一種背結n型晶體硅太陽能電池和組件及其系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種背結N型晶體硅太陽能電池和組件及其系統(tǒng)。本實用新型的一種背結N型晶體硅太陽能電池，包括N型晶體硅基體，N型晶體硅基體的背表面設置有背面銀主柵電極、背面鋁電極和穿透鈍化膜的槽狀結構，背面電極填充在槽狀結構內并與p+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸；N型晶體硅基體的正表面包括正面電極，正面電極包括與n+摻雜區(qū)域歐姆接觸的金屬絲。其有益效果是：本實用新型得到的電池結構可提高電池的開路電壓，同時還能夠極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。通過設置金屬絲來形成副柵，在保證金屬絲副柵電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
【專利說明】
一種背結N型晶體硅太陽能電池和組件及其系統(tǒng)
技術領域
[0001]本實用新型涉及太陽能電池領域，特別涉及一種背結N型晶體硅太陽能電池和組件及其系統(tǒng)。
【背景技術】
[0002]太陽能電池是一種能將太陽能轉化為電能的半導體器件。目前，業(yè)界的主流產品為P型晶體硅電池。該電池工藝簡單，但是具有光致衰減效應，即電池的效率會隨著時間的增加而逐漸衰減，這主要是由于摻入P型硅襯底中的硼原子與襯底中的氧原子相結合產生硼氧對的結果。研究表明，硼氧對起著載流子陷阱作用，使少數(shù)載流子壽命降低，從而導致了電池光電轉換效率的衰減。相對于P型晶體硅電池，N型晶體硅電池具有光致衰減小、耐金屬雜質污染性能好、少數(shù)載流子擴散長度長等優(yōu)點。
[0003]N型晶體硅電池分為前結型和背結型兩種。其中背結N型晶體硅太陽能電池的結構為n+/n/p+結構，其正表面為η+摻雜層，背表面為ρ+摻雜層。η+摻雜層一般采用銀漿制作電極，P+摻雜層一般采用摻鋁銀漿制作電極，銀漿和摻鋁銀漿的價格都較為昂貴，這導致含銀漿料在電池制造成本中的占比居高不下。另外，摻鋁銀漿雖然可以和P+摻雜層形成較好的歐姆接觸，但其下方的金屬復合非常嚴重，這會損失較大一部分的開路電壓。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種背結N型晶體硅太陽能電池和組件及其系統(tǒng)。所述的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法可以提高電池的開路電壓，同時還能夠顯著地降低含銀漿料的使用量，從而降低太陽能電池的生產成本。
[0005]本發(fā)提供了一種背結N型晶體硅太陽能電池，其技術方案為:
[0006]本實用新型提供了一種背結N型晶體硅太陽能電池，包括N型晶體硅基體，N型晶體硅基體的正表面包括依次從內到外的η+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;N型晶體硅基體的背表面包括依次從內到外的P+摻雜區(qū)域和背表面鈍化膜;N型晶體硅基體的背表面設置有背面銀主柵電極、背面鋁電極和穿透鈍化膜的槽狀結構，背面鋁電極填充在槽狀結構內并與P+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸;N型晶體硅基體的正表面包括正面電極，正面電極包括與η+摻雜區(qū)域歐姆接觸的金屬絲;所述N型晶體硅基體的長度與厚度的比值為300:1?10000: I。
[0007]其中，金屬絲通過銀與η+摻雜區(qū)域電連接。
[0008]其中，正面電極包括分段副柵，金屬絲通過分段副柵與η+摻雜區(qū)域電連接。
[0009]其中，正面電極包括分段副柵和設置在分段副柵上熱敏導電層，分段副柵與η+摻雜區(qū)域電連接;金屬絲與熱敏導電層電連接。
[0010]其中，分段副柵是銀分段副柵;熱敏導電層是錫膏導電層，金屬絲是鍍有熱敏導電材料的金屬絲。
[0011]其中，金屬絲為銅絲、錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的一種。
