1.一種中頻感應(yīng)加熱方式制備高純氧化亞硅的方法，其特征在于，采用如下制備方法：
(1)、原料準(zhǔn)備：含量＞99.5wt％高純硅、含量＞99.5wt％二氧化硅按重量比1∶1混合，經(jīng)壓片機(jī)壓制成餅狀后脫水；
(2)、中頻感應(yīng)加熱：將餅狀混合原料投入中頻感應(yīng)加熱設(shè)備的石墨坩堝中，在真空條件下加熱至1200～2000℃，恒溫3～5h，使原料進(jìn)行反應(yīng)并逐漸升華；
(3)、冷卻得成品：恒溫結(jié)束8～10h后，物料冷卻至室溫，將中頻感應(yīng)加熱設(shè)備中的收集器打開，取出吸附在收集器內(nèi)壁上的高純氧化亞硅SiOx成品；
當(dāng)中頻感應(yīng)加熱溫度在1200～1600℃時(shí)，調(diào)節(jié)原料高純硅與二氧化硅的摩爾比時(shí)，產(chǎn)物SiOx中x值為固定值；
而當(dāng)中頻感應(yīng)加熱溫度≥1600℃時(shí)，控制原料高純硅與二氧化硅的摩爾比的比值在0.88～1.2時(shí)，產(chǎn)物SiOx中x的值在0.89～1.10范圍內(nèi)可調(diào)。
2.一種如權(quán)利要求1所述的中頻感應(yīng)加熱方式制備高純氧化亞硅的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備，包括真空爐殼體(6)、感應(yīng)線圈(8)、保溫隔熱層(9)、石墨坩堝(10)、收集器、爐蓋(15)、水冷系統(tǒng)(14)、中頻電源(4)、中頻饋電裝置(5)、抽真空系統(tǒng)、測(cè)溫系統(tǒng)，其特征在于，所述的真空爐殼體(6)的中心軸線與真空爐殼體(6)的安裝地面的夾角為1～10°；位于石墨坩堝(10)的中心軸線下部的石墨坩堝(10)的至少開口端側(cè)設(shè)有石墨擋板(11)；在石墨坩堝(10)的開口端的端面上罩設(shè)有收集器(12)，所述的收集器(12)呈圓臺(tái)筒形，且與石墨坩堝(10)連接處的收集器(12)的開口端的直徑大于收集器的尾端的直徑。
3.如權(quán)利要求2所述的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備，其特征在于，所述的收集器(12)的尾端的端面上設(shè)有孔，孔的半徑為2～5cm；孔上可拆卸式連接一覆蓋住孔的孔蓋板。
4.如權(quán)利要求2或3所述的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備，其特征在于，所述的收集器(12)的開口端的端面上設(shè)有與石墨坩堝(10)連接用的法蘭邊。
5.如權(quán)利要求2所述的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備，其特征在于，所述的石墨擋板(11)設(shè)在石墨坩堝(10)的下半部?jī)?nèi)壁的近開口端處；或者所述的石墨擋板(11)分別設(shè)在石墨坩堝(10)的下半部?jī)?nèi)壁的近開口端處及石墨坩堝(10)的下半部?jī)?nèi)壁上位于X軸向的中部處。
6.如權(quán)利要求5所述的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備，其特征在于，所述的石墨坩堝(10)的開口端處的石墨擋板(11)的高度為石墨坩堝(10)內(nèi)徑的1/2或1/3或1/4；石墨坩堝(10)的下半部?jī)?nèi)壁上位于X軸向的中部處的石墨擋板(11)的高度為石墨坩堝(10)內(nèi)徑的1/5。
7.如權(quán)利要求2所述的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備，其特征在于，
所述的爐蓋(15)活動(dòng)連接一爐蓋推車(13)；
所述的爐蓋推車(13)包括一底部設(shè)有滑輪的平板(13-1)，平板(13-1)的一端旋轉(zhuǎn)連接一主推桿(13-2)的底端，主推桿(13-2)的上部沿主推桿的長(zhǎng)度方向設(shè)有腰形孔，一銷柱的一端滑動(dòng)連接在腰形孔內(nèi)，銷柱的另一端旋轉(zhuǎn)連接爐蓋(15)的外側(cè)壁的中上部；平板(13-1)的另一端旋轉(zhuǎn)連接一從動(dòng)推桿(13-3)的底端，在動(dòng)推桿(13-3)的上部沿從動(dòng)推桿(13-3)的長(zhǎng)度方向設(shè)另一腰形孔，另一銷柱的一端滑動(dòng)連接在另一腰形孔內(nèi)，另一銷柱的另一端旋轉(zhuǎn)連接爐蓋(15)的外側(cè)壁的底部近真空爐殼體(6)側(cè)；
所述的爐蓋推車(13)的底部設(shè)有軌道。
8.如權(quán)利要求2所述的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備，其特征在于，所述的抽真空系統(tǒng)為采用管道依次連接的機(jī)械泵(1)、羅茨泵(2)、擴(kuò)散泵(3)；所述的擴(kuò)散泵(3)的進(jìn)口端連接真空爐殼體(6)的排氣口。
9.如權(quán)利要求2所述的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備，其特征在于，所述的中頻電源(4)的電源控制器采用不控整流電路來(lái)控制，所述的電源控制器輸出恒電流和恒功率，所述的電源控制器的控制的電源工作頻率為2000～2800Hz；所述的電源控制器通過(guò)遠(yuǎn)程通訊來(lái)讀寫控制器內(nèi)的參數(shù)及控制運(yùn)行狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求2所述的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備，其特征在于，所述的測(cè)溫系統(tǒng)采用測(cè)溫電偶(7)的兩個(gè)輸出端分別連接PID溫控表所構(gòu)成，測(cè)溫電偶(7)的兩個(gè)側(cè)溫點(diǎn)分別設(shè)在石墨坩堝的中部及開口端處；所述的測(cè)溫電偶(7)采用鎢錸熱偶。