釕或釕的化合物在制備厚膜加熱元件中的應(yīng)用和含有該物質(zhì)的厚膜加熱元件及其電阻漿料的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了釕或釕的化合物在制備厚膜加熱元件中的應(yīng)用和含有釕或釕的化合物的厚膜加熱元件及其電阻漿料。本發(fā)明通過提供一種新的厚膜加熱電路的電阻漿料，即利用現(xiàn)有的厚膜電阻漿料制備技術(shù)將其中的導(dǎo)電相替換為釕或釕的化合物，來解決現(xiàn)有技術(shù)中電阻漿料中玻璃相增加到一定量時(shí)，對(duì)方阻的影響程度加劇，重?zé)兓蚀蟮膯栴}。
【申請(qǐng)人】在大量的研究試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，將現(xiàn)有的鈀銀漿料中的導(dǎo)電相替換為釕或釕的化合物，可以確保在玻璃相增加后，方阻變化可控，重?zé)兓€(wěn)定。以此為基礎(chǔ)，
【申請(qǐng)人】研究出含有釕或釕的化合物的電阻漿料，該漿料可以成功應(yīng)用于并聯(lián)厚膜加熱電路中，其較大的方阻，可以確保并聯(lián)后的電路電阻可調(diào)可控。本發(fā)明有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中，串聯(lián)的厚膜加熱電路容易損壞的弊端，提供了并聯(lián)形式的厚膜加熱電路。
【專利說明】
釕或釕的化合物在制備厚膜加熱元件中的應(yīng)用和含有該物質(zhì)的厚膜加熱元件及其電阻漿料
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及厚膜加熱技術(shù)，具體涉及釕或釕的化合物在制備厚膜加熱元件中的應(yīng)用和含有該物質(zhì)的厚膜加熱元件及其電阻漿料。
【背景技術(shù)】
[0002]不銹鋼厚膜發(fā)熱體從內(nèi)到外主要由不銹鋼基體、內(nèi)絕緣介質(zhì)層、電阻發(fā)熱層和外絕緣介質(zhì)層組成，水流從不銹鋼內(nèi)壁流過，其中內(nèi)絕緣介質(zhì)層厚度在100微米左右，由于從電阻發(fā)熱層到不銹鋼基體的熱傳導(dǎo)距離短，所以熱阻很小，熱響應(yīng)速度快。厚膜加熱屬于面加熱，整體受熱比較均勾，不會(huì)因加熱器表面產(chǎn)生大量氣泡而使加熱效率降低。由于熱量能夠及時(shí)傳導(dǎo)走，所以整個(gè)發(fā)熱管表面溫度不高，不會(huì)引起明火。安全性好，使用壽命長。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中使用的厚膜加熱元件，發(fā)熱材料多使用鈀銀電阻漿料，由于其鈀銀電阻漿料的方阻由漿料內(nèi)鈀銀和玻璃成份的相對(duì)含量調(diào)節(jié)，但是研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)玻璃含量大于70vol %時(shí)，玻璃含量的提高對(duì)方阻的影響程度加劇，重?zé)兓蚀?。因此，以鈀銀作為導(dǎo)電材料不能夠生產(chǎn)出較大方阻的電阻漿料，生產(chǎn)大功率厚膜加熱元件時(shí)其電阻線路只能采用串聯(lián)的方式，但是，在實(shí)際使用過程中發(fā)現(xiàn)，由于串聯(lián)電路的弊端和生產(chǎn)工藝的限制，導(dǎo)致串聯(lián)形式的厚膜加熱元件容易損壞，往往是在印刷電路不均勻處被燒斷。由于現(xiàn)有的生產(chǎn)方式主要靠絲網(wǎng)印的模式生產(chǎn)，在生產(chǎn)過程中，很難做到刮刀與印刷工件表面每處壓力一致，印刷出電路厚度也就難以均勻一致。而并聯(lián)模式的加熱電路可以較好的解決上述串聯(lián)電路的缺陷。特別是每條線路厚度均勻一致的并聯(lián)電路。但是，由于鈀銀漿料不能夠制備大方阻的電阻漿料，因此并聯(lián)加熱電路一直未能在厚膜加熱電路中使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了釕或釕的化合物在制備厚膜加熱元件中的應(yīng)用和含有該物質(zhì)的厚膜加熱元件及其電阻漿料。如無特殊說明，本發(fā)明所述電阻漿料均為厚膜加熱元件用電阻漿料，所述的釕或釕的化合物一般為二氧化釕。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案是:釕或釕的化合物在制備厚膜加熱元件中的應(yīng)用。
[0006]本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)包括:
[0007 ]所述的厚膜加熱元件的加熱電路為并聯(lián)電路。
[0008]所述的釕或釕的化合物被添加于印制厚膜加熱元件加熱電路的電阻漿料內(nèi)。
[0009]所述的釕的化合物是二氧化釕或釕酸鉍。
[0010]本發(fā)明的另一目的在于提供一種厚膜加熱元件，所述厚膜加熱元件的加熱電路為并聯(lián)電路，印制加熱電路的電阻漿料包含釕或釕的化合物。
[0011]本發(fā)明還提供了一種用于印制并聯(lián)厚膜加熱電路的電阻漿料，包括導(dǎo)電相、無機(jī)粘結(jié)相與有機(jī)載體，所述的導(dǎo)電相是釕或釕的化合物。
[0012]11.所述釕或釕的化合物用量為占漿料固相重量百分比的15%_70%。根據(jù)電阻漿料方阻的需要，可適量添加銀、鈀導(dǎo)電材料，以降低漿料方阻。
[0013]電阻漿料的方阻為1-60Ω/口。
[0014]本發(fā)明通過提供一種新的厚膜加熱電路的電阻漿料，即利用現(xiàn)有的厚膜電阻漿料制備技術(shù)將其中的導(dǎo)電相替換為釕或釕的化合物，來解決現(xiàn)有技術(shù)中電阻漿料中玻璃相增加時(shí)，對(duì)方阻的影響程度加劇，重?zé)兓蚀蟮膯栴}。
【申請(qǐng)人】在大量的研究試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，將現(xiàn)有的鈀銀漿料中的導(dǎo)電相替換為釕或釕的化合物，可以確保在玻璃相增加后，方阻變化可控，重?zé)兓€(wěn)定。以此為基礎(chǔ)，
【申請(qǐng)人】研究出含有釕或釕的化合物的電阻漿料，該漿料可以成功應(yīng)用于并聯(lián)厚膜加熱電路中，其較大的方阻，可以確保并聯(lián)后的電路電阻可調(diào)可控。本發(fā)明有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中，串聯(lián)的厚膜加熱電路容易損壞的弊端，提供了并聯(lián)形式的厚膜加熱電路。
[0015]本發(fā)明有效的解決了現(xiàn)有技術(shù)中，串聯(lián)的厚膜加熱電路容易損壞的弊端，提供了并聯(lián)形式的厚膜加熱電路，當(dāng)一組加熱電阻條數(shù)量較多時(shí)，在其中一條電路燒斷或損毀后，對(duì)其功率影響不大，延長了設(shè)備的使用壽命。同時(shí)，本發(fā)明可以在不含鈀銀的情況下達(dá)到理想的工作狀態(tài)，因此相比現(xiàn)有的電阻漿料在成本上具有較大優(yōu)勢。在同樣功率和功率密度的厚膜加熱元件，在生產(chǎn)時(shí)，消耗的漿料大致一樣，由于本發(fā)明電阻漿料減少使用甚至不使用貴金屬鈀和銀，大幅降低了生產(chǎn)成本。
[0016]針對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)印刷工藝的問題，本發(fā)明還提出了管狀厚膜加熱元件的生產(chǎn)方法，使刮刀與待印制厚膜加熱元件表面之間的相對(duì)位移軌跡與厚膜加熱元件加熱電路的電阻線條平行。利用該方法印制的單一電阻線路的厚度一致，減少了由于電路厚度不均勻造成的線路損毀情況的發(fā)生。特別是在印制并聯(lián)電路時(shí)，由于每條電阻線路的厚度均勻，單一線路燒斷的可能性大大降低。
[0017]尤其當(dāng)加熱電阻線條為一組相互平行的線條時(shí)，刮刀與待印制厚膜加熱元件表面之間的相對(duì)位移軌跡與厚膜加熱元件加熱電路的電阻線條平行時(shí)，即可保證每一條電阻線條厚度均勻一致。因?yàn)椴⒙?lián)，單跟線條只要印刷厚度均勻，線條之間相對(duì)厚度稍有差異，同樣能夠安全工作，不至于出現(xiàn)燒斷現(xiàn)象。設(shè)計(jì)并聯(lián)線路，就需要一種較大方阻的電阻漿料。
[0018]由于本發(fā)明通過對(duì)電阻漿料的改進(jìn)，解決了現(xiàn)有技術(shù)鈀銀漿料不能夠應(yīng)用于厚膜加熱元件并聯(lián)的問題，因此在同樣的加熱元件空間下，本發(fā)明提供的并聯(lián)電路其單條電阻線路長度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中串聯(lián)電路的長度，達(dá)到單條電阻線路變短，印刷難道降低的有益效果。其燒斷的幾率更小，使用壽命更長。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)說明。
[0020]釕或釕的化合物在制備厚膜加熱元件中的應(yīng)用。
[0021 ]所述的厚膜加熱元件的加熱電路為并聯(lián)電路。
