一種薄膜圖案的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜圖案的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]高分辨率顯示器的畫質(zhì)極為細(xì)膩，在顯示技術(shù)領(lǐng)域中，越來越流行。同樣大小的顯示器，分辨率越高，則顯示器的金屬線越細(xì)。
[0003]金屬線多采用構(gòu)圖工藝形成，而構(gòu)圖工藝一般包括:在薄膜上涂覆光刻膠，利用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，接著利用顯影液將需去除的光刻膠沖蝕掉，再刻蝕掉未覆蓋光刻膠的薄膜部分，最后將剩下的光刻膠剝離。目前在刻蝕工藝中多采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉薄膜中未覆蓋光刻膠的部分。
[0004]在實(shí)際生產(chǎn)中，環(huán)境中的灰塵I極有可能如圖1所示，存在于光刻膠2和金屬薄膜3之間，或者如圖2所示，光刻膠2的側(cè)面易存在裂縫4。那么，在采用濕法刻蝕工藝刻蝕時(shí)，由于存在灰塵或者裂縫，刻蝕液極有可能進(jìn)入到光刻膠的下方，從而將光刻膠下方的部分金屬薄膜刻蝕掉。
[0005]同時(shí)，由于濕法刻蝕工藝具有各向同性的特點(diǎn)即在各方向上以同樣的速率進(jìn)行刻蝕，則采用濕法刻蝕工藝刻蝕時(shí)會(huì)出現(xiàn)鉆刻的現(xiàn)象。當(dāng)刻蝕液由于灰塵或者裂縫進(jìn)入到光刻膠的下方時(shí)，由于濕法刻蝕工藝存在鉆刻現(xiàn)象，從而加劇了光刻膠下方的金屬薄膜的刻蝕程度且增大了刻蝕范圍。
[0006]但是光刻膠下方的金屬薄膜是需要保留的部分。在金屬線采用濕法刻蝕工藝刻蝕后，金屬線局部位置的尺寸有可能出現(xiàn)較預(yù)設(shè)尺寸偏小的問題。而金屬線的預(yù)設(shè)尺寸原本就很小，這樣，金屬線局部位置會(huì)出現(xiàn)過細(xì)甚至斷裂的問題，從而降低顯示器的質(zhì)量，甚至導(dǎo)致顯示器無法正常工作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜圖案的形成方法，通過該方法可以極大改善采用濕法刻蝕工藝形成薄膜圖案時(shí)，因灰塵或者光刻膠側(cè)面的裂縫導(dǎo)致的薄膜圖案的局部位置出現(xiàn)尺寸較預(yù)設(shè)尺寸偏小的問題，進(jìn)而當(dāng)形成顯示器中的金屬線圖案時(shí)，可極大改善金屬線局部位置出現(xiàn)過細(xì)甚至斷裂的問題，從而提高顯示器的質(zhì)量。
[0008]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0009]—方面，提供了一種薄膜圖案的形成方法，所述方法包括:
[0010]在薄膜上形成掩膜圖案，其中，所述掩膜圖案包括:半保留部分和保留部分，所述保留部分對(duì)應(yīng)于待形成薄膜圖案所在的區(qū)域，所述半保留部分緊鄰所述保留部分；
[0011]采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉所述薄膜中未被所述掩膜圖案覆蓋的部分；
[0012]采用干法刻蝕工藝去除所述掩膜圖案的所述半保留部分，并減薄所述保留部分；
[0013]采用干法刻蝕工藝刻蝕掉所述薄膜中未被剩余的掩膜圖案覆蓋的部分，以形成薄膜圖案。
[0014]可選的，所述掩膜圖案的材料為光刻膠。
[0015]可選的，所述在薄膜上形成掩膜圖案具體為:在薄膜上設(shè)置光刻膠；并對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，以形成掩膜圖案。
[0016]可選的，所述采用干法刻蝕工藝去除所述掩膜圖案的半保留部分具體為:對(duì)所述掩膜圖案進(jìn)行灰化，以去除所述半保留部分，并減薄所述保留部分。
[0017]可選的，所述掩膜圖案的材料為氮化硅。
[0018]可選的，在薄膜上形成掩膜圖案具體為:在薄膜上通過一次構(gòu)圖工藝形成掩膜圖案。
[0019]可選的，所述薄膜為金屬薄膜。
[0020]可選的，所述待形成薄膜圖案的形狀為線形。
[0021]可選的，所述待形成薄膜圖案為柵線或數(shù)據(jù)線。
