抗pid晶體硅電池的高頻放電制備法
【專利說明】
[0001]技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池的制備方法，特別是一種抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法。
[0002]【背景技術(shù)】:在現(xiàn)有晶體硅太陽能電池的制備中，制造者對所制備的電池是否具有抗PID性能非常注重，因?yàn)楣夥M件產(chǎn)生電位誘發(fā)衰減效應(yīng)會對光伏組件的使用產(chǎn)生較大的影響?，F(xiàn)有抗PID的制備方法中有一種UV法，即通過紫外線產(chǎn)生臭氧，然后通過臭氧對硅片表面進(jìn)行氧化而產(chǎn)生一層二氧化硅膜，該膜和電池片上的氮化硅膜一起共同作為減反射層抗PID。UV法在使用中存在的不足是:1、生產(chǎn)效率低，這在于，它對硅片的氧化處理需耗時(shí)30分鐘以上，而且還需通過其它輔助手段(如加熱等)來強(qiáng)化氧化效果才能完成，這對于流水作業(yè)的硅片生產(chǎn)線，它嚴(yán)重影響著生產(chǎn)進(jìn)程并使得其生產(chǎn)效率低下；2、穩(wěn)定性較差，3、成本較高。
[0003]
【發(fā)明內(nèi)容】
:本發(fā)明的目的在于，針對現(xiàn)有抗PID制備方法中UV法在使用中所存在的上述不足，而提供一種抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法，它可較好的克服現(xiàn)有技術(shù)中所存在的不足，具有耗時(shí)短、生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，穩(wěn)定性好的效果。
[0004]通過下述技術(shù)方案可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，一種抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法，包括將硅片基材進(jìn)行制絨、擴(kuò)散、邊緣刻蝕常規(guī)工藝流程處理后，其特征在于，還包括再將處理過的硅片基材置于常溫常壓相對密閉的空間內(nèi)用高頻發(fā)射器放電激發(fā)氧氣生成臭氧流噴向硅片表面，使臭氧對硅片基材表面進(jìn)行氧化并產(chǎn)生一層二氧化硅膜，之后采用PECVD設(shè)備在二氧化硅膜上沉積常規(guī)的氮化硅減反射膜，然后對硅片基材進(jìn)行正電極印刷、燒結(jié)等常規(guī)工藝，直至硅片基材加工完成。
[0005]所述二氧化娃膜的厚度為2?5nm。
[0006]所述臭氧對硅片基材表面進(jìn)行氧化的時(shí)間為5?6s。
[0007]所述高頻發(fā)射器放電的頻率為2900?3100赫茲。
[0008]所述臭氧流的流量為15?30mg/L。
[0009]1.本發(fā)明的效果在于:1、耗時(shí)短、生產(chǎn)效率高，使用本方法在硅片基材上生成二氧化硅膜僅需5?6s，所用時(shí)間僅為現(xiàn)有技術(shù)的三百分之一，生產(chǎn)效率大幅度的提高，這在于，本方法采用了通過高頻發(fā)射器放電產(chǎn)生臭氧的方式對硅片基材進(jìn)行氧化，該方法產(chǎn)生的臭氧速率快，濃度尚，且穩(wěn)定，從而，可快速對娃片進(jìn)彳丁氧化，使得生廣率大幅提尚；2、生產(chǎn)成本低，這在于本方法所用裝置簡單，而且不需要其它輔助手段和輔助設(shè)備，裝置的運(yùn)行費(fèi)用也很低，所以，本方法的成本可比現(xiàn)有技術(shù)降低50% ;3、使用簡單方便，本方法可以通過調(diào)節(jié)射頻功率調(diào)節(jié)產(chǎn)生臭氧濃度，簡單、易行；4、具有良好的抗PID效果，由本方法制成的組件在85°C，85%相對濕度，-1000V電壓下老化96小時(shí)后，功率衰減小于3%，EL下未見明顯發(fā)黑區(qū)域。
【附圖說明】
:
[0010]附圖1為本發(fā)明所制硅片的簡易結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步闡述:【具體實(shí)施方式】:
[0012]實(shí)施例1，參見附圖1，一種抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法，它是將硅片基材I先進(jìn)行制絨、擴(kuò)散、邊緣刻蝕常規(guī)工藝處理，然后再將硅片基材I置于常溫常壓相對密閉的空間內(nèi)，用高頻發(fā)射器放電激發(fā)氧氣生成臭氧并流噴向硅片基材I表面，使臭氧對硅片基材I表面進(jìn)行氧化并產(chǎn)生一層二氧化硅膜2，之后采用PECVD設(shè)備在二氧化硅膜2上沉積一層厚SOnm的氮化硅減反射膜3，然后對硅片進(jìn)行正電極印刷、燒結(jié)等常規(guī)工藝，直至硅片基材I加工完成；其中一氧化娃I旲的厚度為3nm，臭氧對娃片基材I表面進(jìn)彳丁氧化的時(shí)間為5.3s，高頻發(fā)射器放電的頻率為3000赫茲，所述臭氧流的流量為23mg/L。
