本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

太陽能發(fā)電技術(shù)是新能源發(fā)展的一個重要領(lǐng)域，提高太陽能電池板的單位面積輸出功率是太陽能電池技術(shù)進步的最終目標。決定太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的主要電學參數(shù)有短路電流、開路電壓和填充因子。IBC（Interdigitated back contact一種背接觸太陽能電池，正負金屬電極都在電池非受光面呈指狀交叉排布。）電池在電池受光面沒有金屬電極的存在，能夠完全消除正面的光學損失，增大短路電流，所有的電極在電池背面呈交叉指撞的分布，較大的金屬化面積提升了電池填充因子，而良好的鈍化工藝能夠提升電池的開路電壓。

IBC技術(shù)的難點之一就在于在電池背面制備出呈梳狀交叉分布的N型擴散區(qū)域和P型擴散區(qū)域，通常需要兩次高溫擴散及中間的高溫擴散掩膜制備、圖形刻蝕、清洗工藝，工藝復(fù)雜，良品率低是制約IBC工藝大規(guī)模量產(chǎn)的瓶頸之一。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種IBC電池的制備方法，減少了過多的高溫工藝對硅片的不利影響，減少了工藝步驟，工藝簡單，提高了效率，良品率高，降低了成本。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：包括如下步驟：

A: N型硅片雙面制絨；

B：將N型硅片的背面拋光，并進行磷硅玻璃的沉積；

C：在已經(jīng)沉積磷硅玻璃的一面的需要摻磷區(qū)域進行磷摻雜激光推進形成磷摻雜區(qū)域；并同時在磷摻雜區(qū)域形成一層損傷層；

D：經(jīng)化學清洗，去除硅片表面除損傷層外的磷硅玻璃層；

E：對硅片背光面實行高溫硼擴散工藝，形成硼摻雜區(qū)域，損傷層能夠阻擋硼原子的擴散，從而在硅片背面形成梳狀交叉分布的N型擴散區(qū)域和P型擴散區(qū)域，同時硼擴散中的后氧化工藝，能夠在硅片表面形成一層硼硅玻璃層；

F：經(jīng)化學清洗，去除硅片表面損傷層及硼硅玻璃層；

G：在硅片正反表面沉積一層鈍化減反層；

H：在硅片背光面P型區(qū)和N型區(qū)絲網(wǎng)印刷金屬柵線，經(jīng)烘干、燒結(jié)后形成IBC電池成品。

作為優(yōu)選，步驟C中磷摻雜激光推進采用激光器進行磷摻雜推進。

作為優(yōu)選，步驟C中磷摻雜推進采用波長范圍300nm~1600nm，脈寬10ns~200ns，光斑直徑10~200um、激光器臺面功率10W~100W的激光器進行磷摻雜推進。

作為優(yōu)選，步驟C中損傷層為激光損傷層，是采用激光推進形成的。

作為優(yōu)選，步驟D化學清洗所用化學清洗液為硝酸、氫氟酸。

作為優(yōu)選，步驟F化學清洗所用化學清洗液為氫氧化鉀、硝酸、氫氟酸。

作為優(yōu)選，步驟G中鈍化減反層為：氮化硅薄膜一般通過PECVD（等離子增強氣相化學沉積法）在硅片上下表面形成氮化硅層，將硅片表面懸掛鍵通過氫原子填滿，起到鈍化的作用，同時也能起到保護作用和增透作用。

采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：本發(fā)明方法簡單，只用經(jīng)過硼擴散一步的高溫過程，同時形成磷摻雜區(qū)域及損傷層，損傷層為硼擴散工藝中阻擋層，阻止硼原子向磷摻雜區(qū)域的擴散，降低了工藝難度，減少了過多的高溫工藝對硅片的不利影響；利用激光摻雜形成特定圖案的N型摻雜區(qū)域，并同時形成了阻擋高溫硼擴散的損傷層，大大減少了IBC電池的工藝步驟，有利于降低成本，便于產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，提高了效率，良品率高，降低了成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明步驟結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、硅片；2、磷硅玻璃；3、磷摻雜區(qū)域；4、損傷層；5、硼摻雜區(qū)域；6、鈍化減反層；7、金屬柵線。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。

如圖1所示，為本發(fā)明一種IBC電池的制備方法的一個實施例，包括如下步驟：

A: N型硅片1雙面制絨；

B：將N型硅片1的背面拋光，并進行磷硅玻璃2的沉積；

C：在已經(jīng)沉積磷硅玻璃2的一面的需要摻磷區(qū)域進行磷摻雜激光推進形成磷摻雜區(qū)域3；并同時在磷摻雜區(qū)域形成一層損傷層4；

D：經(jīng)化學清洗，去除硅片表面除損傷層4外的磷硅玻璃層；

E：對硅片1背光面實行高溫硼擴散工藝，形成硼摻雜區(qū)域5，損傷層4能夠阻擋硼原子的擴散，從而在硅片1背面形成梳狀交叉分布的N型擴散區(qū)域和P型擴散區(qū)域，同時硼擴散中的后氧化工藝，能夠在硅片表面形成一層硼硅玻璃層；

F：經(jīng)化學清洗，去除硅片1表面損傷層4及硼硅玻璃層；

G：在硅片1正反表面沉積一層鈍化減反層6；

H：在硅片1背光面P型區(qū)和N型區(qū)絲網(wǎng)印刷金屬柵線7，經(jīng)烘干、燒結(jié)后形成IBC電池成品。

采用本方法，只用經(jīng)過硼擴散一步的高溫過程，減少了過多的高溫工藝對硅片的不利影響；在進行磷摻雜推進時一并形成了損傷層4，損傷層4厚度為1-5微米，損傷層4能夠阻擋硼原子的擴散，能簡單的形成梳狀交叉分布的N型擴散區(qū)域和P型擴散區(qū)域，降低了工藝難度，減少了工藝操作步驟，降低了制作成本，有利于工業(yè)化生產(chǎn)。

步驟C中磷摻雜激光推進采用激光器進行磷摻雜推進。

步驟C中磷摻雜推進采用波長范圍300nm~1600nm，脈寬10ns~200ns，光斑直徑10~200um、激光器臺面功率10W~100W的激光器進行磷摻雜推進。

作為優(yōu)選，步驟C中的需要摻磷部分，由于硼和磷是交叉結(jié)構(gòu)，在需要摻磷部分進行磷摻雜推進。

步驟C中損傷層為激光損傷層，是采用激光推進形成的。

步驟D化學清洗所用化學清洗液為硝酸、氫氟酸。

步驟F化學清洗所用化學清洗液為氫氧化鉀、硝酸、氫氟酸。

步驟G中鈍化減反層為：氮化硅薄膜一般通過PECVD（等離子增強氣相化學沉積法）在硅片上下表面形成氮化硅層，將硅片表面懸掛鍵通過氫原子填滿，起到鈍化的作用，同時也能起到保護作用和增透作用。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。