[0022]所述的釕或釕的化合物被添加于印制厚膜加熱元件加熱電路的電阻漿料內(nèi)。
[0023]所述的釕的化合物是二氧化釕或釕酸鉍。
[0024]本發(fā)明的另一目的在于提供一種厚膜加熱元件，所述厚膜加熱元件的加熱電路為并聯(lián)電路，印制加熱電路的電阻漿料包含釕或釕的化合物。
[0025]本發(fā)明還提供了一種用于印制并聯(lián)厚膜加熱電路的電阻漿料，包括導(dǎo)電相、無機(jī)粘結(jié)相與有機(jī)載體，所述的導(dǎo)電相是釕或釕的化合物。
[0026]所述釕或釕的化合物用量為占漿料固相重量百分比的15%_70%。
[0027]本發(fā)明的電阻漿料的方阻為1-60Ω/□。
[0028]本發(fā)明通過提供一種新的厚膜加熱電路的電阻漿料，即利用現(xiàn)有的厚膜電阻漿料制備技術(shù)將其中的導(dǎo)電相替換為釕或釕的化合物，來解決現(xiàn)有技術(shù)中電阻漿料中玻璃相增加時(shí)，對(duì)方阻的影響程度加劇，重?zé)兓蚀蟮膯栴}。
【申請(qǐng)人】在大量的研究試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，將現(xiàn)有的鈀銀漿料中的導(dǎo)電相替換為釕或釕的化合物，可以確保在玻璃相增加后，方阻變化可控，重?zé)兓€(wěn)定。以此為基礎(chǔ)，
【申請(qǐng)人】研究出含有釕或釕的化合物的電阻漿料，該漿料可以成功應(yīng)用于并聯(lián)厚膜加熱電路中，其較大的方阻，可以確保并聯(lián)后的電路電阻可調(diào)可控。本發(fā)明有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中，串聯(lián)的厚膜加熱電路容易損壞的弊端，提供了并聯(lián)形式的厚膜加熱電路。
[0029]本發(fā)明有效的解決了現(xiàn)有技術(shù)中，串聯(lián)的厚膜加熱電路容易損壞的弊端，提供了并聯(lián)形式的厚膜加熱電路，在其中一條電路燒斷或損毀后，對(duì)其功率影響不大，延長了設(shè)備的使用壽命。同時(shí)，本發(fā)明可以在不含鈀銀的情況下達(dá)到理想的工作狀態(tài)，因此相比現(xiàn)有的電阻漿料在成本上具有較大優(yōu)勢。
[0030]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.釕或釕的化合物在制備厚膜加熱元件中的應(yīng)用。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于，所述的厚膜加熱元件的加熱電路為并聯(lián)電路。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于，所述的釕或釕的化合物被添加于印制厚膜加熱元件加熱電路的電阻漿料內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于，所述的釕或釕的化合物用于替換厚膜加熱元件加熱電路的電阻漿料的導(dǎo)電相。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于，所述的釕的化合物是二氧化釕或釕酸鉍。6.—種厚膜加熱元件，其特征在于，所述厚膜加熱元件的加熱電路為并聯(lián)電路，加熱電路的電阻漿料包含釕或釕的化合物。7.—種用于印制并聯(lián)厚膜加熱電路的電阻漿料，包括導(dǎo)電相、無機(jī)粘結(jié)相與有機(jī)載體，其特征在于，所述的導(dǎo)電相是釕或釕的化合物。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于印制并聯(lián)厚膜加熱電路的電阻漿料，其特征在于，所述釕或釕的化合物用量為占漿料固相重量百分比的15%-70%。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于印制并聯(lián)厚膜加熱電路的電阻漿料，其特征在于，電阻漿料的方阻為1-60 Ω/口。10.并聯(lián)厚膜加熱元件的生產(chǎn)方法，其特征在于，當(dāng)加熱電阻線條為一組相互平行的線條時(shí)，應(yīng)使刮刀與待印制厚膜加熱元件表面之間的相對(duì)位移軌跡與厚膜加熱元件加熱電路的電阻線條平行。
【文檔編號(hào)】H05B3/12GK106060979SQ201610519484
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年7月1日
【發(fā)明人】楊睿達(dá), 楊明懿
【申請(qǐng)人】新鄉(xiāng)市杰達(dá)精密電子器件有限公司