本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種真空加熱裝置。

背景技術(shù)：

在TFT-LCD行業(yè)中使用磁控濺射立式設(shè)備對玻璃基板進(jìn)行鍍膜時，通常利用鋁靶材對玻璃基板進(jìn)行鍍膜，雖然鋁靶材的使用降低了生產(chǎn)成本，但是使用鋁靶材對玻璃基板進(jìn)行鍍膜時，需要保證其所處的環(huán)境的氣氛純凈，否則在玻璃基板表面所形成的鋁膜容易產(chǎn)生凸起和麻點(diǎn)。在使用鋁靶材對玻璃基板進(jìn)行鍍膜的過程中，由于托盤作為玻璃基板在各個腔室中完成鍍膜的承載工具，因此，托盤的純凈尤為重要。

現(xiàn)有技術(shù)中，托盤在使用完畢后通常存儲在室溫大氣環(huán)境下，由于托盤在室溫大氣環(huán)境下吸附有空氣中的雜質(zhì)氣體，例如，水汽等。當(dāng)吸附有雜質(zhì)氣體的托盤再次承載玻璃基板在各個腔室中進(jìn)行鍍膜時，這些吸附的雜質(zhì)氣體會造成鍍膜環(huán)境的氣氛異常，從而使鋁靶材在對玻璃基板進(jìn)行鍍膜時，玻璃基板的成膜異常，導(dǎo)致產(chǎn)品良率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種真空加熱裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的托盤在大氣環(huán)境下保存吸附了大量雜質(zhì)氣體，當(dāng)吸收有雜質(zhì)氣體的托盤再次被使用時造成了鍍膜環(huán)境的氣氛異常，從而導(dǎo)致產(chǎn)品良率降低的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種真空加熱裝置，包括真空腔室，所述真空腔室內(nèi)設(shè)有用于加熱托盤的加熱單元，所述真空腔室連通有氮?dú)獍l(fā)生單元。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的真空加熱裝置具有以下有益效果：

本實(shí)用新型提供的真空加熱裝置中，設(shè)有真空腔室，真空腔室內(nèi)設(shè)有加熱單元，當(dāng)把托盤置于真空腔室內(nèi)時，通過加熱單元對托盤加熱，由于托盤處于真空高溫的環(huán)境下，能夠有效排出托盤吸附的雜質(zhì)氣體，這不僅能夠延長托盤的使用壽命，還能夠保證托盤承載玻璃基板在鍍膜的過程中，不會因托盤吸附的雜質(zhì)氣體造成鍍膜環(huán)境的氣氛異常，從而在使用鋁靶材對玻璃基板進(jìn)行鍍膜時，能夠提升玻璃基板的成膜品質(zhì)，提高產(chǎn)品的良率。此外，真空腔室連通有氮?dú)獍l(fā)生單元，通過氮?dú)獍l(fā)生單元產(chǎn)生的氮?dú)獗ＷC了排出的雜質(zhì)氣體不會在短時間內(nèi)再次被托盤吸附。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本實(shí)用新型中真空加熱裝置截面圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中真空加熱裝置立體結(jié)構(gòu)圖。

附圖標(biāo)記：

1-真空腔室， 2-氮?dú)獍l(fā)生單元；

3-真空泵， 4-加熱控制單元；

5-排氣單元， 11-真空子腔室；

111-托盤， 112-磁性卡件；

113-加熱單元， 114-滑動導(dǎo)軌；

115-第一支柱， 116-支撐件。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步說明本實(shí)用新型實(shí)施例提供的真空加熱裝置，下面結(jié)合說明書附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖1和圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的真空加熱裝置包括真空腔室1，真空腔室1內(nèi)設(shè)有用于加熱托盤111的加熱單元113，真空腔室1連通有氮?dú)獍l(fā)生單元2。

在具體實(shí)施的過程中，將托盤111置于真空腔室內(nèi)，氮?dú)獍l(fā)生單元2在真空腔室1內(nèi)產(chǎn)生氮?dú)?，氮?dú)饽軌蚺懦稣婵涨皇?內(nèi)的空氣，當(dāng)真空腔室1達(dá)到真空狀態(tài)時，加熱單元113對托盤111進(jìn)行加熱，使托盤111中的雜質(zhì)氣體在真空高溫環(huán)境下能夠有效排出。通過上述具體實(shí)施過程可知，本實(shí)施例中真空腔室1內(nèi)設(shè)有加熱單元113，當(dāng)把托盤111置于真空腔室1內(nèi)時，通過加熱單元113對托盤加熱，由于托盤113處于真空高溫的環(huán)境下，能夠有效排出托盤111吸附的雜質(zhì)氣體，這不僅能夠延長托盤111的使用壽命，還能夠保證托盤111承載玻璃基板在鍍膜的過程中，不會因托盤111吸附的雜質(zhì)氣體造成鍍膜環(huán)境的氣氛異常，從而在使用鋁靶材對玻璃基板進(jìn)行鍍膜時，能夠提升玻璃基板的成膜品質(zhì)，提高產(chǎn)品的良率。此外，真空腔室1連通有氮?dú)獍l(fā)生單元2，通過氮?dú)獍l(fā)生單元2產(chǎn)生的氮?dú)獗ＷC了排出的雜質(zhì)氣體不會在短時間內(nèi)再次被托盤111吸附。

