本發(fā)明涉及異質(zhì)結(jié)太陽能電池領(lǐng)域，具體地說，特別涉及到一種新型異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

常規(guī)的異質(zhì)結(jié)太陽能電池是一種反向的大面積二極管結(jié)構(gòu)。在P和單晶硅、N和單晶硅之間都插入了一層本征的非晶硅i，作為鈍化層。其制備過程如圖2所示：常規(guī)的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的P/i/c-Si/i/N結(jié)構(gòu)使得電池制備過程復(fù)雜，需要在不同腔室里分別沉積P、i和N，而且形成的P/i和i/N界面容易形成載流子復(fù)合中心，造成光生電流的損失。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種新型異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)及其制作方法，在制作P和N的過程中，先不通入摻雜氣體，這樣自然形成一定的本征非晶硅鈍化層，然后逐漸增加摻雜氣體量，從而達(dá)到制備P和N層的目的。這樣形成的是一個(gè)從i過渡到P和從i過渡到N的漸變鈍化層，既起到鈍化的作用，又簡化了制作工序，更減少了兩個(gè)界面(P/i和i/N)。從而達(dá)到簡化工序得到更大電池產(chǎn)能的目的。

本發(fā)明所解決的技術(shù)問題可以采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

一種新型異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，包括前電極、背電極、以及位于所述前電極和背電極之間的單晶硅；在所述前電極和單晶硅、背電極和單晶硅設(shè)有漸變式的P/i層和i/N層。

一種新型異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，包括如下步驟：

1)選取N型單晶硅，并對其進(jìn)行清洗制絨處理；

2)在PECVD的P室中通入硅烷、氫氣，輝光放電，沉積i型層；隨后在保持輝光放電狀態(tài)下，往PECVD的P室中逐漸通入硼源摻雜氣體，在N型單晶硅的一側(cè)上制備出P漸變i層的P/i層；

3)在PECVD的N室中通入硅烷、氫氣，輝光放電，沉積i型層；隨后在保持輝光放電狀態(tài)下，往PECVD的N室中逐漸通入磷摻雜氣體，在在N型單晶硅的一側(cè)上制備出i漸變N的i/N層；

4)在所述P/i層的外側(cè)制備前電極，在所述i/N層的外側(cè)制備背電極；

5)在所述前電極和背電極的外側(cè)設(shè)置金屬柵線，得到異質(zhì)結(jié)太陽能電池。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果如下：

1、本發(fā)明所述的電池結(jié)構(gòu)和制備方法能夠完全替代原有的電池結(jié)構(gòu)功能。這種由P漸變i層替代P和i兩層非晶硅，以及由i漸變N層替代i和N兩層非晶硅的結(jié)構(gòu)和制作方法，減少了兩道制作工序，減少了電池由i室運(yùn)輸?shù)絧室、由i室運(yùn)輸?shù)絅室的輸送時(shí)間，減少了輝光放電前兩次氣體混氣時(shí)間，減少了輝光放電前匹配器匹配過程，大大節(jié)省了電池的制作時(shí)間，增加了產(chǎn)能。

2、此外，這種方法至少減少了兩個(gè)工藝腔室，大大節(jié)省了設(shè)備成本。

3、再者，這種新型工藝制備的是過渡層，減少了p/i和i/n兩個(gè)界面層，大大降低了載流子在p/i和i/n兩個(gè)界面處的復(fù)合，有利于提高電池的短路電流。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池結(jié)構(gòu)框圖。

圖2為本發(fā)明所述的異質(zhì)結(jié)太陽電池的工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施方式，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。

參見圖1，本發(fā)明所述的一種新型異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，包括前電極、背電極、以及位于所述前電極和背電極之間的單晶硅；在所述前電極和單晶硅、背電極和單晶硅設(shè)有漸變式的P/i層和i/N層。

參見圖2，一種新型異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，包括如下步驟：

1)選取N型單晶硅，并對其進(jìn)行清洗制絨處理；

2)在PECVD的P室中通入硅烷、氫氣，輝光放電，沉積i型層；隨后在保持輝光放電狀態(tài)下，往PECVD的P室中逐漸通入硼源摻雜氣體，在N型單晶硅的一側(cè)上制備出P漸變i層的P/i層；

3)在PECVD的N室中通入硅烷、氫氣，輝光放電，沉積i型層；隨后在保持輝光放電狀態(tài)下，往PECVD的N室中逐漸通入磷摻雜氣體，在在N型單晶硅的一側(cè)上制備出i漸變N的i/N層；

4)在所述P/i層的外側(cè)制備前電極，在所述i/N層的外側(cè)制備背電極；

5)在所述前電極和背電極的外側(cè)設(shè)置金屬柵線，得到異質(zhì)結(jié)太陽能電池。

本發(fā)明去掉了P層和單晶硅之間的i層鈍化層，而采用控制反應(yīng)過程中摻雜氣體硼烷的通入量來達(dá)到同時(shí)沉積P和過渡層的目的。

本發(fā)明去掉了N層和單晶硅之間的i層鈍化層，而采用控制反應(yīng)過程中摻雜氣體磷烷的通入量來達(dá)到同時(shí)沉積P和過渡層的目的。

本發(fā)明在無需增加任何設(shè)備的情況下，實(shí)現(xiàn)了電池工序的簡化；

本發(fā)明減少了兩個(gè)界面層P/i和i/N界面層。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。