342, 347, 34T1~34T4的 圖5A中的配置相同。另外，導(dǎo)體部721，722的形狀與在第1實(shí)施方式中已作了說(shuō)明的導(dǎo)體 部341，342的形狀相同。 陽(yáng)159] 導(dǎo)體部721，722, 72T1~72T4分別被配置于在從垂直于基板21的第1面21a的 方向（與垂直于電介質(zhì)層72的第1面的方向相同）進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖19A所表示的導(dǎo) 體部711，712, 71T1~71T4相重疊的位置。導(dǎo)體部727被配置于在從垂直于基板21的第 1面21a的方向進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖19A所表示的導(dǎo)體部717A，717B相重疊的位置。在導(dǎo) 體部72T1~72T4, 721，722上分別連接圖19A所表示的導(dǎo)體部71V1~71V6的另一端。在 導(dǎo)體部727上連接圖19A所表示的導(dǎo)體部71V7, 71V8的各另一端。
[0160] LC復(fù)合部件1包含貫通電介質(zhì)層72的導(dǎo)體部72V1，72V2, 72V3, 72V4, 72V5, 72V6， 72V7。在圖19B中，用虛線來(lái)表示導(dǎo)體部72V1~72V7。在導(dǎo)體部72T1~72T4, 721，722, 727 上分別連接導(dǎo)體部72V1~72V7的另一端。 陽(yáng)161] 圖19C是表示電介質(zhì)層73的第1面。在電介質(zhì)層73的第1面上形成電感器用導(dǎo) 體部 731，732, 737、端子用導(dǎo)體部 73T1, 73T2, 73T3, 73T4。導(dǎo)體部 731，732, 737, 73T1 ~73T4 的圖19C中的配置與在第2實(shí)施方式中已作了說(shuō)明的導(dǎo)體部331，332, 337, 33T1~33T4的 圖13C中的配置相同。另外，導(dǎo)體部731，732的形狀與在第2實(shí)施方式（第1實(shí)施方式） 中已作了說(shuō)明的導(dǎo)體部331，332的形狀相同。 陽(yáng)162] 導(dǎo)體部731，732, 737, 73T1~73T4分別被配置于在從垂直于基板21的第1面21a的方向（與垂直于電介質(zhì)層73的第1面的方向相同）進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖19B所表示的 導(dǎo)體部721，722, 727, 72T1~72T4相重疊的位置。在導(dǎo)體部73T1~73T4, 731，732, 737上 分別連接圖19B所表示的導(dǎo)體部72V1~72V7的另一端。
[0163]LC復(fù)合部件1包含貫通電介質(zhì)層73的導(dǎo)體部73V1，73V2,73V3,73V4,73V5,7 3V6,73V12。在圖19C中，用虛線來(lái)表示導(dǎo)體部73V1~73V6,73V12。在導(dǎo)體部73T1~ 73T4, 731，732, 737上分別連接導(dǎo)體部73V1~73V6, 73V12的一端。 陽(yáng)164] 圖20A是表示電介質(zhì)層74的第I面。在電介質(zhì)層74的第I面上形成電感器用 導(dǎo)體部741，742、連接用導(dǎo)體部748, 749、端子用導(dǎo)體部74T1，74T2, 74T3, 74T4。導(dǎo)體部 741，742, 748, 749, 74T1~74T4的圖20A中的配置與在第2實(shí)施方式中已作了說(shuō)明的導(dǎo)體 部311，312, 318, 319, 31T1~31T4的圖13B中的配置相同。另外，導(dǎo)體部741，742的形狀 與在第2實(shí)施方式（第1實(shí)施方式）中已作了說(shuō)明的導(dǎo)體部311，312的形狀相同。 