專利名稱：使用形成聚合物刷構(gòu)成單個浮動塊氣墊面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的涉及用于磁盤驅(qū)動器的氣墊浮動塊，特別涉及到在單個浮動塊制造中使用形成聚合物刷的方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代的計算機系統(tǒng)中，使用數(shù)碼信息磁性記錄技術(shù)的磁盤驅(qū)動器貯存了大量信息。磁盤驅(qū)動器至少有一個具有離散的同心數(shù)據(jù)磁跡的旋轉(zhuǎn)磁盤。至少有一個記錄頭，它通常有一個分離的寫入元件和讀取元件用于讀寫磁跡上的數(shù)據(jù)。記錄頭構(gòu)造在一個浮動塊上，而浮動塊裝在一個懸臂梁上。記錄頭、浮動塊和懸臂梁的組合叫做磁頭框架組件。除此之外，還有一個執(zhí)行機構(gòu)將記錄頭定位于特定的磁跡上。執(zhí)行機構(gòu)首先旋轉(zhuǎn)并尋找特定的磁跡，將記錄頭定位在那個磁跡上之后，該執(zhí)行機構(gòu)保持記錄頭對準(zhǔn)該磁跡。磁盤驅(qū)動器內(nèi)的磁盤有一個基片和在基片上用于磁性記錄的磁性材料層。
裝著記錄頭的浮動塊有一個構(gòu)成氣墊面的表面。氣墊面的目的是允許浮動塊浮在氣墊上并且定位于磁盤表面附近。在磁盤表面記錄的數(shù)據(jù)密度通常隨每一種新的磁盤驅(qū)動器產(chǎn)品的出現(xiàn)而增加。隨著記錄數(shù)據(jù)密度的增加，需要不斷地改進最終浮動塊在磁盤表面上滑動高度的寬容度并改進記錄傳感器的尺寸控制。
使用薄膜的方法將記錄頭構(gòu)造在晶片上。在記錄頭構(gòu)成之后，晶片按行切割。每行通常會有20到80個記錄頭。為了確定讀寫元件的最終尺寸，首先將該行晶片重疊。對于非常高的記錄密度，行晶片的重疊不能滿足對于讀元件的條帶高度和記錄元件的喉部高度所需要的尺寸控制。在重疊之后，在該行晶片的一個表面上同時構(gòu)成一些氣墊面。首先，用旋轉(zhuǎn)鍍膜或加上一張光阻材料，將相對較厚的光阻材料層涂覆在該表面上。用旋轉(zhuǎn)鍍膜或加上一張光阻材料的方法獲得的相對較厚的光阻材料層限制了在氣墊面上產(chǎn)生的特征尺寸。替代方案是，在該表面上吸收聚合物使得該行晶片獲得聚合物涂層。用預(yù)形成的聚合物分子的吸收工序通常導(dǎo)致涂層太薄而無法抵抗后來的研磨或蝕刻。接下來是對該涂層制作圖樣并且研磨或蝕刻。
如果首先將該行晶片切成單個浮動塊，然后在每個單個浮動塊上構(gòu)成氣墊面并且重疊，這樣顯著地改進了氣墊面的精度特征和記錄頭的尺寸控制。然而，用于在不切片的行晶片上構(gòu)造氣墊面的方法不適用于單個浮動塊。比如，在單個浮動塊上旋轉(zhuǎn)涂覆光阻材料是非常難以控制。一旦行晶片被切成單個浮動塊并且安放在運送裝置上，用于平版印刷術(shù)的方法必須適用于單個浮動塊。
從前面描述可以明白，需要有一種適用于單個浮動塊的構(gòu)成氣墊面的方法。

發(fā)明內(nèi)容
在一個優(yōu)選的實施例中，本發(fā)明提供一個適用于單個浮動塊的構(gòu)成氣墊面的方法。
在一個實施例中，將薄的聚合初始劑層施加到浮動塊的表面上。然后紫外線光通過掩模在初始層上產(chǎn)生的一個需要的圖樣。在制出圖樣之后，聚合物刷形成在浮動塊的表面所需要的區(qū)域上。此后用離子研磨除去浮動塊暴露的基體材料部分，以產(chǎn)生下凹的區(qū)域。于是一個或多個下凹的區(qū)域形成氣墊面的一部分。
在另一個實施例中，使用壓印方法產(chǎn)生薄的聚合初始劑層。在這個實施例中，不需要暴露在紫外線下而產(chǎn)生需要的圖樣。聚合物刷的形成和后來的離子研磨與前面的描述一樣。
本發(fā)明提供的這些實施例可應(yīng)用在由如氧化鋁和碳化鈦復(fù)合材料構(gòu)成的浮動塊上?；虼蠼Y(jié)晶結(jié)構(gòu)的材料(如硅)一些材料可以用于構(gòu)造聚合初始劑層。一種特別有效的材料是單氯硅烷(azomonochlorsilane)。