[0022]可選的，所述半保留部分圍繞所述保留部分。
[0023]可選的，在采用干法刻蝕工藝刻蝕掉所述薄膜中未被剩余的掩膜圖案覆蓋的部分之后，所述方法還包括:剝離所述剩余的掩膜圖案。
[0024]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種薄膜圖案的形成方法，該方法包括在薄膜上形成掩膜圖案，該掩膜圖案包括:半保留部分和保留部分，保留部分對(duì)應(yīng)于待形成薄膜圖案所在的區(qū)域，半保留部分緊鄰所述保留部分；接著采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉薄膜中未被掩膜圖案覆蓋的部分；然后采用干法刻蝕工藝將掩膜圖案的半保留部分去除，并減薄保留部分；最后采用干法刻蝕工藝刻蝕掉薄膜中未被剩余的掩膜圖案覆蓋的部分，以形成薄膜圖案。
[0025]那么，在采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉薄膜中未被掩膜圖案覆蓋的部分的過程中，由于掩膜圖案包括半保留部分和保留部分，保留部分對(duì)應(yīng)待形成薄膜圖案所在的區(qū)域，且半保留部分緊鄰保留部分，這樣，半保留部分下方的薄膜會(huì)對(duì)保留部分下方的薄膜起到保護(hù)作用，從而最大程度上避免刻蝕液因?yàn)檠谀D案和薄膜之間的灰塵或者掩膜圖案?jìng)?cè)面的裂縫進(jìn)入到保留部分下方的薄膜；接著，采用干法刻蝕工藝去除掩膜圖案的半保留部分，并減薄保留部分；然后采用干法刻蝕工藝刻蝕掉薄膜中未被剩余的掩膜圖案覆蓋的部分以形成薄膜圖案；由于干法刻蝕工藝采用氣體進(jìn)行刻蝕，掩膜圖案和薄膜之間的灰塵對(duì)于干法刻蝕工藝的影響非常小，且氣體不同于刻蝕液，很難通過掩膜圖案?jìng)?cè)面的裂縫進(jìn)入到掩膜圖案下方的薄膜；并且干法刻蝕工藝具有各向異性刻蝕的特點(diǎn)，不會(huì)產(chǎn)生鉆刻現(xiàn)象，即使有微量氣體進(jìn)入到掩膜圖案下方的薄膜，造成的影響也非常有限。這樣通過該方法可以極大改善采用濕法刻蝕工藝形成薄膜圖案時(shí)，因灰塵或者光刻膠側(cè)面的裂縫導(dǎo)致的薄膜圖案的局部位置出現(xiàn)尺寸較預(yù)設(shè)尺寸偏小的問題，進(jìn)而當(dāng)形成顯示器中的金屬線圖案時(shí)，可極大改善金屬線局部位置出現(xiàn)過細(xì)甚至斷裂的問題，從而提高顯示器的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種光刻膠與金屬薄膜之間存在灰塵的示意圖；
[0028]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種光刻膠的側(cè)面存在裂縫的示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜圖案的形成方法的流程示意圖；
[0030]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種在薄膜上形成的掩膜圖案的示意圖；
[0031]圖5為圖4采用濕法刻蝕工藝刻蝕后的薄膜結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖6為圖5去除掩膜圖案的半保留部分，并減薄保留部分后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖7為圖6采用干法刻蝕工藝刻蝕掉薄膜中未被剩余的掩膜圖案覆蓋的部分后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖1Oa為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種在薄膜上形成的掩膜圖案的示意圖；
[0037]圖1Ob為圖1Oa采用干法刻蝕工藝刻蝕掉位于半保留部分61下方的薄膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖11為圖4中掩膜圖案的半保留部分和保留部分的一種位置關(guān)系示意圖；
[0039]圖12為圖4中掩膜圖案的半保留部分和保留部分的另一種位置關(guān)系示意圖。
[0040]附圖標(biāo)