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一種紫外探測薄膜的制備方法與流程

文檔序號:11146995閱讀:977來源:國知局

本發(fā)明涉及磁電復(fù)合功能材料領(lǐng)域,具體涉及一種紫外探測薄膜的制備方法。



背景技術(shù):

近些年透明導(dǎo)電氧化物薄膜一直是光電領(lǐng)域的熱點,其中ITO薄膜是目前研究和應(yīng)用最廣泛的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜,因其良好的光電特性而被廣泛應(yīng)用于各種光電器件,但因原材料價格昂貴、銦資源稀少且對環(huán)境造成污染,從而限制了它的發(fā)展和應(yīng)用。

紫外探測器作為一種重要的光電器件,被廣泛應(yīng)用于軍事、工業(yè)生產(chǎn)及日常生活等各個領(lǐng)域,例如臭氧監(jiān)控、火災(zāi)監(jiān)控及導(dǎo)彈防御系統(tǒng);評價探測器性能的主要參數(shù)有開關(guān)比及光響應(yīng)速度,開關(guān)比越大、光響應(yīng)速度越快說明探測器的性能越好,如今已經(jīng)開發(fā)了多種材料基的紫外探測器,如ZnO基紫外探測器、GaN基紫外探測器、AlGaN基紫外探測器等,但高靈敏度的探測器是各個領(lǐng)域一直追求的目標(biāo)。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供一種紫外探測薄膜的制備方法,該制備方法普適性好、設(shè)備要求低、制備簡單、重復(fù)性好,本發(fā)明的復(fù)合薄膜均勻性好、性能穩(wěn)定,具有良好的具有很好的光電靈敏性。

為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種紫外探測薄膜的制備方法,該方法包括如下步驟:

(1)處理基片

研磨拋光并清硅基片,備用;所述研磨拋光,可將襯底先在600目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行粗磨10min,然后在1200目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行細(xì)磨10min,再用W2.5的金剛石拋光粉進(jìn)行拋光至試樣表面均勻光亮,所述超聲清洗,可將研磨拋光后的襯底按以下順序清洗,丙酮超聲清洗5min→無水乙醇超聲清洗5min→烘干待用,所述離子源清洗,可采用霍爾離子源對襯底進(jìn)行清洗5min,壓強為2×10-2Pa,襯底溫度為300℃,氬氣通量為10sccm,偏壓為-100V,陰極電流為29.5A,陰極電壓為19V,陽極電流為7A,陽極電壓為80V,以清除襯底表面的吸附氣體以及雜質(zhì);

(2)將一定量的三氧化鉬粉末置于石英舟中,并在石英舟的正上方平放上述處理后的基片,將石英舟置于高溫管式爐的石英管中并密封;

(3)向石英管中通入氬氣或氮氣等惰性氣體將管中的空氣完全排凈;

設(shè)定高溫管式爐以15-25℃/min的升溫速率升溫至850-900℃,其中在溫度達(dá)到500℃后調(diào)小氣流量,待溫度達(dá)到850-900℃時保溫10-15min,反應(yīng)完全后自然降溫;

待石英管的溫度達(dá)到室溫時取出樣品,得到產(chǎn)品。

具體實施方式

實施例一

研磨拋光并清硅基片,備用;所述研磨拋光,可將襯底先在600目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行粗磨10min,然后在1200目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行細(xì)磨10min,再用W2.5的金剛石拋光粉進(jìn)行拋光至試樣表面均勻光亮,所述超聲清洗,可將研磨拋光后的襯底按以下順序清洗,丙酮超聲清洗5min→無水乙醇超聲清洗5min→烘干待用,所述離子源清洗,可采用霍爾離子源對襯底進(jìn)行清洗5min,壓強為2×10-2Pa,襯底溫度為300℃,氬氣通量為10sccm,偏壓為-100V,陰極電流為29.5A,陰極電壓為19V,陽極電流為7A,陽極電壓為80V,以清除襯底表面的吸附氣體以及雜質(zhì)。

將一定量的三氧化鉬粉末置于石英舟中,并在石英舟的正上方平放上述處理后的基片,將石英舟置于高溫管式爐的石英管中并密封。

向石英管中通入氬氣或氮氣等惰性氣體將管中的空氣完全排凈。

設(shè)定高溫管式爐以15℃/min的升溫速率升溫至850℃,其中在溫度達(dá)到500℃后調(diào)小氣流量,待溫度達(dá)到850℃時保溫10min,反應(yīng)完全后自然降溫;待石英管的溫度達(dá)到室溫時取出樣品,得到產(chǎn)品。

實施例二

研磨拋光并清硅基片,備用;所述研磨拋光,可將襯底先在600目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行粗磨10min,然后在1200目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行細(xì)磨10min,再用W2.5的金剛石拋光粉進(jìn)行拋光至試樣表面均勻光亮,所述超聲清洗,可將研磨拋光后的襯底按以下順序清洗,丙酮超聲清洗5min→無水乙醇超聲清洗5min→烘干待用,所述離子源清洗,可采用霍爾離子源對襯底進(jìn)行清洗5min,壓強為2×10-2Pa,襯底溫度為300℃,氬氣通量為10sccm,偏壓為-100V,陰極電流為29.5A,陰極電壓為19V,陽極電流為7A,陽極電壓為80V,以清除襯底表面的吸附氣體以及雜質(zhì)。

將一定量的三氧化鉬粉末置于石英舟中,并在石英舟的正上方平放上述處理后的基片,將石英舟置于高溫管式爐的石英管中并密封。

向石英管中通入氬氣或氮氣等惰性氣體將管中的空氣完全排凈。

設(shè)定高溫管式爐以25℃/min的升溫速率升溫至900℃,其中在溫度達(dá)到500℃后調(diào)小氣流量,待溫度達(dá)到900℃時保溫15min,反應(yīng)完全后自然降溫;待石英管的溫度達(dá)到室溫時取出樣品,得到產(chǎn)品。

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