本發(fā)明涉及化合物、有機(jī)光電裝置以及顯示裝置。
背景技術(shù)：
：有機(jī)光電裝置(organicoptoelectronicdiode)為將電能轉(zhuǎn)換成光能的裝置，且也為將光能轉(zhuǎn)換成電能的裝置。有機(jī)光電裝置可根據(jù)其驅(qū)動(dòng)原理分類如下。一種為光電裝置，其中激子(exciton)通過光能產(chǎn)生，分離成電子及空穴且電子及空穴傳遞至不同電極以產(chǎn)生電能；且另一種為發(fā)光裝置，其中將電壓或電流供應(yīng)至電極以自電能產(chǎn)生光能。有機(jī)光電裝置的實(shí)例可為有機(jī)光電器件、有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽能電池以及有機(jī)感光鼓(organicphotoconductordrum)。其中，有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode；OLED)近來已由于對(duì)平板顯示器(flatpaneldisplaydevice)的要求增加而獲得關(guān)注。此類有機(jī)發(fā)光二極管通過施加電流至有機(jī)發(fā)光材料而將電能轉(zhuǎn)換成光。其具有在陽極(anode)與陰極(cathode)之間插入有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。在本文中，有機(jī)層可包含發(fā)射層及視情況存在的輔助層，且輔助層可包含例如選自空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層以及空穴阻擋層中的至少一者以便增加有機(jī)發(fā)光二極管的效率及穩(wěn)定性。有機(jī)發(fā)光二極管的效能可受有機(jī)層的特征影響，且其中，可主要受有機(jī)層的有機(jī)材料的特征影響。具體言之，需要開發(fā)能夠增加空穴及電子遷移率且同時(shí)增加電化學(xué)穩(wěn)定性的有機(jī)材料，使得有機(jī)發(fā)光二極管可應(yīng)用于大規(guī)模平板顯示器。發(fā)明的詳細(xì)說明技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：提供用于有機(jī)光電裝置的化合物，所述化合物能夠?qū)崿F(xiàn)有機(jī)光電裝置具有諸如高效率、長使用壽命以及其類似物的特征。提供有機(jī)光電裝置及包含用于有機(jī)光電裝置的化合物的顯示裝置。技術(shù)解決方案在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供由以下化學(xué)式1表示的化合物。[化學(xué)式1]在化學(xué)式1中，X1至X10獨(dú)立地為N、C或CRa，X1至X10中的至少一者為N，Z為N-L4-Rb、O、S、C-L4-RcRd或Si-L4-ReRf，L1至L4獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷氧基(alkoxylenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞芳氧基(aryloxylenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞炔基或其組合，R1至R3以及Ra至Rf獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基氨基(alkoxycarbonylaminogroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基氨基(aryloxycarbonylaminogroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺酰基氨基(sulfamoylaminogroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基(silyloxygroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氨基(acylaminogroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基硫醇基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基硫醇基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基(ureidegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C5至C40稠環(huán)、鹵素、含鹵素基、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵基或其組合，以及R1至R3獨(dú)立地存在，或R1至R3的相鄰基團(tuán)彼此稠合以得到環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的化合物可用于有機(jī)光電裝置。