[0012]其中，槽狀結構的寬度為20_60μπι。
[0013]其中，鈍化減反膜是S12和SiNx介質膜組成的復合介質膜，鈍化膜是Si02、SiNx或AI2O3介質膜中的一種或多種。
[0014]本實用新型還提供了一種背結N型晶體硅太陽能電池組件，包括由上至下依次設置的前層材料、封裝材料、背結N型晶體硅太陽能電池、封裝材料、背層材料，背結N型晶體硅太陽能電池是上述的一種背結N型晶體硅太陽能電池。
[0015]本實用新型還提供了一種背結N型晶體硅太陽能電池系統(tǒng)，包括一個或多于一個串聯(lián)的背結N型晶體硅太陽能電池組件，背結N型晶體硅太陽能電池組件是上述的一種背結N型晶體硅太陽能電池組件。
[0016]本實用新型的實施包括以下技術效果:
[0017]本實用新型提出的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法，其優(yōu)點在于:1、在背表面鈍化膜上開槽并印刷鋁漿，鋁漿僅在開槽圖案處與背表面P+摻雜層形成局部接觸。與使用摻鋁銀漿印刷電極相比，本實用新型方法可提高電池的開路電壓，同時還能夠極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。2、正表面η+摻雜層的金屬化舍棄常規(guī)的印刷銀漿制作主柵和副柵的方法，通過設置金屬絲來形成副柵，在保證金屬絲副柵線電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
【附圖說明】
[0018]圖1為本實用新型實施例的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟一后的電池結構截面示意圖。
[0019]圖2為本實用新型實施例的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟二后的電池結構截面示意圖。
[0020]圖3為本實用新型實施例的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟三后的電池結構截面示意圖。
[0021]圖4為本實用新型實施例的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟二中開槽后的連續(xù)的線條狀圖案示意圖。
[0022]圖5為本實用新型實施例的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟二中開槽后的非連續(xù)的線條狀圖案示意圖。
[0023]圖6為本實用新型實施例的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟二中開槽后的非連續(xù)的圓點狀圖案示意圖。
[0024]圖7為本實用新型實施例的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟二中開槽后的錯位排列的非連續(xù)的圓點狀圖案示意圖。
[0025]圖8為本實用新型實施例1的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟四(a)后的粘附有銀漿的金屬絲示意圖。
[0026]圖9為本實用新型實施例1的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟四(b)后的電池結構截面示意圖。
[0027]圖10為本實用新型實施例2的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟四(a)后的電池結構截面示意圖。
[0028]圖11為本實用新型實施例2的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟四(b)后的電池結構截面示意圖。
[0029]圖12為本實用新型實施例3的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟四(a)后的電池結構截面示意圖。
[0030]圖13為本實用新型實施例3的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟四(b)后的電池結構截面示意圖。
