本公開涉及電磁裝置，諸如電子變壓器和電感器，更特別地涉及一種抗飽和電磁裝置，諸如抗飽和電感器、變壓器或類似的裝置。

背景技術(shù)：

電磁裝置(諸如電感器和變壓器)用在許多電路中。例如，電感器用在用于抑制或濾除噪聲的許多電路中。電感器還可針對特定的應(yīng)用用于整形電波形。在高電流的直流電路中，電感器或串聯(lián)連接的一組電感器可經(jīng)由每個電感器的磁芯而接近飽和，該磁芯幾乎吸收或接收磁芯能夠吸收的最大量的電磁能量。電磁能量由流過每個電感器的一個或多個導(dǎo)體繞組的電流生成。隨著電感器的磁芯接近飽和或趨于飽和，電感的顯著部分和電感器的操作效率會損失。因此，可能需要防止電感器的磁芯在一些情況下飽和。另外，因為磁芯，電感器可以是重型、大型部件。電感器的重量的任何減少可能在一些應(yīng)用中是有利的，例如在交通工具(諸如飛行器或航天器)載有的部件中是有利的，其中重量減少可導(dǎo)致燃料節(jié)省和操作成本降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)一個示例，一種抗飽和電磁裝置可包括：芯部，在所述芯部中能生成磁通；和開口，所述開口穿過所述芯部。所述抗飽和電磁裝置還可包括間隔件，所述間隔件被配置在所述開口內(nèi)并且延伸穿過所述芯部。所述間隔件可限定穿過所述芯部的通道。所述抗飽和電磁裝置還可包括初級導(dǎo)體繞組，所述初級導(dǎo)體繞組接收在所述間隔件的所述通道中并且延伸穿過所述芯部。流過所述初級導(dǎo)體繞組的電流生成繞所述初級導(dǎo)體繞組的磁場。所述磁場包括電磁能量。所述間隔件包括用于吸收所述電磁能量的預(yù)定部分的構(gòu)造，并且所述電磁能量的其余部分被所述芯部吸收以在所述芯部中生成磁通流。

根據(jù)另一示例，一種抗飽和電磁裝置可包括：芯部，在所述芯部中能生成磁通；和開口，所述開口穿過所述芯部。所述開口的橫截面可限定長形槽。所述抗飽和電磁裝置還可包括間隔件，所述間隔件被配置在所述開口內(nèi)并且延伸穿過所述芯部。所述間隔件可限定穿過所述芯部的通道。所述通道的橫截面可限定長形孔。所述抗飽和電磁裝置還可包括初級導(dǎo)體繞組，所述初級導(dǎo)體繞組接收在所述間隔件的所述通道中并且延伸穿過所述芯部。流過所述初級導(dǎo)體繞組的電流生成繞所述初級導(dǎo)體繞組的磁場。所述磁場包括電磁能量。所述間隔件包括用于吸收所述電磁能量的預(yù)定部分的構(gòu)造，并且所述電磁能量的其余部分被所述芯部吸收以在所述芯部中生成磁通流。

根據(jù)又一示例，一種用于防止電磁裝置飽和的方法可包括：提供能生成磁通的芯部。所述方法還可包括：將間隔件配置在所述芯部中的開口內(nèi)并且使所述間隔件延伸穿過所述芯部。所述間隔件可限定穿過所述芯部的通道。所述方法可另外包括：使初級導(dǎo)體繞組延伸穿過所述間隔件的所述通道并且使所述初級導(dǎo)體繞組延伸穿過所述芯部。所述方法可進一步包括：使電流通過所述初級導(dǎo)體繞組以生成繞所述初級導(dǎo)體繞組的磁場。所述磁場包括電磁能量。所述間隔件包括用于吸收所述電磁能量的預(yù)定部分的構(gòu)造，并且所述電磁能量的其余部分被所述芯部吸收以在所述芯部中生成磁通流。

根據(jù)另一示例或前述示例中的任一示例，所述間隔件的所述構(gòu)造可適于將所述初級導(dǎo)體繞組與所述芯部之間的磁耦合減小預(yù)設(shè)量，以防止所述芯部飽和。所述間隔件的所述構(gòu)造可限定了抵抗且吸收磁通的容積。

