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晶硅電池片及其制備方法與流程

文檔序號(hào):11136676閱讀:3150來源:國(guó)知局
晶硅電池片及其制備方法與制造工藝
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能晶硅電池的生產(chǎn)制造領(lǐng)域,尤其涉及一種晶硅電池片及其制備方法。
背景技術(shù)
:空間飛行器用太陽(yáng)電池電池組件不僅需要高的轉(zhuǎn)換效率,而且需要具備耐原子氧腐蝕、低氣壓、強(qiáng)震動(dòng)等高空環(huán)境特性需求。憑借較好的環(huán)境適應(yīng)性,晶體硅電池和砷化鎵電池長(zhǎng)期服務(wù)于空間飛行器。隨著多結(jié)砷化鎵電池制備技術(shù)的不斷進(jìn)步,其光電轉(zhuǎn)換效率快速超過晶體硅電池,繼神舟七號(hào)飛船起,砷化鎵電池成為神舟號(hào)飛船的首選,但砷化鎵電池價(jià)格遠(yuǎn)高于晶硅電池,其高昂的價(jià)格成為制約空間飛行器商業(yè)化推廣的因素之一。目前,隨著商業(yè)化衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,其對(duì)性價(jià)比高、耐空間環(huán)境適應(yīng)性高的太陽(yáng)電池的需求極為迫切。無論是晶體硅電池,還是砷化鎵電池,為保障其長(zhǎng)期經(jīng)受空間原子氧腐蝕和高低溫循環(huán)等環(huán)境的可靠性,需要采用高純度銀箔或含有一定量金屬鉬的銀箔作為互連片,利用電阻焊技術(shù)進(jìn)行電池陣列的焊接互連。為提高電阻焊接效果的可靠性,對(duì)于晶體硅電池和砷化鎵電池,通常會(huì)在電池的前背面制備前背面焊接電極,采用電阻焊焊接技術(shù)把互連片和電池焊接電極焊接在一起。以前通常采用光刻、多次蒸鍍方式制備電池片前背面焊接電極。正面電極材料通常為鈦-鈀-銀或鈦-銀,背面焊接電極通常為鈦-鈀-銀或金。這種制備方法需要用到光刻和多次蒸鍍技術(shù),電池制備工藝較為繁瑣,不利于電池性價(jià)比的提高。隨著晶體硅光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)的迅猛發(fā)展,電池制備技術(shù)取得了明顯改變,目前通常采用絲網(wǎng)印刷方法制備焊接電極。相比十年以前,其光電轉(zhuǎn)換效率已實(shí)現(xiàn)大幅度提高,常規(guī)結(jié)構(gòu)電池效率可達(dá)到20%以上。該種絲網(wǎng)印刷法利用和電池匹配性高的金屬漿料,在正面實(shí)現(xiàn)指柵電極和前焊接電極漿料的一體化印刷,通過高溫?zé)Y(jié)指柵電極銀漿和硅形成Ag-Si合金,從而導(dǎo)出光生電流。目前銀漿中銀的含量在80%以內(nèi),不僅包括玻璃料和微量的鎳、鎘等稀有金屬元素,同時(shí)還包括酥油醇、乙基纖維素等有機(jī)載體。在高溫?zé)Y(jié)過程中,有機(jī)載體腐蝕減反射膜使金屬和硅接觸,玻璃料等稀有元素起到輔助導(dǎo)電作用。由于耐原子氧腐蝕性能的要求,互連片通常選用高純度銀箔或含有一定鉬、可伐金屬的銀箔,?;诔R?guī)印刷銀漿或光刻法制備電極,由于方塊電阻比較大,如果采用電阻焊技術(shù),會(huì)出現(xiàn)兩大問題:1)晶硅電極高溫?zé)Y(jié)溫度在880℃以內(nèi),而電阻焊接峰值溫度普遍在900℃以上,這樣極易使銀燒穿PN結(jié),導(dǎo)致電池嚴(yán)重漏電;2)常規(guī)匹配銀漿和焊接互連片銀箔屬性(金屬種類和含量)一致性差,焊接電極耐高低溫循環(huán)變化特性差;3)蒸鍍法或絲網(wǎng)印刷法制備電極,焊接區(qū)域電極和指柵電極高度一致,選用厚度在0.05mm以上的互連片時(shí),焊接電極高度會(huì)明顯高于指柵電極,采用玻璃蓋片和稀釋的蓋片膠封裝時(shí),焊接區(qū)域因比相鄰指柵電極高,極易因高度差而產(chǎn)生封裝氣泡,從而影響封裝組件的整體性能。