結(jié)合附圖，從下面的詳細說明可以清楚地了解本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點，這些附圖用舉例的方式示出本發(fā)明的原理。


圖1示出滑過旋轉(zhuǎn)磁盤表面的一個浮動塊；圖2a是一個完成的浮動塊的透視圖；圖2b是完成的浮動塊的側(cè)視圖；圖2c是的浮動塊氣墊面一側(cè)的視圖；圖3a示出從硅晶片形成浮動塊；圖3b示出在氣墊面形成之前的單個浮動塊的安置；圖3c示出在氣墊面形成之前的埋入相對較軟的基底層的單個浮動塊；圖3d示出單個浮動塊的聚合物刷的構(gòu)成；圖4a示出聚合物刷的橫剖面圖；圖4b示出在浮動塊表面上，單氯硅烷與-OH(氫氧根)的接合；圖4c示出從苯乙烯單體構(gòu)成的一個聚合物分子；圖5a示出在一個浮動塊上構(gòu)成的氣墊面結(jié)構(gòu)；圖5b示出已經(jīng)形成聚合初始劑涂層之后的單個浮動塊；圖5c示出浮動塊通過掩模暴露在紫外線之下；圖5d示出在除去聚合初始劑層的暴露部分之后的單個浮動塊；圖5e示出聚合物刷的結(jié)構(gòu)；圖5f示出在離子研磨后的浮動塊；圖5g示出在除去聚合物刷和聚合初始劑層之后的浮動塊；圖5h在施加了第二層聚合初始劑層之后的浮動塊；圖5i示出浮動塊通過第二掩模暴露在紫外線之下；圖5j示出在除去第二聚合初始劑層的暴露部分之后的單個浮動塊圖5k示出第二聚合物刷的結(jié)構(gòu)；圖5l示出在第二次離子研磨后的浮動塊；圖5m示出完成的氣墊面浮動塊；
圖6a示出施加在壓印工具上的聚合初始劑層；圖6b示出使用壓印工具的浮動塊的聚合初始劑層的施加；圖6c示出在單個浮動塊上的聚合初始劑的圖案層；圖6d示出聚合物刷的結(jié)構(gòu)；圖6e示出在離子研磨后的浮動塊；圖6f示出除去聚合物刷和聚合初始劑層之后的浮動塊；圖6g示出將第二聚合初始劑層施加于第二壓印工具；圖6h示出使用第二壓印工具將第二聚合初始劑層覆蓋到浮動塊上；圖6i示出單個浮動塊和聚合初始劑的圖案層；圖6j示出第二聚合物刷的結(jié)構(gòu)；圖6k在第二次離子研磨之后的單個浮動塊；圖6l示出完成氣墊面的單個浮動塊。
具體實施例方式
本發(fā)明提供一種構(gòu)成氣墊面的有效方法，該氣墊面適用于單個浮動塊。在構(gòu)成氣墊面之前，該方法將浮動塊按行切片重疊。進而，聚合物層的厚度可以用離子研磨或蝕刻操作加以優(yōu)化。
圖1出示裝在懸臂梁104上的浮動塊102，該浮動塊滑過磁盤108的表面106的上面。操作時，磁盤108以標(biāo)號110指示的方向旋轉(zhuǎn)。典型的浮動塊102有一面(未示出)位于構(gòu)成的氣墊面之上。雖然該氣墊面本身通常是由許多下凹的表面構(gòu)成，但浮動塊的這一面有時被認(rèn)為是氣墊面。浮動塊的氣墊面與磁盤106相鄰。記錄頭112構(gòu)造在浮動塊102的后表面114上。在浮動塊的氣墊面(未示出)和前表面(未示出)的交接處通常有一個傾斜的區(qū)域116。該傾斜區(qū)域116有助于形成均勻的氣墊面。
圖2a為典型的浮動塊202的透視圖。圖2a示出了浮動塊202的前表面204，傾斜區(qū)域206，和氣墊面208。有許多種氣墊面的設(shè)計，其幾何特征多少有些不同。氣墊面設(shè)計的共同特征是大部分都具有二個或多個下凹的或相互偏置的表面。在圖2a顯示的例子中有三個這種表面。示出的第一表面為片段210，212和214。這些片段不相鄰，但大致上位于同一平面，并因此被認(rèn)為是一個表面。下一個表面由片段216，218和220示出。這些片段也不相鄰，但大致上位于同一平面。由片段216，218和220確定的平面低于由片段210，212和214定義的平面。根據(jù)氣墊面的設(shè)計需要下凹或偏移的距離是可變的，通常從約0.1到0.5微米。圖2a中的第三表面222通常比由片段210，212和214確定的平面下凹或偏移約0.5到4.0微米。記錄頭224的位置靠近氣墊面208的尾部邊緣226。
