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磁性納米改性氧化鋅晶須及其制備方法

文檔序號(hào):8034079閱讀:350來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):磁性納米改性氧化鋅晶須及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種磁性材料及其制備方法,特別是涉及一種磁性納米改性氧化鋅晶須及其制備方法。
背景技術(shù)
氧化鋅晶須是一種具有三維四針狀結(jié)構(gòu)的晶體材料,其獨(dú)特的四針狀結(jié)構(gòu)與氧化鋅優(yōu)異的半導(dǎo)體性能的結(jié)合賦予了氧化鋅晶須強(qiáng)大的多功能特性。而通過(guò)對(duì)氧化鋅晶須進(jìn)行磁性改性,提高氧化鋅晶須的磁導(dǎo)率、磁化強(qiáng)度等磁性指標(biāo),將賦予氧化鋅晶須更加強(qiáng)大的功能特性。比如在用作電磁屏蔽材料和隱身材料時(shí),能使其電磁屏蔽和隱身效果得到較大程度的提高。目前,進(jìn)行磁性改性主要有兩條途徑。其一是摻雜磁性金屬離子,由于氧化鋅晶格尺寸和摻雜離子半徑的限制,目前僅有鐵離子等極少數(shù)金屬離子能摻入氧化鋅晶格,但其摻雜量很小,且摻雜工藝須在800℃以上的高溫下才能實(shí)現(xiàn),耗能大,所得摻雜產(chǎn)物沒(méi)有明顯的磁性改善效果。其二是混合無(wú)機(jī)磁粉,此法雖有一定的磁性改善效果,但其混合均勻性很難保證,因而產(chǎn)品的磁性穩(wěn)定性差,如用球磨法等機(jī)械方法混合,還會(huì)破壞氧化鋅晶須的四針狀結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述缺點(diǎn),提供一種操作簡(jiǎn)單,成本低,易于工業(yè)化推廣,且所得產(chǎn)品既留了氧化鋅晶須的四針狀結(jié)構(gòu),又具有較好的、穩(wěn)定的磁性能的磁性納米改性氧化鋅晶須及其制備方法。
本發(fā)明磁性納米改性氧化鋅晶須是在四針狀氧化鋅晶須表面均勻地合成有磁性納米顆粒。
本發(fā)明磁性納米改性氧化鋅晶須制備方法中的原料組分配合比例按重量百分?jǐn)?shù)計(jì)是四針狀氧化鋅晶須(ZnOw)15~55%,二氯化鐵(FeCL2·4H2O) 4~10%,聚乙二醇(PEG) 38~75%。
制備過(guò)程如下
1)將FeCL2·4H2O溶解于重量百分濃度為30~60%的PEG水溶膠中。
2)將經(jīng)超聲波處理后的氧化鋅晶須均勻懸浮于上述1)PEG水溶膠中,其中,超聲波功率為120瓦,處理時(shí)間10分鐘。
3)采用20%(重量)的氫氧化鈉調(diào)整上述2)水溶膠的PH值為7~12,加入濃度30%(重量)過(guò)氧化氫(H2O2)水溶液,于50~70℃溫度下攪拌反應(yīng)3~5小時(shí),得反應(yīng)產(chǎn)物。其中,按重量份計(jì),原料組分∶H2O2=100∶1.2~3.0,攪拌速度控制為300~800轉(zhuǎn)/分。
4)將3)反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行過(guò)濾,并真空干燥濾渣,得中間產(chǎn)物。一般真空干燥條件為50℃、-0.09MPa。
5)將4)所得中間產(chǎn)物于250~300℃溫度下,通入N2氣焙燒1~2小時(shí),然后通入H2氣,于500~530℃溫度下焙燒2~3小時(shí),在氫氣氣氛下隨爐冷卻至室溫,得本發(fā)明磁性納米改性氧化鋅晶須。
本發(fā)明制備方法中利用PEG的活性,使其作為橋聯(lián)物,使PEG能很好地附著在ZnOw表面。加入過(guò)氧化氫作氧化劑,氧化Fe2+得到新生成的氧化鐵,可與PEG分子中的醚基形成配位結(jié)合,使磁性納米顆粒氧化鐵原位合成在ZnOw表面。為確保PEG膠束成為Fe2+氧化反應(yīng)的主要發(fā)生場(chǎng)所,應(yīng)控制PEG的重量百分濃度為30~60%??刂企w系的PH值為7~12,有利于體系中Fe2+的氧化,而控制攪拌速度、反應(yīng)溫度和反應(yīng)時(shí)間,則有利于實(shí)現(xiàn)磁性納米顆粒在ZnOw表面原位合成及控制磁性顆粒的大小,提高磁性納米顆粒在ZnOw表面分布的均勻性。體系中的中間產(chǎn)物通入氮?dú)膺M(jìn)行第一次焙燒,是使體系中的PEG發(fā)生分解反應(yīng),分解產(chǎn)生的氣態(tài)小分子則隨氮?dú)馀懦?,消除PEG對(duì)磁性的影響。在停止通氮?dú)夂?,立即換通氫氣,升高爐溫,進(jìn)行第二次焙燒,還原氧化鐵,確保PEG分解后磁性納米顆粒仍然均勻穩(wěn)定地分布在ZnOw表面。通過(guò)控制通氫氣的時(shí)間可以調(diào)整磁性納米改性氧化鋅晶須中磁性成分為Fe3O4、FeO、Fe或其復(fù)合物,從而通過(guò)對(duì)產(chǎn)物磁性成分的調(diào)節(jié)來(lái)調(diào)控產(chǎn)物的比飽和磁化強(qiáng)度、磁導(dǎo)率、矯頑力等磁性能指標(biāo),從而得到一系列可滿(mǎn)足多種需要的產(chǎn)品。
本發(fā)明磁性納米改性氧化鋅晶須及其制備方法的優(yōu)點(diǎn)在于通過(guò)ZnOw的超聲處理,氧化鐵的原位生成及PEG的橋聯(lián)作用,實(shí)現(xiàn)了磁性納顆粒在ZnOw表面的均勻合成,通過(guò)焙燒得到成分和磁性可調(diào)的磁性納米改性氧化鋅晶須。不破壞原氧化鋅晶須的四針狀結(jié)構(gòu),操作簡(jiǎn)單,可重現(xiàn)性好,成本低,易于工業(yè)化推廣。所得產(chǎn)品磁性納米改性氧化鋅晶須具有較好的、穩(wěn)定的磁性能及優(yōu)異的綜合性能,在室溫時(shí)的比飽和磁化強(qiáng)度達(dá)2.10~7.01emu/g,矯頑力達(dá)60~1150e。該產(chǎn)品可廣泛用于國(guó)防裝備、電器設(shè)備、通訊設(shè)備等領(lǐng)域。該產(chǎn)品用作隱身(吸波)涂料中的主要吸波劑時(shí),與使用相同用量的普通氧化鋅晶須的隱身涂料相比,當(dāng)涂層密度為1.2kg/m2時(shí),-4dB合格帶寬由原來(lái)的8~18GHz拓展到4~18GHz,且涂層厚度由原來(lái)的2mm降低為1mm。


