一種薄膜圖形化的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜圖形化的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在薄膜技術(shù)領(lǐng)域中，有時(shí)根據(jù)需要會(huì)將薄膜進(jìn)行圖形化，例如，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)中可以將發(fā)光層制成光柵結(jié)構(gòu)，目的是增加光的利用率等;在薄膜晶體管(TFT)中柵極、源極和漏極的制備方法是通過將相關(guān)薄膜制成特定形狀來實(shí)現(xiàn)的，以及薄膜晶體管中的金屬電極也是通過將金屬薄膜圖形化來達(dá)到選擇性的供電功能，例如，在制備液晶顯示屏?xí)r，其中一部分的屏幕上不需要發(fā)光，即不需要晶體管提供電壓，這時(shí)制備的晶體管的電極可以繞過這部分，即制備的電極形狀可以不是整塊，而是可以根據(jù)需要制備出各種形狀。
[0003]目前，光刻技術(shù)是用戶最常使用到的將薄膜圖形化方法，它的一般步驟:首先在待圖形化的薄膜上涂抹光刻膠，然后采用曝光或刻蝕等技術(shù)將光刻膠制成相應(yīng)的掩膜板，最后利用掩膜板通過刻蝕的方法將薄膜制成用戶需要的形狀。
[0004]采用上述光刻技術(shù)將薄膜圖形化時(shí)，通常是將光刻膠涂抹在待圖形化的薄膜材料上進(jìn)行相關(guān)操作，但是光刻膠可能會(huì)滲透進(jìn)該薄膜材料中，影響薄膜的性能。另外，有時(shí)薄膜會(huì)采用特殊結(jié)構(gòu)，例如，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)或薄膜晶體管(TFT)等中的電極會(huì)采用納米顆粒結(jié)構(gòu)，比如金屬球、金屬三角形或金屬納米線。這時(shí)如果采用上述光刻方法將光刻膠涂抹在這些特殊結(jié)構(gòu)的薄膜時(shí)，由于這種薄膜中的空隙較大，光刻膠更加容易滲透進(jìn)去，使得將該薄膜圖性化時(shí)，由于光刻膠的存在，導(dǎo)致無法將該薄膜制備成用戶需要的形狀。例如，在薄膜晶體管中的電極采用的是銀納米線薄膜，這時(shí)在該薄膜上涂抹光刻膠時(shí)，由于納米線之間存在間隙，光刻膠可能會(huì)滲透在這些間隙中，導(dǎo)致無法將該薄膜制成用戶需要的形狀，且會(huì)影響電極的導(dǎo)電性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖形化的方法，用于解決采用光刻技術(shù)將薄膜進(jìn)行圖形化時(shí)光刻膠進(jìn)入薄膜導(dǎo)致無法將薄膜圖形化的問題。
[0006]—種薄膜圖形化的方法，該方法包括:
[0007]在襯底上涂抹光刻膠，并采用刻蝕的方法對(duì)所述光刻膠進(jìn)行處理，獲得有圖形形狀的光刻膠，所述光刻膠的圖形形狀與目標(biāo)圖形形狀相反;在所述涂有光刻膠的襯底上沉積待圖形化的薄膜材料，所述沉積的薄膜材料分布在所述襯底上涂有光刻膠的位置和沒有光刻膠的位置;采用研磨的方法對(duì)所述襯底上的薄膜材料進(jìn)行研磨，直到所述光刻膠上沒有所述薄膜材料附著且所述薄膜材料與所述光刻膠的高度平齊時(shí)，停止研磨操作;待所述研磨操作結(jié)束后，采用刻蝕的方法對(duì)所述襯底上的光刻膠進(jìn)行處理，在所述襯底上獲得目標(biāo)圖形形狀的薄膜材料。
[0008]優(yōu)選地，所述待圖形化的薄膜材料為銀納米線。
[0009]優(yōu)選地，在襯底上涂抹光刻膠的步驟具體包括:使用旋涂儀將光刻膠旋涂在襯底上。
[0010]優(yōu)選地，在采用刻蝕的方法對(duì)所述光刻膠進(jìn)行處理的步驟之前，還包括對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的步驟。
[0011]優(yōu)選地，所述獲得有圖形形狀的光刻膠的步驟具體包括:在采用刻蝕的方法對(duì)所述光刻膠進(jìn)行處理后，所述光刻膠中曝光位置上的光刻膠被刻蝕掉，獲得有圖形形狀的光刻膠。
[0012]優(yōu)選地，所述在涂有光刻膠的襯底上沉積待圖形化的薄膜材料的步驟中，沉積薄膜的方式可以是熱蒸鍍、磁控濺射或旋涂中的一種。
[0013]優(yōu)選地，所述采用研磨的方法對(duì)所述襯底上的薄膜材料進(jìn)行研磨的步驟中，研磨的方法可以是物理研磨或化學(xué)研磨。