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，有機(jī)光電裝置包含彼此面對(duì)的陽極及陰極以及位于陽極與陰極之間的至少一個(gè)有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包含所述化合物。在本發(fā)明的又另一實(shí)施例中，提供包含所述有機(jī)光電裝置的顯示裝置。有益效果可實(shí)現(xiàn)具有高效率及長使用壽命的有機(jī)光電裝置。附圖說明圖1及圖2為展示根據(jù)各種實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的截面視圖。<附圖標(biāo)記說明>100：有機(jī)發(fā)光二極管105：有機(jī)層110：陰極120：陽極130：發(fā)射層140：空穴輔助層200：有機(jī)發(fā)光二極管230：發(fā)射層具體實(shí)施方式在下文中，詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，這些實(shí)施例為例示性的，且本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。如本文所用，當(dāng)不另外提供定義時(shí)，術(shù)語“經(jīng)取代”是指經(jīng)選自氘、鹵素、羥基、氨基(aminogroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C40硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基硅烷基、C3至C30環(huán)烷基、C6至C30芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基(諸如三氟甲基及其類似基團(tuán))或氰基的取代基取代而代替取代基或化合物的至少一個(gè)氫。在本說明書中，當(dāng)不另外提供特定定義時(shí)，“雜”是指在一個(gè)官能基中包含1至3個(gè)選自N、O、S、P以及Si的雜原子，且其余為碳。在本說明書中，當(dāng)不另外提供定義時(shí)，“烷基(alkyl)”是指脂族烴基。烷基可為無任何雙鍵或三鍵的“飽和烷基(saturatedalkyl)”。烷基可為C1至C20烷基。更特定言之，烷基可為C1至C10烷基或C1至C6烷基。舉例而言，C1至C4烷基可在烷基鏈中具有1至4個(gè)碳原子，其可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基以及第三丁基。烷基的特定實(shí)例可為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基以及其類似基團(tuán)。如本文所用，術(shù)語“芳基(aryl)”是指包含具有形成共軛的p-軌域的環(huán)的全部元素的取代基，且可為單環(huán)或稠環(huán)多環(huán)(也即共用相鄰碳原子對(duì)的環(huán))官能基。如本文所用，術(shù)語“雜環(huán)基”可指代在一個(gè)官能基中包含1至3個(gè)選自N、O、S、P以及Si的雜原子且其余為碳的芳基或環(huán)烷基。具體言之，當(dāng)芳基包含雜原子時(shí)，其可稱為“雜芳基”。當(dāng)雜環(huán)基為稠環(huán)時(shí)，雜環(huán)基的全部環(huán)或每一環(huán)可包含雜原子。更特定言之，經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基和/或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞菲基(phenanthrylenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的稠四苯基(naphthacenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芘基(pyrenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的對(duì)聯(lián)三苯基(p-terphenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的間聯(lián)三苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的屈基(chrysenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)亞三苯基(triphenylenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苝基(perylenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的茚基(indenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻吩基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡咯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咪唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的惡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的惡二唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻二唑基(thiadiazolylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡嗪基(pyrazinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基(triazinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并呋喃基(benzofuranylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并噻吩基(benzothiophenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咪唑基(benzimidazolylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吲哚基(indolylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹啉基(quinolinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的異喹啉基(isoquinolinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹唑啉基(quinazolinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹惡啉基(quinoxalinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘啶基(naphthyridinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并惡嗪基(benzoxazinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并噻嗪基(benzthiazinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吖啶基(acridinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡嗪基(phenazinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡噻嗪基(phenothiazinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡惡嗪基(phenoxazinylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的茀基(fluorenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并噻吩基(dibenzothiophenylgroup)或其組合，但不限于這些基團(tuán)。在本說明書中，單鍵指示直接連接鍵而不經(jīng)由碳或除碳以外的雜原子，且特定言之，當(dāng)L為單鍵時(shí)，連接至L的取代基直接連接至核心。換言之，單鍵在本說明書中不指示亞甲基及經(jīng)由碳的類似基團(tuán)。在本說明書中，空穴特征是指當(dāng)施加電場(electricfield)時(shí)能夠供給電子以形成空穴的特征，及由于根據(jù)HOMO能階的導(dǎo)電特征，在陽極中形成的空穴易于注入發(fā)射層中且在發(fā)射層中傳輸?shù)奶卣?。另外，電子特征是指?dāng)施加電場時(shí)能夠接受電子以形成空穴的特征，及由于根據(jù)LUMO能階的導(dǎo)電特征，在陰極中形成的電子易于注入發(fā)射層中且在發(fā)射層中傳輸?shù)奶卣鳌Ｔ谙挛闹?，描述根?jù)一個(gè)實(shí)施例的化合物。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供由以下化學(xué)式1表示的化合物。[化學(xué)式1]在化學(xué)式1中，X1至X10獨(dú)立地為N、C或CRa，X1至X10中的至少一者為N，Z為N-L4-Rb、O、S、C-L4-RcRd或Si-L4-ReRf，L1至L4獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞炔基或其組合，R1至R3以及Ra至Rf獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺?；被?