需要說明的是，為了增加真空腔室1的空間利用率，減少真空腔室1的內(nèi)部占用面積，本實(shí)用新型實(shí)施將氮?dú)獍l(fā)生單元2置于真空腔室1外部，通過管道使氮?dú)獍l(fā)生單元2與真空腔室1連通。

而為了增加托盤111進(jìn)出真空腔室1內(nèi)的便捷性，請繼續(xù)參閱圖1和圖2，上述實(shí)施例提供的真空加熱裝置中，真空腔室1內(nèi)的底部還設(shè)有用于導(dǎo)向托盤111進(jìn)入真空腔室1的滑動導(dǎo)軌114，真空腔室1內(nèi)的底部還設(shè)有用于支撐加熱單元113的多個第一支柱115，各第一支柱115間隔排列，真空腔室1內(nèi)的頂部設(shè)有用于固定托盤111的磁性卡件112。

在具體實(shí)施的過程中，將待加熱的托盤111放置在滑動導(dǎo)軌114上，滑動導(dǎo)軌114不僅用于承載托盤111在真空腔室1內(nèi)的進(jìn)出，還能夠?qū)⑼斜P111準(zhǔn)確導(dǎo)入至真空腔室1內(nèi)安放托盤111的指定位置，當(dāng)托盤111處在安放托盤111的指定位置時，磁性卡件112通過吸附力的作用對托盤111進(jìn)行吸附固定，達(dá)到自動固定的目的。

通過上述具體實(shí)施過程可知，通過滑動導(dǎo)軌114和磁性卡件112的配合作用，保證了托盤111能夠被裝入和固定在真空腔室1內(nèi)，使加熱單元113對托盤111進(jìn)行加熱的過程中，避免因托盤111的意外晃動造成托盤111損壞；另外，由于多個間隔排列的第一支柱115之間形成有間隙，因此，第一支柱115不僅起到了對加熱單元113固定的作用，還能夠使真空腔室1內(nèi)的氣體在第一支柱115之間形成的間隙流通，從而保證了氣體在真空腔室1內(nèi)的流通性。。

需要說明的是，在實(shí)際使用的過程中，滑動導(dǎo)軌114為導(dǎo)軌車，導(dǎo)軌車底部設(shè)有多個間隔設(shè)置的滾輪，滾輪的數(shù)量由托盤的大小和重量具體設(shè)置，使用導(dǎo)軌車承載托盤在真空腔室1內(nèi)的進(jìn)出，可使真空腔室1內(nèi)的氣體在導(dǎo)軌車的的滾輪間隙自由流通。另外，由于導(dǎo)軌車具有結(jié)構(gòu)簡單的特點(diǎn)，因此，增加了導(dǎo)軌車維護(hù)的便捷性。

考慮到真空腔室1對托盤111真空加熱的效率，請參閱圖1，上述施例提供的真空加熱裝置中，真空腔室1包括多個真空子腔室11，各真空子腔室11連通，氮?dú)獍l(fā)生單元2與各個真空子腔室11連通，每個真空子腔室11內(nèi)設(shè)置一個加熱單元113，這樣就能利用每個真空子腔室11內(nèi)的加熱單元113對其中的托盤111進(jìn)行加熱，即利用多個真空子腔室11實(shí)現(xiàn)對多個托盤111同時加熱的目的，這極大的提高了真空腔室1對托盤111加熱的效率，另外，由于各真空子腔室11連通設(shè)置，因此只設(shè)置一個氮?dú)獍l(fā)生單元2即可實(shí)現(xiàn)氮?dú)獬錆M各真空子腔室11，從而減少氮?dú)獍l(fā)生單元2的設(shè)置數(shù)量，進(jìn)而減少了生產(chǎn)成本。

為了保證各真空子腔室11的真空狀態(tài)，請參閱圖1，上述實(shí)施例提供的真空加熱裝置中，真空加熱裝置還包括設(shè)有用于抽出真空腔室1內(nèi)氣體的真空泵3，真空泵3與各個真空子腔室11連通。

在具體實(shí)施的過程中，氮?dú)獍l(fā)生單元2首先向各真空子腔室11注入氮?dú)?，排出各真空子腔?1中的空氣和部分雜質(zhì)氣體，當(dāng)?shù)獨(dú)獬錆M各真空子腔室11后，氮?dú)獍l(fā)生單元2停止向各真空子腔室11注入氮?dú)?，此時，開啟真空泵3對與之連通的真空子腔室11進(jìn)行抽氣，使各真空子腔室11處于真空狀態(tài)。通過上述具體實(shí)施過程可知，由于真空泵3與各個真空子腔室11連通設(shè)置，因此只設(shè)置一個真空泵3即可抽出各真空子腔室11內(nèi)的空氣，使各真空子腔室11內(nèi)均達(dá)到真空狀態(tài)；另外，在真空泵3抽出各真空子腔室11內(nèi)空氣的同時，還能夠抽出托盤111在真空高溫環(huán)境中排出的部分雜質(zhì)氣體，從而增加雜質(zhì)氣體的排出效率。