根據(jù)另一示例或前述示例中的任一示例，所述間隔件可包括非磁性材料；或者所述間隔件可包括這樣的材料，所述材料包括磁通阻性特性或磁通吸收特性。所述間隔件可浸漬有選定濃度的導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒，這造成對所述磁通的確定吸收以及將所述磁通轉(zhuǎn)換為熱能，從而防止所述芯部飽和。所述導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆?？砂ㄌ碱w粒、鋁顆粒和鐵顆粒中的至少一者。所述間隔件還可包括預(yù)定厚度，所述預(yù)定厚度位于抵接所述芯部的內(nèi)表面的外壁與限定所述通道的內(nèi)壁之間。

附圖說明

本文中的示例的以下詳細描述參照附圖，附圖示出了本公開的具體示例。具有不同結(jié)構(gòu)和操作的其它示例不必要脫離本公開的范圍。

圖1是根據(jù)本公開的一個示例的抗飽和電磁裝置的示例的端視立體圖。

圖2是根據(jù)本公開的另一示例的抗飽和電磁裝置的示例的端視圖。

圖3是根據(jù)本公開的又一示例的抗飽和電磁裝置的示例的端視圖。

圖4a是根據(jù)本公開的另一示例的抗飽和電磁裝置的示例的端視圖。

圖4b是包括圖4a的抗飽和電磁裝置的抗飽和電路的示例的方框示意圖。

圖5是根據(jù)本公開的一個示例用于防止電磁裝置飽和的方法的示例的流程圖。

具體實施方式

本文中的示例的以下詳細描述參照附圖，附圖示出了本公開的具體示例。具有不同結(jié)構(gòu)和操作的其它示例不必要脫離本公開的范圍。相同的附圖標(biāo)記可指代不同圖中相同的要素或部件。

本文中使用的某種術(shù)語僅出于方便考慮，并不應(yīng)視為限制所描述的示例。例如，詞語諸如“近端”、“遠端”、“頂部”、“底部”、“上”、“下”、“左”、“右”、“水平”、“垂直”、“向上”和“向下”等等僅僅描述圖中所示的構(gòu)造或參考描述附圖的取向而使用的相對位置。因為示例的部件可以定位成許多不同的取向，所以方向性術(shù)語出于示出的目的而使用并且決不是限制性的。應(yīng)理解的是，可利用其它示例，并且結(jié)構(gòu)或邏輯改變可在不脫離本公開的范圍的情況下做出。因此，以下詳細描述不應(yīng)取限制的意義，并且本公開的范圍由所附權(quán)利要求書限定。

圖1是根據(jù)本公開的一個示例的抗飽和電磁裝置100的示例的端視立體圖。圖1中示出的抗飽和電磁裝置100可被構(gòu)造為線性電感器或變壓器?？癸柡碗姶叛b置100可包括芯部102，磁通104可生成在芯部102中，如箭頭示出地在芯部102中流動。在圖1示出的示例中，芯部102可以是包括層壓結(jié)構(gòu)106的長形芯部。層壓結(jié)構(gòu)106可包括彼此上下堆疊或彼此相鄰配置的多個板108或?qū)訅杭?。?08可由硅鋼合金、鎳鐵合金或能夠類似于本文中描述地生成磁通104的其它金屬材料制成。例如，芯部102可以是包括約20重量％的鐵和約80重量％的鎳的鎳鐵合金。板108可呈大致方形或矩形，或者可具有一些其它幾何形狀，這取決于抗飽和電磁裝置100的應(yīng)用和電磁裝置100所處的環(huán)境。例如，大致方形或矩形的板108可限定為任何類型的多邊形以適應(yīng)特定應(yīng)用。在另一示例中，芯部102可包括單件式結(jié)構(gòu)。