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基硫醇基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基硫醇基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C5至C40稠環(huán)、鹵素、含鹵素基、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵基或其組合，以及R1至R3獨(dú)立地存在，或R1至R3的相鄰基團(tuán)彼此稠合以得到環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的化合物具有吖啶衍生物與6元環(huán)稠合的結(jié)構(gòu)，且因此可調(diào)整分子內(nèi)部空穴及電子的流動(dòng)，且通過使用所述化合物制造的有機(jī)光電裝置可在低電壓下操作以及具有高效率及長使用壽命。詳言之，所述化合物具有極好的電荷傳輸且與摻雜劑的吸收光譜充分重迭(overlap)，且因此可使諸如高效率、長使用壽命以及在低電壓下操作的特征最大化。特定言之，X2至X10中的至少一者可為N?；瘜W(xué)式1可例如由以下化學(xué)式2至化學(xué)式14中的一者表示。在化學(xué)式2至化學(xué)式14中，X1至X10為C或CRa，Z為N-L4-Rb，L1至L4、R1至R3、Ra以及Rb與上文所述相同。當(dāng)X1至X10中的至少兩者為N時(shí)，空穴及電子變得較平衡且因此，通過使用由以上化學(xué)式2至化學(xué)式5表示的每一化合物制造的有機(jī)光電裝置尤其在效率及驅(qū)動(dòng)電壓方面展示極好的特征?；瘜W(xué)式1可例如由以下化學(xué)式15至化學(xué)式27中的一者表示，但不限于這些化學(xué)式。在化學(xué)式15至化學(xué)式27中，Z為N-L4-Rb，L1及L4獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基或其組合，以及R1及Rb獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C5至C40稠環(huán)或其組合。L1及L4獨(dú)立地為單鍵或選自以下群組I中列出的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán)的基團(tuán)，但不限于此。[群組I]在群組I中，*指示連接點(diǎn)。R1及Rb獨(dú)立地為氫、氘或選自以下群組II中列出的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán)的基團(tuán)，但不限于此。[群組II]在群組II中，R及R′獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基或其組合，且*為連接點(diǎn)?；瘜W(xué)式1的Z可為N-L4-Rb，其中Rb為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C5至C40稠環(huán)或其組合。所述化合物可為例如以下群組III中列出的化合物，但不限于這些化合物。[群組III]所述化合物可用于有機(jī)光電裝置。在下文中，描述應(yīng)用所述化合物的有機(jī)光電裝置。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，有機(jī)光電裝置包含彼此面對(duì)的陽極及陰極以及插入于陽極與陰極之間的至少一個(gè)有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包含所述化合物。有機(jī)層可包含發(fā)射層，且發(fā)射層可包含本發(fā)明的化合物。特定言之，可包含所述化合物作為發(fā)射層的主體。另外，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)層包含至少一個(gè)選自空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層以及空穴阻擋層的輔助層，其中所述輔助層可包含所述化合物。有機(jī)光電裝置可為將電能轉(zhuǎn)換成光能且將光能轉(zhuǎn)換成電能而無特別限制的任何裝置，且可為例如有機(jī)光電裝置、有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽能電池以及有機(jī)感光鼓。在本文中，參照附圖描述作為有機(jī)光電裝置的一個(gè)實(shí)例的有機(jī)發(fā)光二極管。圖1及圖2為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的各有機(jī)發(fā)光二極管的截面視圖。參照圖1，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)光電裝置(100)包含彼此面對(duì)的陽極(120)及陰極(110)以及插入于陽極(120)與陰極(110)之間的有機(jī)層(105)。