電感器11，12, 17的損耗 變大，W至于高頻帶上的LC復(fù)合部件1的特性發(fā)生劣化。相對于此，在本實(shí)施方式中電容 器13~16被配置的位置是基板21的第1面21a與磁性層22之間的位置，并且是被配置 于在從垂直于基板21的第1面21a的方向進(jìn)行觀察的時(shí)候與電感器11，12, 17不相重疊的 位置。由此，根據(jù)本實(shí)施方式，就能夠減少由電感器11，12, 17的損耗引起的LC復(fù)合部件I的特性劣化，并且LC復(fù)合部件1能夠薄型化。 陽101] 另外，本實(shí)施方式所設(shè)及的LC復(fù)合部件1進(jìn)一步具備2個忍部23, 24,電感器11 包含沿著忍部23的外周進(jìn)行延伸的線狀導(dǎo)線部即電感器用導(dǎo)體部311，331，341，351，電感 器12包含沿著忍部24的外周進(jìn)行延伸的線狀導(dǎo)線部即電感器用導(dǎo)體部312, 332, 342, 352。 由此，根據(jù)本實(shí)施方式，電感器11，12能夠小型化，其結(jié)果LC復(fù)合部件1能夠小型化。另外， 在縮短導(dǎo)體部311，312, 331，332, 341，342, 351，352的長度來對電感器11，12實(shí)行小型化的 情況下，能夠減小電感器11，12的電阻值，其結(jié)果能夠減小電感器11，12的導(dǎo)體損耗。 陽102] 根據(jù)W上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠小型化和薄型化W及低成本化、W 及電磁屏蔽性能高、并且由電感器損耗引起的特性劣化小的LC復(fù)合部件1。 陽103] W下是參照第2模擬實(shí)驗(yàn)的結(jié)果并就取決于磁性層22的電磁屏蔽效果進(jìn)行說明。 在第2模擬實(shí)驗(yàn)中是使用第1W及第2實(shí)施例的模型、比較例的模型。第1W及第2實(shí)施 例的模型是使用本實(shí)施方式所設(shè)及的LC復(fù)合部件1。第1實(shí)施例的模型是LC復(fù)合部件1 單獨(dú)的模型。第2實(shí)施例的模型是W分別與LC復(fù)合部件1的部件主體20的上面（基板21 的第2面2化）和部件主體20的底面（磁性層22的第1面22a)相對的形式將2個金屬制 的屏蔽板配置于LC復(fù)合部件1的近旁的模型。在第1W及第2實(shí)施例的模型中，基板21 的復(fù)數(shù)相對導(dǎo)磁率的實(shí)部為1，基板21的復(fù)數(shù)相對導(dǎo)磁率的虛部為0,磁性層22的復(fù)數(shù)相 對導(dǎo)磁率的實(shí)部為4. 0,磁性層22的復(fù)數(shù)相對導(dǎo)磁率的虛部為0. 04。
[0104] 比較例的模型是使用比較例的LC復(fù)合部件。在比較例的LC復(fù)合部件中，替代磁 性層22而設(shè)置比較例的電介質(zhì)層。比較例的LC復(fù)合部件的其他結(jié)構(gòu)與本實(shí)施方式所設(shè)及 的LC復(fù)合部件1相同。比較例的電介質(zhì)層具有朝著與基板21的第1面21a相同方向的第 1面、朝著與基板21的第2面2化相同方向的第2面。在比較例的模型中，基板21的復(fù)數(shù) 相對導(dǎo)磁率的實(shí)部為1，基板21的復(fù)數(shù)相對導(dǎo)磁率的虛部為0,電介質(zhì)層的復(fù)數(shù)相對導(dǎo)磁率 的實(shí)部為1，電介質(zhì)層的復(fù)數(shù)相對導(dǎo)磁率的虛部為0。比較例的模型是與第2實(shí)施例的模型 相同W分別與比較例的LC復(fù)合部件的部件主體20的上面（基板21的第2面2化）和部件 主體20的底面（比較例的電介質(zhì)層的第1面）相對的形式將2個金屬制的屏蔽板配置于 比較例的LC復(fù)合部件的近旁的模型。