圖2b示出浮動塊202的側(cè)視圖。可以看到前表面204和傾斜區(qū)域206的輪廓。示出了由片段210，212和214確定的平面和由片段216，218和220確定的平面之間的下凹距離226。同樣也示出了由片段216，218，220確定的平面和標(biāo)號222指示的平面之間的下凹距離228。
圖2c示出浮動塊202的氣墊面208一側(cè)的視圖。示出了傾斜區(qū)域206。還示出了由片段210，212和214確定的平面。也示出了由片段216，218和220確定的平面。最后示出表面222。
形成聚合物刷可有效地用于在要經(jīng)受離子研磨的浮動塊表面上產(chǎn)生所需要的圖樣。聚合物刷的使用允許用光制成需要的圖樣與抗蝕刻的聚合物薄膜分離。使用聚合物刷的另一個優(yōu)點是表面涂層可以由聚合物的增長而獲得，而不需要旋轉(zhuǎn)鍍膜。當(dāng)處理單個浮動塊的時候，這一個優(yōu)點特別重要。
圖3a，b，c和d示出體現(xiàn)本發(fā)明一些優(yōu)點的一個實例。圖3a，b，c和d未按比例繪制。在圖3a示出作為基體材料的硅的使用。如圖3a所示，記錄頭304沉積在硅制基體302上，并且用深溝活性離子蝕刻已經(jīng)形成一些凹槽306在記錄頭304之間。其結(jié)果是將單個浮動塊308與硅制基體302分開。然而，這個方法容易形成梯形的凹槽306進入硅302內(nèi)。于是硅浮動塊308容易有梯形的形狀。在準(zhǔn)備形成氣墊面時，一組單個的梯形浮動塊放在基底層上之后，其表面輪廓為圖3b所示的鋸齒結(jié)構(gòu)。在用傳統(tǒng)方法(如旋轉(zhuǎn)鍍膜)制作聚合物時，這種鋸齒結(jié)構(gòu)是不希望有的輪廓。一個解決方法是將浮動塊308嵌入相對較軟的基底層310，如圖3c所示，對該表面進行平面化處理以接受氣墊面。然而，在這種嵌入之后一定要覆蓋浮動塊308。更加要求的解決方法是利用聚合物刷312，如圖3d所示。聚合物刷312方法的使用將用于形成單個浮動塊的方法與形成氣墊面的方法分開。
圖4a為聚合物刷的示意圖。首先將聚合的初始劑層408施加到浮動塊412的表面410上形成聚合物刷406。一個有效的聚合的初始劑的例子是單氯硅烷(azomonochlorsilane)。理想地，聚合的初始劑層408共價地結(jié)合到浮動塊的表面，特別是結(jié)合到表面上的-OH氫氧根組，并且形成單體分子可以開始聚合的表層。浮動塊表面通常有包含了-OH氫氧根組的薄的氧化物層。通?？諝庵械臐駳庾阋援a(chǎn)生充份的-OH氫氧根組，然而一個水解過程可以用于增加-OH氫氧根組的密度。當(dāng)使用硅基體的時候，首先要形成氧化硅層，然后水解。
聚合的初始劑層408(如單氯硅烷azomonochlorsilane)結(jié)合到浮動塊412的表面410上的-OH氫氧根組，形成通常厚度在1到5納米之間的單體層408，促使適當(dāng)?shù)膯误w聚合，并且易于用紫外線光去活性。圖4b是一示意圖，示出azomonochlorsilane和包含-OH氫氧根組的表面的反應(yīng)。圖4c示出實例的使用苯乙烯單體制成的聚合物刷的化學(xué)結(jié)構(gòu)。用暴露在紫外線下的方法可使azomonochlorsilane的聚合的初始能力去活性。適當(dāng)?shù)膯误w包括苯乙烯，異丁烯酸鹽[酯]，或本專業(yè)技術(shù)人員已知的其它聚合的單體。有芳香環(huán)結(jié)構(gòu)的單體常生成有超級抗蝕刻能力的聚合物。在聚合的初始劑沉積之后，浮動塊暴露于單體分子和自由初始劑[如2-2’-二氮異丁腈，即AIBN(2-2’-azo-bis-isobutyrylnitrile]的混合物，并且聚合物的生長持續(xù)到需要的厚度。