[0031]圖14為本實用新型實施例3的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法步驟四(C)后的電池結構截面示意圖。
【具體實施方式】
[0032]下面將結合實施例以及附圖對本實用新型加以詳細說明，需要指出的是，所描述的實施例僅旨在便于對本實用新型的理解，而對其不起任何限定作用。
[0033]參見圖1至圖14所示，本實施例還提供了一種背結N型晶體硅太陽能電池，包括N型晶體硅基體10，N型晶體硅基體10的正表面包括依次從內到外的η+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14;Ν型晶體硅基體10的背表面包括依次從內到外的ρ+摻雜區(qū)域16和背表面鈍化膜18;Ν型晶體硅基體10的背表面設置有背面銀主柵電極28、背面鋁電極22和穿透鈍化膜的槽狀結構，背面鋁電極22填充在槽狀結構內并與ρ+摻雜區(qū)域16形成歐姆接觸，所述N型晶體硅基體的長度與厚度的比值為300:1?10000: I ；具體數(shù)值可以選擇300: I ； 125: 0.18 ； 156:
0.18 ； 156: I ； 1560: 5 ； 1560: I ； 10000: I川型晶體硅基體10的正表面包括正面電極，正面電極包括與η+摻雜區(qū)域12歐姆接觸的金屬絲26。本實施例中，槽狀結構的形狀為連續(xù)的線條狀結構(如圖4所示)、非連續(xù)的線條狀結構(如圖5所示)、非連續(xù)的圓點狀結構(如圖6所示)或者錯位排列的非連續(xù)的圓點狀結構(如圖7所示型晶體硅基體10的背表面包括多個穿透鈍化膜的槽狀結構，多個槽狀結構相互平行。優(yōu)選地，槽狀結構的寬度為20-60μπι。
[0034]本實施例中，金屬絲26與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的結構是金屬絲26通過銀直接與η+摻雜區(qū)域12電連接;或者正面電極包括分段副柵27，金屬絲26通過分段副柵27與η+摻雜區(qū)域12電連接，分段副柵27是銀;或者正面電極包括分段副柵27和設置在分段副柵上熱敏導電層29，分段副柵27與η+摻雜區(qū)域12電連接，金屬絲26與熱敏導電層29連接，從而實現(xiàn)金屬絲26與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸。熱敏導電層29是錫膏，金屬絲是鍍有熱敏導電材料的金屬絲，鍍有熱敏導電材料的金屬絲可以選擇錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的一種，錫膏含有錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金中的任一種。
[0035]本實施例中分段副柵的圖案形狀可以與槽狀結構的圖案形狀相同或相似(如圖5?7所示)。分段副柵27的形狀可以是非連續(xù)的圓點狀結構，非連續(xù)的圓點狀結構的圓點的直徑為30-300微米，金屬絲的直徑為40-80微米;分段副柵的形狀是非連續(xù)的線條狀結構，非連續(xù)的線條狀結構的線條的長度為30-300微米，非連續(xù)的線條狀結構的線條的寬度為30-300微米;非連續(xù)的線條狀結構的線條垂直于金屬絲、平行金屬絲或者與金屬絲成角度設置;非連續(xù)的圓點狀結構的圓點和/或非連續(xù)的線條狀結構的線條是有規(guī)則的陣列或者無規(guī)則的陣列。
[0036]本實施例中，鈍化減反膜14是S12和SiNx介質膜組成的復合介質膜，鈍化膜18是Si02、SiNx或Al2O3介質膜中的一種或多種。N型晶體硅基體10的厚度為50-300μπι;ρ+摻雜區(qū)域16的摻雜深度為0.5-2.Ομπι;鈍化減反膜14的厚度為70-1 1nm;鈍化膜18的厚度為不低于20nm; η+摻雜區(qū)域12的摻雜深度為0.5-2.0ym。