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種對(duì)焊接溫度容忍度較高,不易產(chǎn)生漏電現(xiàn)象、封裝性能好的晶硅電池片,還相應(yīng)提供一種制備方法成本低和利于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的該晶硅電池的制備方法。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種晶硅電池片,包括晶硅電池片基體、指柵電極、焊接電極、背電極和鋁背導(dǎo)電層,所述指柵電極和焊接電極設(shè)置在晶硅電池片基體的正面,所述背電極和鋁背導(dǎo)電層設(shè)置在晶硅電池片基體的背面;所述晶硅電池片基體正面與焊接電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域的方塊電阻值為20Ω/□~60Ω/□,所述鋁背導(dǎo)電層厚度比背電極高1μm~3μm,所述指柵電極的厚度比焊接電極高1μm~3μm。上述的晶硅電池片,優(yōu)選的,所述晶硅電池片基體從正面到背面依次包括SiNx減反射膜、SiO2薄膜、PN結(jié)、正面制絨的晶硅片、Al2O3鈍化膜和SiNx保護(hù)膜。作為一個(gè)總的發(fā)明構(gòu)思,本發(fā)明還提供一種晶硅電池片的制備方法,包括以下步驟:(1)擴(kuò)散PN結(jié):通過擴(kuò)散工藝在正面制絨的晶硅片的表面制備PN結(jié),擴(kuò)散PN結(jié)方塊電阻值為130Ω/□~150Ω/□;(2)激光摻雜:對(duì)晶硅片的預(yù)設(shè)焊接電極區(qū)域進(jìn)行激光摻雜、退火,使得所述預(yù)設(shè)焊接電極區(qū)域的方塊電阻值為20Ω/□~60Ω/□,所述預(yù)設(shè)焊接電極區(qū)域位于晶硅片的正面;(3)成膜:去除晶硅片背面的PN結(jié),并在晶硅片的正面依次形成SiO2薄膜和SiNx減反射膜,在晶硅片的背面依次形成Al2O3鈍化膜、SiNx保護(hù)膜,去除晶硅片背面的預(yù)設(shè)鋁硅接觸導(dǎo)電窗口區(qū)域的Al2O3鈍化膜和SiNx保護(hù)膜;(4)絲網(wǎng)印刷:在晶硅片背面的預(yù)設(shè)背電極區(qū)域印刷背電極銀漿并烘干,在晶硅片背面的預(yù)設(shè)鋁背導(dǎo)電層區(qū)域印刷鋁背導(dǎo)電層鋁漿并烘干,在晶硅片正面的預(yù)設(shè)焊接電極區(qū)域印刷焊接電極銀漿并烘干,在晶硅片正面的預(yù)設(shè)指柵電極區(qū)域印刷指柵電極銀漿并烘干;所述背導(dǎo)電層鋁漿厚比背電極銀漿厚1μm~3μm,所述指柵電極銀漿比焊接電極銀漿厚1μm~3μm;(5)燒結(jié)。上述的晶硅電池片的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(2)中,所述激光摻雜的工藝為:激光波長(zhǎng)100~600nm,激光頻率為10~150KHZ,激光掃描速率為100~2000mm/s)。上述的晶硅電池片的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(2)中,所述退火工藝為:退火溫度為400℃~650℃,退火時(shí)間為300s~3000s。