溫度適度地升高到攝氏60度對反應(yīng)速率是合適的。這個方法的一個優(yōu)點就是沒有用旋轉(zhuǎn)鍍膜或壓制一片聚合物的方法加上聚合物涂層；這兩種方法對于單個浮動塊操作是很困難的。最終光阻材料層的厚度可以受到附加的初始劑分子密度的控制，該厚度更容易受到對于聚合單體暴露在升高的溫度下的時間控制。聚合物刷的厚度范圍可以被控制在較寬的范圍內(nèi)。當(dāng)構(gòu)造氣墊面時，聚合物刷的有用的厚度范圍是大約0.5微米到大約5微米。在特征的解決方案與抗離子研磨和蝕刻之間取得最佳折衷方案時，控制厚度和均勻程度的能力是有利條件。在形成聚合物刷之后，用適當(dāng)?shù)娜軇_洗掉未結(jié)合的自由聚合物。最終氣墊面的精確度和清晰變主要地取決于薄的聚合初始劑層，而很少取決于厚得多的聚合物層。
在更精細的方面，通過結(jié)合光活性基團和隨后用紫外線照射在聚合物刷分子之間引起交聯(lián)，產(chǎn)生的交聯(lián)聚合物更能抵抗后面的離子研磨。
圖5a到圖5m示出用于構(gòu)造氣墊面的本發(fā)明方法的一個實施例。圖5a-m的視圖未按比例繪制。最通用的浮動塊基體材料是氧化鋁和碳化鈦的復(fù)合材料。然而，對于用其它材料(如結(jié)晶硅)構(gòu)造的浮動塊，本發(fā)明是同樣有用的。對于這些材料蝕刻率是不同的，因此聚合物刷最適宜的厚度取決于基體材料而改變。
圖5a是單個浮動塊502的橫剖面圖。圖5b示出使用某一溶劑在涂覆了薄的聚合的初始劑層504之后的浮動塊502。聚合的初始劑層504施加到要構(gòu)成氣墊面的浮動塊的一側(cè)506。圖5c示出通過掩模510暴露在紫外線508下的具有聚合初始劑層504的浮動塊502。通過掩模510暴露在紫外線508下導(dǎo)致在聚合初始劑層504上產(chǎn)生某種圖樣。參見圖5d，聚合初始劑層504暴露在紫外線508下的區(qū)域514失去開始聚合的能力。而聚合初始劑層504沒有暴露在紫外線508下的區(qū)域512依然保持著聚合物增長的初始劑的活性。參見圖5e，具有聚合初始劑層504的圖樣層的浮動塊502現(xiàn)在暴露于適當(dāng)?shù)膯误w分子中以形成聚合物層。在聚合初始劑層的聚合通常由熱處理起動。聚合物分子趨向于沿著與浮動塊表面垂直的方向增長，于是形成聚合物“刷子”516。
圖5f示出在離子研磨后的浮動塊502。聚合物分子516在離子研磨期間受到一些侵蝕，而與聚合物分子516相鄰的浮動塊502的表面518得到保護。浮動塊502表面的未受保護的部分514被離子磨蝕，形成在受保護的表面518和未受保護的表面520之間凹下的距離。圖5g示出在除去剩余的聚合物516和聚合初始劑層504之后的浮動塊502。
如圖2所示，氣墊面可以有二個以上具有不同的偏移或下凹距離的表面。當(dāng)需要另一個表面的時候，圖5a-g的基本方法可以再次用于開始于圖5g所示的浮動塊502。圖5h示出應(yīng)用于已有氣墊面的浮動塊502的一側(cè)的第二聚合初始劑層522。圖5i示出通過第二掩模524暴露在紫外線508下的第二聚合初始劑層522。圖5j示出浮動塊表面失去聚合初始劑層活性的部分526。圖5k示出在聚合初始劑層522生長的第二聚合物刷528。圖51示出在離子研磨后剩余的聚合物刷528?；钚噪x子蝕刻是除去材料的更有攻擊性的方法，并且也許是適用的，因為最后的表面534下凹的距離530通常大于第二表面520下凹的距離532。最后，圖5m示出在除去聚合物刷和聚合初始劑層之后最后的氣墊面。