[0037]本實施例的有益效果是:1、在背表面鈍化膜上開槽并印刷鋁漿，鋁漿僅在開槽圖案處與背表面P+摻雜層形成局部接觸。與使用摻鋁銀漿印刷電極相比，本實用新型方法可提高電池的開路電壓，同時還能夠極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。2、正表面η+摻雜層的金屬化舍棄常規(guī)的印刷銀漿制作主柵和副柵的方法，通過設置金屬絲來形成副柵，在保證金屬絲副柵線電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
[0038]實施例1
[0039 ]參見圖1至圖7、圖8和圖9所示，本實施例中的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟:
[0040](I)、制備金屬化前的背結N型晶體硅太陽能電池，包括N型晶體硅基體10，Ν型晶體硅基體10的正表面包括依次從內到外的η+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14;Ν型晶體硅基體10的背表面包括依次從內到外的ρ+摻雜區(qū)域16和背表面鈍化膜18。其中正表面的鈍化減反膜14是S12和SiNx介質膜組成的復合介質膜，背表面的鈍化膜18是Si02、SiNx和Al2O3介質膜中一種或多種。N型晶體硅基體10的厚度為50?300μπι;η+摻雜區(qū)域12的摻雜深度為0.5?2.Ομπι;正表面鈍化減反膜14的厚度為70?I 1nm;背表面鈍化膜18的厚度為不低于20nm;P+摻雜區(qū)域16的摻雜深度為0.5?2.Ομπι。完成步驟(I)后的電池結構如圖1所示。
[0041](2)、在背表面的鈍化膜18上開槽形成槽狀結構，開槽方式可選用激光法或者漿料刻蝕法，并確保其完全穿透背表面鈍化膜18但不破壞ρ+摻雜區(qū)域16的表面。開槽的圖案形狀為連續(xù)線條狀(如圖4)，其寬度為20-60um，長度為154mm。這些連續(xù)線條互相平行，間距1.95mm，共設置80根。開槽圖案的形狀也可以為非連續(xù)線條狀(如圖5所示)，可以是有規(guī)則陣列排列的非連續(xù)圓點(如圖6所示)，還可以是無規(guī)則錯位排列的非連續(xù)圓點(如圖7所示)。本實施例中，使用刻蝕漿料在N型晶體硅基體的背表面形成穿透鈍化膜的槽狀結構的方法是印刷完刻蝕漿料后在溫度為100-400 °C的條件下烘干，烘干的時間為1-10分鐘，將烘干后的N型單晶硅基體放入清洗設備中去除殘余的刻蝕漿料并進行清洗烘干。完成步驟(2)后的電池結構如圖2所示。
[0042](3)、在N型晶體硅基體10的背表面使用鋁漿印刷背面鋁電極22并烘干。背面鋁電極22可以覆蓋整個N型晶體硅基體10的背表面，背面鋁電極22也可以只覆蓋背面開槽區(qū)域。在N型晶體硅基體10的背表面使用銀漿印刷背面銀主柵電極28并烘干，背面銀主柵電極28用于電池之間的焊接。完成步驟(3)后的電池結構如圖3所示。
[0043](4)、完成N型晶體硅基體10正表面的金屬化，其過程包括如下幾個步驟:
[0044](a)如圖8所示，將可以與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的銀漿24粘附在金屬絲26的一側，粘附在金屬絲26上的銀漿24可以非連續(xù)的沾附在金屬絲上，亦可以連續(xù)地沾附在金屬絲上；金屬絲26的截面形狀可以為圓形，其直徑為40-80um;金屬絲26的截面形狀亦可以是方形或三角形。金屬絲26可以是銅絲、銀包銅絲或者其他合金絲。
[0045](b)、如圖9所示，將多條沾附有銀漿24的金屬絲26等間距平行貼附在N型晶體硅基體1的正表面并烘干，金屬絲26之間的間距為1-3mm;
[0046](c)、將步驟(b)后的N型晶體硅基體10置于燒結爐中燒結，燒結的峰值溫度不高于900 C。至此，完成背結N型晶體娃太陽能電池的制備。
[0047]實施例2
[0048]參見圖1至圖7、圖10和圖11所示，本實施例中的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟:
[0049]步驟(I)?(3)與實施例1相同，此處不再贅述。
[0050](4)、完成N型晶體硅基體10正表面的金屬化，其過程包括如下幾個步驟:
[0051](a)如圖10所示，使用可以與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的銀漿在N型晶體硅基體10的正表面印刷分段副柵27。分段副柵27的長度小于或等于電池片的邊長，本實施例為154mm，優(yōu)選分段副柵互相平行。分段副柵27可以由非連續(xù)的線條組成，每段線條長30-300微米，寬30-300微米。本實施例中，分段副柵27由非連續(xù)的圓點組成，圓點直徑為30-300微米。本實施例中分段副柵27的圖案形狀可以與槽狀結構的圖案形狀相同或相似(如圖5?7所示)。
[0052](b)、如圖11所示，在分段副柵27上一一對應地鋪設金屬絲26形成連續(xù)的副柵線。金屬絲26的截面可以為圓形，其直徑為40-80um;金屬絲26的截面形狀亦可以方形或三角形。金屬絲26可以是銅絲、銀包銅絲或者其他合金絲，長度為154mm，直徑為40-80微米。鋪設時務必使金屬絲26接觸分段副柵27上的銀漿層。
[0053](c)、將步驟(b)后的N型晶體硅基體10置于燒結爐中燒結，燒結的溫度不高于900C ο至此，完成背結N型晶體娃太陽能電池的制備。
[0054]實施例3
[0055]參見圖1至圖7、圖12至圖14所示，本實施例中的背結N型晶體硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟:
[0056]步驟(I)?(3)與實施例1相同，此處不再贅述。
[0057](4)、完成N型晶體硅基體10正表面的金屬化，其過程包括如下幾個步驟:
[0058](a)如圖12所示，使用可以與η+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的銀漿在N型晶體硅基體10的正表面印刷分段副柵27并進行燒結。分段副柵27的長度小于或等于電池片的邊長，本實施例為154mm，優(yōu)選分段副柵互相平行。分段副柵27可以由非連續(xù)的線條組成，每段線條長30-300微米，寬30-300微米。分段副柵27還也可以由非連續(xù)的圓點組成，圓點直徑30-300微米。燒結的溫度不高于900°C。本實施例中分段副柵的圖案形狀可以與槽狀結構的圖案形狀相同或相似(如圖5?7所示)。
[0059](b)、如圖13所示，將步驟(a)處理后的N型晶體硅基體10置于印刷機，印刷熱敏導電層29，熱敏導電層29優(yōu)選錫膏導電層。熱敏導電層29的過墨圖案可以為非連續(xù)的線條，每段線條長40-300微米，寬40-300微米。熱敏導電層29的過墨圖案還也可以為非連續(xù)的圓點，圓點直徑40-300微米。印刷時務必使過墨后的熱敏導電層29位于分段副柵27上。
[0060](C)、如圖14所示，在熱敏導電層29上一一對應地鋪設金屬絲26形成連續(xù)的副柵線。金屬絲26的截面可以為圓形，其直徑為40-80um;金屬絲26的截面形狀亦可以方形或三角形。金屬絲26可以是銅絲、銀包銅絲或者其他合金絲，長度為154mm，直徑為40-80微米。鋪設時務必使金屬絲26接觸熱敏導電層29。
[0061](d)、對步驟(C)后的N型晶體硅基體10進行加熱，使得金屬絲26、熱敏導電層29和分段副柵27三者形成歐姆接觸。加熱方式采用紅外加熱，回流峰值溫度為183-250度。至此，完成背結N型晶體娃太陽能電池的制備。
[0062]本實施例還提供了一種背結N型晶體硅太陽能電池組件，包括由上至下連接的前層材料、封裝材料、背結N型晶體硅太陽能電池、封裝材料、背層材料，背結N型晶體硅太陽能電池是上述的一種背結N型晶體硅太陽能電池。本實施例的背結N型晶體硅太陽能電池組件的結構及工作原理使用本領域公知的技術，且本實用新型提供的背結N型晶體硅太陽能電池組件的改進僅涉及上述的背結N型晶體硅太陽能電池，不對其他部分進行改動。故本說明書僅對背結N型晶體硅太陽能電池及其制備方法進行詳述，對背結N型晶體硅太陽能電池組件的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領域技術人員在本說明書描述的內容基礎上，即可實現(xiàn)本實用新型的背結N型晶體硅太陽能電池組件。
