-8個(gè)碳原子的氨基酸，如具1-7個(gè)碳原子的氨基酸，或甚至具1-6個(gè)碳原子的氨基酸。較佳情況中，本發(fā)明方法之組合物中的氨基酸是甘氨酸、亞胺基二醋酸、丙氨酸、纈氨酸、亮氨酸、異亮氨酸、絲氨酸和蘇氨酸。在更佳情況中，此氨基酸是甘氨酸或丙氨酸。
任何適當(dāng)量的氨基酸可存在于研磨組合物中。以組合物計(jì)，此氨基酸的存在量以約0.01-10重量％為佳，如約0.1-10重量％。以組合物計(jì)，此氨基酸的存在量約0.5-8重量％更佳，如約0.75-8重量％。以組合物計(jì)，此氨基酸的存在量約1-7重量％最佳，如約2-6重量％，或甚至3-5重量％。
研磨組合物的pH可為任何適當(dāng)?shù)膒H。組合物的pH以約1-7為佳，如約1-6。組合物的pH為約2-5更佳，如約2-4或甚至約3-4。
根據(jù)需要，可以任何適當(dāng)方式調(diào)整研磨組合物的pH，如在組合物中添加pH調(diào)整劑。適當(dāng)?shù)膒H調(diào)整劑包括，例如堿如氫氧化鉀、氫氧化銨、碳酸鈉和它們的混合物，以及酸，例如無(wú)機(jī)酸如硝酸和硫酸，有機(jī)酸如醋酸、檸檬酸、丙二酸、丁二酸、酒石酸和草酸。
此研磨組合物可任選地還包含一或多種其它添加物。這樣的添加物包括表面活性劑(如陽(yáng)離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、非離子表面活性劑、兩性表面活性劑、氟化表面活性劑和它們的混合物)、聚合物穩(wěn)定劑或其它表面活性分散劑(如磷酸、有機(jī)酸、氧化錫和膦酸鹽化合物)、額外研磨助劑(accelerator)(如催化劑和螯合或復(fù)合劑(如金屬(特別是鐵)、硫酸鹽，具羧酸基、羥基、磺基和/或膦酸基的化合物，二-、三-、多-和聚-羧酸和鹽(如酒石酸和酒石酸鹽、蘋(píng)果酸和蘋(píng)果酸鹽、丙二酸和丙二酸鹽、葡糖酸和葡糖酸鹽、檸檬酸和檸檬酸鹽、苯二甲酸和苯二甲酸鹽、焦兒茶酚、焦五倍子酸、五倍子酸和五倍子酸鹽、單寧酸和單寧酸鹽)、含胺化合物(如一級(jí)、二級(jí)、三級(jí)和四級(jí)胺及氨基酸)及它們的混合物)。
實(shí)施例下列實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但當(dāng)然不因此限制本發(fā)明的范圍。
下列所有實(shí)施例中的內(nèi)存或硬盤(pán)是Seagate Technology的市售內(nèi)存或硬盤(pán)。內(nèi)存或硬盤(pán)是具鋁底質(zhì)的經(jīng)鎳磷涂覆(電鍍)的盤(pán)片。此內(nèi)存或硬盤(pán)經(jīng)事先研磨程序之后用于下列實(shí)施例，各內(nèi)存或硬盤(pán)的表面糙度是10-50埃。
所有實(shí)施例中所用的研磨墊是Rodel制造的直徑為25.4公分的Politex Hi墊。實(shí)施例1-3中的內(nèi)存或硬盤(pán)以Streuers(West Lake，Ohio)制造的桌面研磨機(jī)以平臺(tái)速率150rpm、研磨載體速率150rpm、漿料流率100毫升/分鐘，向下研磨力50牛頓的條件下研磨。實(shí)施例4中的內(nèi)存或硬盤(pán)系使用Strausbaugh6EE研磨機(jī)(San Luis Obispo，California)以55-65rpm研磨速率、向下研磨力10-12.5牛頓的條件研磨。
通過(guò)在研磨之前和之后稱量干凈、干燥的內(nèi)存或硬盤(pán)的重量來(lái)計(jì)算鎳-磷研磨速率。以鎳-磷密度是8.05克/立方厘米為基礎(chǔ)，將重量損耗轉(zhuǎn)化成內(nèi)存或硬盤(pán)厚度損失。對(duì)下列實(shí)施例中的各研磨組合物作更精確的比較，在一般相同的研磨條件(特別是試驗(yàn)期間內(nèi)的研磨墊磨耗)，以規(guī)則時(shí)間間隔使用具4重量％硅石(具體的是Akzo-Nobel Bindzil 50/80產(chǎn)品)和0.25重量％羥基胺硝酸鹽(HAN)的對(duì)照組合物(其中，對(duì)照組合物的pH是3.5)。之后，通過(guò)將試驗(yàn)組合物的研磨速率除以最近評(píng)估的對(duì)照組合物的研磨速率，將各試驗(yàn)組合物的實(shí)際研磨速率轉(zhuǎn)化成相對(duì)研磨速率。據(jù)此，可交叉比較所有實(shí)施例中的試驗(yàn)組合物的相對(duì)研磨速率。