陽極(120)可由具有大功函數(shù)的導(dǎo)體制成以有助于空穴注入，且可為例如金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔铩ｊ枠O(120)可為例如金屬鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅、金以及其類似物或其合金；金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(indiumtinoxide；ITO)、氧化銦鋅(indiumzincoxide；IZO)以及其類似物；金屬及氧化物的組合，諸如ZnO及Al或SnO2及Sb；導(dǎo)電聚合物，諸如聚(3-甲基噻吩)、聚(3，4-(亞乙基-1，2-二氧基)噻吩)(poly(3，4-(ethylene-1，2-dioxy)thiophene)；PEDT)、聚吡咯以及聚苯胺，但不限于此。陰極(110)可由具有小功函數(shù)的導(dǎo)體制成以有助于電子注入，且可為例如金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陰極(110)可為例如金屬或其合金，諸如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇以及其類似物；多層結(jié)構(gòu)材料，諸如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al以及BaF2/Ca，但不限于此。有機(jī)層(105)包含包括所述化合物的發(fā)射層(130)。發(fā)射層(130)可包含例如僅所述化合物、至少兩種類型的所述化合物的混合物或所述化合物與另一化合物的混合物。當(dāng)使用所述化合物與另一化合物的混合物時(shí)，例如可包含所述化合物與另一化合物作為主體(host)及摻雜劑(dopant)，且所述化合物可充當(dāng)例如主體。主體可為例如磷光主體或熒光主體，且例如磷光主體。當(dāng)所述化合物用作主體時(shí)，摻雜劑可選自無機(jī)、有機(jī)、有機(jī)/無機(jī)化合物，且可選自熟知摻雜劑。參照圖2，有機(jī)發(fā)光二極管(200)還包含空穴輔助層(140)以及發(fā)射層(230)?？昭ㄝo助層(140)增加陽極(120)與發(fā)射層(230)之間的空穴注入和/或空穴遷移率，且阻斷電子?？昭ㄝo助層(140)可為例如空穴傳輸層(holetransportlayer；HTL)、空穴注入層(holeinjectionlayer；HIL)和/或電子阻擋層，且可包含至少一個(gè)層。所述化合物可包含在發(fā)射層(230)和/或空穴輔助層(140)中。盡管圖1或圖2中未展示，但有機(jī)層(105)可還包含電子注入層(electroninjeetionlayer；EIL)、電子傳輸層(electrontransportlayer；ETL)、電子傳輸層(ETL)、輔助空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)或其組合。本發(fā)明的化合物可包含在這些有機(jī)層中。有機(jī)發(fā)光二極管(100，200)可通過在基板上形成陽極或陰極，根據(jù)干式涂布法(諸如蒸發(fā)(evaporation)、濺鍍(sputtering)、電漿電鍍以及離子電鍍)或濕式涂布法(諸如旋涂(spincoating)、浸漬(dipping)、淋涂(flowcoating))形成有機(jī)層，以及在上面形成陰極或陽極來制造。有機(jī)發(fā)光二極管可應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。發(fā)明模式在下文中，參照實(shí)例更詳細(xì)地說明實(shí)施例。然而，這些實(shí)例在任何意義上均不解釋為限制本發(fā)明的范疇。(化合物的制備)實(shí)例1：化合物B-17的合成作為根據(jù)本發(fā)明的化合物的特定實(shí)例的化合物B-17經(jīng)由以下四個(gè)步驟來合成。[反應(yīng)流程1]第一步：合成中間產(chǎn)物(L-1)將39.0克(195.9毫摩爾)2，4-二氯喹唑啉、53.7克(215.5毫摩爾)4，4，5，5-四甲基-2-(2-硝基苯基)1，3，2-二氧雜硼戊烷(4，4，5，5-tetramethyl-2-(2-nitrophenyl)-1，3，2-dioxaborolane)、67.7克(489.9毫摩爾)碳酸鉀以及11.3克(9.8毫摩爾)四(三苯基膦)鈀添加至2000毫升燒瓶中的650毫升1，4-二惡烷及300毫升水中，且隨后在氮?dú)饬飨拢?0℃下加熱混合物12小時(shí)。將所獲得的混合物添加至2000毫升甲醇中，將其中結(jié)晶的固體過濾且隨后溶解于單氯苯中并用硅膠/硅藻土再次過濾，且在自其中移除適量有機(jī)溶劑后，使用甲醇進(jìn)行再結(jié)晶，獲得中間物L(fēng)-1(29.1克，51％的產(chǎn)率)。C14H8ClN3O2的計(jì)算值：C，58.86；H，2.82；Cl，12.41；N，14.71；O，11.20；實(shí)驗(yàn)值：C，58.30；H，2.92；Cl，12.13；N，14.21；O，10.82第二步：合成中間產(chǎn)物(L-2)將29.0克(101.5毫摩爾)中間物L(fēng)-1、14.2克(116.73毫摩爾)苯硼酸、35.1克(253.7毫摩爾)碳酸鉀以及5.9克(5.1毫摩爾)四(三苯基膦)鈀添加至1000毫升燒瓶中的350毫升1，4-二惡烷及150毫升水，且隨后在氮?dú)饬飨?