開口被形成穿過每個板108，并且在板108彼此上下堆疊且板開口彼此對準時，所述開口被對準以形成穿過芯部102的開口110或通路。開口110或通路可形成在芯部102的大致中心或中央部分中，并且可大致垂直于由板108或?qū)訅杭亩询B的每個板108限定的平面而延伸。在另一示例中，出于提供特定磁通或滿足某些約束的目的，開口110可在由每個板108限定的平面中從芯部102的中央部分偏心地形成。開口110的橫截面可限定長形槽112，該長形槽112包括的長度大于開口110的高度。

間隔件114可配置在開口110內(nèi)并且可延伸穿過芯部102。間隔件114可限定穿過芯部102的通道116。通道116的橫截面可限定長形孔118，該長形孔118包括的長度大于通道116的高度。

初級導(dǎo)體繞組120可接收在通道116中并且可垂直于每個板108的平面而延伸穿過芯部102。在圖1示出的示例中，初級導(dǎo)體繞組120包括多個電導(dǎo)體122或線材。初級導(dǎo)體繞組120可包括多次穿過或纏繞過通道116的一個或多個電導(dǎo)體。在另一示例中，初級導(dǎo)體繞組120可以是單個電導(dǎo)體。例如，初級導(dǎo)體繞組120可以是帶狀電導(dǎo)體。

流過初級導(dǎo)體繞組120的電流生成繞每個電導(dǎo)體122或圍繞初級導(dǎo)體繞組120的磁場。磁場包括電磁能量。間隔件114包括構(gòu)造124，用于吸收電磁能量或磁通104的預(yù)定部分，而電磁能量或磁通104的其余部分被芯部102吸收以在芯部102中生成磁通流。間隔件114的構(gòu)造124允許電磁能量或磁通的由空間114吸收的預(yù)定部分被控制，以防止芯部102飽和或者使電磁裝置100更抗飽和。響應(yīng)于流過初級導(dǎo)體繞組120(生成最大電磁能量或磁通或比芯部102大的電磁能量或磁通的最大量)的電流而發(fā)生的芯部102的飽和能夠吸收或接收。

間隔件114可包括位于間隔件114的用于抵接芯部102的內(nèi)表面128的外壁126與間隔件114的限定通道116的內(nèi)壁130之間的預(yù)定厚度“t”。根據(jù)一個示例，間隔件114的厚度“t”可大于或等于芯部102的、在芯部102的內(nèi)表面128與芯部102的外表面132之間的厚度“w”。例如，間隔件114的厚度“t”可約為芯部102的厚度“w”的兩倍。另外參照圖2，圖2是根據(jù)本公開的另一示例的抗飽和電磁裝置200的示例的端視圖。除了間隔件114的厚度“t”小于芯部102的厚度“w”之外，抗飽和電磁裝置200可類似于圖1中的抗飽和電磁裝置100。在另一示例中，間隔件114的厚度“t”可等于芯部102的厚度“w”。

空間114的構(gòu)造124可適于將初級導(dǎo)體繞組120與芯部102之間的磁耦合減小能夠防止芯部102飽和的預(yù)設(shè)量，或者可減少可能導(dǎo)致芯部102飽和的電磁能量或磁通的量值。在一個示例中，間隔件114可包括非磁性材料或非鐵材料。在諸如圖3示出的另一示例中，間隔件114的構(gòu)造124可限定抵抗且吸收磁通的容積300。另外參照圖3，圖3是根據(jù)本公開的又一示例的抗飽和電磁裝置302的示例的端視圖。除了間隔件114可包括限定了抵抗且吸收磁通的容積300的構(gòu)造124之外，抗飽和電磁裝置302可類似于圖1的抗飽和電磁裝置100。間隔件114可包括這樣的材料，該材料包括磁通阻性特性或性能和/或磁通吸收特性或性能。例如，間隔件114可浸漬有選定濃度的導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒304，其可造成對電磁能量或磁通104的確定吸收以及將電磁能量或磁通104轉(zhuǎn)換為熱能以防止芯部102飽和。選定濃度的導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒304還可以是選中類型的材料?？晒╊w粒304使用的材料類型的示例可包括但不必限于碳顆粒、鋁顆粒、鐵顆粒或可提供電磁能量或磁通104的預(yù)定吸收的其它顆粒。因此，導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒304的濃度和顆粒的類型可控制或調(diào)整為控制由間隔件114吸收的電磁能量或磁通104的量。