陽(yáng)1化]導(dǎo)體部741，742, 749, 74T1~74T4分別被配置于在從垂直于基板21的第1面21a的方向（與垂直于電介質(zhì)層74的第1面的方向相同）進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖19C所表示的 導(dǎo)體部731，732, 737, 73T1~73T4相重疊的位置。在導(dǎo)體部74T1~74T4, 741，742, 749上 分別連接圖19C所表示的導(dǎo)體部73V1~73V6, 73V12的另一端。 陽(yáng)166] 本實(shí)施方式中的連接用導(dǎo)體部61~66貫通基板21W及電介質(zhì)層74, 81。在圖 20A中，用虛線來(lái)表示導(dǎo)體部61~66。在導(dǎo)體部74T1~74T4, 748, 749上分別連接導(dǎo)體部 61~66的一端。 陽(yáng)167] 圖20B是表示基板21、貫通基板21的導(dǎo)體部61~66。在圖20B中，將陰影線畫(huà) 于導(dǎo)體部61~66。
[0168] 圖20C是表示電介質(zhì)層81的第2面。在電介質(zhì)層81的第2面上形成連接 用導(dǎo)體部 813, 814, 815A, 815B, 816, 818、端子用導(dǎo)體部 81T1, 81T2, 81T3, 81T4。還 有，圖20C是W從電介質(zhì)層81的第1面?zhèn)瓤吹降臓顟B(tài)表示上述多個(gè)導(dǎo)體部。導(dǎo)體部 813, 814, 815A，815B，816, 818, 81T1~81T4的圖20C中的配置與在第2實(shí)施方式中已作了 說(shuō)明的導(dǎo)體部533, 534, 535A，535B，536, 538, 53T1~53T4的圖12C中的配置相同。
[0169] 導(dǎo)體部818, 816, 81T1~81T4分別被配置于在從垂直于基板21的第1面21a的 方向（與垂直于電介質(zhì)層81的第1面的方向相同）進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖20A所表示的導(dǎo) 體部748, 749, 74T1~74T4相重疊的位置。另外，在圖20C中，用兩點(diǎn)劃線來(lái)表示導(dǎo)體部 61~66。在導(dǎo)體部81T1~81T4, 818, 816上分別連接導(dǎo)體部61~66的另一端。 陽(yáng)170] 圖21A是表示電介質(zhì)層82的第2面。在電介質(zhì)層82的第2面上形成電容器用導(dǎo) 體部823, 824, 825A，825B，826。還有，圖21A是W從電介質(zhì)層82的第1面?zhèn)瓤吹降臓顟B(tài)表 示上述多個(gè)導(dǎo)體部。導(dǎo)體部823, 824, 825A，825B，826的圖21A中的配置與在第2實(shí)施方式 中已作了說(shuō)明的導(dǎo)體部523, 524, 525A，52B，526的圖12B中的配置相同。 陽(yáng)171] 導(dǎo)體部823, 824, 825A，825B，826分別被配置于在從垂直于基板21的第1面21a的方向（與垂直于電介質(zhì)層81的第2面的方向相同）進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖20C所表示的 導(dǎo)體部813, 814, 815A，815B，816相重疊的位置。 陽(yáng)172] 1(：復(fù)合部件1包含貫通磁性層82,83的導(dǎo)體部83￥1，83￥2,83￥3,83￥4,83￥5、貫 通電介質(zhì)層82的導(dǎo)體部82￥7,82￥8,82￥9,82￥10,82￥11。在圖214中，將陰影線畫(huà)于導(dǎo)體 部83V1~83V5。另外，在圖21A中，用兩點(diǎn)劃線來(lái)表示導(dǎo)體部82V7~82V11。在圖20C所 表示的導(dǎo)體部81T1~81T4, 818上分別連接導(dǎo)體部83V1~83V5的一端。在圖20C所表 示的導(dǎo)體部813, 814, 815A，815B，816上分別連接導(dǎo)體部82V7~82V11的一端。在導(dǎo)體部 823, 824, 825A, 825B, 826上分別連接導(dǎo)體部82V7~82V11的另一端。 