實(shí)施例1此實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明可達(dá)到的內(nèi)存或硬盤(pán)研磨速率與研磨組合物中的氨基酸種類有關(guān)。
鍍有鎳-磷的內(nèi)存或硬盤(pán)分別以六種含4重量％硅石(特別地是Akzo-Nobel Bindzil 50/80產(chǎn)品)、2重量％H2O2和1-3重量％氨基酸(特別地是甘氨酸、DL-丙氨酸、亞胺基二醋酸或DL-絲氨酸)的不同的研磨組合物研磨，其中各研磨組合物的pH是2.5。為便于比較，鍍有鎳-磷的內(nèi)存或硬盤(pán)以前述對(duì)照研磨組合物和三種＂比較用＂研磨組合物(＂comparative＂polishingcomposition)(含4重量％硅石(特別地是Akzo-Nobel Bindzil 50/80產(chǎn)品)和/或2重量％H2O2或1重量％氨基酸(特別地是甘氨酸))研磨，其中所有的研磨組合物的pH都是2.5。使用研磨組合物之后，測(cè)定各組合物的相對(duì)研磨速率，其結(jié)果示于附表1。
表1

根據(jù)表1所示數(shù)據(jù)很明顯，含H2O2和氨基酸的研磨組合物(組合物1A-1F)的相對(duì)研磨速率大于不含H2O2和氨基酸的對(duì)照研磨組合物和比較用研磨組合物(對(duì)照物1-3)的相對(duì)研磨速率。此外，含H2O2和1重量％甘氨酸、1重量％DL-丙氨酸或2重量％亞胺基二醋酸的研磨組合物(組合物1A、1C和1E)的相對(duì)研磨速率比含H2O2和3重量％甘氨酸、3重量DL-丙氨酸或2重量％絲氨酸的研磨組合物(組合物1B、1D和1F)的相對(duì)研磨速率來(lái)得高。這些結(jié)果顯示本發(fā)明的方法中，合并氧化劑和氨基酸的效果及特別的氨基酸對(duì)于本發(fā)明的方法所能達(dá)到的研磨速率的重要影響。
實(shí)施例2此實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明方法所能獲得的內(nèi)存或硬盤(pán)的研磨速率與研磨組合物中的氧化劑特性(identity)、氨基酸濃度和研磨組合物的pH有關(guān)。
鍍有鎳-磷的內(nèi)存或硬盤(pán)分別以八種含4重量％硅石(二氧化硅)(特定言之，Akzo-Nobel Bindzil 50/80產(chǎn)品)、1-3重量％甘氨酸和2重量％氧化劑(特定言之，H2O2或過(guò)硫酸銨(APS))的不同的研磨組合物研磨，其中各研磨組合物的pH是2.5-3.5。使用研磨組合物之后，測(cè)定各組合物的相對(duì)研磨速率，其結(jié)果示于表2。為便于比較，表2亦列出前述對(duì)照組合物和實(shí)施例1中所述＂比較用＂研磨組合物(比較用組合物1-3)的相對(duì)研磨速率。
附表2

根據(jù)表2所示數(shù)據(jù)很明顯，所有其它條件皆相同時(shí)，具1重量％甘氨酸和氧化劑的研磨組合物(組合物2A、2C、2E和2G)所顯示的相對(duì)研磨速率高于具3重量％甘氨酸和氧化劑的研磨組合物(組合物2B、2D、2F和2H)的相對(duì)研磨速率。此外，所有其它條件皆相同時(shí)，含甘氨酸和氧化劑且pH2.5的研磨組合物(組合物2A、2B、2E和2F)的相對(duì)研磨速率與含甘氨酸和氧化劑且pH3.5的研磨組合物(組合物2C、2D、2G和2H)的相對(duì)研磨速率相同或相比更高。這些結(jié)果顯示在本發(fā)明的方法中，特定的氧化劑、氨基酸濃度和pH對(duì)于研磨速率有重大影響。