導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒304在間隔件114中的濃度越高將導(dǎo)致間隔件114中的電磁能量或磁通104的吸收越高，并導(dǎo)致由芯部102接收的電磁能量或磁通104越少。因此，基于施加到初級導(dǎo)體繞組的特定輸入電壓和電流，導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒304的濃度和材料的類型可在形成間隔件114時調(diào)整，以提供間隔件114中的電磁能量或磁通104的期望的或設(shè)計的吸收，和/或提供進入芯部104的電磁能量及流入芯部102的磁通104的量值的特定減少，從而防止飽和。磁場密度在芯部102的內(nèi)表面128處較小，而由初級導(dǎo)體繞組120中的電流生成的總磁通104不變。由于間隔件114并且基于本文中描述的間隔件114的構(gòu)造124(相比沒有間隔件114)，抗飽和電磁裝置302的芯部102將飽和化或吸收在流過初級導(dǎo)體繞組120的更高電流下的最大量值的電磁能量或磁通。

圖4a是根據(jù)本公開的另一示例的抗飽和電磁裝置400的示例的端視圖。除了抗飽和電磁裝置400可構(gòu)造為變壓器并且可包括初級導(dǎo)體繞組402和次級導(dǎo)體繞組404(穿過通道116和芯部102)之外，抗飽和電磁裝置400可與抗飽和電磁裝置100、200或300相同。初級導(dǎo)體繞組402可包括多個電導(dǎo)體線材406，并且次級導(dǎo)體繞組404也可包括多個電導(dǎo)體線材408。初級導(dǎo)體繞組402的多個電導(dǎo)體線材406可配置成在通道116中彼此相鄰。次級導(dǎo)體繞組的多個電導(dǎo)體線材408也可配置成在通道116中彼此相鄰。初級導(dǎo)體繞組402和次級導(dǎo)體繞組404均可配置成在通道116中彼此相鄰。

電導(dǎo)體線材406和408在圖4a的示例中被示為具有圓形橫截面。還可使用具有其它橫截面形狀(例如方形或矩形橫截面)的電導(dǎo)體線材，其類似于題為“線性電磁裝置”的美國專利9,159,487中的描述內(nèi)容，該專利被轉(zhuǎn)讓給與本申請相同的受讓人并且通過引用并入本文中。

另外參照圖4b，圖4b是包括圖4a的抗飽和電磁裝置400的電路410的示例的方框示意圖。初級導(dǎo)體繞組402可電連接到電力源412，并且次級導(dǎo)體繞組404可連接到負載414。

圖1至圖4b中的示例性電磁裝置100、200、302和400提供重量較輕的新的電感器或變壓器設(shè)計，這是因為芯部102的一部分可替換為重量較輕的間隔件114并且可控的小電感值可使用間隔件114和廉價的制造技術(shù)實現(xiàn)。包括插入到初級導(dǎo)體繞組120與芯部102之間的非磁性材料的間隔件114提供初級導(dǎo)體繞組120與芯部102的內(nèi)表面128之間的分離距離，其對應(yīng)于間隔件114的厚度“t”。分離距離以可控的方式減少電感以提供電磁裝置100、200、302或400的較低有效電感。利用較低的電感和較低的飽和，電磁裝置100、200、302或400可更好地響應(yīng)于噪聲信號。

如本文中描述的，在另一示例中，間隔件114可浸漬有導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒304，用以進一步降低電感器效率。例如，30安培直流(adc)信號可使芯部102的大部分飽和同時使較小部分不飽和。如果噪聲增添到30adc信號之上，則由于飽和，芯部102可能不正確地響應(yīng)于噪聲。利用間隔件114，芯部102可響應(yīng)于噪聲。芯部102的內(nèi)表面128的能量密度因間隔件114而降低，但總磁通104保持相同。因為芯部102的內(nèi)表面128的能量密度較低，電磁能量或磁通104進入芯部102的穿透量較小。電磁裝置100、200、302或400需要較少的材料，并且較低電感可以實現(xiàn)。另外，由于將芯部102的以其它方式持續(xù)飽和的部分替換為間隔件114，電磁裝置100、200、302或400可能較輕。本文中描述的電磁裝置100、200、302和400的示例實現(xiàn)了較小、重量較輕的電感器，其可以完成其中高電流可使芯部102飽和或幾乎飽和的更高電流濾除的電感要求，使裝置在濾除信號方面效率較低。

