專利名稱：一種光刻機真空曝光裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明光刻技術領域，涉及一種光刻機的真空曝光裝置。
背景技術：
在接近接觸式光刻機中，常常因為掩模板與硅片之間接觸不好，及因它們之間 由于充有的其它氣體對光源產(chǎn)生不同程度的折射與反射，大大影響了光刻的質量。因 此，將掩模板與硅片之間在光刻曝光之前被抽真空是非常必要的，這樣不僅可以大大提 高光刻的線條分辨率，同時也提高了光刻的質量。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術的問題，本發(fā)明的目的是實現(xiàn)掩模板與硅片之間處于真空環(huán) 境狀態(tài)，并保證掩摸板與硅片之間有良好的接觸，為此本發(fā)明提供一種光刻機真空曝光裝置。為了實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明光刻機真空曝光裝置解決技術問題所采用的技術方 案包括掩模臺、掩模板、硅片、密封膠圈、承片臺、兩個氣嘴、柔性鉸鏈、升降臺、 第一氣嘴和真空氣嘴；掩模板放在掩模臺上，硅片放在承片臺上，密封膠圈套在承片臺 的外側，承片臺通過柔性鉸鏈與升降臺相連；掩摸臺位于承片臺上方，掩摸臺上開有V 形槽，承片臺上設有三個V形槽，通過對在掩模臺上的V形槽與承片臺上的三個V形槽 進行抽真空操作，使硅片與掩摸板有良好接觸。上述方案中，所述掩模臺為正方形并在其四周設有不穿透掩模臺的第一 V形 槽，第一 V形槽為四方形結構，第一 V形槽具有兩側壁，并在第一 V形槽的一側壁上 設有一個穿透掩模臺的圓孔，在穿透掩模臺的圓孔口端裝有一第一氣嘴供掩模臺抽真空 用；當掩模板放在掩模臺上時，掩模板將掩模臺上的第一 V型槽完全覆蓋住，并通過第 一氣嘴對掩模臺進行抽真空，使掩摸板將會被牢固的吸在掩摸臺上；當掩摸板與硅片接 觸時不會被硅片頂跑、頂偏而產(chǎn)生位移。上述方案中，承片臺外形為圓錐形。所述承片臺上的三個V形槽為不穿透承片 臺的V形槽及穿透承片臺的兩個圓形孔，在承片臺的兩個圓孔下方各固接有一個真空氣 嘴，以供承片臺抽真空用，硅片放在承片臺上面時，會將承片臺表面上的三個第二 V形 槽遮蓋住，此時，通過兩個真空氣嘴對承片臺進行抽真空，硅片將會被牢固的吸在承片 臺上，當硅片與掩模板接觸時不會產(chǎn)生位移。上述方案中，所述密封膠圈是套在圓形承片臺的外側，并密封膠圈略高于承片 臺，密封膠圈高度的余量既要保證硅片在上升貼近掩模臺時密封膠圈的膠皮不起皺打 折，使硅片與掩模板有良好接觸，又要保證膠皮在貼近掩模臺時翻開并與掩模臺貼緊有 良好的密封性，在通過真空氣嘴抽真空時保證掩模板與硅片之間有足夠的真空度，并且 密封膠圈也可以防止硅片與掩模臺的硬接觸而損壞硅片。上述方案中，所述掩模板被抽真空后是固定不動的，所以，當硅片上行與掩模板接觸時，通過柔性鉸鏈的自然擺動而自動的調整硅片與掩模板接觸的平整度。上述方案中，所述的承片臺上的三個V形槽是360°環(huán)形結構，且之間通過十字 槽將它們相互溝通。上述方案中，所述三個V形槽的數(shù)量N，根據(jù)硅片的尺寸大小確定N2 3個。本發(fā)明的有益效果掩摸臺上開有V形槽，當把掩模板放在掩模臺上后可將掩 摸臺上的V形槽蓋住，通過氣嘴進行抽真空時，掩模板將被牢固的吸在掩模臺上，這樣 硅片就可以與它接觸時頂緊有良好的接觸，而不至于被硅片頂跑或移動位置。由于承片 臺也開有V形槽，硅片放上后通過抽真空，硅片也同時被牢固的吸在承片臺上，此時就 可將掩摸板與承片臺之間抽真空，實現(xiàn)掩模板與硅片之間在光刻曝光之前被抽真空，消 除其他氣體對光源產(chǎn)生的折射與反射的影響，提高光刻分辨率，同時由于掩摸板與硅片 有良好的接觸，提高曝光量，因此也提高了光刻的質量。本發(fā)明具有獨立的掩模臺、 承片臺V形槽結構加工精度上易于保證，實現(xiàn)抽真空具有機構簡單、安裝調整方便、經(jīng) 濟、安全、可靠等優(yōu)點。