陽(yáng)173] 圖21B是表示電介質(zhì)層83的第2面。在電介質(zhì)層83的第2面上形成電容器用導(dǎo) 體部833, 835, 836、端子用導(dǎo)體部83T1, 83T2, 83T3, 83T4。還有，圖21B是W從電介質(zhì)層83 的第1面?zhèn)瓤吹降臓顟B(tài)表示上述多個(gè)導(dǎo)體部。導(dǎo)體部833, 835, 836, 83T1~83T4的圖21B 中的配置與在第2實(shí)施方式中已作了說(shuō)明的導(dǎo)體部513, 515, 516, 51T1~51T4的圖12A中 的配置相同。 陽(yáng)174] 圖21A所表示的導(dǎo)體部823, 824通過(guò)電介質(zhì)層83與導(dǎo)體部833相對(duì)。本實(shí)施方 式中的電容器13是由導(dǎo)體部823, 833、位于運(yùn)兩個(gè)導(dǎo)體部之間的電介質(zhì)層83的一部分所構(gòu) 成。本實(shí)施方式中的電容器14是由導(dǎo)體部824, 833、位于運(yùn)兩個(gè)導(dǎo)體部之間的電介質(zhì)層83 的一部分所構(gòu)成。另外，圖21A所表示的導(dǎo)體部825A，825B通過(guò)電介質(zhì)層83與導(dǎo)體部835 相對(duì)。本實(shí)施方式中的電容器15是由導(dǎo)體部825A，825B，835、位于運(yùn)些導(dǎo)體部之間的電介 質(zhì)層83的一部分所構(gòu)成。另外，圖21A所表示的導(dǎo)體部826通過(guò)電介質(zhì)層83與導(dǎo)體部836 相對(duì)。本實(shí)施方式中的電容器16是由導(dǎo)體部826, 836、位于運(yùn)兩個(gè)導(dǎo)體部之間的電介質(zhì)層 83的一部分所構(gòu)成。 陽(yáng)1巧]導(dǎo)體部833, 83T1~83T4分別被配置于在從垂直于基板21的第1面21a的方向 (與垂直于電介質(zhì)層83的第1面的方向相同）進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖20C所表示的導(dǎo)體部 818, 81T1~81T4相重疊的位置。另外，在圖21B中，用兩點(diǎn)劃線來(lái)表示導(dǎo)體部83V1~83V5。 在導(dǎo)體部83T1~83T4, 835上分別連接導(dǎo)體部83V1~83V5的另一端。 陽(yáng)176] 圖21C是表示電介質(zhì)層84、貫通電介質(zhì)層84的要素。LC復(fù)合部件1包含貫通電介 質(zhì)層84的端子用導(dǎo)體部84V1，84V2, 84V3, 84V4。在圖21C中，將陰影線畫(huà)于導(dǎo)體部84V1~ 84V4。在圖21B所表示的導(dǎo)體部83T1~83T4上分別連接導(dǎo)體部84V1~84V4的一端。本 實(shí)施方式中的輸入端子2是由導(dǎo)體部84V1的另一端所構(gòu)成。本實(shí)施方式中的輸出端子3 是由導(dǎo)體部84V2的另一端所構(gòu)成。導(dǎo)體部84V3, 84V4的各另一端構(gòu)成被連接于接地的接 地端子。 陽(yáng)177] 本實(shí)施方式中的電感器11是由電感器用導(dǎo)體部711，721，731，741和導(dǎo) 體部71V5, 72V5, 73V5所構(gòu)成。如圖18所示，本實(shí)施方式中的忍部23位于導(dǎo)體部 711，721，731，741的內(nèi)周部的內(nèi)側(cè)。導(dǎo)體部711，721，731，741任一個(gè)都是沿著忍部23的外 周進(jìn)行延伸的線狀導(dǎo)體部。
[0178] 本實(shí)施方式中的電感器12是由電感器用導(dǎo)體部712, 722, 732, 742和導(dǎo) 體部71V6, 72V6, 73V6所構(gòu)成。如圖18所示，本實(shí)施方式中的忍部24位于導(dǎo)體部 712, 722, 732, 742的內(nèi)周部的內(nèi)側(cè)。導(dǎo)體部712, 722, 732, 742任一個(gè)都是沿著忍部24的外 周進(jìn)行延伸的線狀的導(dǎo)體部。 陽(yáng)179] 本實(shí)施方式中的電感器17是由電感器用導(dǎo)體部717A，717B，727, 737和導(dǎo)體部 71V7, 71V8, 72V7 所構(gòu)成。