[0013]實(shí)施例2，參見附圖1，一種抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法，它是將硅片基材I先進(jìn)行制絨、擴(kuò)散、邊緣刻蝕常規(guī)工藝處理，然后再將硅片基材I置于常溫常壓相對密閉的空間內(nèi)，用高頻發(fā)射器放電激發(fā)氧氣生成臭氧并流噴向硅片基材I表面，使臭氧對硅片基材I表面進(jìn)行氧化并產(chǎn)生一層二氧化硅膜2，之后采用PECVD設(shè)備在二氧化硅膜2上沉積一層厚85nm的氮化硅減反射膜3，然后對硅片進(jìn)行正電極印刷、燒結(jié)等常規(guī)工藝，直至硅片基材I加工完成；其中一氧化娃I旲的厚度為2nm，臭氧對娃片基材I表面進(jìn)彳丁氧化的時(shí)間為5s，高頻發(fā)射器放電的頻率為2900赫茲，所述臭氧流的流量為16mg/L。
[0014]實(shí)施例3，參見附圖1，一種抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法，它是將硅片基材I先進(jìn)行制絨、擴(kuò)散、邊緣刻蝕常規(guī)工藝處理，然后再將硅片基材I置于常溫常壓相對密閉的空間內(nèi)，用高頻發(fā)射器放電激發(fā)氧氣生成臭氧并流噴向硅片基材I表面，使臭氧對硅片基材I表面進(jìn)行氧化并產(chǎn)生一層二氧化硅膜2，之后采用PECVD設(shè)備在二氧化硅膜2上沉積一層厚77nm的氮化硅減反射膜3，然后對硅片進(jìn)行正電極印刷、燒結(jié)等常規(guī)工藝，直至硅片基材I加工完成；其中一氧化娃I旲的厚度為5nm，臭氧對娃片基材I表面進(jìn)彳丁氧化的時(shí)間為6s，高頻發(fā)射器放電的頻率為3100赫茲，所述臭氧流的流量為29mg/L。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法，包括將硅片基材進(jìn)行制絨、擴(kuò)散、邊緣刻蝕常規(guī)工藝流程處理后，其特征在于，還包括再將處理過的硅片基材置于常溫常壓相對密閉的空間內(nèi)用高頻發(fā)射器放電激發(fā)氧氣生成臭氧流噴向硅片表面，使臭氧對硅片基材表面進(jìn)行氧化并產(chǎn)生一層二氧化硅膜，之后采用PECVD設(shè)備在二氧化硅膜上沉積常規(guī)的氮化硅減反射膜，然后對硅片基材進(jìn)行正電極印刷、燒結(jié)等常規(guī)工藝，直至硅片基材加工完成。
2.按權(quán)利要求1所述的抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法，其特征在于，所述二氧化娃膜的厚度為2?5nm。
3.按權(quán)利要求1所述的抗PID晶體娃電池的高頻放電制備法，其特征在于，所述臭氧對娃片基材表面進(jìn)行氧化的時(shí)間為5?6s。
4.按權(quán)利要求1所述的抗PID晶體娃電池的高頻放電制備法，其特征在于，所述高頻發(fā)射器放電的頻率為2900?3100赫茲。
5.按權(quán)利要求1或2或3或4所述的抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法，其特征在于，所述臭氧流的流量為15?30mg/L。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種抗PID晶體硅電池的高頻放電制備法，它是將硅片基材進(jìn)行制絨、擴(kuò)散、邊緣刻蝕常規(guī)工藝流程處理后，再將處理過的硅片基材置于常溫常壓相對密閉的空間內(nèi)用高頻發(fā)射器放電激發(fā)氧氣生成臭氧流噴向硅片表面，使臭氧對硅片基材表面進(jìn)行氧化并產(chǎn)生一層二氧化硅膜，之后采用PECVD設(shè)備在二氧化硅膜上沉積常規(guī)的氮化硅減反射膜，然后對硅片基材進(jìn)行正電極印刷、燒結(jié)等常規(guī)工藝，直至硅片基材加工完成。它的效果在于：1、耗時(shí)短、生產(chǎn)效率高；2、生產(chǎn)成本低，可比現(xiàn)有技術(shù)降低50％；3、使用簡單方便；4、具有良好的抗PID效果。
【IPC分類】H01L31-18
【公開號】CN104600159
【申請?zhí)枴緾N201510043308
【發(fā)明人】孫杰, 熊大明, 龔海波, 習(xí)冬勇, 萬小強(qiáng), 高楊
【申請人】江西瑞晶太陽能科技有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月22日