上述的晶硅電池片的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(3)中,背電極印刷網(wǎng)版膜厚為4μm~6μm,網(wǎng)版目數(shù)為300~350,印刷壓力10~100N;鋁背場(chǎng)網(wǎng)版膜厚為5μm~7μm,網(wǎng)版目數(shù)為250~300,網(wǎng)版張力25~35N,印刷壓力10~100N。上述的晶硅電池片的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(3)中,柵電極網(wǎng)版膜厚為12μm~14μm,網(wǎng)版目數(shù)為300~350、印刷壓力10~100N,焊接區(qū)域電極網(wǎng)版膜厚為10μm~12μm,網(wǎng)版目數(shù)為300~350、印刷壓力10~100N。上述的晶硅電池片的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(5)中,燒結(jié)工藝為:燒結(jié)溫度為350℃~500℃,燒結(jié)時(shí)間10s~60s。上述的晶硅電池片的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(1)中,擴(kuò)散工藝為:擴(kuò)散溫度為800℃~850℃,擴(kuò)散管內(nèi)壓強(qiáng)100mbar~300mbar,擴(kuò)散時(shí)間20min~40min,擴(kuò)散時(shí)間1000s~3000s。上述的晶硅電池片的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(2)中,所述激光摻雜用激光器包括紫外皮秒激光器、紫外納秒激光器或綠光皮秒激光器。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:1、目前的常壓擴(kuò)散工藝所得的擴(kuò)散PN結(jié)方塊電阻值一般為80Ω/□~90Ω/□,申請(qǐng)人發(fā)現(xiàn),改用低壓擴(kuò)散所得的擴(kuò)散PN結(jié)方塊電阻值可達(dá)130Ω/□~150Ω/□,但是,由于方阻過高,采用電阻焊技術(shù),會(huì)出現(xiàn)下列問題:晶硅電極高溫?zé)Y(jié)溫度在880℃以內(nèi),而電阻焊接峰值溫度普遍在900℃以上,這樣極易使銀燒穿PN結(jié),導(dǎo)致電池嚴(yán)重漏電。本發(fā)明的晶硅電池片,焊接電極區(qū)域?yàn)榈头阶?,PN結(jié)比較深,對(duì)焊接溫度容忍度較高,即使焊接峰值溫度達(dá)到900℃,也不會(huì)產(chǎn)生金屬擴(kuò)散穿透PN結(jié)而導(dǎo)致漏電現(xiàn)象。優(yōu)選地,焊接電極區(qū)域的方塊電阻值為20Ω/□~60Ω/□,方阻值超過60Ω/□,焊接時(shí)仍然會(huì)存在燒穿漏電現(xiàn)象;方阻值低于20Ω/□,會(huì)增加激光摻雜難度。2、本發(fā)明的晶硅電池片,焊接電極高度低于相鄰指柵電極1μm~3μm,和一定厚度的互連片焊接互連后,其高度和相鄰指柵非常相近,在封裝環(huán)節(jié)不會(huì)因高度差而產(chǎn)生氣泡問題;鋁背導(dǎo)電層厚度比背電極高1μm~3μm,是為了防止電池片在采用封裝膠水固定在組件基板上時(shí),出現(xiàn)封裝空洞或施加壓力電池會(huì)隱裂的現(xiàn)象,不會(huì)對(duì)玻璃蓋片封裝產(chǎn)生影響。