[01化]在第2模擬實(shí)驗(yàn)中，分別就第1W及第2實(shí)施例的模型和比較例的模型來求得插 入損耗的頻率特性。還有，比較例的LC復(fù)合部件是W其單獨(dú)模型中的插入損耗的頻率特性 成為與第1實(shí)施例的模型相同的形式進(jìn)行設(shè)計(jì)的。
[0106] 圖8是表示第1實(shí)施例的模型中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖9是表示第 2實(shí)施例的模型中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖10是表示比較例的模型中的插入 損耗的頻率特性的特性圖。在圖8~圖10中，橫軸是表示頻率，縱軸是表示插入損耗。第 1W及第2實(shí)施例的模型和比較例的模型各自的通帶內(nèi)的特定頻率（0. 787GHz和0. 96GHz) 上的插入損耗如W下所述。在第1實(shí)施例的模型中，在0. 787GHz上的插入損耗為0. 43地， 0. 96GHz上的插入損耗為0. 66地。在第2實(shí)施例的模型中，在0. 787GHz上的插入損耗為 0. 44地，0. 96GHz上的插入損耗為0. 68地。在比較例的模型中，在0. 787GHz上的插入損耗 為0. 82地，0. 96GHz上的插入損耗為1. 06地。 陽107] 在比較例的模型中，與第1實(shí)施例的模型相比較相對通帶上的插入損耗變大。運(yùn) 是因?yàn)樵诒容^例的模型中沒有取決于磁性層22的電磁屏蔽效果，所W認(rèn)為原因在于起因 于屏蔽板的由滿電流損耗引起的電感器的損耗變大。相對于此，第2實(shí)施例的模型的通帶 上的插入損耗大致與第1實(shí)施例的模型的通帶上的插入損耗相同。根據(jù)第2模擬實(shí)驗(yàn)結(jié)果 就可明了在本實(shí)施方式中由磁性層22而能夠獲得電磁屏蔽效果。
[0108][第2實(shí)施方式]
[0109] 接著，就本發(fā)明的第2實(shí)施方式所設(shè)及的LC復(fù)合部件1作如下說明。首先，參照 圖11并就本實(shí)施方式所設(shè)及的LC復(fù)合部件1的概略結(jié)構(gòu)作如下說明。圖11是本實(shí)施方 式所設(shè)及的LC復(fù)合部件1的截面圖。本實(shí)施方式所設(shè)及的LC復(fù)合部件1的電路結(jié)構(gòu)與第 1實(shí)施方式相同，并與圖3所表示的相同。
[0110] 在本實(shí)施方式中，LC復(fù)合部件1的1個W上的電容器（電容器13~16)的配置與 第1實(shí)施方式不同。如圖11所示在本實(shí)施方式中，電容器16是處于在其與電感器11，12, 17 之間夾持基板21的位置，即被配置于基板21的第2面2化側(cè)的位置。雖然沒有圖示但是 電容器16W外的3個電容器13~15也是處于在其與電感器11，12, 17之間夾持基板21 的位置，即被配置于基板21的第2面2化側(cè)的位置。 陽111] 接著，參照圖12A~圖13C并就本實(shí)施方式所設(shè)及的LC復(fù)合部件1的具體結(jié)構(gòu)作 如下說明。在本實(shí)施方式中，在基板21的第1面21a側(cè)和第2面2化側(cè)分別設(shè)置被層疊的 多個電介質(zhì)層。具體地來說LC復(fù)合部件1具備被配置于基板21的第1面21a與磁性層22 的第2面2化之間的電介質(zhì)層31，33, 34, 35, 36、被配置于基板21的第2面2化側(cè)的電介質(zhì) 層51, 52, 53。電介質(zhì)層31, 33~36自基板21的第1面21a側(cè)其就按該順序被配置。電介 質(zhì)層51~53自基板21的第2面2化側(cè)起按53, 52, 51的順序被配置。電介質(zhì)層31，33~ 36, 51~53分別具有朝著與基板21的第1面21a相同的方向的第1面、朝著與基板21的 第2面2化相同的方向的第2面。