，?0℃下加熱混合物12小時(shí)。將所獲得的混合物添加至1000毫升甲醇中，將其中結(jié)晶的固體過濾、溶解于單氯苯中且用硅膠/硅藻土再次過濾，且隨后在自其中移除適量有機(jī)溶劑后，使用甲醇進(jìn)行再結(jié)晶，獲得中間物L(fēng)-2(23.6克，71％的產(chǎn)率)。C20H13N3O2的計(jì)算值：C，73.38；H，4.00；N，12.84；O，9.78；實(shí)驗(yàn)值：C，72.99；H，3.96；N，12.81；O，9.77第三步：合成中間產(chǎn)物(L-3)將26.0克(79.43毫摩爾)中間物L(fēng)-2添加至500毫升燒瓶中的200毫升亞磷酸三乙酯中，且在氮?dú)饬飨拢?70℃下加熱混合物12小時(shí)。所獲得的混合物經(jīng)分餾以移除溶劑且隨后經(jīng)由管柱層析處理，獲得中間物L(fēng)-3(14.1克，60.0％的產(chǎn)率)。C20H13N3的計(jì)算值：C，81.34；H，4.44；N，14.23；實(shí)驗(yàn)值：C，81.12；H，4.39；N，14.16第四步：合成化合物B-17將8.4克(28.5毫摩爾)中間物L(fēng)-3、8.0克(29.97毫摩爾)1-氯-3，5-二苯基嘧啶、5.5克(57.1毫摩爾)第三丁醇鈉、0.6克(2.9毫摩爾)三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(O)、2.3毫升三第三丁基膦(50％于甲苯中)添加至500毫升圓形燒瓶的200毫升二甲苯中，且在氮?dú)饬飨录訜峄旌衔锊⒒亓?5小時(shí)。接著，將500毫升甲醇添加至所獲得的混合物，將其中結(jié)晶的固體過濾，溶解于二氯苯中且用硅膠/硅藻土過濾，并使用甲醇進(jìn)行再結(jié)晶以移除適量有機(jī)溶劑，獲得化合物B-17(10.0克，67％的產(chǎn)率)。C36H23N5的計(jì)算值：C，82.26；H，4.41；N，13.32；實(shí)驗(yàn)值：C，82.25；H，4.34；N，13.02實(shí)例2：化合物B-33的合成作為根據(jù)本發(fā)明的化合物的特定實(shí)例的化合物B-33經(jīng)由以下一個(gè)步驟來合成。第一步：合成化合物B-33將8.3克(28.3毫摩爾)中間物L(fēng)-3、11.5克(29.7毫摩爾)2-(3-溴苯基)-4，6-二苯基嘧啶、5.4克(56.5毫摩爾)第三丁醇鈉、0.6克(2.8毫摩爾)三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)以及2.3毫升三第三丁基膦(50％于甲苯中)添加至500毫升圓形燒瓶中的200毫升二甲苯中，且在氮?dú)饬飨录訜峄旌衔锊⒒亓?5小時(shí)。將所獲得的混合物添加至500毫升甲醇中，將其中結(jié)晶的固體過濾，溶解于二氯苯中且用硅膠/硅藻土過濾，且在自其中移除適量有機(jī)溶劑后，使用甲醇進(jìn)行再結(jié)晶，獲得化合物B-33(11.2克，66％的產(chǎn)率)。C42H27N5的計(jì)算值：C，83.84；H，4.52；N，11.64；實(shí)驗(yàn)值：C，83.57；H，4.44；N，11.51實(shí)例3：化合物A-105的合成作為根據(jù)本發(fā)明的化合物的特定實(shí)例的化合物A-105經(jīng)由以下一個(gè)步驟來合成。第一步：合成化合物A-105將8.3克(28.0毫摩爾)中間物L(fēng)-3、10.8克(29.4毫摩爾)9-苯基-3-溴-咔唑、5.4克(56.0毫摩爾)第三丁醇鈉、1.6克(2.8毫摩爾)三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)以及2.3毫升三第三丁基膦(50％于甲苯中)添加至500毫升圓形燒瓶中的190毫升二甲苯中，且在氮?dú)饬飨录訜峄旌衔锊⒒亓?5小時(shí)。將所獲得的混合物添加至500毫升甲醇中，將其中結(jié)晶的固體過濾，溶解于二氯苯中且用硅膠/硅藻土過濾，且隨后在自其中移除適量有機(jī)溶劑后，使用甲醇進(jìn)行再結(jié)晶，獲得化合物A-105(9.5克，63％的產(chǎn)率)。C38H24N4的計(jì)算值：C，85.05；H，4.51；N，10.44；實(shí)驗(yàn)值：C，85.01；H，4.47；N，10.32比較例1；CBP的合成以與國際公開案WO2013032035中所揭示相同的方法合成由以下化學(xué)式a表示的化合物?；瘜W(xué)式a(所制備化合物的模擬特征比較)通過使用超級(jí)電腦GAIA(IBMpower6)以高斯09方法(Gaussian09method)計(jì)算各材料的能階，且結(jié)果提供于下表1中。[表1]化合物偶極矩HOMO(eV)LUMO(eV)T1(eV)S1(eV)比較例10.0829-5.319-1.2312.9713.560實(shí)例18.3085-5.075-2.1982.3023.145實(shí)例28.2130-5.082-1.9042.3243.167實(shí)例38.1971-5.052-1.4762.3213.203如表1中所示，由于模擬中所需HOMO/LUMO能階(HOMO為-5.0至-5.5且LUMO為-1.4至-2.2)充分展示電子傳輸特征，比較例1滿足HOMO能階但未滿足LUMO能階，且因此與實(shí)例1、實(shí)例2以及實(shí)例3相比，展示空穴與電子之間的不平衡。