圖1是本發(fā)明光刻機真空曝光裝置示意圖，圖2是本發(fā)明掩模臺示意圖，圖3是本發(fā)明承片臺示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并 參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。如圖1所示，本發(fā)明光刻機真空曝光裝置包括掩模臺1、掩模板2、硅片3、 密封膠圈4、承片臺5、兩個氣嘴6、柔性鉸鏈7、升降臺8、第一氣嘴9和真空氣嘴10; 掩模板2放在掩模臺1上，硅片3放在承片臺5上，密封膠圈4套在承片臺5的外側，承 片臺5通過柔性鉸鏈7與升降臺8相連；掩摸臺1位于承片臺5上方，掩摸臺1上開有 V形槽11，承片臺5上開有三個V形槽121、122、123，通過對在掩模臺1上的V形槽 11與承片臺5上的V形槽121、122、123進行抽真空操作，使硅片3與掩摸板2有良好 接觸。當要進行光刻時，先將待曝光的硅片3放入承片臺5上，通過承片臺氣嘴6抽真 空，使硅片3吸附在承片臺5上。再將掩模板2放在掩模臺1上，通過掩模臺第一氣嘴 9對掩模臺1抽真空，使掩模板2固定。再通過升降臺8使承片臺5上行直至與掩摸臺1 相接觸，承片臺5停止運動，之后通過真空氣嘴10對硅片3區(qū)域進行抽真空，此時，即 可對硅片3開始曝光。由于掩模板2被抽真空后是固定不動的，硅片3被抽真空后也是 固定不動的，所以，當硅片3上行與掩模板2接觸時，硅片3向上頂住掩摸板，通過柔性 鉸鏈7的自然擺動而自動的調整硅片3與掩模板2接觸的平整度。如圖2所示，掩模臺1為正方形并在其四周設有不穿透掩模臺1的第一 V形槽 11，第一 V形槽11為四方形結構，第一 V形槽11具有兩側壁，并在第一 V形槽11的一 側壁上設有一個穿透掩模臺1的圓孔，在穿透的圓孔口端裝有一第一氣嘴9供掩模臺1抽 真空用；當掩模板2放在掩模臺1上時，掩模板2將掩模臺1上的第一 V型槽11完全覆蓋住，并通過第一氣嘴9對掩模臺1進行抽真空，此時，使掩摸板2將會被牢固的吸在掩 摸臺1上；當掩摸板2與硅片3接觸時不會被硅片3頂跑、頂偏而產(chǎn)生位移。圖1示出承片臺5的外形為圓錐形。承片臺5上的三個V形槽121、122、123 為不穿透承片臺5的V形槽及穿透承片臺5的兩個圓形孔51、52，在兩個圓孔51、52下 方各固接有一個真空氣嘴6，以供承片臺5抽真空用，硅片3放在承片臺5上面時，會將 承片臺5表面上的三個第二V形槽遮蓋住，此時，通過兩個真空氣嘴6對承片臺5進行抽 真空，硅片3將會被牢固的吸在承片臺5上，當硅片3與掩模板2接觸時不會產(chǎn)生位移。所述密封膠圈4是套在圓形承片臺5的外側，并密封膠圈4略高于承片臺5，密 封膠圈4高度的余量既要保證承片臺5上的硅片3在上升貼近掩模臺1時密封膠圈4的膠 皮不起皺打折，使硅片3與掩模板2有良好接觸，又要保證膠皮在貼近掩模臺1時翻開并 與掩模臺1貼緊有良好的密封性，在通過真空氣嘴10抽真空時保證掩模板2與硅片3之間 有足夠的真空度，并且密封膠圈4也可以防止硅片3與掩模臺1的硬接觸而損壞硅片3。如圖3所示，承片臺5上的三個V形槽121、122、123是360°環(huán)行的，且之間 通過十字槽將它們相互溝通。掩摸臺1上的第一V形槽11是四方形溝通結構。本發(fā)明 承片臺5上的三個V形槽121、122、123，不限于三個，如果硅片3尺寸大的話，可增加 V形槽的數(shù)量，V形槽的數(shù)量根據(jù)硅片3的尺寸大小確定為N 2 3個。以上所述，僅為本發(fā)明中的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于 此，任何熟悉該技術的人在本發(fā)明所揭露的技術范圍內(nèi)，可理解想到的變換或替換，都 應涵蓋在本發(fā)明的包含范圍之內(nèi)，因此，本發(fā)明的保護范圍應該以權利要求書的保護范 圍為準。
權利要求