圖5是根據(jù)本公開的一個示例用于防止電磁裝置飽和的方法500的示例的流程圖。在框502中，可提供磁通可在其中生成的芯部。所述芯部可以是類似于圖1中的示例性芯部102的長形芯部，并且可包括具有彼此上下堆疊的多個板或?qū)訅杭膶訅航Y(jié)構(gòu)。在另一示例中，所述芯部可由單件式結(jié)構(gòu)形成。開口可形成為穿過所述芯部。所述開口可大致形成在所述芯部的中心，并且所述開口的橫截面可限定穿過所述芯部的長形槽。

在框504中，間隔件可配置在所述芯部中的開口內(nèi)并且延伸穿過所述芯部。所述間隔件可限定穿過所述芯部的通道。所述間隔件可包括適于將初級繞組與抗飽和電磁裝置的芯部之間的磁耦合減小預(yù)設(shè)量以防止芯部飽和的構(gòu)造。所述間隔件的構(gòu)造可包括所述間隔件中具有磁通阻性特性或磁通吸收特性的材料。例如，所述間隔件的所述構(gòu)造可包括：為所述間隔件浸漬選定濃度的導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒，這導(dǎo)致對磁通的某種吸收以及將磁通轉(zhuǎn)換為熱能，防止芯部飽和。

在框506中，初級導(dǎo)體繞組可延伸穿過所述間隔件的通道并且穿過所述芯部。所述初級導(dǎo)體繞組可以是穿過所述通道的單個導(dǎo)體線材或多個初級導(dǎo)體線材。所述導(dǎo)體可包括預(yù)定的橫截面。例如，取決于抗飽和電磁裝置的設(shè)計和/或應(yīng)用，所述導(dǎo)體可具有圓形、方形、矩形或其它橫截面。所述導(dǎo)體線材可彼此相鄰地以單排配置在所述通道內(nèi)，或者可布置成一些其它構(gòu)造。

在框508中，對于抗飽和電磁裝置的變壓器構(gòu)造，一個或多個次級繞組可延伸穿過所述通道。所述一個或多個次級導(dǎo)體繞組均可包括延伸穿過所述通道的單個次級導(dǎo)體線材或多個次級導(dǎo)體線材。所述一個或多個次級導(dǎo)體線材可包括預(yù)定的橫截面，例如，圓形、方形、矩形或其它橫截面。所述次級導(dǎo)體線材彼此相鄰地以單排布置配置在所述通道內(nèi)或以一些其它布置配置在所述通道內(nèi)。所述次級導(dǎo)體繞組可與所述初級導(dǎo)體繞組相鄰地配置在所述通道內(nèi)。

在框510中，所述初級導(dǎo)體繞組可連接到電力源。如果所述抗飽和電磁裝置被構(gòu)造為變壓器，則所述次級導(dǎo)體繞組可連接到負載。

在框512中，電流可流過所述初級導(dǎo)體繞組以生成繞所述初級導(dǎo)體繞組的磁場。所述磁場包括電磁能量。如前所述，所述間隔件包括用于吸收所述電磁能量或磁通的預(yù)定部分的構(gòu)造，并且所述電磁能量的其余部分被所述芯部吸收以在所述芯部中生成磁通流。電磁能量或磁通的被所述間隔件吸收或接收在所述間隔件內(nèi)的所述預(yù)定部分基于所述間隔件的所述構(gòu)造，并且可對應(yīng)于所述間隔件的、在所述通道與所述芯部的內(nèi)表面之間的尺寸或厚度以及材料的類型(如果有的話)，利用所述間隔件內(nèi)的電氣性能或磁性性能來吸收所述電磁能量并且將之轉(zhuǎn)換為熱能?；谒鰳?gòu)造，所述間隔件可防止所述抗飽和電磁裝置的所述芯部飽和或吸收在流過所述初級導(dǎo)體繞組的較高電流下的最大量值的磁通。