實(shí)施例3此實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明方法中的組合物所能達(dá)到的內(nèi)存或硬盤(pán)研磨速率與研磨組合物中的氧化劑特性、氨基酸濃度和研磨組合物的pH有關(guān)。
鍍有鎳-磷的內(nèi)存或硬盤(pán)分別以八種含4重量％硅石(特定言之，Akzo-Nobel Bindzil 50/80產(chǎn)品)、1-3重量％DL-丙氨酸和2重量％氧化劑(特定言之，H2O2或過(guò)硫酸鉀(KPS))的不同的研磨組合物研磨，其中各研磨組合物的pH是2.5-3.5。使用研磨組合物之后，測(cè)定各組合物的研磨速率，其結(jié)果示于表3。為便于比較，表3亦列出前述對(duì)照組合物和實(shí)施例1中所述的兩種＂比較用＂研磨組合物(比較用組合物1-2)的相對(duì)研磨速率。
表3

根據(jù)表3所示數(shù)據(jù)很明顯，所有其它條件皆相同時(shí)，具1重量％DL-丙氨酸和氧化劑的研磨組合物(組合物3A、3C、3E和3G)的相對(duì)研磨速率高于具3重量％DL-丙氨酸和氧化劑的研磨組合物(組合物3B、3D、3F和3H)的相對(duì)研磨速率。此外，所有其它條件皆相同時(shí)，含DL-丙氨酸和氧化劑且pH2.5的研磨組合物(組合物3A、3B、3E和3F)的相對(duì)研磨速率與含DL-丙氨酸和氧化劑且pH3.5的研磨組合物(組合物3C、3D、3G和3H)的相對(duì)研磨速率相同或相比更高。這些結(jié)果顯示在本發(fā)明的方法中，特別的氧化劑、氨基酸濃度和pH對(duì)于本發(fā)明的方法所能達(dá)到的研磨速率有重大影響。
實(shí)施例4此實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明方法中，研磨組合物中的氨基酸濃度對(duì)于所能獲致的內(nèi)存或硬盤(pán)之研磨速率有重大影響。
鍍有鎳-磷的內(nèi)存或硬盤(pán)分別以六種含4重量％硅石(特定言之，Akzo-Nobel Bindzil 50/80產(chǎn)品)、1.5重量％H2O2和0.1-1.3重量％甘氨酸的不同的研磨組合物研磨，其中各研磨組合物的pH是2.5。使用研磨組合物之后，測(cè)定各組合物的相對(duì)研磨速率，其結(jié)果示于表4。為便于比較，表4亦列出前述對(duì)照組合物的相對(duì)研磨速率。
表4

根據(jù)表4所示數(shù)據(jù)很明顯，含H2O2和0.7-1.3重量％甘氨酸的研磨組合物(組合物4D-F)的相對(duì)研磨速率高于含H2O2和0.1-0.5重量％甘氨酸的研磨組合物(組合物4A-C)的相對(duì)研磨速率。此外，含H2O2和1重量％甘氨酸的研磨組合物(組合物4E)的相對(duì)研磨速率比含H2O2且甘氨酸濃度低于1重量％的研磨組合物(組合物4A-D)的相對(duì)研磨速率及含H2O2且甘氨酸濃度高于1重量％的研磨組合物(組合物4F)的相對(duì)研磨速率相比更高。這些結(jié)果顯示特別的氧化劑、氨基酸濃度對(duì)于本發(fā)明方法所能達(dá)到的研磨速率有重大影響。
茲將此處所列所有參考文獻(xiàn)(包括專利、專利申請(qǐng)和公開(kāi)出版物)均列入本文作為參考。
雖然在本發(fā)明中結(jié)合較佳的實(shí)施例已經(jīng)說(shuō)明了本發(fā)明，但是對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員清楚的是可以對(duì)本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案進(jìn)行改變，因此實(shí)際上本發(fā)明能夠以此處所述的特定形式以外的方式實(shí)施。據(jù)此，本發(fā)明含括屬法令允許范圍內(nèi)的本發(fā)明權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有修飾。
