技術(shù)編號(hào):11061155
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高純氧化亞硅的制備技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō)是中頻感應(yīng)加熱方式制備高純氧化亞硅的方法及設(shè)備。背景技術(shù)氧化亞硅微粉因極富有活性,可作為精細(xì)陶瓷如氮化硅、碳化硅等合成原料;在真空中將其蒸發(fā),涂在光學(xué)儀器用的金屬反射鏡面上,可作為光學(xué)玻璃和半導(dǎo)體材料;氧化亞硅還可用于制備性能優(yōu)良的鋰離子電池負(fù)極材料。氧化亞硅的制備原理為Si+SiO2→SiO,將硅粉和二氧化硅按1∶1摩爾比混合,在真空條件下加熱后獲得產(chǎn)物。這個(gè)反應(yīng)是可逆反應(yīng),如果進(jìn)一步降低壓力,提高溫度,平衡則向氧化亞硅側(cè)移動(dòng)。早期的氧化亞硅生產(chǎn)裝...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。