[0180] 本實(shí)施方式中的其他結(jié)構(gòu)、作用W及效果與第1或者第2實(shí)施方式相同。 陽(yáng)181] 還有，本發(fā)明并不限定于W上所述各個(gè)實(shí)施方式，只要是在本發(fā)明的宗旨范圍內(nèi) 各種各樣的變更都是可能的。例如，本發(fā)明的LC復(fù)合部件并不限定于低通濾波器，能夠適 用于包含電感器和電容器的所有電子部件。 陽(yáng)182] 根據(jù)W上說(shuō)明就可明確實(shí)施本發(fā)明的各種各樣形態(tài)或變形例是可能的。因此，在 與本發(fā)明的權(quán)利要求范圍相均等的范圍內(nèi)即使是上述最佳方式W外的方式也能夠?qū)嵤┍?發(fā)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種LC復(fù)合部件，其特征在于： 具備： 1個(gè)以上的電感器； 1個(gè)以上的電容器； 具有磁性的磁性層；以及 支撐所述1個(gè)以上的電感器、所述1個(gè)以上的電容器以及所述磁性層的基板， 所述基板具有第1面、與所述第1面為相反側(cè)的第2面， 所述磁性層以與所述基板的第1面相對(duì)的形式被配置， 所述1個(gè)以上的電感器被配置于所述基板的第1面與所述磁性層之間， 在垂直于所述基板的第1面的方向上，所述基板的厚度大于所述磁性層的厚度， 所述基板的復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的實(shí)部和虛部分別小于所述磁性層的復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的實(shí)部和虛 部。2. 如權(quán)利要求1所述的LC復(fù)合部件，其特征在于： 所述基板的厚度在所述磁性層的厚度的1. 1~3倍的范圍內(nèi)。3. 如權(quán)利要求1所述的LC復(fù)合部件，其特征在于： 所述1個(gè)以上的電容器被配置于所述基板的第1面與所述磁性層之間的位置，并且被 配置于從垂直于所述基板的第1面的方向觀察時(shí)與所述1個(gè)以上的電感器不相重疊的位 置。4. 如權(quán)利要求1所述的LC復(fù)合部件，其特征在于： 所述1個(gè)以上的電容器被配置于在其與所述1個(gè)以上的電感器之間夾持所述基板的位 置。5. 如權(quán)利要求1所述的LC復(fù)合部件，其特征在于： 進(jìn)一步具備1個(gè)以上的芯部，其被配置于所述基板的第1面與所述磁性層之間且連接 于所述磁性層、并具有磁性。 所述1個(gè)以上的電感器包含沿著所述1個(gè)以上的芯部的外周延伸的1個(gè)以上的線狀的 導(dǎo)體部。
【專利摘要】本發(fā)明所涉及的LC復(fù)合部件具備1個(gè)以的上電感器、1個(gè)以上的電容器、磁性層、基板。基板具有第1面、與第1面為相反側(cè)的第2面。磁性層是以與基板的第1面相對(duì)的形式被配置的。1個(gè)以上的電感器被配置于基板的第1面與磁性層之間。在垂直于基板的第1面的方向上，基板的厚度大于磁性層的厚度。基板的復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的實(shí)部和虛部分別小于磁性層的復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的實(shí)部和虛部。
【IPC分類】H03H7/01
【公開(kāi)號(hào)】CN105322906
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510284236
【發(fā)明人】戶田慎一郎, 桑島一
【申請(qǐng)人】Tdk株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2016年2月10日
【申請(qǐng)日】2015年5月28日
【公告號(hào)】US20150351243