附圖中的流程圖和框圖示出了根據(jù)本發(fā)明各示例的系統(tǒng)、方法和計算機程序產(chǎn)品的可能實施的架構(gòu)、功能和操作。在這方面，流程圖或框圖中的每個框均可表示指令的模塊、段或部分，其包括用于實施指定邏輯功能的一個或多個可執(zhí)行指令。在一些替代實施中，框中指出的功能可能不按圖中指出的順序發(fā)生。例如，事實上，連續(xù)顯示的兩個框可基本同時執(zhí)行，或者各框有時可能按相反的順序執(zhí)行，這取決于涉及的功能。還將指出的是，框圖和/或流程圖的每個框以及框圖和/或流程圖的各框組合可以由執(zhí)行指定功能或動作或者進行專用硬件和計算機指令的組合的專用的基于硬件的系統(tǒng)來實施。

進一步，本公開包括根據(jù)以下條款的示例：

條款1、一種抗飽和電磁裝置100，200，302，400，其包括：芯部102，在所述芯部中能生成磁通104；開口110，所述開口穿過所述芯部；間隔件114，所述間隔件被配置在所述開口內(nèi)并且延伸穿過所述芯部，所述間隔件限定穿過所述芯部的通道116；以及初級導(dǎo)體繞組120，所述初級導(dǎo)體繞組接收在所述間隔件的所述通道中并且延伸穿過所述芯部，其中流過所述初級導(dǎo)體繞組的電流生成繞所述初級導(dǎo)體繞組的磁場，所述磁場包括電磁能量，且所述間隔件包括用于吸收所述電磁能量的預(yù)定部分的構(gòu)造124，并且所述電磁能量的其余部分被所述芯部吸收以在所述芯部中生成磁通流。

條款2、根據(jù)條款1所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件的所述構(gòu)造適于將所述初級導(dǎo)體繞組與所述芯部之間的磁耦合減小預(yù)設(shè)量，防止所述芯部飽和。

條款3、根據(jù)條款1所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件的所述構(gòu)造限定了抵抗且吸收磁通的容積300。

條款4、根據(jù)條款1所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件包括非磁性材料。

條款5、根據(jù)條款1所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件包括這樣的材料，所述材料包括磁通阻性特性或磁通吸收特性。

條款6、根據(jù)條款1所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件浸漬有選定濃度的導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒304，這造成對所述磁通的確定吸收以及將所述磁通轉(zhuǎn)換為熱能，防止所述芯部飽和。

條款7、根據(jù)條款6所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒包括碳顆粒、鋁顆粒和鐵顆粒中的至少一者。

條款8、根據(jù)條款1所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件包括預(yù)定厚度t，所述預(yù)定厚度t位于抵接所述芯部的內(nèi)表面128的外壁126與限定所述通道的內(nèi)壁130之間。

條款9、根據(jù)條款8所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件的所述預(yù)定厚度大于或等于所述芯部的厚度。

條款10、根據(jù)條款1所述的抗飽和電磁裝置，其中，磁場密度在所述芯部的內(nèi)表面處較小，而由所述初級導(dǎo)體繞組中的電流生成的總磁通不變。

條款11、根據(jù)條款1所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述芯部是包括單件式結(jié)構(gòu)和層壓結(jié)構(gòu)106中的一者的長形芯部，所述層壓結(jié)構(gòu)包括彼此上下堆疊的多個板108。

條款12、一種抗飽和電磁裝置100，200，302，400，其包括：芯部102，磁通能生成在所述芯部中；開口110，所述開口穿過所述芯部，所述開口的橫截面限定長形槽112；間隔件114，所述間隔件被配置在所述開口內(nèi)并且延伸穿過所述芯部，所述間隔件限定穿過所述芯部的通道116，所述通道的橫截面限定長形孔118；以及初級導(dǎo)體繞組120，所述初級導(dǎo)體繞組接收在所述間隔件的所述通道中并且延伸穿過所述芯部，其中流過所述初級導(dǎo)體繞組的電流生成繞所述初級導(dǎo)體繞組的磁場，所述磁場包括電磁能量，且所述間隔件包括用于吸收所述電磁能量的預(yù)定部分的構(gòu)造124，并且所述電磁能量的其余部分被所述芯部吸收以在所述芯部中生成磁通流。