圖1比較例掃描電子顯微鏡2實(shí)施例1磁性納米改性氧化鋅晶須掃描電子顯微鏡3實(shí)施例3磁性納米改性氧化鋅晶須掃描電子顯微鏡4實(shí)施例5磁性納米改性氧化鋅晶須掃描電子顯微鏡5實(shí)施例12磁性納米改性氧化鋅晶須掃描電子顯微鏡6實(shí)施例1磁性納米改性氧化鋅晶須X-ray衍射7實(shí)施例5磁性納米改性氧化鋅晶須X-ray衍射8實(shí)施例12磁性納米改性氧化鋅晶須X-ray衍射圖具體實(shí)施方式
表1實(shí)施例的原料組分配比及工藝條件

表2磁性納米改性氧化鋅晶須性能

權(quán)利要求
1.一種磁性納米改性氧化鋅晶須,其特征在于四針狀結(jié)構(gòu)的氧化鋅晶須表面均勻地合成有磁性納米顆粒。
2.一種如權(quán)利要求1所述的磁性納米改性氧化晶須的制備方法,其特征在于原料組分的配合比例按重量百分?jǐn)?shù)計(jì)是四針狀結(jié)構(gòu)的氧化鋅晶須(ZnOw) 15~55%,二氯化鐵(FeCL2·4H2O) 4~10%,聚乙二醇(PEG) 38~75%,制備過(guò)程如下1)將FeCL2·4H20溶解子重量百分濃度為30~60%的PEG水溶膠中;2)將經(jīng)超聲波處理后的氧化鋅晶須均勻懸浮于上述1)PEG水溶膠中;3)調(diào)整上述2)水溶膠的PH值為7~12,加入過(guò)氧化氫(H2O2)水溶液,于50~70℃溫度下攪拌反應(yīng)3~5小時(shí),其中,按重量份計(jì),原料組分∶H2O2=100∶1.2~3.0;4)將3)反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行過(guò)濾,并真空干燥濾渣,得中間產(chǎn)物;5)將4)所得中間產(chǎn)物于250~300℃溫度下,通入氮?dú)獗簾?~2小時(shí),然后通入氫氣,于500~530℃溫度下焙燒2~3小時(shí),在氫氣氣氛下隨爐冷卻至室溫,得本發(fā)明磁性納米改性氧化鋅晶須。
3.如權(quán)利要求2所述的磁性納米改性氧化鋅晶須的制備制備方法,其特征在于過(guò)氧化氫的重量百分濃度為30%。
4.如權(quán)利要求2所述的磁性納米改性氧化鋅晶須的制備方法,其特征在于超聲波的功率為120瓦,處理時(shí)間10分鐘。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁性納米改性氧化鋅晶須及其制備方法,是將四針狀氧化鋅晶須均勻地懸浮在溶有二氯化鐵的聚乙二醇水溶膠中,調(diào)整水溶膠的pH值為7~12,加入過(guò)氧化氫反應(yīng),過(guò)濾反應(yīng)產(chǎn)物,將濾渣真空干燥,然后通氮進(jìn)行第一次焙燒,再通氫進(jìn)行第二次焙燒,隨爐冷卻,得到在四針狀氧化鋅晶須表面均勻地合成有磁性納米顆粒的磁性納米改性氧化鋅晶須。操作簡(jiǎn)單,成本低,易于工業(yè)化推廣,產(chǎn)品具有良好的磁性能及綜合性能,主要用于國(guó)防設(shè)備、電器設(shè)備及通訊設(shè)備等領(lǐng)域。
文檔編號(hào)C30B33/00GK1712577SQ20051002086
公開(kāi)日2005年12月28日 申請(qǐng)日期2005年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月8日
發(fā)明者胡書(shū)春, 周祚萬(wàn), 楚瓏晟 申請(qǐng)人:西南交通大學(xué), 成都交大晶宇科技有限公司
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