[0014]應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例中將薄膜圖形化的方法，不將光刻膠涂抹在待圖形化的薄膜上，而是將光刻膠涂抹在襯底上，并通過將光刻膠制成與目標(biāo)圖形形狀相反的圖形形狀，從而獲得目標(biāo)圖形形狀的薄膜。該方法獲得有益效果是:可以解決光刻膠滲透到薄膜材料導(dǎo)致無法將該薄膜材料圖形化的問題，且可以減少光刻膠滲透到該薄膜中產(chǎn)生的負(fù)面影響。
【附圖說明】
[0015]此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0016]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜圖形化的方法的具體流程示意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的將光刻膠圖形化的流程示意圖；其中，圖2(a)為涂有光刻膠的襯底示意圖；圖2(b)為將曝光區(qū)域的光刻膠刻蝕掉的襯底示意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的采用光刻技術(shù)將薄膜圖形化后的示意圖；
[0019]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的兩個(gè)具有相反圖形結(jié)構(gòu)的圖形的示意圖；
[0020]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的將銀納米線薄膜圖形化的具體流程示意圖；其中，圖5(a)為涂有光刻膠的襯底示意圖；圖5(b)為在圖5(a)的襯底上沉積銀納米線后的襯底示意圖；圖5(c)為將圖5(b)襯底上的銀納米線薄膜研磨后的襯底示意圖；圖5(d)為將圖5(c)襯底上的光刻膠刻蝕掉后的襯底示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0022]以下結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明各實(shí)施例提供的技術(shù)方案。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜圖形化的方法，用于解決采用光刻技術(shù)將薄膜進(jìn)行圖形化時(shí)光刻膠進(jìn)入薄膜的問題。該方法的具體流程示意圖如圖1所示，包括下述步驟:
[0024]步驟11:在襯底上涂抹光刻膠，并采用刻蝕的方法對(duì)所述光刻膠進(jìn)行處理，獲得有圖形形狀的光刻膠，所述光刻膠的圖形形狀與目標(biāo)圖形形狀相反。
[0025]在本步驟中，首先在襯底上涂抹光刻膠，通常使用旋涂儀將光刻膠旋涂在襯底上，目的是使光刻膠均勻的分布在襯底上，提高光刻膠的粘附性和成膜性。一般的光刻膠在能量束(光束、電子或離子束等)的照射下的化學(xué)性質(zhì)會(huì)發(fā)生變化，具體是指:經(jīng)過能量束照射后的光刻膠，可以被一些溶劑解掉，因此可以通過控制能量束中粒子的發(fā)射方向和數(shù)量，從而將光刻膠制成用戶需要的形狀。
[0026]例如，圖2(a)中的大正方形表示涂有光刻膠的襯底，其中，對(duì)襯底上的小正方區(qū)域進(jìn)行曝光，即用離子束照射該區(qū)域，這里稱小正方區(qū)域?yàn)槠毓鈪^(qū)域;然后采用相應(yīng)的溶劑對(duì)光刻膠進(jìn)行刻蝕，因?yàn)樵撘r底上的小正方區(qū)域的光刻膠在曝光后可以被一些溶劑溶解掉，而未曝光區(qū)域的光刻膠會(huì)保留下來，通過這樣的操作光刻膠就會(huì)形成如圖2(b)中的圖形形狀。
[0027]通常光刻膠在薄膜技術(shù)中會(huì)作為掩膜板，例如，用戶需要將某種薄膜制成如圖3的形狀，圖3為某薄膜的側(cè)面圖，h表示該薄膜的厚度，這時(shí)可以采用圖2(b)中的掩膜板形狀對(duì)該薄膜進(jìn)行刻蝕，具體的步驟是:首先，在沉積有該薄膜的襯底上旋涂一層光刻膠，通過上述曝光操作，將該光刻膠制成圖2(b)中光刻膠掩膜板的形狀，則在曝光區(qū)域因?yàn)闆]有光刻膠附著，就將曝光區(qū)域下面的薄膜材料暴露出來;然后，采用能溶解該薄膜材料的溶劑對(duì)該薄膜進(jìn)行刻蝕，就會(huì)將曝光區(qū)