條款13、根據(jù)條款12所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件的所述構(gòu)造適于將所述初級導(dǎo)體繞組與所述芯部之間的磁耦合減小預(yù)設(shè)量，防止所述芯部飽和。

條款14、根據(jù)條款13所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件包括非磁性材料。

條款15、根據(jù)條款13所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件包括這樣的材料，所述材料包括磁通阻性特性或磁通吸收特性。

條款16、根據(jù)條款15所述的抗飽和電磁裝置，其中，所述間隔件浸漬有選定濃度的導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒304，這導(dǎo)致對所述磁通的確定吸收以及將所述磁通轉(zhuǎn)換為熱能，防止所述芯部飽和。

條款17、一種用于防止電磁裝置飽和的方法500，所述方法包括：提供能生成磁通的芯部502；將間隔件配置在所述芯部中的開口內(nèi)并且使所述間隔件延伸穿過所述芯部，所述間隔件限定穿過所述芯部的通道504；使初級導(dǎo)體繞組延伸穿過所述間隔件的所述通道并且使所述初級導(dǎo)體繞組延伸穿過所述芯部506；以及使電流流過所述初級導(dǎo)體繞組以生成繞所述初級導(dǎo)體繞組的磁場512，所述磁場包括電磁能量，且所述間隔件包括用于吸收所述電磁能量的預(yù)定部分的構(gòu)造，并且所述電磁能量的其余部分被所述芯部吸收以在所述芯部中生成磁通流。

條款18、根據(jù)條款17所述的方法，所述方法進一步包括：將所述間隔件被構(gòu)造將所述初級導(dǎo)體繞組與所述芯部之間的磁耦合減小預(yù)設(shè)量，防止所述芯部飽和。

條款19、根據(jù)條款18所述的方法，其中，構(gòu)造所述間隔件的步驟包括：在所述間隔件中包括這樣的材料，所述材料包括磁通阻性特性或磁通吸收特性。

條款20、根據(jù)條款19所述的方法，其中，構(gòu)造所述間隔件的步驟包括：將所述間隔件浸漬有選定濃度的導(dǎo)電或半導(dǎo)電顆粒304，這造成對所述磁通的確定吸收以及將所述磁通轉(zhuǎn)換為熱能，防止所述芯部飽和。

本文中使用的術(shù)語僅出于描述特定示例的目的，并非旨在限制本發(fā)明的示例。如本文中使用的，單數(shù)形式“一”、“一個”和“所述”意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外明確指出。將進一步理解的是，術(shù)語“包括”在本說明書中使用時指定所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或增添。

隨附權(quán)利要求中的所有裝置或步驟加功能要素的對應(yīng)結(jié)構(gòu)、材料、動作和等同物旨在包括與其它具體要求保護的要素組合地執(zhí)行功能的任何結(jié)構(gòu)、材料或動作。本發(fā)明的描述出于示出和描述的目的而呈現(xiàn)，但并非旨在以公開的形式窮舉或限于本發(fā)明的示例。許多修改和變型將對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員是明顯的，而不脫離本發(fā)明的示例的范圍和精神。所述示例被選中并描述，以便最佳解釋本發(fā)明示例和實際應(yīng)用的原理，并且使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的示例，各種示例具有適合預(yù)期的特定用途的各種修改。

雖然具體示例已經(jīng)在本文中示出并描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員認識到，為實現(xiàn)相同目的而規(guī)劃的任何布置都可代替所示的具體示例，并且本發(fā)明的示例在其它環(huán)境中具有其它應(yīng)用。本申請旨在覆蓋本發(fā)明的任何修改或變型。隨附權(quán)利要求決非旨在將本發(fā)明示例的范圍限于本文中描述的具體示例。