4、本發(fā)明的晶硅電池片的制備方法,采用激光摻雜對(duì)晶硅片的預(yù)設(shè)焊接電極區(qū)域進(jìn)行摻雜,使得所述預(yù)設(shè)焊接電極區(qū)域的方塊電阻值為20Ω/□~60Ω/□,即焊接區(qū)域?yàn)榈头阶瑁琍N結(jié)比較深,即使焊接峰值溫度達(dá)到900℃,也不會(huì)產(chǎn)生金屬擴(kuò)散穿透PN結(jié)而導(dǎo)致漏電現(xiàn)象;通過調(diào)整絲網(wǎng)印刷工藝,保證:背導(dǎo)電層鋁漿比背電極銀漿厚1μm~3μm,指柵電極銀漿比焊接電極銀漿厚1μm~3μm,燒結(jié)后鋁背導(dǎo)電層厚度比背電極高1μm~3μm左右,指柵電極的厚度比焊接電極高1μm~3μm左右,和一定厚度的互連片焊接互連后,焊接電極高度和相鄰指柵非常相近,在封裝環(huán)節(jié)不會(huì)因高度差而產(chǎn)生氣泡問題;鋁背導(dǎo)電層厚度比背電極高,可防止電池片在采用封裝膠水固定在組件基板上時(shí),出現(xiàn)封裝空洞或施加壓力電池會(huì)隱裂的現(xiàn)象,不會(huì)對(duì)玻璃蓋片封裝產(chǎn)生影響。優(yōu)選的,激光摻雜的工藝為:激光波長(zhǎng)100~600nm,激光頻率為10~150KHZ,激光掃描速率為100~2000mm/s,工藝可調(diào)窗口大,不容易產(chǎn)生漏電。退火工藝為:退火溫度為400℃~650℃,退火時(shí)間為300s~3000s。優(yōu)選的,絲網(wǎng)印刷工藝為:背電極印刷網(wǎng)版膜厚為4μm~6μm、網(wǎng)版目數(shù)為300~350、印刷壓力10~100N,鋁背場(chǎng)網(wǎng)版膜厚為5μm~7μm、網(wǎng)版目數(shù)為250~300、網(wǎng)版張力25~35N、印刷壓力10~100N,柵電極網(wǎng)版膜厚為12μm~14μm、網(wǎng)版目數(shù)為300~350、印刷壓力10~100N,焊接區(qū)域電極網(wǎng)版膜厚為10μm~12μm、網(wǎng)版目數(shù)為300~350、印刷壓力10~100N,通過對(duì)印刷工藝的協(xié)同配合,可精確控制印刷漿料厚度。5、本發(fā)明的晶硅電池片的制備方法,可在高效晶體硅光伏產(chǎn)線中完成,利于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。制備的晶硅電池厚度在100μm左右,經(jīng)測(cè)試其效率可達(dá)到21%左右。無論是相比效率在28%左右、厚度為150μm的砷化鎵電池,還是相比光刻、蒸鍍法制備的晶硅電池,該種晶硅電池制備方法成本低,利于產(chǎn)業(yè)化制備。在商業(yè)化衛(wèi)星用航天電池領(lǐng)域有著性價(jià)比非常高的優(yōu)勢(shì)。同時(shí)基于其高效、柔性的特點(diǎn),在飛艇、太陽(yáng)能無人機(jī)等臨近空間飛行器領(lǐng)域亦有特殊應(yīng)用。附圖說明圖1本發(fā)明實(shí)施例1的晶硅電池片背面的背電極的網(wǎng)版圖形。圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的晶硅電池片背面的背電極和鋁背導(dǎo)電層的網(wǎng)版圖形。圖3為本發(fā)明實(shí)施例1的晶硅電池片正面的焊接電極的網(wǎng)版圖形。圖4為本發(fā)明實(shí)施例1的晶硅電池片正面的焊接電極和指柵電極的網(wǎng)版圖形。圖5為本發(fā)明實(shí)施例1的晶硅電池片的截面示意圖(正面電極未示出)。