在本發(fā)明的另一個實施例中，用壓印方法加上聚合初始劑層，如圖6a-1所示。圖6a-1的視圖未按比例繪制。參見圖6a，壓印工具602在其表面604有一個圖樣，類似于圖5c先前示出的掩模的圖樣。在壓印工具602上的圖樣最好用蝕刻、離子研磨或任何其它的適用方法制成表面偏移的部分。用相對軟的材料(如硅樹脂)制作壓印工具602是很方便的。通過浸漬608在包含聚合初始劑的溶液606，可以將聚合初始劑層施加到壓印工具602上，如圖6a所示。也可以用其它方法將聚合初始劑層施加到壓印工具602上，如用接觸涂料，稱為“上墨”。圖6b示出有聚合初始劑層610的壓印工具602作用到浮動塊614有意構(gòu)成氣墊面的一側(cè)612。參見圖6c，將壓印工具602壓在浮動塊614上之后，由于壓印工具602相應(yīng)于需要的圖樣的凸起面的部分，聚合初始劑層610轉(zhuǎn)移到浮動塊614上。在這個實施例中，在浮動塊上的聚合初始劑層616具有需要的圖樣，該圖樣存在于壓印工具602上，因此不需要暴露在紫外線下或附加掩模。聚合物刷618的形成如圖6d所示。圖6e示出離子研磨處理之后的浮動塊614。在圖6e中，示出了由離子研磨產(chǎn)生的下凹區(qū)域620。圖6f示出在除去聚合初始劑層616和聚合物刷618之后的浮動塊614。
如果在氣墊面上需要附加的表面，使用不同的壓印工具622，重復(fù)圖6a-6f所示的過程。圖6g示出地聚合初始劑606施加608到另一個壓印工具622。圖6h示出具有第二聚合初始劑涂層624的第二壓印工具622正在壓制626到部份地形成了氣墊面628的浮動塊614上。圖6i示出使用第二壓印工具622施加了第二聚合初始劑層630之后的浮動塊614。圖6j示出第二聚合物刷632形成之后的浮動塊614。圖6k示出在第二次離子研磨或離子蝕刻反應(yīng)之后的浮動塊614。最后，圖61示出在除去聚合初始劑層和聚合物刷之后的完成了氣墊面634的浮動塊614。
上面詳細討論的、并且用圖6a-1示出的壓印方法特別適用于對單個浮動塊的處理。保持壓印工具能夠?qū)?zhǔn)以壓印排列成行的所有浮動塊是一件困難的工作。
從前面的描述，明顯看到本發(fā)明的實施例為在單個浮動塊上構(gòu)造氣墊面提供了有利的和有效的方法。雖然僅詳細描述了本發(fā)明的特定實施例，但本發(fā)明不局限于描述和圖解的例子，只有權(quán)利要求書限定了本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種在單個浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，包括將聚合初始劑層施加到浮動塊的表面上；將聚合初始劑層的一部分通過掩模暴露在紫外線下；在聚合初始劑層上形成聚合物刷層；用離子研磨的方法研磨浮動塊；并且除去聚合物刷層和剩余的聚合初始劑層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的在單個浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的浮動塊由純硅構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的在單個浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的浮動塊是由氧化鋁和碳化鈦的合成物構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)力要求1的在單個浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的聚合初始劑層由單氯硅烷構(gòu)成。