[0112] LC復(fù)合部件1進(jìn)一步具備由被配置于電介質(zhì)層51的第2面之上的電介質(zhì)材料構(gòu) 成的保護(hù)用電介質(zhì)層。保護(hù)用電介質(zhì)層具有朝著與基板21的第1面21a相同的方向的第 1面、朝著與基板21的第2面2化相同的方向的第2面。在本實(shí)施方式中，LC復(fù)合部件1 的部件主體20的上面是由保護(hù)用電介質(zhì)層的第2面所構(gòu)成。 陽113] 在本實(shí)施方式中，忍部23, 24被埋入到電介質(zhì)層31，33~36的層疊體中。還有， 在圖13BW及圖13C中省略了忍部23, 24。 陽114]圖12A是表示電介質(zhì)層51的第2面。在電介質(zhì)層51的第2面上形成電容器用導(dǎo) 體部 513, 515, 516、端子用導(dǎo)體部 51T1, 51T2, 51T3, 51T4。導(dǎo)體部 513, 515, 516,51T1 ~51T4 的圖12A中的配置與在第1實(shí)施方式中已作了說明的導(dǎo)體部313, 315, 316, 31T1~31T4的 圖4A中的配置相同。
[0115]LC復(fù)合部件1包含貫通電介質(zhì)層51，52的導(dǎo)體部51V1，51V2, 51V3, 51V4, 51V5。在 圖12A中，用虛線來表示導(dǎo)體部51V1~51V5。在導(dǎo)體部51T1~51T4, 513上分別連接導(dǎo)體 部5IVl~51V5的一端。
[0116] 圖12B是表示電介質(zhì)層52的第2面。在電介質(zhì)層52的第2面上形成電容器用導(dǎo) 體部523, 524, 525A, 52B, 526。導(dǎo)體部523, 524, 525A, 525B, 526的在圖12B中的配置與在第 1實(shí)施方式中已作了說明的導(dǎo)體部323, 324, 325A，325B，326的在圖4B中的配置相同。
[0117] 導(dǎo)體部523, 524通過電介質(zhì)層51與圖12A所表示的導(dǎo)體部513相對。本實(shí)施方 式中的電容器13是由導(dǎo)體部513, 523、位于運(yùn)兩個導(dǎo)體部之間的電介質(zhì)層51的一部分所構(gòu) 成。本實(shí)施方式中的電容器14是由導(dǎo)體部513, 524、位于運(yùn)兩個導(dǎo)體部之間的電介質(zhì)層51 的一部分所構(gòu)成。另外，導(dǎo)體部525A, 525B通過電介質(zhì)層51與圖12A所表不的導(dǎo)體部515 相對。本實(shí)施方式中的電容器15是由導(dǎo)體部515, 525A，525B、位于運(yùn)些導(dǎo)體部之間的電介 質(zhì)層51的一部分所構(gòu)成。另外，導(dǎo)體部526通過電介質(zhì)層51與圖12A所表示的導(dǎo)體部516 相對。本實(shí)施方式中的電容器16是由導(dǎo)體部516, 526、位于運(yùn)兩個導(dǎo)體部之間的電介質(zhì)層 51的一部分所構(gòu)成。 陽118]在圖12B中，將陰影線畫于導(dǎo)體部51V1~55V6。LC復(fù)合部件1包含貫通電介質(zhì) 層52的導(dǎo)體部52V7, 52V8, 52V9, 52V10, 52V11。在圖12B中，用虛線來表示導(dǎo)體部52V7~ 52V11。在導(dǎo)體部523, 524, 525A, 525B, 526上分別連接導(dǎo)體部52V7~52V11的一端。 陽119]圖12C是表示電介質(zhì)層53的第2面。在電介質(zhì)層53的第2面上形成連接用 導(dǎo)體部 533, 534, 535A, 535B, 536, 538、端子用導(dǎo)體部 53T1, 53T2, 53T3, 53T4。導(dǎo)體部 533, 534, 535A，535B，536, 53T1~53T4的圖12C中的配置與在第1實(shí)施方式中已作了說明 的導(dǎo)體部333, 334, 335A，335B，336, 33T1~33T4的圖C中的配置相同。導(dǎo)體部538被配置 于導(dǎo)體部533與導(dǎo)體部534之間。