具體實(shí)施方式以下結(jié)合說明書附圖和具體優(yōu)選的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述,但并不因此而限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。實(shí)施例1:一種本發(fā)明的晶硅電池片,包括晶硅電池片基體、指柵電極、焊接電極、背電極和鋁背導(dǎo)電層,指柵電極和焊接電極設(shè)置在晶硅電池片基體的正面,背電極和鋁背導(dǎo)電層設(shè)置在晶硅電池片基體的背面;其中,晶硅電池片基體正面與焊接電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域的方塊電阻值為40Ω/□~50Ω/□,鋁背導(dǎo)電層厚度比背電極高1μm,所述指柵電極的厚度比焊接電極高1μm。本實(shí)施例中,晶硅電池片基體從正面到背面依次包括SiNx減反射膜、SiO2薄膜、PN結(jié)、正面制絨的晶硅片、Al2O3鈍化膜和SiNx保護(hù)膜。一種本實(shí)施例的晶硅電池片的制備方法,包括以下步驟:(1)選用磁場(chǎng)直拉法(MCZ)法制備的的尺寸為156×156mm2、厚度為110~120μm、電阻率為10~15Ω·cm、P型單晶硅片作襯底,在濃度為2.5%、溫度為65℃的堿性溶液中腐蝕拋光,去除表面線切割損傷層,拋光片表面加權(quán)反射率≥65%;(2)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備在拋光硅片一面鍍100nm左右的SiNx保護(hù)膜,利用常規(guī)單晶制絨工藝制絨,延長(zhǎng)制絨后道HF酸清洗時(shí)間,得到一面(作為背面)拋光、一面制絨(作為正面)的單晶硅片;(3)采用高溫、低壓擴(kuò)散工藝在制絨面制備PN結(jié),擴(kuò)散PN結(jié)方塊電阻值為130~150Ω/□,片內(nèi)不均勻性在2%以內(nèi)。擴(kuò)散所用參數(shù)為:擴(kuò)散溫度為825℃,擴(kuò)散管內(nèi)壓強(qiáng)100~300mbar(常壓為1000mbar),擴(kuò)散時(shí)間30min,降溫退火時(shí)間2000s,擴(kuò)散后晶硅片的擴(kuò)散發(fā)射極暗飽和電流≤10-12A。(4)在焊接電極矩形區(qū)域,通過紫外皮秒激光器進(jìn)行激光摻雜,激光摻雜的工藝參數(shù)如下:激光波長(zhǎng)350nm,激光頻率為55KHZ,激光掃描速率為550mm/s,經(jīng)625℃退火處理,退火后測(cè)得焊接電極區(qū)域方塊電阻值為40~50Ω/□;焊接電極區(qū)域?yàn)榈头阶?,PN結(jié)比較深,對(duì)焊接溫度容忍度較高,即使焊接峰值溫度達(dá)到900℃,也不會(huì)產(chǎn)生金屬擴(kuò)散穿透PN結(jié)而導(dǎo)致漏電現(xiàn)象。(5)采用鏈?zhǔn)綕穹涛g機(jī)去除正面磷硅玻璃和邊緣、背面PN結(jié),在臭氧和紫外輻照氣氛下,在正面形成納米級(jí)厚度的SiO2薄膜,對(duì)前表明PN結(jié)發(fā)射極形成較好的鈍化效果,可阻擋高能粒子對(duì)PN結(jié)的破壞;(6)利用板式PECVD在背面鍍厚度為10~12nm的Al2O3鈍化膜和180~200nm的SiNx保護(hù)膜,在正面鍍75~80nm厚度的SiNx減反射膜;(7)設(shè)計(jì)硅片背面開膜圖形,圖形為正方形孔陣列,邊長(zhǎng)為1.1mm,方形孔間距為6mm,去除背面正方形孔陣列圖形區(qū)域的Al2O3鈍化膜和SiNx保護(hù)膜以露出鋁硅接觸導(dǎo)電窗口;(8)如圖1~4所示,根據(jù)設(shè)計(jì)好的電極結(jié)構(gòu)圖形,進(jìn)行電極制備,其中,圖2中灰色區(qū)域?yàn)楸趁婧突ミB片焊接的背電極網(wǎng)版圖形,斜線陰影區(qū)為鋁背場(chǎng)網(wǎng)版圖形;圖4中灰色區(qū)域代表正面和互連片相焊接的焊接電極網(wǎng)版圖形,豎線陰影區(qū)代表分隔后的小電池的指柵電極網(wǎng)版圖形。