5.一種在浮動塊上構(gòu)成氣墊面的方法，所述的氣墊面具有兩個或多個下凹距離不同的區(qū)域，包括將聚合初始劑層施加到浮動塊的表面上；將聚合初始劑層的一部分通過掩模暴露在紫外線下；在聚合初始劑層上形成聚合物刷層；用離子研磨的方法研磨浮動塊；并且除去聚合物刷層和剩余的聚合初始劑層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的在浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的浮動塊由純硅構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的在浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于浮動塊是由氧化鋁和碳化鈦的復(fù)合材料構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的在浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的聚合初始劑涂層由單氯硅烷構(gòu)成。
9.一種在單個浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，包括將聚合初始劑層施加到壓印工具上；使用壓印工具將聚合初始劑層施加到浮動塊表面上；在聚合初始劑層上形成聚合物刷層；用離子研磨的方法研磨浮動塊；并且除去聚合物刷層和剩余的聚合初始劑涂層。
10.根據(jù)權(quán)力要求9的在單個浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的浮動塊由純硅構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)力要求9的在單個浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的浮動塊是由氧化鋁和碳化鈦的復(fù)合材料構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)力要求9的在單個浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于聚合初始劑涂層由單氯硅烷構(gòu)成。
13.一種在浮動塊上構(gòu)成氣墊面的方法，所述的氣墊面具有兩個或多個下凹距離不同的區(qū)域，所述的方法包括將聚合初始劑層施加到壓印工具上；使用壓印工具將聚合初始劑層施加到浮動塊表面上；在聚合初始劑層上形成聚合物刷層；用離子研磨的方法研磨浮動塊；并且除去聚合物刷層和剩余的聚合初始劑層。
14.根據(jù)權(quán)力要求13的在浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的浮動塊由純硅構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)力要求13的在浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的浮動塊是由氧化鋁和碳化鈦的復(fù)合材料構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)力要求13的在浮動塊表面構(gòu)成氣墊面的方法，其特征在于所述的聚合初始劑層由單氯硅烷構(gòu)成。
全文摘要
一種在單個浮動塊上構(gòu)成氣墊面的方法，該浮動塊作為支撐件用于磁性記錄頭。氣墊面的下凹表面是用下述方法構(gòu)成的施加聚合初始劑層(優(yōu)選地為單氯硅烷)，在初始劑上形成一個圖樣，形成一個聚合物刷，并且離子研磨?？梢越谌芤褐谢蚴褂脡河∈┘泳酆铣跏紕?。
文檔編號G11B5/60GK1495710SQ0315233
公開日2004年5月12日 申請日期2003年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月27日
發(fā)明者雷納·K·克勞斯, 馬庫斯·施密特, 斯特凡·塞弗雷德, 沃爾夫?qū)ぐ＝芴? 埃娃·烏爾勞布, 阿肖克·拉希里, 塞弗雷德, 拉希里, 施密特, 烏爾勞布, 岡 埃杰特, 雷納 K 克勞斯 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司