[0120]導(dǎo)體部538, 53T1~53T4分別被配置于在從垂直于基板21的第1面21a的 方向（與垂直于電介質(zhì)層53的第1面的方向相同）進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖12A所表示 的導(dǎo)體部513,51T1~51T4相重疊的位置。導(dǎo)體部533,534,535A，535B，536分別被配 置于在從垂直于基板21的第1面21a的方向進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖12B所表示的導(dǎo)體部 523, 524, 525A, 525B, 526 相重疊的位置。 陽121] 在導(dǎo)體部53T1~53T4,538上分別連接圖12AW及圖12B所表示的導(dǎo)體部51V1~ 51V5的另一端。在導(dǎo)體部533, 534, 535A，535B，536上分別連接圖12B所表示的導(dǎo)體部 52V7~52V11的另一端。 陽122]LC復(fù)合部件1包含貫通基板21W及電介質(zhì)層31，53的連接用導(dǎo)體部 61，62,63,64,65,66。在圖12C中，用虛線來表示導(dǎo)體部61~66。在導(dǎo)體部53T1~ 53T4, 538, 536上分別連接導(dǎo)體部61~66的一端。 陽123] 圖13A是表示基板21、貫通基板21的導(dǎo)體部61~66。在圖13A中，將陰影線畫 于導(dǎo)體部61~66。 陽124] 圖13B是表示電介質(zhì)層31的第1面。在本實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式相同形成 電感器用導(dǎo)體部311，312W及端子用導(dǎo)體部31T1~31T4。上述多個導(dǎo)體部的形狀W及配 置與第1實(shí)施方式相同。在本實(shí)施方式中，特別是導(dǎo)體部31T1~31T4分別被配置于在從 垂直于基板21的第1面21a的方向（與垂直于電介質(zhì)層31的第1面的方向相同）進(jìn)行觀 察的時(shí)候與圖12C所表示的導(dǎo)體部53T1~53T4相重疊的位置。還有，在本實(shí)施方式中不 設(shè)置連接用導(dǎo)體部313, 315, 316。 陽1巧]在本實(shí)施方式中，在電介質(zhì)層31的第1面上進(jìn)一步形成連接用導(dǎo)體部318,319。 導(dǎo)體部318被配置于圖13B中的導(dǎo)體部311，312的下側(cè)的位置。另外，導(dǎo)體部318被連接 于導(dǎo)體部311，312的各一端。導(dǎo)體部319被配置于圖13B中的導(dǎo)體部311，312的上側(cè)的位 置。導(dǎo)體部318, 319分別被配置于在從垂直于基板21的第1面21a的方向進(jìn)行觀察的時(shí) 候與圖12C所表不的導(dǎo)體部538, 536相重疊的位置。 陽126] 在圖13B中用兩點(diǎn)劃線表示導(dǎo)體部61~66。在導(dǎo)體部31T1~31T4, 318, 319上 分別連接導(dǎo)體部61~66的另一端。 陽127] 圖13C是表示導(dǎo)電體層33的第1面。在本實(shí)施方式中與第1實(shí)施方式相同形成電 感器用導(dǎo)體部331，332, 337、端子用導(dǎo)體部33T1~33T4W及導(dǎo)體部33V1~33V6。上述多 個導(dǎo)體部的形狀W及配置與第1實(shí)施方式相同。在本實(shí)施方式中，特別是導(dǎo)體部337被配置 于在從垂直于基板21的第1面21a的方向（與垂直于電介質(zhì)層33的第1面的方向相同） 進(jìn)行觀察的時(shí)候與圖13B所表示的導(dǎo)體部319相重疊的位置。另外，導(dǎo)體部33V1~33V6 只貫通電介質(zhì)層33。還有，在本