權(quán)利要求
1.一種用以使內(nèi)存或硬盤(pán)表面平坦或?qū)ζ溥M(jìn)行研磨處理的方法，包含用(i)研磨組合物，包含選自過(guò)硫酸鹽和過(guò)氧化物的氧化劑、氨基酸和水，及(ii)磨料，研磨至少一部分表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中內(nèi)存或硬盤(pán)的表面包含鎳-磷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中磨料選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯、氧化鍺、氧化鎂和它們的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中磨料是二氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中磨料是縮合聚合的二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中約90％或以上數(shù)量的磨料顆粒的顆粒尺寸不超過(guò)100納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中基本上全部的磨料顆粒數(shù)量的顆粒尺寸不超過(guò)100納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中磨料顆粒具有特征為數(shù)量的幾何標(biāo)準(zhǔn)偏差σg至少為約1.3的磨料顆粒的顆粒尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中磨料以占組合物重量約0.1-30％的濃度存在。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中磨料固定于研磨墊上或之中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中氧化劑是過(guò)硫酸銨、過(guò)硫酸鉀或過(guò)硫酸鈉。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中氧化劑是過(guò)氧化氫。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中氧化劑的存在量是以組合物計(jì)約0.01-10重量％。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中氨基酸選自甘氨酸、亞胺基二醋酸、丙氨酸、纈氨酸、亮氨酸、異亮氨酸、絲氨酸和蘇氨酸。
15.根據(jù)權(quán)利要求14方法，其中氨基酸是甘氨酸。
16.根據(jù)權(quán)利要求14方法，其中氨基酸是丙氨酸。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中氨基酸的存在量是以組合物計(jì)約0.01-10重量％。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中研磨組合物的pH值為約1-6。
19.根據(jù)權(quán)利要求18方法，其中研磨組合物的pH值為約2-4。
全文摘要
一種用以使內(nèi)存或硬盤(pán)表面平坦或拋光的方法，包含用(i)研磨組合物，包含選自過(guò)硫酸鹽和過(guò)氧化物的氧化劑、氨基酸和水，及(ii)磨料，研磨至少一部分表面。
文檔編號(hào)C09K3/14GK1422313SQ01807598
公開(kāi)日2003年6月4日 申請(qǐng)日期2001年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月4日
發(fā)明者方明明, 王淑敏 申請(qǐng)人:卡伯特微電子公司