本發(fā)明的化合物與比較例1相比具有適當(dāng)能階，且因此預(yù)期展示極好的效率及使用壽命。(有機(jī)發(fā)光二極管的制造)實(shí)例4通過使用實(shí)例1的化合物B-17作為主體及(piq)2Ir(acac)作為摻雜劑來制造有機(jī)發(fā)光二極管。使用1000埃厚的ITO作為陽極，且使用1000埃厚的鋁(Al)作為陰極。特定言之，說明一種制造有機(jī)發(fā)光二極管的方法，陽極是通過將具有15歐姆/平方厘米薄層電阻的ITO玻璃基板切割成50毫米×50毫米×0.7毫米的尺寸，將其分別在丙酮、異丙醇以及純水中超音波清潔15分鐘且將其紫外線臭氧清潔30分鐘來制造。在基板上，通過在650×10-7帕真空度下以0.1至0.3納米/秒的沉積速率沉積N4，N4′-二(萘-1-基)-N4，N4′-二苯基聯(lián)苯-4，4′-二胺(N4，N4′-di(naphthalene-l-yl)-N4，N4′-diphenylbiphenyl-4，4′-diamine，NPB)(80納米)形成800埃厚的空穴傳輸層(HTL)。隨后，通過在相同真空沉積條件下使用實(shí)例1的化合物B-17形成300埃厚的發(fā)射層，且在本文中，同時(shí)沉積磷光摻雜劑(piq)2Ir(acac)。在本文中，以發(fā)射層總重量的100重量％計(jì)，通過調(diào)節(jié)沉積速率沉積3重量％磷光摻雜劑。在發(fā)射層上，通過在相同真空沉積條件下沉積雙(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium，BAlq)形成50埃厚的空穴阻擋層。隨后，通過在相同真空沉積條件下沉積Alq3形成200埃厚的電子傳輸層(ETL)。在電子傳輸層(ETL)上，通過依次沉積LiF及Al形成陰極，從而制造有機(jī)光電裝置。有機(jī)光電裝置的結(jié)構(gòu)為ITO/NPB(80納米)/EML(B-17(97重量％)+(piq)2Ir(acac)(3重量％)，30納米)/Balq(5納米)/Alq320(納米)/LiF(1納米)/Al(100納米)。實(shí)例5除使用實(shí)例2的化合物B-33代替實(shí)例4的化合物B-17以外，根據(jù)與實(shí)例4相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。實(shí)例6除使用實(shí)例3的化合物A-105代替實(shí)例4的化合物B-17以外，根據(jù)與實(shí)例4相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。比較例2除使用以下結(jié)構(gòu)的CBP代替實(shí)例4的化合物B-17以外，根據(jù)與實(shí)例4相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。用于制造有機(jī)發(fā)光二極管的NPB、BAlq、CBP以及(piq)2Ir(acac)的結(jié)構(gòu)如下。(有機(jī)發(fā)光二極管的效能量測)量測根據(jù)實(shí)例4、實(shí)例5、實(shí)例6以及比較例2的各有機(jī)發(fā)光二極管視電壓及發(fā)光效率而定的電流密度及亮度變化。特定言之，在以下方法中進(jìn)行量測，且結(jié)果提供于下表2中。(1)量測視電壓變化而定的電流密度變化使用電流-電壓計(jì)(吉時(shí)利2400(Keithley2400))在使電壓自0伏增加至10伏的同時(shí)，量測所制造的有機(jī)發(fā)光二極管的單元裝置中流動(dòng)的電流值，且所量測的電流值除以面積，得出結(jié)果。(2)量測視電壓變化而定的亮度變化使用亮度計(jì)(美能達(dá)Cs-1000A(MinoltaCs-1000A))在使電壓自0伏增加至10伏的同時(shí)，關(guān)于亮度量測所制造的有機(jī)發(fā)光二極管的亮度。(3)量測發(fā)光效率通過使用項(xiàng)目(1)及(2)的亮度、電流密度以及電壓(伏)計(jì)算在相同電流密度(10毫安/平方厘米)下的電流效率(cd/A)。(4)量測使用壽命通過在亮度(cd/m2)保持在5000cd/m2的同時(shí)量測直至電流效率(cd/A)降至90％消耗的時(shí)間來獲得使用壽命。[表2]參照表2，根據(jù)實(shí)例4至實(shí)例6的綠色有機(jī)發(fā)光二極管與比較例2相比，展示明顯改良的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光效率和/或功率效率。盡管已結(jié)合目前視為實(shí)用例示性實(shí)施例的內(nèi)容來描述本發(fā)明，但應(yīng)理解本發(fā)明不限于所揭示的實(shí)施例，而相反地，本發(fā)明意欲涵蓋包含在所附權(quán)利要求書的精神及范疇內(nèi)的各種修改及等效配置。因此，上述實(shí)施例應(yīng)理解為例示性的但不以任何方式限制本發(fā)明。當(dāng)前第1頁1 2 3