1.一種光刻機真空曝光裝置，其特征在于包括掩模臺(1)、掩模板(2)、硅片 (3)、密封膠圈(4)、承片臺(5)、兩個氣嘴(6)、柔性鉸鏈(7)、升降臺(8)、第一氣嘴 (9)和真空氣嘴(10)；掩模板⑵放在掩模臺⑴上，硅片(3)放在承片臺(5)上，密封 膠圈⑷套在承片臺(5)的外側，承片臺(5)通過柔性鉸鏈(7)與升降臺⑶相連；掩摸 臺⑴位于承片臺(5)上方，掩摸臺⑴上開有V形槽(11)，承片臺(5)上設有三個V 形槽(121、122、123)，通過對在掩模臺(1)上的V形槽(11)與承片臺(5)上的V形槽 (121、122、123)進行抽真空操作，使硅片(3)與掩摸板(2)有良好接觸。
2.根據(jù)權利要求1所述的光刻機真空曝光裝置，其特征在于所述掩模臺(1)為正方 形并在其四周設有穿透掩模臺(1)的第一 V形槽(11)，第一 V形槽(11)為四方形結構， 第一 V形槽(11)具有兩側壁，并在第一 V形槽(11)的一側壁上設有一個穿透掩模臺(1) 的圓孔，在穿透掩模臺(1)的圓孔口端裝有一第一氣嘴(9)供掩模臺(1)抽真空用；當掩 模板(2)放在掩模臺(1)上時，掩模板(2)將掩模臺(1)上的第一 V型槽(11)完全覆蓋 住，并通過第一氣嘴(9)對掩模臺(1)進行抽真空，使掩摸板(2)將會被牢固的吸在掩摸 臺(1)上；當掩摸板(2)與硅片(3)接觸時不會被硅片(3)頂跑、頂偏而產(chǎn)生位移。
3.根據(jù)權利要求1所述的光刻機真空曝光裝置，其特征在于所述承片臺(5)外形為 圓錐形。
4.根據(jù)權利要求1所述的光刻機真空曝光裝置，其特征在于所述承片臺(5)上的三 個V形槽(121、122、123)為不穿透承片臺(5)的V形槽及穿透承片臺(5)的兩個圓形 孔(51、52)，在兩個圓孔(51、52)下方各固接有一個真空氣嘴(6)，以供承片臺(5)抽 真空用，硅片(3)放在承片臺(5)上面時，會將承片臺(5)表面上的三個第二 V形槽遮蓋 住，此時，通過兩個真空氣嘴(6)對承片臺(5)進行抽真空，硅片(3)將會被牢固的吸在 承片臺(5)上，當硅片(3)與掩模板(2)接觸時不會產(chǎn)生位移。
5.根據(jù)權利要求1所述的光刻機真空曝光裝置，其特征在于所述密封膠圈(4)是套 在圓形承片臺(5)的外側，并密封膠圈(4)略高于承片臺(5)，密封膠圈(4)高度的余量 既要保證硅片(3)在上升貼近掩模臺(1)時密封膠圈(4)的膠皮不起皺打折，使硅片(3) 與掩模板(2)有良好接觸，又要保證膠皮在貼近掩模臺(1)時翻開并與掩模臺(1)貼緊有 良好的密封性，在通過真空氣嘴(10)抽真空時保證掩模板(2)與硅片(3)之間有足夠的 真空度，并且密封膠圈(4)也可以防止硅片(3)與掩模臺(1)的硬接觸而損壞硅片(3)。
6.根據(jù)權利要求1所述的光刻機真空曝光裝置，其特征在于所述掩模板(2)被抽真 空后是固定不動的，所以，當硅片(3)上行與掩模板(2)接觸時，通過柔性鉸鏈(7)的自 然擺動而自動的調整硅片(3)與掩模板(2)接觸的平整度。
7.根據(jù)權利要求3所述的光刻機真空曝光裝置，其特征在于所述的承片臺(5)上的 三個V形槽(121、122、123)是360°環(huán)形結構，且之間通過十字槽將它們相互溝通。
8.根據(jù)權利要求3所述的光刻機真空曝光裝置，其特征在于所述三個V形槽 (121、122、123)的數(shù)量N，根據(jù)硅片的尺寸大小確定N 2 3個。
全文摘要
本發(fā)明是一種光刻機真空曝光裝置，包括掩模臺、掩模板、硅片、密封膠圈、承片臺、兩個氣嘴、柔性鉸鏈、升降臺、第一氣嘴和真空氣嘴；掩模板放在掩模臺上，硅片放在承片臺上，密封膠圈套在承片臺的外側，承片臺通過柔性鉸鏈與升降臺相連；掩摸臺位于承片臺上方，掩摸臺上開有V形槽，承片臺上開有V形槽，通過對在掩模臺上的V形槽與承片臺上的V形槽進行抽真空操作，使硅片與掩摸板有良好接觸。能夠使待曝光的硅片處于真空環(huán)境中，克服了其他氣體對光刻產(chǎn)生的光折射或反射的影響，提高了硅片的光刻分辨率。
文檔編號G03F7/20GK102012642SQ20101060551
公開日2011年4月13日 申請日期2010年12月27日 優(yōu)先權日2010年12月27日
發(fā)明者徐文祥, 胡松, 胡淘, 趙立新, 邢薇, 陳磊 申請人:中國科學院光電技術研究所