[0063]本實施例還提供了一種背結N型晶體硅太陽能電池系統(tǒng)，包括一個或多于一個串聯(lián)的背結N型晶體硅太陽能電池組件，背結N型晶體硅太陽能電池組件是上述的一種背結N型晶體硅太陽能電池組件。本實施例的背結N型晶體硅太陽能電池系統(tǒng)的結構及工作原理使用本領域公知的技術，且本實用新型提供的背結N型晶體硅太陽能電池系統(tǒng)的改進僅涉及上述的背結N型晶體硅太陽能電池，不對其他部分進行改動。故本說明書僅對背結N型晶體硅太陽能電池及其制備方法進行詳述，對背結N型晶體硅太陽能電池系統(tǒng)的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領域技術人員在本說明書描述的內容基礎上，即可實現(xiàn)本實用新型的背結N型晶體硅太陽能電池系統(tǒng)。
[0064]最后應當說明的是，以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對本實用新型保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本實用新型作了詳細地說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本實用新型的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術方案的實質和范圍。
【主權項】
1.一種背結N型晶體硅太陽能電池，包括N型晶體硅基體，所述N型晶體硅基體的正表面包括依次從內到外的η+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;所述N型晶體硅基體的背表面包括依次從內到外的P+摻雜區(qū)域和背表面鈍化膜;其特征在于:所述N型晶體硅基體的背表面設置有背面銀主柵電極、背面鋁電極和穿透鈍化膜的槽狀結構，背面鋁電極填充在槽狀結構內并與P+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸;所述N型晶體硅基體的正表面包括正面電極，所述正面電極包括與所述η+摻雜區(qū)域歐姆接觸的金屬絲;所述N型晶體硅基體的長度與厚度的比值為300:1?10000:1。2.根據(jù)權利要求1所述的一種背結N型晶體硅太陽能電池，其特征在于:所述金屬絲通過銀與所述η+摻雜區(qū)域電連接。3.根據(jù)權利要求1所述的一種背結N型晶體硅太陽能電池，其特征在于:所述正面電極包括分段副柵，所述金屬絲通過分段副柵與所述η+摻雜區(qū)域電連接。4.根據(jù)權利要求1所述的一種背結N型晶體硅太陽能電池，其特征在于:所述正面電極包括分段副柵和設置在分段副柵上的熱敏導電層，所述分段副柵與所述η+摻雜區(qū)域電連接;所述金屬絲與所述熱敏導電層電連接。5.根據(jù)權利要求4所述的一種背結N型晶體硅太陽能電池，其特征在于:所述分段副柵是銀分段副柵;所述熱敏導電層是錫膏導電層，所述金屬絲是鍍有熱敏導電材料的金屬絲。6.根據(jù)權利要求1?4任一所述的一種背結N型晶體硅太陽能電池，其特征在于:所述金屬絲為銅絲、錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的一種。7.根據(jù)權利要求1?4任一所述的一種背結N型晶體硅太陽能電池，其特征在于:所述槽狀結構的寬度為20-60μηι。8.根據(jù)權利要求1?4任一所述的一種背結N型晶體硅太陽能電池，其特征在于:所述鈍化減反膜是S12和SiNx介質膜組成的復合介質膜，所述鈍化膜是S12、SiNx或Al2O3介質膜中的一種或多種。9.一種背結N型晶體硅太陽能電池組件，包括由上至下依次設置的前層材料、封裝材料、背結N型晶體硅太陽能電池、封裝材料、背層材料，其特征在于:所述背結N型晶體硅太陽能電池是權利要求1-8任一所述的一種背結N型晶體硅太陽能電池。10.—種背結N型晶體硅太陽能電池系統(tǒng)，包括一個或多于一個串聯(lián)的背結N型晶體硅太陽能電池組件，其特征在于:所述背結N型晶體硅太陽能電池組件是權利要求9所述的一種背結N型晶體硅太陽能電池組件。
【文檔編號】H01L31/0224GK205542810SQ201620312960
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月14日
【發(fā)明人】林建偉, 孫玉海, 劉志鋒, 季根華, 張育政
【申請人】泰州中來光電科技有限公司