需要說明的是，為了增加真空腔室1的空間利用率，減少真空腔室1的內(nèi)部占用面積，本實(shí)用新型實(shí)施將真空泵3置于真空腔室1外部，通過管道使真空泵3與真空腔室1連通。

另外，考慮到托盤111在真空加熱的過程中持續(xù)排出的雜質(zhì)氣體可能再次污染托盤111，請接著參閱圖1和圖2，上述實(shí)施例提供的真空加熱裝置中，還設(shè)有用于排出雜質(zhì)氣體的排氣單元5，排氣單元5與各個真空子腔室11連通。在對托盤111持續(xù)真空加熱的過程中，排氣單元5將各真空子腔室中11的托盤111排出的雜質(zhì)氣體及時的排出真空子腔室11，避免托盤111排出的雜質(zhì)氣體長期停留在真空子腔室11內(nèi)，從而導(dǎo)致雜質(zhì)氣體被托盤111再次吸附。

需要說明的是，為了增加真空腔室1的空間利用率，減少真空腔室1的內(nèi)部占用面積，本實(shí)用新型實(shí)施將排氣單元5置于真空腔室1外部，通過管道使排氣單元5與真空腔室1連通。

為了準(zhǔn)確控制加熱單元113的加熱溫度，請參閱圖1和圖2，上述實(shí)施例提供的真空加熱裝置中，真空加熱裝置還設(shè)有用于控制加熱單元113的加熱控制單元4，加熱控制單元4與各個加熱單元113連接。

在具體實(shí)施的過程中，加熱控制單元4有兩種設(shè)置模式可供用戶選擇，一種為手動設(shè)置模式，另一種為自動設(shè)置模式；當(dāng)用戶選擇手動設(shè)置模式時，用戶根據(jù)實(shí)際需要手動設(shè)置各加熱單元113的加熱溫度，當(dāng)用戶選擇自動設(shè)置模式時，加熱控制單元4根據(jù)各真空子腔室11中待加熱的托盤111吸附的雜質(zhì)氣體的含量，自動調(diào)整加熱單元113的加熱溫度，以使各真空子腔室11中待加熱的托盤111中的雜質(zhì)氣體全部排出為止。

通過上述具體實(shí)施過程可知，加熱控制單元4可調(diào)節(jié)各真空子腔室11中加熱單元113的加熱溫度，根據(jù)各真空子腔室11中的托盤111含有雜質(zhì)氣體的情況，可以具體設(shè)置各真空子腔室11中加熱單元113的加熱溫度，從而保證托盤111中的雜質(zhì)氣體在合適的加熱溫度全部排出。另外，加熱控制單元4提供了的兩種控制模式供用戶選擇，在實(shí)際使用的過程中，可根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇加熱單元113的控制模式，增加了操作的便捷性和靈活性。

需要說明的是，加熱控制單元4默認(rèn)為手動設(shè)置模式，各真空子腔室11中加熱單元113的加熱溫度默認(rèn)設(shè)置為200攝氏度。

另外，請參閱圖2，上述實(shí)施例提供的真空加熱裝置中，真空腔室1的一側(cè)設(shè)有取放口，取放口上設(shè)有密封門。密封門的設(shè)置不僅方便了托盤111在各真空子腔室11的存放與取出，而且在對托盤111加熱的過程中，密封門還能夠保證真空腔室1內(nèi)的真空環(huán)境。

請參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的真空加熱裝置中，相鄰兩個真空子腔室11之間通過透氣隔板隔離。

在具體實(shí)施的過程中，透氣隔板中設(shè)有多個通氣孔，保證了氣體在各真空子腔室11內(nèi)自由流動。

另外，請繼續(xù)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的真空加熱裝置中，相鄰的兩個真空子腔室11之間也可以由密閉隔板隔開，當(dāng)使用密閉隔板隔開時，密閉隔板的底部需設(shè)有多個間隔排列的第二支柱，第二支柱與相鄰兩個真空子腔室11的底部接觸。

通過上述具體實(shí)施過程可知，相鄰兩個真空子腔室11之間也可設(shè)置密閉隔板，當(dāng)使用密閉隔板時，需在密閉隔板的底部設(shè)置多個間隔排列的第二支柱，通過各真空子腔室11底部設(shè)置的第二支柱之間的間隙，使各真空子腔室11內(nèi)的氣體流通，在工藝上簡單可靠。

請參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的真空加熱裝置中，加熱單元113為加熱板，加熱板的加熱面設(shè)有用于防止托盤111與加熱板接觸的支撐件116。

優(yōu)選的，加熱單元113為加熱板，在加熱板中通過支撐件116的設(shè)置，能夠避免加熱板與托盤111直接接觸，造成托盤111的損壞。同時，避免托盤111與加熱板的直接接觸還能夠保證托盤111在加熱過程中的受熱均勻。

在上述實(shí)施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。