電極制備工序具體如下:(8.1)在晶硅片背面的預(yù)設(shè)背電極區(qū)域印刷背電極銀漿并烘干,其中,背電極印刷網(wǎng)版膜厚為5.5μm、網(wǎng)版目數(shù)為345、印刷壓力55N;(8.2)在晶硅片背面的預(yù)設(shè)鋁背導(dǎo)電層區(qū)域印刷鋁背導(dǎo)電層鋁漿并烘干,鋁背場(chǎng)網(wǎng)版膜厚為6μm、網(wǎng)版目數(shù)為295、印刷壓力55N;(8.3)在晶硅片正面的預(yù)設(shè)焊接電極區(qū)域印刷焊接電極銀漿并烘干,焊接區(qū)域電極網(wǎng)版膜厚為11μm、網(wǎng)版目數(shù)為305、印刷壓力85N;(8.4)在晶硅片正面的預(yù)設(shè)指柵電極區(qū)域印刷指柵電極銀漿并烘干;指柵電極網(wǎng)版膜厚為13μm、網(wǎng)版目數(shù)為325、印刷壓力45N;最終使得背導(dǎo)電層鋁漿比背焊接電極銀漿厚1.5μm~2μm,指柵電極銀漿比焊接電極銀漿厚1.5μm~2μm;(8.5)漿料印刷、烘干完畢后進(jìn)入燒結(jié)工序,燒結(jié)溫度為425℃,燒結(jié)時(shí)間35s;燒結(jié)后所得鋁背導(dǎo)電層厚度比背電極高1.5μm~2μm左右(如圖5所示),指柵電極的厚度比焊接電極高1.5μm~2μm左右,和一定厚度(>0.05mm)的互連片焊接互連后,由于焊接電極+互連片的整體高度和相鄰指柵電極高度非常相近,背電極+互連片的整體高度和鋁背導(dǎo)電層高度也接近,在封裝環(huán)節(jié)不會(huì)因高度差而產(chǎn)生氣泡問題,不會(huì)對(duì)玻璃該片封裝產(chǎn)生影響。本實(shí)施例中,背電極銀漿和焊接電極銀漿為同一種銀漿,其中銀的含量均為92%~94%,鉬含量為1%~2%,其余為玻璃料和酥油醇、氫化蓖麻油等有機(jī)載體。焊接電極材料和互連片的材料屬性一致性效果好,利于采用電阻焊接方式焊接,焊接電極耐高低溫循環(huán)變化特性好,不易脫落。利用電阻焊接技術(shù)焊接后,電池幾乎無漏電,而且電極焊接拉力≥1.0N/mm2,達(dá)到空間電池焊接拉力要求。(9)采用激光切割方式把同一晶硅片上進(jìn)行分離切割,得到若干個(gè)規(guī)格為30×70mm2小晶硅電池片(參考圖2和圖4),然后進(jìn)行測(cè)試分選。測(cè)試結(jié)果如表1,可見,本發(fā)明的晶硅電池片具有焊接溫度容忍度較高,不易產(chǎn)生漏電現(xiàn)象、封裝性能好、效率高等的優(yōu)點(diǎn)。電池厚度電池效率(AM1.5)漏電流焊接電極拉力焊接區(qū)封裝氣泡數(shù)量100μm20.1%≤0.01A≥1.1N/mm2無以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例。凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。應(yīng)該指出,對(duì)于本
技術(shù)領(lǐng)域
的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下的改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 
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